JP2021037668A - 透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法および中間体 - Google Patents

透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法および中間体 Download PDF

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Abstract

【課題】導体層および透明導電層の密着性に優れる透明導電性フィルム、その透明導電性フィルムの製造方法、および、その透明導電性フィルムの製造方法に用いられる中間体を提供すること。
【解決手段】透明導電性フィルム1は、透明基材2と、導電層3とを厚み方向一方側に向かって順に備える。導電層3は、視認領域10および視認領域10の周縁部に配置される額縁領域11を備える。視認領域10は、透明導電層4を備える。額縁領域11は、導体層5と、透明導電層4と、それらの間に配置され、導体層5および透明導電層4の密着を図るための導電密着層6とを備える。透明導電層4は、金属ナノワイヤーを含む。
【選択図】図1

Description

本発明は、透明導電性フィルム、透明導電性フィルムの製造方法および中間体に関し、詳しくは、光学用途に好適に用いられる透明導電性フィルム、その透明導電性フィルムの製造方法、および、その透明導電性フィルムの製造方法に用いられる中間体に関する。
従来から、金属ナノワイヤーを含む透明導電層を所望の電極パターンに形成した透明導電性フィルムが、タッチパネルなどの光学用途に用いられている。
このような透明導電性フィルムとして、透明基板と、第1の感光性樹脂層と、銀ナノワーヤーを含む透明導電膜層と、金属薄膜層と、第2の感光性樹脂層とを備えるタッチ入力センサが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2017−27231号公報
一方、特許文献1のタッチ入力センサにおいて、金属薄膜層と、金属ナノワイヤーを含む透明導電層との密着性が低いため、透明導電層が剥離するという不具合がある。
本発明は、導体層および透明導電層の密着性に優れる透明導電性フィルム、その透明導電性フィルムの製造方法、および、その透明導電性フィルムの製造方法に用いられる中間体を提供することにある。
本発明[1]は、透明基材と、導電層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記導電層は、視認領域および前記視認領域の周縁部に配置される額縁領域を備え、前記視認領域は、透明導電層を備え、前記額縁領域は、導体層と、前記透明導電層と、それらの間に配置され、前記導体層および前記透明導電層の密着を図るための導電密着層とを備え、前記透明導電層は、金属ナノワイヤーを含む、透明導電性フィルムである。
本発明[2]は、前記額縁領域が、前記導体層と、前記導電密着層と、前記透明導電層とを厚み方向一方側に向かって順に備える、上記[1]に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明[3]は、前記透明基材の両側に、前記導電層が配置されている、上記[1]または[2]に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明[4]は、前記金属ナノワイヤーが、銀ナノワイヤーである、上記[1]〜[3]のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明[5]は、前記導体層が、銅層である、上記[1]〜[4]のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明[6]は、前記導電密着層が、クロム、ニッケル、酸化ケイ素およびアルミニウムドープ酸化亜鉛からなる群から1つ以上を含む、上記[1]〜[5]のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明[7]は、フォトレジスト用またはウェットエッチング用である、上記[1]〜[6]のいずれか一項に記載の透明導電性フィルムを含んでいる。
本発明[8]は、透明基材を準備する第1工程と、前記透明基材に、視認領域および前記視認領域の周縁部に配置される額縁領域を備える導電層を配置する第2工程とを備え、第2工程において、前記視認領域に、透明導電層を配置し、前記額縁領域に、導体層と、透明導電層と、それらの間に配置され、前記導体層および前記透明導電層の密着を図るための導電密着層とを配置し、前記透明導電層は、金属ナノワイヤーを含む、透明導電性フィルムの製造方法である。
本発明[9]は、上記[8]に記載の透明導電性フィルムの製造方法に用いられ、前記透明基材と、前記導体層と、前記導電密着層とを厚み方向一方側に向かって順に備えるか、または、前記透明基材と、前記透明導電層と、前記導電密着層とを厚み方向一方側に向かって順に備える、中間体を含んでいる。
本発明の透明導電性フィルムにおいて、額縁領域は、導体層と、透明導電層と、それらの間に配置され、導体層および透明導電層の密着を図るための導電密着層とを備える。
そのため、導体層および透明導電層の間の密着性に優れる。
本発明の透明導電性フィルムの製造方法は、額縁領域に、導体層と、透明導電層と、それらの間に配置され、導体層および透明導電層の密着を図るための導電密着層とを配置する工程を備える。
そのため、導体層および透明導電層の間の密着性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
本発明の中間体は、本発明の透明導電性フィルムの製造方法に用いられる。
そのため、この中間体によれば、導体層および透明導電層の間の密着性に優れる透明導電性フィルムを得ることができる。
図1は、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態の断面図を示す。 図2は、本発明の透明導電性フィルムの製造方法の一実施形態を示し、図2Aは、透明基材を用意する第1工程を示し、図2Bは、第2工程において、透明基材の厚み方向一方面に、導体層を配置する工程を示し、図2Cは、第2工程において、導体層の厚み方向一方面に導電密着層を配置する工程を示し、図2Dは、第2工程において、導体層および導電密着層をパターン形成することにより、視認領域および額縁領域を形成する工程を示し、図2Eは、第2工程において、視認領域の厚み方向一方面および額縁領域の厚み方向一方面に、透明導電層を配置する工程を示す。 図3は、図1に示す透明導電性フィルムの変形例(導電層を、透明基材の両側に配置する場合)の断面図を示す。 図4は、図1に示す透明導電性フィルムの変形例(ハードコート層を備える場合)の断面図を示す。
図1を参照して、本発明の透明導電性フィルムの一実施形態を説明する。
図1において、紙面上下方向は、上下方向(厚み方向)であって、紙面上側が、上側(厚み方向一方側)、紙面下側が、下側(厚み方向他方側)である。また、紙面左右方向および奥行き方向は、上下方向に直交する面方向である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
1.透明導電性フィルム
透明導電性フィルム1は、所定の厚みを有するフィルム形状(シート形状を含む)を有し、厚み方向と直交する面方向に延び、平坦な上面および平坦な下面を有する。透明導電性フィルム1は、例えば、画像表示装置に備えられるタッチパネル用基材や電磁波シールドなどの一部品であり、つまり、画像表示装置ではない。すなわち、透明導電性フィルム1は、画像表示装置などを作製するための部品であり、OLEDモジュールなどの画像表示素子を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
具体的には、図1に示すように、透明導電性フィルム1は、透明基材2と、導電層3とを厚み方向一方側に向かって順に備える。透明導電性フィルム1は、より具体的には、透明基材2と、透明基材2の上面(厚み方向一方面)に配置される導電層3とを備える。
透明導電性フィルム1の厚みは、例えば、200μm以下、好ましくは、150μm以下であり、また、例えば、20μm以上、好ましくは、30μm以上である。
2.透明基材
透明基材2は、透明導電性フィルム1の機械強度を確保するための透明な基材である。
透明基材2は、フィルム形状を有する。透明基材2は、導電層3の下面に接触するように、導電層3の下面に全面に、配置されている。
透明基材2は、例えば、透明性を有する高分子フィルムである。
透明基材2の材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマーなどのオレフィン樹脂、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂、例えば、ポリメタクリレートなどの(メタ)アクリル樹脂(アクリル樹脂および/またはメタクリル樹脂)、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。
透明基材2は、単独使用または2種以上併用することができる。
透明基材2の材料としては、好ましくは、シクロオレフィンポリマーが挙げられる。すなわち、透明基材2は、好ましくは、シクロオレフィンポリマーから形成されるシクロオレフィン系フィルムである。
シクロオレフィン系ポリマーは、シクロオレフィンモノマーを重合して得られ、主鎖の繰り返し単位中に脂環構造を有する高分子である。シクロオレフィン系樹脂は、好ましくは、非晶質シクロオレフィン系樹脂である。
シクロオレフィン系ポリマーとしては、例えば、シクロオレフィンモノマーからなるシクロオレフィンホモポリマー、例えば、シクロオレフィンモノマーと、エチレンなどのオレフィンなどとの共重合体からなるシクロオレフィンコポリマーなどが挙げられる。
シクロオレフィンモノマーとしては、例えば、ノルボルネン、メチルノルボルネン、ジメチルノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブチルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、ジヒドロジシクロペンタジエン、テトラシクロドデセン、トリシクロペンタジエンなどの多環式オレフィン、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シシクロオクタジエン、シクロオクタトリエンなどの単環式オレフィンなどが挙げられる。好ましくは、多乾式オレフィンが挙げられる。これらシクロオレフィンは、単独使用または2種以上併用することができる。
透明基材2の厚みは、機械的強度などの観点から、例えば、2μm以上、好ましくは、15μm以上であり、また、例えば、300μm以下、好ましくは、150μm以下、より好ましくは、薄型化および屈曲性の観点から、50μm未満である。透明基材2の厚みは、例えば、マイクロゲージ式厚み計を用いて測定することができる。
3.導電層
導電層3は、透明導電性フィルム1に導電性を付与するための層である。
導電層3は、透明基材2の上面(厚み方向一方面)に接触するように、透明基材2の上面に全面に、配置されている。
導電層3は、視認領域10および視認領域10の周縁部に配置される額縁領域11を備える。
視認領域10は、例えば、タッチパネルのタッチ入力領域であり、透明導電層4を備える。
額縁領域11は、配線パターン(図示せず)を形成するための領域であって、導体層5と、透明導電層4と、それらの間に配置される導電密着層6とを備える。
額縁領域11は、具体的には、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備えるか、または、透明導電層4と、導電密着層6と、導体層5とを厚み方向一方側に向かって順に備える。好ましくは、狭額縁の観点から、額縁領域11は、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
以下の説明では、額縁領域11が、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備える場合について、詳述する。
このような場合には、透明導電性フィルム1は、視認領域10において、透明基材2と、透明基材2の上面(厚み方向一方面)に配置される透明導電層4とを備える。
また、透明導電性フィルム1は、額縁領域11において、透明基材2と、透明基材2の上面(厚み方向一方面)に配置される導体層5と、導体層5の上面(厚み方向一方面)に配置される導電密着層6と、導電密着層6の上面(厚み方向一方面)に配置される透明導電層4とを備える。
また、透明導電層4は、透明導電性フィルム1において、最上層であり、透明導電層4は、視認領域10における透明基材2の上面(厚み方向一方面)と、額縁領域11における導電密着層6の上面(厚み方向一方面)と、視認領域10および額縁領域11の境界における導体層5および導電密着層6の内側面との全体に渡って、連続して配置されるように、視認領域10および額縁領域11に跨って配置されている。
4.透明導電層
透明導電層4は、優れた導電性を発現する透明な層である。
透明導電層4は、透明導電組成物から形成される。
透明導電組成物は、金属ナノワイヤーおよびバインダー樹脂を含む。すなわち、透明導電層4は、金属ナノワイヤーを含む。
透明導電層4が、金属ナノワイヤーを含むと、金属ナノワイヤーが網の目状となることにより、少量の金属ナノワイヤーであっても良好な電気伝導経路を形成することができ、比抵抗を小さくできる。また、金属ナノワイヤーが網の目状となることにより、網の目の隙間に開口部を形成して、光透過率を向上できる。
金属ナノワイヤーは、例えば、平均径10nm程度の外径を有し、針状または糸状の形状を有する導電性物質である。
金属ナノワイヤーを構成する金属としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンタル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛またはこれらの合金などが挙げられ、好ましくは、銀が挙げられる。
すなわち、金属ナノワイヤーは、好ましくは、銀ナノワイヤーである。
金属ナノワイヤーが、銀ナノワイヤーであれば、透明導電層4の比抵抗を小さくすることができる。
バインダー樹脂としては、特に限定されないが、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミド樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、セルロース誘導体などが挙げられる。
そして、透明導電組成物は、バインダー樹脂および金属ナノワイヤーを混合することにより得られる。
バインダー樹脂の配合割合は、透明導電組成物に対して、例えば、75質量%以上である。
また、金属ナノワイヤーの配合割合は、透明導電組成物に対して、例えば、0.1質量%以上である。
また、透明導電組成物は、必要により、溶媒によって希釈することができる。
また、透明導電組成物には、必要により、腐食防止などの観点から、酸化防止剤や紫外線吸収剤などの公知の添加剤を配合することができる。
透明導電層4は、後述する方法により形成される。
透明導電層4の厚みは、例えば、10nm以上、好ましくは、30nm以上、より好ましくは、40nm以上であり、また、例えば、80nm以下である。
なお、透明導電層4の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、透明導電性フィルム1の断面を観察することにより測定することができる。
透明導電層4の表面抵抗値は、例えば、70Ω/□以下、好ましくは、30Ω/□以下である。
透明導電層4の表面抵抗値が上記した上限以下であれば、透明導電層4をパターンニングして電極として用いられるときに、優れた電気特性を発現できる。
透明導電層4の表面抵抗値の下限は、特に限定されない。例えば、透明導電層4の表面抵抗値は、通常、0Ω/□超過、また、1Ω/□以上である。
なお、表面抵抗値は、JIS K7194に準拠して、4端子法により測定することができる。
4.導体層
導体層5は、額縁領域11において、配線パターン(図示せず)と接続するための層である。
導体層5は、平面視枠形状を有する。
導体層5の材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたは、それらの合金などの金属が挙げられる。
導体層5の材料は、単独使用または2種以上併用することができる。
導体層5の材料としては、導電性などの観点から、好ましくは、銅が挙げられる。
つまり、導体層5は、好ましくは、銅層である。
なお、導体層5が、銅などの酸化が生じやすい材料である場合、その導体層5の表面は酸化されていてもよい。具体的には、導体層5が、銅層である場合は、導体層5は、表面の一部または全部に酸化銅を備える銅層であってもよい。
導体層5は、後述する方法により形成される。
導体層5の厚みは、例えば、40nm以上、好ましくは、100nm以上であり、また、例えば、400nm以下である。
なお、導体層5の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、透明導電性フィルム1の断面を観察することにより測定することができる。
5.導電密着層
導電密着層6は、導体層5および透明導電層4の密着を図るための層である。
導電密着層6は、平面視枠形状を有する。
導電密着層6の材料としては、例えば、クロム、ニッケル、酸化ケイ素(SiOx、(0<x<2))、銅・ニッケル・チタン(Cu−Ni−Ti)合金およびアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)などが挙げられる。
導電密着層6の材料は、単独使用または2種以上併用することができる。
導電密着層6の材料としては、透明導電層4と、導体層5との密着性の観点から、好ましくは、クロム、銅・ニッケル・チタン(Cu−Ni−Ti)合金、酸化ケイ素(SiO)およびアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、より好ましくは、クロム、酸化ケイ素(SiO)およびアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、さらに好ましくは、クロム、酸化ケイ素(SiO)、とりわけ好ましくは、酸化ケイ素(SiO)が挙げられる。
つまり、導電密着層6は、透明導電層4と、導体層5との密着性の観点から、好ましくは、クロム(好ましくは、銅・ニッケル・チタン(Cu−Ni−Ti)合金に含まれるクロム)、ニッケル、酸化ケイ素およびアルミニウムドープ酸化亜鉛からなる群から1つ以上を含む。
導電密着層6は、後述する方法により形成される。
導電密着層6の厚みは、例えば、1nm以上であり、また、例えば、10nm以下である。
とりわけ、導電密着層6の材料が、クロム、酸化ケイ素(SiO)、および、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)のいずれかである場合には、導電密着層6の厚みは、例えば、1nm以上であり、また、例えば、10nm以下、好ましくは、5nm以下、より好ましくは、3nm以下である。
また、導電密着層6の材料が、ニッケルおよび銅・ニッケル・チタン(Cu−Ni−Ti)合金のいずれかである場合には、導電密着層6の厚みは、例えば、1nm以上、好ましくは、5nm以上であり、また、例えば、10nm以下である。
5.透明導電性フィルムの製造方法
次に、透明導電性フィルム1の製造方法を説明する。
透明導電性フィルム1の製造方法は、透明基材2を準備する第1工程と、透明基材2に、導電層3を配置する第2工程とを備える。また、この製造方法では、各層を、例えば、ロールトゥロール方式で、順に配置する。
第1工程では、図2Aに示すように、透明基材2を準備する。
第2工程では、透明基材2に、導電層3を配置する。具体的には、透明基材2の厚み方向一方面に、導電層3を配置する。
より具体的には、第2工程において、視認領域10に、透明導電層4を配置し、また、額縁領域11に、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に配置する。
以下、具体的に詳述する。
第2工程では、まず、図2Bに示すように、透明基材2の厚み方向一方面の全面に、導体層5を配置する。
透明基材2の厚み方向一方面の全面に、導体層5を配置する方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ラミネート法、めっき法、イオンプレーティング法などが挙げられ、好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。
スパッタリング法は、真空チャンバー内にターゲットおよび透明基材2を対向配置し、ガスを供給するとともに電源から電圧を印加することによりガスイオンを加速しターゲットに照射させて、ターゲット表面からターゲット材料をはじき出して、そのターゲット材料を透明基材2の表面に積層させる。
ガスとしては、例えば、Arなどの不活性ガスが挙げられる。また、必要に応じて、酸素ガスなどの反応性ガスを併用することができる。反応性ガスを併用する場合において、反応性ガスの流量比(sccm)は特に限定しないが、スパッタガスおよび反応性ガスの合計流量比に対して、例えば、0.1流量%以上5流量%以下である。
スパッタリング時の気圧は、例えば、0.1Pa以上であり、また、例えば、1.0Pa以下、好ましくは、0.7Pa以下である。
電源は、例えば、DC電源、AC電源、MF電源およびRF電源のいずれであってもよく、また、これらの組み合わせであってもよい。
これにより、透明基材2の厚み方向一方面の全面に、導体層5を配置する。
次いで、第2工程では、図2Cに示すように、導体層5の厚み方向一方面の全面に導電密着層6を配置する。
導体層5の厚み方向一方面の全面に導電密着層6を配置する方法としては、例えば、スパッタリング法、めっき法、真空蒸着法などが挙げられ、好ましくは、スパッタリング法が挙げられる。
スパッタリングの条件(反応性ガスの流量比およびスパッタリング時の気圧)は、上記した導体層5のおけるスパッタリングの条件と同様である。
これにより、導体層5の厚み方向一方面の全面に導電密着層6を配置する。また、透明基材2と、導体層5と、導電密着層6とを厚み方向一方側に向かって順に備える中間体12(後述)が得られる。
次いで、第2工程では、図2Dに示すように、導体層5および導電密着層6をパターン形成することにより、視認領域10および額縁領域11を形成(区画)する。
導体層5および導電密着層6をパターン形成する方法としては、公知のエッチング手法が挙げられる。
具体的には、導体層5および導電密着層6を平面視枠形状にパターン形成する。換言すれば、導体層5および導電密着層6の平面視中央部20の導体層5および導電密着層6を除去し、その中央部20の周縁部21の導体層5および導電密着層6を残存させるように、パターン形成する。
これにより、上記の中央部20が、視認領域10となり、周縁部21が、額縁領域11
となる。
すなわち、導体層5および導電密着層6が配置される領域が、額縁領域11であり、導体層5および導電密着層6が配置されない領域が、視認領域10である。
次いで、第2工程では、図2Eに示すように、視認領域10の厚み方向一方面と、額縁領域11の厚み方向一方面と、視認領域10および額縁領域11の境界における導体層5および導電密着層6の内側面とに、透明導電層4を配置する。
具体的には、透明導電層4は、視認領域10および額縁領域11を跨るように、配置される。詳しくは、透明導電層4は、視認領域10において、透明基材2の厚み方向一方面に配置され、また、透明導電層4は、額縁領域11において、導電密着層6の厚み方向一方面に配置され、視認領域10および額縁領域11の境界において、導体層5および導電密着層6の内側面に配置される。そして、視認領域10における透明導電層4と、額縁領域11における透明導電層4と、視認領域10および額縁領域11の境界における透明導電層4とは、連続するように形成される。
透明導電層4を配置するには、視認領域10の厚み方向一方面(透明基材2の厚み方向一方面)、額縁領域11の厚み方向一方面(導電密着層6の厚み方向一方面)、および、視認領域10および額縁領域11の境界における導体層5および導電密着層6の内側面に、透明導電組成物の希釈液を塗布し、その後、乾燥させる。
これにより、視認領域10の厚み方向一方面と、額縁領域11の厚み方向一方面と、視認領域10および額縁領域11の境界における導体層5および導電密着層6の内側面に、に、透明導電層4を配置する。
以上説明したように、このような第2工程により、視認領域10に、透明導電層4を配置し、また、額縁領域11に、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に配置する。
これにより、透明基材2と、導電層3とを厚み方向一方側に向かって順に備える透明導電性フィルム1が得られる。
そして、透明導電性フィルム1の透明導電層4は、例えば、フォトレジスト、ウェットエッチングなどの公知のパターニング方法により、パターン形成することもできる。
好ましくは、透明導電層4は、フォトレジスト、ウェットエッチングにより、パターン形成される。
つまり、透明導電性フィルム1は、フォトレジスト用またはウェットエッチング用として好適に用いられる。
6.作用効果
透明導電性フィルム1において、額縁領域11は、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
つまり、導体層5と、透明導電層4との間に、導電密着層6を備える。
そのため、導体層5および透明導電層4の間の密着性に優れる。
とりわけ、透明導電性フィルム1の透明導電層4を、フォトレジストにより、パターン形成する場合には、導体層5と、金属ナノワイヤーを含む透明導電層4との密着性が低いため、透明導電層4が剥離する場合がある。
一方、この透明導電性フィルム1では、導体層5と、透明導電層4との間に、導電密着層6を備えるため、導体層5および透明導電層4の間の密着性に優れる。その結果、フォトレジストにより、パターン形成する場合においても、透明導電層4の剥離を抑制することができる。
透明導電性フィルム1の製造方法は、第2工程において、額縁領域11に、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に配置する。
そのため、導体層5および透明導電層4の間の密着性に優れる透明導電性フィルム1を得ることができる。
7.中間体
中間体12は、透明導電性フィルム1の製造方法に用いることができる部品である。
中間体12は、透明基材2と、導体層5と、導電密着層6とを厚み方向一方側に向かって順に備えるか、または、透明基材2と、透明導電層4と、導電密着層6とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
とりわけ、上記したように、額縁領域11が、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備える場合には、図2Cに示すように、中間体12は、透明基材2と、導体層5と、導電密着層6とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
このような中間体12によれば、導体層5および透明導電層6の間の密着性に優れる透明導電性フィルム1を得ることができる。
8.変形例
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
上記した説明では、額縁領域11は、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備えるが、額縁領域11は、透明導電層4と、導電密着層6と、導体層5とを厚み方向一方側に向かって順に備えることもできる。
このような場合には、透明導電性フィルムの製造方法の第2工程では、まず、透明基材2の厚み方向一方面の全面に、透明導電層4を配置し、次いで、透明導電層4の厚み方向一方面の全面に導電密着層6を配置し、次いで、透明導電層4および導電密着層6をパターン形成することにより、視認領域10および額縁領域11を形成し、次いで、額縁領域11の厚み方向一方面(導電密着層6の厚み方向一方面)に、導体層5を配置する。
また、このような場合には、中間体12は、透明基材2と、透明導電層4と、導電密着層6とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
また、上記した説明では、導電層3を、透明基材2の厚み方向一方側に配置するが、図3に示すように、導電層3を、透明基材2の両側(厚み方向一方側および厚み方向他方側)に配置することもできる。
このような場合には、透明導電性フィルム1は、導電層3と、透明基材2と、導電層3とを厚み方向一方側に向かって順に備える。詳しくは、透明導電性フィルム1は、視認領域10において、透明導電層4と、透明基材2と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備え、額縁領域11において、透明導電層4と、導電密着層6と、導体層5と、透明基材2と、導体層5と、導電密着層6と、透明導電層4とを厚み方向一方側に向かって順に備える。
導電層3を、透明基材2の両側に配置すれば、透明基材2の共通化による薄膜化、パターン配線の位置精度向上の利点がある。
また、上記した説明では、透明基材2の上面(厚み方向一方面)に、導電層3を配置するが、透明基材2の上面(厚み方向一方面)に、ハードコート層7を配置することもできる。
このような場合には、図4に示すように、透明導電性フィルム1は、透明基材2と、透明基材2の上面(厚み方向一方面)に配置されるハードコート層7と、ハードコート層7の上面(厚み方向一方面)に配置される導電層3とを備える。
ハードコート層7は、透明導電性フィルム1を製造する際に、透明基材2に傷が発生することを抑制するための保護層である。また、ハードコート層7は、透明導電性フィルム1を積層した場合に、透明導電層4に擦り傷が発生することを抑制するための耐擦傷層である。
ハードコート層7は、ハードコート組成物から形成される。
ハードコート組成物は、樹脂および粒子を含有する。
樹脂としては、例えば、硬化性樹脂、熱可塑性樹脂(例えば、ポリオレフィン樹脂)などが挙げられ、好ましくは、硬化性樹脂が挙げられる。
硬化性樹脂としては、例えば、活性エネルギー線(具体的には、紫外線、電子線など)の照射により硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂、例えば、加熱により硬化する熱硬化性樹脂などが挙げられ、好ましくは、活性エネルギー線硬化性樹脂が挙げられる。
活性エネルギー線硬化性樹脂は、例えば、分子中に重合性炭素−炭素二重結合を有する官能基を有するポリマーが挙げられる。そのような官能基としては、例えば、ビニル基、(メタ)アクリロイル基(メタクリロイル基および/またはアクリロイル基)などが挙げられる。
活性エネルギー線硬化性樹脂としては、具体的には、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレートなどの(メタ)アクリル系紫外線硬化性樹脂が挙げられる。
また、活性エネルギー線硬化性樹脂以外の硬化性樹脂としては、例えば、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマー、有機シラン縮合物などの熱硬化性樹脂が挙げられる。
樹脂は、単独使用または2種以上併用することができる。
粒子としては、例えば、シリカ粒子、ジルコニア粒子などの無機粒子、例えば、架橋アクリル系粒子などの有機粒子などが挙げられる。
粒子の平均粒子径は、例えば、10nm以上であり、また、例えば、3000nm以下、好ましくは、1000nm以下、より好ましくは、100nm以下、さらに好ましくは、50nm以下である。
そして、ハードコート組成物は、樹脂および粒子を混合することにより得られる。
また、ハードコート組成物には、必要により、レベリング剤、チクソトロピー剤、帯電防止剤などの公知の添加剤を配合することができる。
ハードコート層7を形成するには、ハードコート組成物の希釈液を透明基材2の厚み方向一方面に塗布し、乾燥後、紫外線照射により、ハードコート組成物を硬化させる。
これにより、ハードコート層7を形成する。
ハードコート層7の厚みは、耐擦傷性の観点から、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.5μm以上、より好ましくは、0.8μm以上であり、また、例えば、10μm以下、好ましくは、2μm以下である。ハードコート層7の厚みは、例えば、透過型電子顕微鏡を用いて、断面観察により測定することができる。
そして、ハードコート層7の上面(厚み方向一方面)に、導電層3を、上記と同様に形成する。
また、ハードコート層7を、透明基材2の両側(厚み方向一方側および厚み方向他方側)に配置することもできる。
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。
1.試験用透明導電性フィルムの製造
以下の実施例および比較例では、後述する評価用の透明導電性フィルムとして、試験用透明導電性フィルムを製造した。
試験用透明導電性フィルムは、上記した第2工程において、導体層および導電密着層をパターン形成することなく(視認領域および額縁領域を形成することなく)、導電密着層の厚み方向一方面の全面に、透明導電層を配置したものである。
このような試験用透明導電性フィルムに対する評価(後述)の結果は、本発明の透明導電性フィルムに対する評価(後述)の結果に代替えすることができる。
実施例1
透明基材として、シクロオレフィン系フィルム(厚さ40μm、日本ゼオン社製「ゼオノアフィルム」)を用意した。
透明基材の両面に、紫外線硬化性アクリル樹脂を含有するハードコート層用液を塗布および乾燥した。その後、紫外線照射により硬化性樹脂組成物を硬化させた。これにより、厚み1.0μmのハードコート層を形成した。
次いで、透明基材の両面に設けられたハードコート層のうち、厚み方向一方側のハードコート層の厚み方向一方面の全面に、導体層を形成した。
具体的には、DCスパッタリング法によって、スパッタ出力の設定厚みを200nmに調整して、銅のターゲットを用いてスパッタリングした。真空条件は、アルゴンガスを導入し、気圧を0.3Paとした。これにより、厚み200nmの導体層(銅層)を形成した。
さらに、導体層の厚み方向一方面の全面に、導電密着層を形成した。
具体的には、DCスパッタリング法によって、スパッタ出力の設定厚みを5.0nmに調整して、クロムのターゲットを用いてスパッタリングした。真空条件は、アルゴンガスを導入し、気圧を0.3Paとした。これにより、厚み5.0nmの導電密着層(クロム層)を形成した。
そして、導電密着層の厚み方向一方面の全面に、透明導電層を形成した。
具体的には、銀ナノワイヤー(平均繊維長10μm、平均繊維径10nm)0.15質量%、バインダー樹脂(セルロース誘導体)0.45質量%、水系溶媒99.4質量%含む透明導電組成物の希釈液を塗布し、乾燥させることにより、厚み10〜80nmの透明導電層を形成した。
これにより、ハードコート層と、透明基材と、ハードコート層と、導電層(導体層、導電密着層および透明導電層)とを厚み方向一方側に向かって順に備える試験用透明導電性フィルムを得た。
実施例2
導電密着層(クロム層)の厚みを2.5nmとした以外は、実施例1と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
実施例3
導電密着層としてSiO(0<x<2)層を設け、SiOx層の厚みを5nmとした以外は、実施例1と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
具体的には、スパッタ出力の設定厚みを5.0nmに調整して、ターゲットとして、Siターゲットを用いてスパッタリングすることにより、導電密着層を形成した。
なお、真空条件は、アルゴンガス:酸素ガスを1:1.3の重量比率で導入し、気圧を0.2Paとした。
実施例4
導電密着層(SiO層)の厚みを2.5nmとした以外は、実施例3と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
実施例5
導電密着層としてCu−Ti−Ni層を設け、Cu−Ti−Ni層の厚みを5nmとした以外は、実施例1と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
具体的には、スパッタ出力の設定厚みを5.0nmに調整して、ターゲットとしてCuTiNi(Cu:35質量%、Ti:3質量%、Ni:62質量%)を用いてスパッタリングすることにより、導電密着層を形成した。
なお、真空条件は、アルゴンガスを導入し、気圧を0.3Paとした。
実施例6
導電密着層(Cu−Ni−Ti層)の厚みを2.5nmとした以外は、実施例5と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
実施例7
導電密着層としてNi層を設け、Ni層の厚みを5nmとした以外は、実施例1と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
具体的には、スパッタ出力の設定厚みを5.0nmに調整して、ターゲットとしてNiを用いてスパッタリングすることにより、導電密着層を形成した。
なお、真空条件は、アルゴンガスを導入し、気圧を0.3Paとした。
実施例8
導電密着層(Ni層)の厚みを2.5nmとした以外は、実施例7と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
実施例9
導電密着層としてアルミニウムドープ酸化亜鉛層(AZO層)を設け、AZO層の厚みを5nmとした以外は、実施例1と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
具体的には、スパッタ出力の設定厚みを5.0nmに調整して、ターゲットとしてAZOを用いてスパッタリングことにより、導電密着層を形成した。
なお、真空条件は、アルゴンガスおよび酸素ガスを40:1の重量比率で導入し、気圧を0.3Paとした。
実施例10
導電密着層(AZO層)の厚みを2.5nmとした以外は、実施例9と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
比較例1
導電密着層を設けなかった以外は、実施例1と同様にして、試験用透明導電性フィルムを得た。
2.評価
(密着性)
各実施例および各比較例の試験用透明導電性フィルムについて、クロスカット法に基づいて、10マス×10マス(合計100マス)の切り込みを入れた。
その後、この試験用透明導電性フィルムを、40℃、1質量%のKOH水溶液に、5分間浸漬後、純水で洗浄し、乾燥させた。
その後、100マスについて、透明導電層が欠けでいるマス(欠け)、透明導電層が剥がれているマス(剥がれ)、および、透明導電層が剥がれておらず、かつ、欠けていないマス(欠け・剥がれなし)のそれぞれをカウントした。
その結果を表1に示す。
Figure 2021037668
1 透明導電性フィルム
2 透明基材
3 導電層
4 透明導電層
5 導体層
6 導電密着層
10 視認領域
11 額縁領域
12 中間体

Claims (9)

  1. 透明基材と、導電層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
    前記導電層は、視認領域および前記視認領域の周縁部に配置される額縁領域を備え、
    前記視認領域は、透明導電層を備え、
    前記額縁領域は、導体層と、前記透明導電層と、それらの間に配置され、前記導体層および前記透明導電層の密着を図るための導電密着層とを備え、
    前記透明導電層は、金属ナノワイヤーを含むことを特徴とする、透明導電性フィルム。
  2. 前記額縁領域が、前記導体層と、前記導電密着層と、前記透明導電層とを厚み方向一方側に向かって順に備えることを特徴とする、請求項1に記載の透明導電性フィルム。
  3. 前記透明基材の両側に、前記導電層が配置されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の透明導電性フィルム。
  4. 前記金属ナノワイヤーが、銀ナノワイヤーであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
  5. 前記導体層が、銅層であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
  6. 前記導電密着層が、クロム、ニッケル、酸化ケイ素およびアルミニウムドープ酸化亜鉛からなる群から1つ以上を含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
  7. フォトレジスト用またはウェットエッチング用であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の透明導電性フィルム。
  8. 透明基材を準備する第1工程と、
    前記透明基材に、視認領域および前記視認領域の周縁部に配置される額縁領域を備える導電層を配置する第2工程とを備え、
    第2工程において、前記視認領域に、透明導電層を配置し、前記額縁領域に、導体層と、透明導電層と、それらの間に配置され、前記導体層および前記透明導電層の密着を図るための導電密着層とを配置し、
    前記透明導電層は、金属ナノワイヤーを含むことを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法。
  9. 請求項8に記載の透明導電性フィルムの製造方法に用いられ、
    前記透明基材と、前記導体層と、前記導電密着層とを厚み方向一方側に向かって順に備えるか、または、
    前記透明基材と、前記透明導電層と、前記導電密着層とを厚み方向一方側に向かって順に備えることを特徴とする、中間体。
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