CN116745865A - 透明导电性膜 - Google Patents

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河野文彦
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Abstract

本发明提供弯曲性及透明性两者均优异的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜依次具备第一透明导电层、基材及第二透明导电层，所述第一透明导电层包含金属纳米丝，所述第二透明导电层由金属氧化物构成。在一个实施方式中，构成上述第二透明导电层的金属氧化物为铟‑锡复合氧化物。

Description

透明导电性膜
技术领域
本发明涉及透明导电性膜。
背景技术
一直以来，作为触摸传感器的电极等中使用的透明导电性膜，多使用在树脂膜上形成有铟-锡复合氧化物层(ITO层)等金属氧化物层的透明导电性膜。但是，形成有金属氧化物层的透明导电性膜具有弯曲性不足、因弯曲等物理应力而易于产生裂纹的问题。
另外，作为透明导电性膜，提出了具备包含使用了银或铜等的金属纳米丝的导电层的透明导电性膜。这种透明导电性膜具有弯曲性优异的优点。但是，包含金属纳米丝的导电层具有雾度变高的倾向，另外，易产生金属来源的色调等，从光学特性的观点出发存在问题。导电层越是进行低电阻值化越是需要增厚厚度，当增厚导电层的厚度时，光学特性的问题变得明显。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2009-505358号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明为了解决上述技术问题而完成，其目的在于提供弯曲性及光学特性两者均优异的透明导电性膜。
用于解决技术问题的手段
本发明的透明导电性膜具备基材及配置在基材的至少单侧上的透明导电层叠体，所述透明导电层叠体具备由金属氧化物构成的第一透明导电层和包含金属纳米结构的第二透明导电层。
在一个实施方式中，上述金属氧化物为铟-锡复合氧化物。
在一个实施方式中，上述金属纳米结构为金属纳米丝。
在一个实施方式中，上述透明导电层叠体按照上述第二透明导电层成为基材侧的方式进行配置。
在一个实施方式中，上述透明导电层叠体按照上述第一透明导电层成为基材侧的方式进行配置。
在一个实施方式中，上述透明导电性膜的表面电阻值为100Ω/□以下。
在一个实施方式中，在将上述透明导电性膜挂在直径为2mm的圆棒上使其弯曲时的表面电阻值的上升率(＝弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值)为1.3以下。
发明效果
根据本发明，可以提供弯曲性及光学特性两者均优异的透明导电性膜。
附图说明
图1为本发明一个实施方式的透明导电性膜的示意截面图。
图2为本发明另一实施方式的透明导电性膜的示意截面图。
图3为本发明又一实施方式的透明导电性膜的示意截面图。
具体实施方式
A.透明导电性膜的整体构成
图1为本发明一个实施方式的透明导电性膜的示意截面图。透明导电性膜100具备基材10及配置在基材10的至少单侧上的透明导电层叠体20。透明导电层叠体20具备第一透明导电层21和第二透明导电层22。第一透明导电层21由金属氧化物构成。第二透明导电层22包含金属纳米结构。金属纳米结构例如可以是金属纳米丝、金属纳米粒子等。虽未图示，但透明导电性膜还可以进一步包含任意适当的其它层。例如，还可以在基材与透明导电层叠体之间配置硬涂层。
在一个实施方式中，如图1所示，透明导电层叠体20按照第二透明导电层(金属纳米结构层)22成为基材10侧的方式进行配置。即，依次配置第一透明导电层(金属氧化物层)21、第二透明导电层(金属纳米结构层)22、以及基材10。
图2为本发明另一实施方式的透明导电性膜的示意截面图。该实施方式中，透明导电层叠体20按照第一透明导电层(金属氧化物层)21成为基材10侧的方式进行配置。即，依次配置第二透明导电层(金属纳米结构层)22、第一透明导电层(金属氧化物层)21、以及基材10。
透明导电层叠体20也可以配置在基材10的两侧。作为在基材10的两侧配置透明导电层叠体20的构成，例如可举出以下的构成。
·依次具备第一透明导电层21/第二透明导电层22/基材10/第二透明导电层22/第一透明导电层21的构成(图3(a))。
·依次具备第一透明导电层21/第二透明导电层22/基材10/第一透明导电层21/第二透明导电层22的构成(图3(b))。
·依次具备第二透明导电层22/第一透明导电层21/基材10/第二透明导电层22/第一透明导电层21的构成(图3(c))。
·依次具备第二透明导电层22/第一透明导电层21/基材10/第一透明导电层21/第二透明导电层22的构成(图3(d))。
本发明中，通过具备由金属氧化物构成的第一透明导电层和包含金属纳米结构的第二透明导电层，可以获得弯曲性优异且光学特性优异的透明导电性膜。更详细地说，本发明的透明导电性膜通过具备包含金属纳米结构的第二透明导电层，可以制成弯曲性优异、弯折导致的电阻值上升少的透明导电性膜。另外，由金属纳米结构构成的导电层具有易于低电阻化的特征，因此本发明中通过具备第二透明导电层，可以容易地获得导电性优异的透明导电性膜。另一方面，一般来说，由金属纳米结构构成的导电层有时会对光学特性造成不良影响。例如，有时会产生雾度提高、或者产生金属来源的色调等问题。根据本申请发明，通过具备由金属氧化物层构成的第一透明导电层和包含金属纳米结构的透明导电层这两层，可以提供在抑制光学特性的恶化的同时导电性优异的透明导电性膜。另外，若将第一透明导电层(金属氧化物层)配置在第二透明导电层(金属纳米结构层)的外侧，则可以防止第二透明导电层中的金属纳米结构的腐蚀。
本发明的透明导电性膜的表面电阻值优选为0.01Ω/□～1000Ω/□、更优选为0.1Ω/□～500Ω/□、特别优选为0.1Ω/□～300Ω/□、最优选为0.1Ω/□～100Ω/□。一个实施方式中，透明导电性膜的表面电阻值为100Ω/□以下。
将本发明的透明导电性膜挂在直径为2mm(优选直径为1mm)的圆棒上使其弯曲时的表面电阻值的上升率(＝弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值)优选为1.3以下、更优选为1.2以下、进一步优选为1.1以下。优选无论是以透明导电性膜的任一个面为外侧使其弯曲，表面电阻值的上升率都为上述范围。另外，当在基材的两侧上配置有透明导电层叠体时，优选两面上的表面电阻值为上述范围。
当在基材的单侧上配置有透明导电层叠体时，使透明导电层叠体为外侧挂在直径为2mm(优选直径为1mm)的圆棒上使其弯曲时的透明导电层叠体侧的表面电阻值的上升率(＝弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值)优选为1.3以下、更优选为1.2以下、进一步优选为1.1以下。
当在基材的两侧上配置有透明导电层叠体时，挂在直径为2mm(优选直径为1mm)的圆棒上使其弯曲时的成为弯曲外侧的透明导电层叠体侧的表面电阻值的上升率(＝弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值)优选为1.3以下、更优选为1.2以下、进一步优选为1.1以下。
本发明的透明导电性膜的雾度值优选为1％以下、更优选为0.7％以下、进一步优选为0.5％以下。所述雾度值越小越优选，但其下限值例如为0.05％。
本发明的透明导电性膜的总光线透过率优选为80％以上、更优选为85％以上、特别优选为90％以上。
本发明的透明导电性膜的厚度优选为10μm～500μm，更优选为15μm～300μm，进一步优选为20μm～200μm。
B.第一透明导电层
如上所述，第一透明导电层由金属氧化物构成。作为金属氧化物，例如可举出氧化铟、氧化锡、氧化锌、铟-锡复合氧化物、锡-锑复合氧化物、锌-铝复合氧化物、铟-锌复合氧化物等。其中，优选为铟-锡复合氧化物(ITO)。金属氧化物也可以是结晶化金属氧化物。结晶化金属氧化物是指如后所述将金属氧化物膜成膜后进行加热(例如120℃～200℃的加热)所获得的金属氧化物。
上述第一透明导电层的总光线透过率优选为80％以上、更优选为85％以上、进一步优选为90％以上。
作为上述第一透明导电层的形成方法，例如可举出利用任意适当的成膜方法(例如真空蒸镀法、溅射法、CVD法、离子镀法、喷雾法等)形成金属氧化物层来获得第一透明导电层的方法。所述金属氧化物层可以直接作为第一透明导电层，也可以进一步加热使金属氧化物结晶化。所述加热时的温度例如为120℃～200℃。
上述第一透明导电层的厚度优选为50nm以下、更优选为40nm以下。若为这种范围，可以获得透光率优异的透明导电性膜。上述导电层的厚度的下限优选为1nm、更优选为5nm。
上述第一透明导电层还可以经过图案化。作为图案化的方法，可以根据导电层的形态采用任意适当的方法。例如可以利用刻蚀法、激光法等进行图案化。第一透明导电层的图案形状可以根据用途为任意适当的形状。例如可举出日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报所记载的图案。
C.第二透明导电层
如上所述，第二透明导电层包含金属纳米结构。作为金属纳米结构，例如可举出金属纳米丝、金属纳米筛、金属纳米棒、金属纳米管、金属纳米棱锥、金属粒子、或它们的组合等。优选第二透明导电层包含金属纳米丝。
在一个实施方式中，第二透明导电层进一步包含聚合物基质。该实施方式中，在聚合物基质中存在金属纳米结构(例如金属纳米丝)。在由聚合物基质构成的第二透明导电层中，金属纳米结构被聚合物基质保护。结果，可防止金属纳米结构的腐蚀，可获得耐久性更为优异的透明导电性膜。
上述第二透明导电层的厚度优选为10nm～1000nm、更优选为20nm～500nm。此外，当第二透明导电层包含聚合物基质时，所述第二透明导电层的厚度相当于聚合物基质的厚度。
在一个实施方式中，上述第二透明导电层经过图案化。作为图案化的方法，可以根据第二透明导电层的形态采用任意适当的方法。第二透明导电层的图案形状可以根据用途为任意适当的形状。例如可举出日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报所记载的图案。可以在基材上形成第二透明导电层之后，根据第二透明导电层的形态，使用任意适当的方法进行图案化。
上述第二透明导电层的总光线透过率优选为85％以上、更优选为90％以上、进一步优选为95％以上。
上述金属纳米丝是指材质为金属、形状为针状或线状、直径为纳米尺寸的导电性物质。金属纳米丝可以是直线状，还可以是曲线状。若使用由金属纳米丝构成的第二透明导电层，则金属纳米丝变为网眼状，即便是少量的金属纳米丝也可形成良好的导电通路，可以获得电阻小的透明导电性膜。
上述金属纳米丝的粗细d与长度L之比(长宽比：L/d)优选为10～100,000、更优选为50～100,000、特别优选为100～10,000。若使用长宽比如此大的金属纳米丝，则金属纳米丝良好地交叉，利用少量的金属纳米丝即可表现高导电性。结果可以获得透光率高的透明导电性膜。此外，本说明书中“金属纳米丝的粗细”在金属纳米丝的截面为圆状时是指其直径，在为椭圆状时是指其短径，为多边形时是指最长的对角线。金属纳米丝的粗细和长度可以通过扫描型电子显微镜或透射型电子显微镜进行确认。
上述金属纳米丝的粗细优选小于500nm、更优选小于200nm、特别优选为100nm以下、最优选为60nm以下。若为这种范围，则可形成透光率高的第二透明导电层。金属纳米丝的粗细的下限例如为10nm。
上述金属纳米丝的长度优选为1μm～1000μm、更优选为1μm～500μm、特别优选为1μm～100μm。若为这种范围，则可获得导电性高的透明导电性膜。
作为构成上述金属纳米结构(例如金属纳米丝)的金属，只要是导电性高的金属，则可以使用任意适当的金属。作为构成上述金属纳米结构(例如金属纳米丝)的金属，例如可举出银、金、铜、镍等。另外，还可以使用对这些金属进行了镀覆处理(例如镀铂处理)的材料。金属纳米丝优选由选自银、金、铂、铜及镍中的1种以上的金属构成，更优选由选自银、金、铂及铜中的1种以上的金属构成。
作为上述金属纳米丝的制造方法，可以采用任意适当的方法。例如可举出在溶液中将硝酸银还原的方法；从探针的前端部使适用电压或电流作用于前体表面，在探针前端部处将金属纳米丝抽出，连续地形成该金属纳米丝的方法等。在溶液中将硝酸银还原的方法中，在乙二醇等多元醇及聚乙烯基吡咯烷酮的存在下将硝酸银等银盐进行液相还原，从而可以合成银纳米丝。均匀尺寸的银纳米丝例如可以根据Xia,Y.et al.,Chem.Mater.(2002),14,4736-4745；Xia,Y.et al.,Nano letters(2003)3(7),955-960记载的方法大量生产。
上述第二透明导电层中的金属纳米结构(例如金属纳米丝)的含有比例相对于第二透明导电层的总重量优选为80重量％以下、更优选为70重量％以下、进一步优选为50重量％以下。若为这种范围，则可以获得导电性及透光率优异的透明导电性膜。
作为构成上述聚合物基质的聚合物，可以使用任意适当的聚合物。作为所述聚合物，例如可举出丙烯酸系聚合物；聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系聚合物；聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺等芳香族系聚合物；聚氨酯系聚合物；环氧系聚合物；聚烯烃系聚合物；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)；纤维素；硅系聚合物；聚氯乙烯；聚乙酸酯；聚降冰片烯；合成橡胶；氟系聚合物等。优选使用由季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、新戊二醇二丙烯酸酯(NPGDA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)等多官能丙烯酸酯构成的固化型树脂(优选紫外线固化型树脂)。
第二透明导电层由聚合物基质构成且上述金属纳米丝为银纳米丝时，第二透明导电层的密度优选为1.0g/cm3～10.5g/cm3、更优选为1.0g/cm3～3.0g/cm3。为这种范围时，则可获得导电性和透光率优异的透明导电性膜。
第二透明导电层可以是在基材(或基材与其它层的层叠体)上涂布包含金属纳米结构(例如金属纳米丝)的第二导电层形成用组合物，之后将涂布层干燥来形成。
上述第二导电层形成用组合物除了金属纳米结构(例如金属纳米丝)之外，还可以包含任意适当的溶媒。第二导电层形成用组合物可作为金属纳米结构(例如金属纳米丝)的分散液进行准备。作为上述溶媒，可举出水、醇系溶媒、酮系溶媒、醚系溶媒、烃系溶媒、芳香族系溶媒等。从减少环境负荷的观点出发，优选使用水。上述第二导电层形成用组合物还可以进一步根据目的含有任意适当的添加剂。作为上述添加剂，例如可举出防止金属纳米结构(例如金属纳米丝)的腐蚀的防腐蚀材料、防止金属纳米结构(例如金属纳米丝)凝集的表面活性剂等。所使用的添加剂的种类及数量可以根据目的适当地设定。
上述第二透明导电层包含聚合物基质时，聚合物基质可以是如上所述在涂布第二导电层形成用组合物使其干燥后，在由金属纳米丝构成的层上涂布聚合物溶液(聚合物组合物、单体组合物)，之后使聚合物溶液的涂布层干燥或固化来形成。另外，还可以使用含有构成聚合物基质的聚合物的第二导电层形成用组合物来形成第二透明导电层。
上述第二导电层形成用组合物中的金属纳米丝的分散浓度优选为0.1重量％～1重量％。若为这种范围，则可以形成导电性及透光率优异的第二透明导电层。
作为上述第二透明导电层形成用组合物的涂布方法，可以采用任意适当的方法。作为涂布方法，例如可举出喷涂、棒涂、辊涂、模涂、喷墨涂布、丝网涂布、浸涂、凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法等。作为涂布层的干燥方法，可以采用任意适当的干燥方法(例如自然干燥、送风干燥、加热干燥)。例如，为加热干燥时，干燥温度代表性地为50℃～200℃，优选为80℃～150℃。干燥时间代表性地为1～10分钟。
上述聚合物溶液包含构成上述聚合物基质的聚合物、或该聚合物的前体(构成该聚合物的单体)。
上述聚合物溶液可以包含溶剂。作为上述聚合物溶液中包含的溶剂，例如可举出醇系溶剂、酮系溶剂、四氢呋喃、烃系溶剂、或芳香族系溶剂等。优选所述溶剂是挥发性的。所述溶剂的沸点优选为200℃以下、更优选为150℃以下、进一步优选为100℃以下。
D.基材
上述基材代表性地由任意适当的树脂构成。作为构成上述基材的树脂，例如可举出环烯烃系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯系树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯系树脂等。优选使用环烯烃系树脂。若使用由环烯烃系树脂构成的基材，则可获得弯曲性优异的透明导电性膜。
作为上述环烯烃系树脂，例如可优选使用聚降冰片烯。聚降冰片烯是指起始原料(单体)的一部分或全部使用具有降冰片烯环的降冰片烯系单体而获得的(共)聚合物。作为上述聚降冰片烯，市售有各种产品。作为具体例，可举出日本ZEON公司制的商品名“Zeonex”、“Zeonor”、JSR公司制的商品名“Arton”、TICONA公司制的商品名“Topas”、三井化学公司制的商品名“APEL”。
构成上述基材的树脂的玻璃化转变温度优选为50℃～200℃、更优选为60℃～180℃、进一步优选为70℃～160℃。若为具有这种范围的玻璃化转变温度的基材，则可以防止形成透明导电层叠体时的劣化。
上述基材的厚度优选为8μm～500μm、更优选为10μm～250μm、进一步优选为10μm～150μm、特别优选为15μm～100μm。
上述基材的拉伸断裂强度优选为50MPa以上、更优选为70MPa以上、进一步优选为100MPa以上。若为这种范围，则可以获得弯曲性特别优异的透明导电性膜。此外，拉伸断裂强度可在常温下根据JIS K 7161测定。
上述基材的总光线透过率优选为80％以上、更优选为85％以上、特别优选为90％以上。若为这种范围，则可获得优选作为触摸面板等中具备的透明导电性膜的透明导电性膜。
上述基材可以根据需要进一步包含任意适当的添加剂。作为添加剂的具体例，可举出增塑剂、热稳定剂、光稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、阻燃剂、着色剂、防静电剂、相容剂、交联剂、以及增粘剂等。所使用的添加剂的种类及量可以根据目的适当设定。
还可以根据需要对上述基材进行各种表面处理。表面处理可根据目的采用任意适当的方法。例如可举出低压等离子体处理、紫外线照射处理、电晕处理、火焰处理、酸或碱处理。一个实施方式中，对透明基材进行表面处理，使透明基材表面亲水化。若使基材亲水化，则涂饰由水系溶媒制备的导电层形成用组合物时的加工性优异。另外，可以获得基材与导电层的密合性优异的透明导电性膜。
实施例
以下通过实施例具体地说明本发明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。实施例及比较例的评价方法如下所述。
(1)初始电阻值
在透明导电性膜(长15cm×宽1cm)的透明导电层叠体侧的长度方向两端上涂布Ag糊料(各部分、长1cm×宽1cm)获得试验片。使用测试仪确认Ag糊料间的导通，测定表面电阻值。
(2)弯曲后电阻值
与上述(1)同样地获得试验片。
将该试验片以透明导电层叠体侧为外侧挂在不锈钢的具有表1记载直径的圆棒上，沿着所述圆棒按照长度方向弯曲的方式使其弯曲180°，接着介由夹具在长度方向的两端部上挂上砝码(各500g)，在此状态下保持10秒钟。
在上述操作之后，取下砝码和夹具，使用测试仪确认Ag糊料间的导通，测定表面电阻值。
(3)电阻值上升率
将上述(2)中获得的弯曲后电阻值除以上述(1)中获得的初始电阻值，将所得值(弯曲后电阻值/初始电阻值)作为电阻值上升率算出。
[制造例1]
(金属纳米丝的制造)
在具备搅拌装置的反应容器中，在160℃下添加无水乙二醇5ml、PtCl2的无水乙二醇溶液(浓度：1.5×10-4mol/L)0.5ml。经过4分钟后，在所得溶液中用6分钟的时间同时滴加AgNO3的无水乙二醇溶液(浓度：0.12mol/l)2.5ml和聚乙烯基吡咯烷酮(MW：55000)的无水乙二醇溶液(浓度：0.36mol/l)5ml。在该滴加后，加热至160℃并用1小时以上的时间进行反应直至AgNO3被完全地还原，生成银纳米丝。接着，在包含如上获得的银纳米丝的反应混合物中添加丙酮直至该反应混合物的体积达到5倍，之后将该反应混合物离心分离(2000rpm、20分钟)，获得银纳米丝。在纯水中分散该银纳米丝(浓度：0.2重量％)和五乙二醇十二烷基醚(浓度：0.1重量％)，制备银纳米丝分散液。
[实施例1]
(透明导电层形成用组合物(PN)的制备)
用上述银纳米丝分散液25重量份和纯水75重量份进行稀释，制备固体成分浓度为0.05重量％的透明导电层形成用组合物(PN)。
(单体组合物的制备)
利用异丙醇80重量份、二丙酮醇19重量份稀释季戊四醇三丙烯酸酯(大阪有机化学工业公司制、商品名“VISCOAT#300”)1重量份、光聚合引发剂(BASF公司制、商品名“Irgacure 907”)0.2重量份，获得固体成分浓度为1重量％的单体组合物。
(透明导电性膜的制作)
在基材(聚环烯烃膜(日本ZEON公司制商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度为40μm)的一侧上涂布上述透明导电层形成用组合物(PN)并将其干燥。进而，在透明导电层形成用组合物(PN)涂布层上涂布上述单体组合物，在80℃下干燥1分钟，之后照射300mJ/cm2的紫外线，形成第二透明导电层。接着，在第二透明导电层上利用溅射法形成厚度为32nm的由铟锡氧化物层形成的第一透明导电层。将如此获得的导电性膜卷绕在塑料制的卷芯上制作导电性膜卷。之后，将导电性膜卷投入到空气循环式烘箱中，在140℃下进行90分钟的加热处理，使铟锡氧化物从非晶质转化为结晶质，制作表面电阻值为45Ω/□的透明导电性膜。
[比较例1]
(固化树脂层的形成)
作为固化树脂层的形成材料，制备混合有DIC株式会社制、商品名“UNIDIC ELS-888”80重量份和DIC株式会社制、商品名“UNIDIC RS28-605”20重量份的树脂组合物溶液。
(透明导电性膜的制作)
在基材(聚环烯烃膜(日本ZEON公司制商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度为40μm)的一侧上涂布所制备的树脂组合物溶液，在80℃下干燥1分钟后，立刻用臭氧型高压汞灯(UV强度为180mW/cm2、累积光量：230mJ/cm2)照射紫外线，形成厚度为1.0μm的固化树脂层。接着，利用溅射法形成厚度为50nm的由铟锡氧化物层形成的透明导电层。将如此获得的导电性膜卷绕在塑料制的卷芯上制作导电性膜卷。之后，将导电性膜卷投入到空气循环式烘箱中，在140℃下进行90分钟的加热处理，使铟锡氧化物从非晶质转化为结晶质，制作表面电阻值为41Ω/□的透明导电性膜。
表1
符号说明
10 基材
20 透明导电层叠体
21 第一透明导电层
22 第二透明导电层
100、200 透明导电性膜

Claims (7)

1.一种透明导电性膜，其具备基材及配置在基材的至少单侧上的透明导电层叠体，所述透明导电层叠体具备由金属氧化物构成的第一透明导电层和包含金属纳米结构的第二透明导电层。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜，其中，所述金属氧化物为铟-锡复合氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜，其中，所述金属纳米结构为金属纳米丝。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层叠体按照所述第二透明导电层成为基材侧的方式进行配置。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性膜，其中，所述透明导电层叠体按照所述第一透明导电层成为基材侧的方式进行配置。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的透明导电性膜，其表面电阻值为100Ω/□以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的透明导电性膜，其中，在将所述透明导电性膜挂在直径为2mm的圆棒上使其弯曲时的表面电阻值的上升率、即弯曲后的表面电阻值/弯曲前的表面电阻值为1.3以下。
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