CN112447313A - 透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体 - Google Patents

透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体 Download PDF

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Abstract

本发明提供导体层与透明导电层的密合性优异的透明导电性薄膜、该透明导电性薄膜的制造方法、及该透明导电性薄膜的制造方法中使用的中间体。透明导电性薄膜(1)朝向厚度方向一侧依次具备透明基材(2)和导电层(3)。导电层(3)具备视觉辨识区域(10)及配置于视觉辨识区域(10)的外周边缘部的边框区域(11)。视觉辨识区域(10)具备透明导电层(4)。边框区域(11)具备：导体层(5)、透明导电层(4)、及配置于它们之间且用于实现导体层(5)与透明导电层(4)的密合的导电密合层(6)。透明导电层(4)包含金属纳米线。

Description

透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体
技术领域
本发明涉及透明导电性薄膜、透明导电性薄膜的制造方法及中间体，详细而言，涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜、该透明导电性薄膜的制造方法、及该透明导电性薄膜的制造方法中使用的中间体。
背景技术
以往以来，使包含金属纳米线的透明导电层形成为期望的电极图案而得到的透明导电性薄膜被用于触摸面板等光学用途中。
作为这样的透明导电性薄膜，提出了下述触摸输入传感器，其具备：透明基板、第1感光性树脂层、包含银纳米线的透明导电膜层、金属薄膜层、和第2感光性树脂层(例如，参照专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-27231号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，对于专利文献1的触摸输入传感器，由于金属薄膜层与包含金属纳米线的透明导电层的密合性低，因此存在透明导电层剥离这样的不良情况。
本发明的目的在于，提供导体层与透明导电层的密合性优异的透明导电性薄膜、该透明导电性薄膜的制造方法、及该透明导电性薄膜的制造方法中使用的中间体。
用于解决问题的方案
本发明[1]为一种透明导电性薄膜，其朝向厚度方向一侧依次具备透明基材和导电层，前述导电层具备视觉辨识区域及配置于前述视觉辨识区域的外周边缘部的边框区域，前述视觉辨识区域具备透明导电层，前述边框区域具备：导体层、前述透明导电层、及配置于它们之间且用于实现前述导体层与前述透明导电层的密合的导电密合层，前述透明导电层包含金属纳米线。
本发明[2]包含上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述边框区域朝向厚度方向一侧依次具备前述导体层、前述导电密合层、和前述透明导电层。
本发明[3]包含上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述导电层配置于前述透明基材的两侧。
本发明[4]包含上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述金属纳米线为银纳米线。
本发明[5]包含上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述导体层为铜层。
本发明[6]包含上述[1]～[5]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述导电密合层包含选自由铬、镍、硅氧化物及掺铝的锌氧化物组成的组中的1者以上。
本发明[7]包含上述[1]～[6]中任一项所述的透明导电性薄膜，其用于光刻或用于湿蚀刻。
本发明[8]为一种透明导电性薄膜的制造方法，其具备：准备透明基材的第1工序；和将具备视觉辨识区域及配置于前述视觉辨识区域的外周边缘部的边框区域的导电层配置于前述透明基材的第2工序，第2工序中，将透明导电层配置于前述视觉辨识区域，将导体层、透明导电层、和配置于它们之间且用于实现前述导体层与前述透明导电层的密合的导电密合层配置于前述边框区域，前述透明导电层包含金属纳米线。
本发明[9]包含一种中间体，其在上述[8]所述的透明导电性薄膜的制造方法中使用，该中间体朝向厚度方向一侧依次具备前述透明基材、前述导体层和前述导电密合层，或者朝向厚度方向一侧依次具备前述透明基材、前述透明导电层、和前述导电密合层。
发明的效果
本发明的透明导电性薄膜中，边框区域具备：导体层、透明导电层、和配置于它们之间且用于实现导体层与透明导电层的密合的导电密合层。
因此，导体层与透明导电层间的密合性优异。
本发明的透明导电性薄膜的制造方法具备将导体层、透明导电层、配置于它们之间且用于实现导体层与透明导电层的密合的导电密合层配置于边框区域的工序。
因此，能够得到导体层与透明导电层间的密合性优异的透明导电性薄膜。
本发明的中间体在本发明的透明导电性薄膜的制造方法中使用。
因此，利用该中间体，能够得到导体层与透明导电层间的密合性优异的透明导电性薄膜。
附图说明
图1示出本发明的透明导电性薄膜的一实施方式的截面图。
图2示出发明的透明导电性薄膜的制造方法的一实施方式，图2的A示出准备透明基材的第1工序，图2的B示出在第2工序中将导体层配置于透明基材的厚度方向一面的工序，图2的C示出在第2工序中将导电密合层配置于导体层的厚度方向一面的工序，图2的D示出在第2工序中使导体层及导电密合层形成图案，由此形成视觉辨识区域及边框区域的工序，图2的E示出在第2工序中将透明导电层配置于视觉辨识区域的厚度方向一面及边框区域的厚度方向一面的工序。
图3示出图1所示的透明导电性薄膜的变形例(将导电层配置于透明基材的两侧的情况)的截面图。
图4示出图1所示的透明导电性薄膜的变形例(具备硬涂层的情况)的截面图。
附图标记说明
1 透明导电性薄膜
2 透明基材
3 导电层
4 透明导电层
5 导体层
6 导电密合层
10 视觉辨识区域
11 边框区域
12 中间体
具体实施方式
参照图1，对本发明的透明导电性薄膜的一实施方式进行说明。
图1中，纸面上下方向为上下方向(厚度方向)，纸面上侧为上侧(厚度方向一侧)，纸面下侧为下侧(厚度方向另一侧)。另外，纸面左右方向及深度方向为与上下方向正交的面方向。具体而言，以各图的方向箭头为基准。
1.透明导电性薄膜
透明导电性薄膜1具备具有规定厚度的薄膜形状(包含片形状)，具有沿与厚度方向正交的面方向延伸的平坦的上表面及平坦的下表面。透明导电性薄膜1例如为图像显示装置所具备的触摸面板用基材、电磁波屏蔽体等的一个部件，即，不是图像显示装置。即，透明导电性薄膜1为用于制作图像显示装置等的部件，为不含OLED模块等图像显示元件、以部件自身流通、产业上可利用的器件。
具体而言，如图1所示，透明导电性薄膜1朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2和导电层3。透明导电性薄膜1更具体而言具备透明基材2和配置于透明基材2的上表面(厚度方向一面)的导电层3。
透明导电性薄膜1的厚度例如为200μm以下，优选为150μm以下，另外，例如为20μm以上，优选为30μm以上。
2.透明基材
透明基材2为用于确保透明导电性薄膜1的机械强度的透明的基材。
透明基材2具有薄膜形状。透明基材2以与导电层3的下表面接触的方式配置于导电层3的下表面整面。
透明基材2例如为具有透明性的高分子薄膜。
作为透明基材2的材料，可列举出例如聚乙烯、聚丙烯、环烯烃聚合物等烯烃树脂、例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯树脂、例如聚甲基丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸类树脂(丙烯酸类树脂和/或甲基丙烯酸类树脂)、例如聚碳酸酯树脂、聚醚砜树脂、聚芳酯树脂、三聚氰胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、纤维素树脂、聚苯乙烯树脂等。
透明基材2可以单独使用或组合使用2种以上。
作为透明基材2的材料，优选可列举出环烯烃聚合物。即，透明基材2优选为由环烯烃聚合物形成的环烯烃系薄膜。
环烯烃系聚合物为将环烯烃单体聚合而得到的、在主链的重复单元中具有脂环结构的高分子。环烯烃系树脂优选为非晶质环烯烃系树脂。
作为环烯烃系聚合物，可列举出例如由环烯烃单体形成的环烯烃均聚物、例如由环烯烃单体与乙烯等烯烃等的共聚物形成的环烯烃共聚物等。
作为环烯烃单体，可列举出例如降冰片烯、甲基降冰片烯、二甲基降冰片烯、亚乙基降冰片烯、丁基降冰片烯、二环戊二烯、二氢二环戊二烯、四环十二烯、三环戊二烯等多环式烯烃、例如环丁烯、环戊烯、环辛二烯、环辛三烯等单环式烯烃等。优选可列举出多环式烯烃。这些环烯烃可以单独使用或组合使用2种以上。
对于透明基材2的厚度，从机械强度等观点出发，例如，为2μm以上，优选为15μm以上，另外，例如为300μm以下，优选为150μm以下，从薄型化及弯曲性的观点出发，更优选不足50μm。透明基材2的厚度例如可以使用microgauge式厚度计来测定。
3.导电层
导电层3为用于对透明导电性薄膜1赋予导电性的层。
导电层3以与透明基材2的上表面(厚度方向一面)接触的方式配置于透明基材2的上表面整面。
导电层3具备视觉辨识区域10及配置于视觉辨识区域10的外周边缘部的边框区域11。
视觉辨识区域10例如为触摸面板的触摸输入区域，具备透明导电层4。
边框区域11为用于形成布线图案(未图示)的区域，具备导体层5、透明导电层4、和配置于它们之间的导电密合层6。
对于边框区域11，具体而言，朝向厚度方向一侧依次具备导体层5、导电密合层6、和透明导电层4，或者朝向厚度方向一侧依次具备透明导电层4、导电密合层6、和导体层5。从窄边框的观点出发，优选边框区域11朝向厚度方向一侧依次具备导体层5、导电密合层6、和透明导电层4。
以下的说明中，对边框区域11朝向厚度方向一侧依次具备导体层5、导电密合层6、透明导电层4的情况进行详细叙述。
这样的情况下，透明导电性薄膜1在视觉辨识区域10中具备透明基材2、和配置于透明基材2的上表面(厚度方向一面)的透明导电层4。
另外，透明导电性薄膜1在边框区域11中具备：透明基材2、配置于透明基材2的上表面(厚度方向一面)的导体层5、配置于导体层5的上表面(厚度方向一面)的导电密合层6、和配置于导电密合层6的上表面(厚度方向一面)的透明导电层4。
另外，透明导电层4在透明导电性薄膜1中为最上层，透明导电层4以遍及视觉辨识区域10中的透明基材2的上表面(厚度方向一面)、边框区域11中的导电密合层6的上表面(厚度方向一面)、以及视觉辨识区域10及边框区域11的边界处的导体层5及导电密合层6的内侧面的整体连续地配置的方式，跨过视觉辨识区域10及边框区域11而配置。
4.透明导电层
透明导电层4为表现出优异的导电性的透明的层。
透明导电层4由透明导电组合物形成。
透明导电组合物包含金属纳米线及粘结剂树脂。即，透明导电层4包含金属纳米线。
透明导电层4包含金属纳米线时，金属纳米线形成网眼状，从而即使为少量的金属纳米线，也能够形成良好的导电路径，能够减小电阻率。另外，通过使金属纳米线形成网眼状，从而在网眼的间隙形成开口部，从而能够提高透光率。
金属纳米线例如为具有平均直径10nm左右的外径、具有针状或丝状的形状的导电性物质。
作为构成金属纳米线的金属，例如，可列举出铜、银、金、铂、钯、镍、锡、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅或这些的合金等，优选可列举出银。
即，金属纳米线优选为银纳米线。
金属纳米线为银纳米线时，能够减小透明导电层4的电阻率。
作为粘结剂树脂，没有特别限定，例如，可列举出丙烯酸类树脂、环氧树脂、酰胺树脂、醇酸树脂、酚醛树脂、氨基甲酸酯树脂、纤维素衍生物等。
而且，透明导电组合物可以通过将粘结剂树脂及金属纳米线混合来得到。
粘结剂树脂的配混比例相对于透明导电组合物例如为75质量％以上。
另外，金属纳米线的配混比例相对于透明导电组合物例如为0.1质量％以上。
另外，透明导电组合物根据需要可以用溶剂进行稀释。
另外，从防腐蚀等的观点出发，透明导电组合物根据需要可以配混抗氧化剂、紫外线吸收剂等公知的添加剂。
透明导电层4通过后述的方法来形成。
透明导电层4的厚度例如为10nm以上，优选为30nm以上，更优选为40nm以上，另外，例如为80nm以下。
需要说明的是，透明导电层4的厚度例如可以通过使用透射型电子显微镜对透明导电性薄膜1的截面进行观察来测定。
透明导电层4的表面电阻值例如为70Ω/□以下，优选为30Ω/□以下。
透明导电层4的表面电阻值为上述上限以下时，将透明导电层4图案化并用作电极时，能够表现出优异的电特性。
透明导电层4的表面电阻值的下限没有特别限定。例如，透明导电层4的表面电阻值通常超过0Ω/□，另外为1Ω/□以上。
需要说明的是，表面电阻值可以依据JIS K 7194、通过4端子法来测定。
4.导体层
导体层5为用于在边框区域11中与布线图案(未图示)连接的层。
导体层5俯视时具有框状。
作为导体层5的材料，例如，可列举出铜、银、金、镍或它们的合金等金属。
导体层5的材料可以单独使用或组合使用2种以上。
作为导体层5的材料，从导电性等的观点出发，优选可列举出铜。
即，导体层5优选为铜层。
需要说明的是，导体层5为铜等容易氧化的材料的情况下，其导体层5的表面可以被氧化。具体而言，导体层5为铜层的情况下，导体层5可以为在表面的一部分或全部具备铜氧化物的铜层。
导体层5通过后述的方法来形成。
导体层5的厚度例如为40nm以上，优选为100nm以上，另外，例如为400nm以下。
需要说明的是，导体层5的厚度例如可以通过使用透射型电子显微镜对透明导电性薄膜1的截面进行观察来测定。
5.导电密合层
导电密合层6为用于实现导体层5与透明导电层4的密合的层。
导电密合层6俯视时具有框状。
作为导电密合层6的材料，例如，可列举出铬、镍、硅氧化物(SiOx、(0<x<2))、铜·镍·钛(Cu-Ni-Ti)合金及掺铝的锌氧化物(AZO)等。
导电密合层6的材料可以单独使用或组合使用2种以上。
作为导电密合层6的材料，从透明导电层4与导体层5的密合性的观点出发，优选可列举出铬、铜·镍·钛(Cu-Ni-Ti)合金、硅氧化物(SiOx)及掺铝的锌氧化物(AZO)，更优选可列举出铬、硅氧化物(SiOx)及掺铝的锌氧化物(AZO)，进一步优选可列举出铬、硅氧化物(SiOx)，特别优选可列举出硅氧化物(SiOx)。
即，从透明导电层4与导体层5的密合性的观点出发，导电密合层6优选包含选自由铬(优选铜·镍·钛(Cu-Ni-Ti)合金中包含的铬)、镍、硅氧化物及掺铝的锌氧化物组成的组中的1者以上。
导电密合层6通过后述的方法来形成。
导电密合层6的厚度例如为1nm以上，另外，例如为10nm以下。
特别是，导电密合层6的材料为铬、硅氧化物(SiOx)、及掺铝的锌氧化物(AZO)中任意者的情况下，导电密合层6的厚度例如为1nm以上，另外，例如为10nm以下，优选为5nm以下，更优选为3nm以下。
另外，导电密合层6的材料为镍及铜·镍·钛(Cu-Ni-Ti)合金中任意者的情况下，导电密合层6的厚度例如为1nm以上，优选为5nm以上，另外，例如为10nm以下。
5.透明导电性薄膜的制造方法
接着，对透明导电性薄膜1的制造方法进行说明。
透明导电性薄膜1的制造方法具备：准备透明基材2的第1工序、和将导电层3配置于透明基材2的第2工序。另外，该制造方法中，例如，以辊对辊(roll-to-roll)的方式依次配置各层。
第1工序中，如图2的A所示，准备透明基材2。
第2工序中，将导电层3配置于透明基材2。具体而言，将导电层3配置于透明基材2的厚度方向一面。
更具体而言，第2工序中，将透明导电层4配置于视觉辨识区域10，另外，在边框区域11朝向厚度方向一侧依次配置导体层5、导电密合层6、和透明导电层4。
以下，具体地进行详细叙述。
第2工序中，首先，如图2的B所示，将导体层5配置于透明基材2的厚度方向一面的整面。
作为将导体层5配置于透明基材2的厚度方向一面的整面的方法，例如，可列举出真空蒸镀法、溅射法、层压法、镀覆法、离子镀法等，优选可列举出溅射法。
对于溅射法，在真空腔室内将靶及透明基材2相对配置，供给气体并且由电源施加电压，由此对气体离子进行加速并照射到靶，将靶材料从靶表面弹出，将该靶材料层叠于透明基材2的表面。
作为气体，例如，可列举出Ar等非活性气体。另外，根据需要，可以组合使用氧气等反应性气体。组合使用反应性气体的情况下，反应性气体的流量比(sccm)没有特别限定，相对于溅射气体及反应性气体的合计流量比，例如为0.1流量％以上且5流量％以下。
溅射时的气压例如为0.1Pa以上，另外，例如为1.0Pa以下，优选为0.7Pa以下。
电源例如可以为DC电源、AC电源、MF电源及RF电源中任意者，另外，可以为它们的组合。
由此，将导体层5配置于透明基材2的厚度方向一面的整面。
接着，第2工序中，如图2的C所示，将导电密合层6配置于导体层5的厚度方向一面的整面。
作为将导电密合层6配置于导体层5的厚度方向一面的整面的方法，例如，可列举出溅射法、镀覆法、真空蒸镀法等，优选可列举出溅射法。
溅射的条件(反应性气体的流量比及溅射时的气压)与上述的导体层5的溅射的条件同样。
由此，将导电密合层6配置于导体层5的厚度方向一面的整面。另外，得到朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2、导体层5、和导电密合层6的中间体12(后述)。
接着，第2工序中，如图2的D所示，使导体层5及导电密合层6形成图案，由此形成(划分)视觉辨识区域10及边框区域11。
作为使导体层5及导电密合层6形成图案的方法，可列举出公知的蚀刻方法。
具体而言，使导体层5及导电密合层6进行图案形成而成为俯视时框状。换言之，以将导体层5及导电密合层6的俯视中央部20的导体层5及导电密合层6去除、使该中央部20的外周边缘部21的导体层5及导电密合层6残留的方式来形成图案。
由此，上述的中央部20成为视觉辨识区域10，外周边缘部21成为边框区域11。
即，配置导体层5及导电密合层6的区域为边框区域11，未配置导体层5及导电密合层6的区域为视觉辨识区域10。
接着，第2工序中，如图2的E所示，在视觉辨识区域10的厚度方向一面、边框区域11的厚度方向一面、以及视觉辨识区域10及边框区域11的边界处的导体层5及导电密合层6的内侧面，配置透明导电层4。
具体而言，透明导电层4以跨越视觉辨识区域10及边框区域11的方式配置。详细而言，透明导电层4在视觉辨识区域10中配置于透明基材2的厚度方向一面，另外，透明导电层4在边框区域11中配置于导电密合层6的厚度方向一面，在视觉辨识区域10及边框区域11的边界中配置于导体层5及导电密合层6的内侧面。而且，视觉辨识区域10中的透明导电层4、边框区域11中的透明导电层4、以及视觉辨识区域10及边框区域11的边界处的透明导电层4连续地形成。
配置透明导电层4时，在视觉辨识区域10的厚度方向一面(透明基材2的厚度方向一面)、边框区域11的厚度方向一面(导电密合层6的厚度方向一面)、以及视觉辨识区域10及边框区域11的边界处的导体层5及导电密合层6的内侧面涂布透明导电组合物的稀释液，然后使其干燥。
由此，在视觉辨识区域10的厚度方向一面、边框区域11的厚度方向一面、以及视觉辨识区域10及边框区域11的边界处的导体层5及导电密合层6的内侧面配置透明导电层4。
如以上说明那样，通过这样的第2工序，在视觉辨识区域10配置透明导电层4，另外，在边框区域11朝向厚度方向一侧依次配置导体层5、导电密合层6、和透明导电层4。
由此，得到朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2和导电层3的透明导电性薄膜1。
而且，透明导电性薄膜1的透明导电层4例如也可以通过光刻、湿蚀刻等公知的图案化方法来形成图案。
优选透明导电层4通过光刻、湿蚀刻形成图案。
即，透明导电性薄膜1适合用于光刻或用于湿蚀刻。
6.作用效果
透明导电性薄膜1中，边框区域11朝向厚度方向一侧依次具备导体层5、导电密合层6、和透明导电层4。
即，在导体层5与透明导电层4之间具备导电密合层6。
因此，导体层5及透明导电层4间的密合性优异。
特别是，通过光刻使透明导电性薄膜1的透明导电层4形成图案的情况下，由于导体层5与包含金属纳米线的透明导电层4的密合性低，因此存在透明导电层4剥离的情况。
另一方面，该透明导电性薄膜1中，在导体层5与透明导电层4之间具备导电密合层6，因此导体层5与透明导电层4间的密合性优异。其结果，在通过光刻形成图案的情况下也能够抑制透明导电层4的剥离。
透明导电性薄膜1的制造方法在第2工序中，在边框区域11朝向厚度方向一侧依次具备导体层5、导电密合层6、和透明导电层4。
因此，能够得到导体层5与透明导电层4间的密合性优异的透明导电性薄膜1。
7.中间体
中间体12为透明导电性薄膜1的制造方法中可以使用的部件。
中间体12朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2、导体层5、和导电密合层6，或者朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2、透明导电层4、和导电密合层6。
特别是，如上所述，边框区域11朝向厚度方向一侧依次具备导体层5、导电密合层6、和透明导电层4的情况下，如图2的C所示，中间体12朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2、导体层5、和导电密合层6。
利用这样的中间体12，能够得到导体层5与透明导电层4间的密合性优异的透明导电性薄膜1。
8.变形例
变形例中，对与一实施方式同样的构件及工序标记相同的参照标记，省略其详细的说明。另外，变形例只要没有特别说明，则可以发挥与一实施方式同样的作用效果。进而，可以适宜组合一实施方式及其变形例。
上述的说明中，边框区域11朝向厚度方向一侧依次具备导体层5、导电密合层6、和透明导电层4，但边框区域11也可以朝向厚度方向一侧依次具备透明导电层4、导电密合层6、和导体层5。
在这样的情况下，透明导电性薄膜的制造方法的第2工序中，首先，将透明导电层4配置于透明基材2的厚度方向一面的整面，接着，将导电密合层6配置于透明导电层4的厚度方向一面的整面，接着，使透明导电层4及导电密合层6形成图案，由此形成视觉辨识区域10及边框区域11，接着，将导体层5配置于边框区域11的厚度方向一面(导电密合层6的厚度方向一面)。
另外，在这样的情况下，中间体12朝向厚度方向一侧依次具备透明基材2、透明导电层4、和导电密合层6。
另外，上述的说明中，将导电层3配置于透明基材2的厚度方向一侧，但如图3所示，也可以将导电层3配置于透明基材2的两侧(厚度方向一侧及厚度方向另一侧)。
在这样的情况下，透明导电性薄膜1朝向厚度方向一侧依次具备导电层3、透明基材2、和导电层3。详细而言，透明导电性薄膜1在视觉辨识区域10中朝向厚度方向一侧依次具备透明导电层4、透明基材2、和透明导电层4，在边框区域11中朝向厚度方向一侧依次具备透明导电层4、导电密合层6、导体层5、透明基材2、导体层5、导电密合层6、和透明导电层4。
将导电层3配置于透明基材2的两侧时，有基于透明基材2的共通化的薄膜化、图案布线的位置精度提高的优点。
另外，上述的说明中，在透明基材2的上表面(厚度方向一面)配置导电层3，但也可以在透明基材2的上表面(厚度方向一面)配置硬涂层7。
在这样的情况下，如图4所示，透明导电性薄膜1具备：透明基材2、配置于透明基材2的上表面(厚度方向一面)的硬涂层7、和配置于硬涂层7的上表面(厚度方向一面)的导电层3。
硬涂层7为用于抑制在制造透明导电性薄膜1时透明基材2产生损伤的保护层。另外，硬涂层7为用于抑制在层叠透明导电性薄膜1的情况下在透明导电层4产生擦伤的耐擦伤层。
硬涂层7由硬涂组合物形成。
硬涂组合物含有树脂及颗粒。
作为树脂，例如，可列举出固化性树脂、热塑性树脂(例如，聚烯烃树脂)等，优选可列举出固化性树脂。
作为固化性树脂，例如，可列举出通过活性能量射线(具体而言，紫外线、电子束等)的照射而发生固化的活性能量射线固化性树脂、例如通过加热而发生固化的热固化性树脂等，优选可列举出活性能量射线固化性树脂。
活性能量射线固化性树脂例如可列举出在分子中含有具有聚合性碳-碳双键的官能团的聚合物。作为这样的官能团，例如，可列举出乙烯基、(甲基)丙烯酰基(甲基丙烯酰基和/或丙烯酰基)等。
作为活性能量射线固化性树脂，具体而言，例如，可列举出氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸系紫外线固化性树脂。
另外，作为除活性能量射线固化性树脂以外的固化性树脂，例如，可列举出氨基甲酸酯树脂、三聚氰胺树脂、醇酸树脂、硅氧烷系聚合物、有机硅烷缩合物等热固化性树脂。
树脂可以单独使用或组合使用2种以上。
作为颗粒，可列举出例如二氧化硅颗粒、氧化锆颗粒等无机颗粒、例如交联丙烯酸系颗粒等有机颗粒等。
颗粒的平均粒径例如为10nm以上，另外，例如为3000nm以下，优选为1000nm以下，更优选为100nm以下，进一步优选为50nm以下。
而且，硬涂组合物通过将树脂及颗粒混合来获得。
另外，硬涂组合物中根据需要可以配混流平剂、触变剂、抗静电剂等公知的添加剂。
为了形成硬涂层7，将硬涂组合物的稀释液涂布于透明基材2的厚度方向一面并干燥后，通过紫外线照射使硬涂组合物固化。
由此，形成硬涂层7。
对于硬涂层7的厚度，从耐擦伤性的观点出发，例如为0.1μm以上，优选为0.5μm以上，更优选为0.8μm以上，另外，例如为10μm以下，优选为2μm以下。硬涂层7的厚度例如可以通过使用透射型电子显微镜通过截面观察来测定。
然后，在硬涂层7的上表面(厚度方向一面)与上述同样地形成导电层3。
另外，也可以将硬涂层7配置于透明基材2的两侧(厚度方向一侧及厚度方向另一侧)。
实施例
以下示出实施例及比较例更具体地对本发明进行说明。需要说明的是，本发明不受实施例及比较例任何限定。另外，以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值可以替换为上述的“具体实施方式”中记载的、与它们相对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限值(定义为“以下”、“不足”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)。
1.试验用透明导电性薄膜的制造
以下的实施例及比较例中，作为后述的评价用的透明导电性薄膜，制造试验用透明导电性薄膜。
试验用透明导电性薄膜是在上述的第2工序中在不使导体层及导电密合层形成图案(不形成视觉辨识区域及边框区域)的情况下将透明导电层配置于导电密合层的厚度方向一面的整面而成者。
对这样的试验用透明导电性薄膜的评价(后述)的结果可以替换为对本发明的透明导电性薄膜的评价(后述)的结果。
实施例1
作为透明基材，准备环烯烃系薄膜(厚度40μm、Zeon Corporation制“ZEONORFILM”)。
在透明基材的两面涂布含有紫外线固化性丙烯酸类树脂的硬涂层用液并干燥。然后，通过紫外线照射使固化性树脂组合物固化。由此，形成厚度1.0μm的硬涂层。
接着，在设置于透明基材的两面的硬涂层中，在厚度方向一侧的硬涂层的厚度方向一面的整面形成导体层。
具体而言，通过DC溅射法，将溅射输出的设定厚度调整为200nm，使用铜靶进行溅射。对于真空条件，导入氩气，将气压设为0.3Pa。由此，形成厚度200nm的导体层(铜层)。
进而，在导体层的厚度方向一面的整面形成导电密合层。
具体而言，通过DC溅射法，将溅射输出的设定厚度调整为5.0nm，使用铬靶进行溅射。对于真空条件，导入氩气，将气压设为0.3Pa。由此，形成厚度5.0nm的导电密合层(铬层)。
然后，在导电密合层的厚度方向一面的整面形成透明导电层。
具体而言，涂布包含银纳米线(平均纤维长度10μm、平均纤维直径10nm)0.15质量％、粘结剂树脂(纤维素衍生物)0.45质量％、水系溶剂99.4质量％的透明导电组合物的稀释液并使其干燥，由此形成厚度10～80nm的透明导电层。
由此，得到朝向厚度方向一侧依次具备硬涂层、透明基材、硬涂层和导电层(导体层、导电密合层及透明导电层)的试验用透明导电性薄膜。
实施例2
将导电密合层(铬层)的厚度设为2.5nm，除此以外，与实施例1同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
实施例3
设置SiOx(0<x<2)层作为导电密合层，将SiOx层的厚度设为5nm，除此以外，与实施例1同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
具体而言，将溅射输出的设定厚度调整为5.0nm，使用Si靶作为靶进行溅射，由此形成导电密合层。
需要说明的是，对于真空条件，以1：1.3的重量比率导入氩气：氧气，将气压设为0.2Pa。
实施例4
将导电密合层(SiOx层)的厚度设为2.5nm，除此以外，与实施例3同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
实施例5
设置Cu-Ti-Ni层作为导电密合层，将Cu-Ti-Ni层的厚度设为5nm，除此以外，与实施例1同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
具体而言，将溅射输出的设定厚度调整为5.0nm，使用CuTiNi(Cu：35质量％、Ti：3质量％、Ni：62质量％)作为靶进行溅射，由此形成导电密合层。
需要说明的是，对于真空条件，导入氩气，将气压设为0.3Pa。
实施例6
将导电密合层(Cu-Ni-Ti层)的厚度设为2.5nm，除此以外，与实施例5同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
实施例7
设置Ni层作为导电密合层，将Ni层的厚度设为5nm，除此以外，与实施例1同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
具体而言，将溅射输出的设定厚度调整为5.0nm，使用Ni作为靶进行溅射，由此形成导电密合层。
需要说明的是，对于真空条件，导入氩气，将气压设为0.3Pa。
实施例8
将导电密合层(Ni层)的厚度设为2.5nm，除此以外，与实施例7同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
实施例9
设置掺铝的锌氧化物层(AZO层)作为导电密合层，将AZO层的厚度设为将5nm，除此以外，与实施例1同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
具体而言，将溅射输出的设定厚度调整为5.0nm，使用AZO作为靶进行溅射，由此形成导电密合层。
需要说明的是，对于真空条件，以40：1的重量比率导入氩气及氧气，将气压设为0.3Pa。
实施例10
将导电密合层(AZO层)的厚度设为2.5nm，除此以外，与实施例9同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
比较例1
不设置导电密合层，除此以外，与实施例1同样地操作，得到试验用透明导电性薄膜。
2.评价
(密合性)
对各实施例及各比较例的试验用透明导电性薄膜，基于划格法，切入10个格子×10个格子(合计100个格子)的切缝。
然后，将该试验用透明导电性薄膜在40℃下在1质量％的KOH水溶液中浸渍5分钟后，用纯水进行清洗、使其干燥。
然后，对100个格子，分别对透明导电层出现缺损的格子(缺损)、透明导电层剥离的格子(剥离)、及透明导电层未剥离并且未缺损的格子(无缺损·剥离)分别计数。
将其结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0002661269540000211
需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式而提供，但这不过是单纯的例示，并不作限定性解释。对于该技术领域的技术人员显而易见的本发明的变形例也包含在前述的权利要求书中。

Claims (9)

1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，朝向厚度方向一侧依次具备透明基材和导电层，
所述导电层具备视觉辨识区域及配置于所述视觉辨识区域的外周边缘部的边框区域，
所述视觉辨识区域具备透明导电层，
所述边框区域具备：导体层、所述透明导电层、及配置于它们之间且用于实现所述导体层与所述透明导电层的密合的导电密合层，
所述透明导电层包含金属纳米线。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述边框区域朝向厚度方向一侧依次具备所述导体层、所述导电密合层、和所述透明导电层。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述导电层配置于所述透明基材的两侧。
4.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述金属纳米线为银纳米线。
5.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述导体层为铜层。
6.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述导电密合层包含选自由铬、镍、硅氧化物及掺铝的锌氧化物组成的组中的1者以上。
7.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其特征在于，其用于光刻或湿蚀刻。
8.一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，具备：
准备透明基材的第1工序、和
将具备视觉辨识区域及配置于所述视觉辨识区域的外周边缘部的边框区域的导电层配置于所述透明基材的第2工序，
第2工序中，将透明导电层配置于所述视觉辨识区域，将导体层、透明导电层、和配置于它们之间且用于实现所述导体层与所述透明导电层的密合的导电密合层配置于所述边框区域，
所述透明导电层包含金属纳米线。
9.一种中间体，其特征在于，在权利要求8所述的透明导电性薄膜的制造方法中使用，
该中间体朝向厚度方向一侧依次具备所述透明基材、所述导体层、和所述导电密合层，或者
朝向厚度方向一侧依次具备所述透明基材、所述透明导电层、和所述导电密合层。
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