CN116133842A - 透明导电性薄膜 - Google Patents

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Abstract

提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。本发明的透明导电性薄膜具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，在相较于该基材而言使该第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径R(mm)弯折180°时，当该弯曲半径R(mm)与该基材的厚度T(mm)的关系处于0<T/(2R+T)≤0.07的范围时，该弯折所导致的电阻值上升率a为20％以下。

Description

透明导电性薄膜
技术领域
本发明涉及透明导电性薄膜。
背景技术
以往，作为接触式传感器的电极等中使用的透明导电性薄膜，大多使用在基材上形成有铟·锡复合氧化物层(ITO层)等金属氧化物层的透明导电性薄膜。对于这样的透明导电性薄膜，有时使用聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜作为基材，其原因之一在于对机械特性有利。但是，聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜具有相位差，因此将使用该薄膜的透明导电性薄膜用于大型图像显示装置时，会产生视觉辨识图像出现不必要的着色、显现出虹图案等问题。作为相位差影响少的基材，可举出由环烯烃系树脂形成的薄膜。但是，环烯烃系树脂薄膜存在机械特性差、形成金属氧化物层时容易破损的问题。
另外，ITO层等金属氧化物层存在因应力而产生裂纹从而容易破损的问题。例如，使金属氧化物层成为外侧，并弯折透明导电性薄膜时，金属氧化物层有时产生裂纹。作为防止该现象的手段之一，可举出减薄基材。但是，将环烯烃系树脂薄膜作为基材的情况下，若减薄该薄膜(基材)，则容易破损的上述问题变得显著。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2009-505358号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是为了解决上述问题而作出的，其目的在于，提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。
用于解决问题的方案
本发明的透明导电性薄膜具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，在相较于该基材而言使该第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径R(mm)弯折180°时，当该弯曲半径R(mm)与该基材的厚度T(mm)的关系处于0<T/(2R+T)≤0.07的范围时，该弯折所导致的电阻值(表面电阻值)上升率a为20％以下。
一个实施方式中，上述透明导电性薄膜还具备第2透明导电层，所述第2透明导电层配置于上述基材的与上述第1透明导电层相反的一侧。
一个实施方式中，上述第1透明导电层包含金属纳米线。
一个实施方式中，上述第1透明导电层还包含聚合物基质。
一个实施方式中，上述基材的拉伸断裂强度为100MPa以下。
一个实施方式中，构成上述基材的材料为环烯烃系树脂。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种透明导电性薄膜，其具有基材和透明导电层，即使该基材薄，机械特性也优异，且可表现优异的导电性。特别是本发明的透明导电性薄膜弯曲性优异，在弯曲时也可维持优异的导电性的方面是有利的。
附图说明
图1为本发明的1个实施方式的透明导电性薄膜的截面示意图。
图2为本发明的另一实施方式的透明导电性薄膜的截面示意图。
具体实施方式
A.透明导电性薄膜的整体构成
图1为本发明的1个实施方式的透明导电性薄膜的截面示意图。透明导电性薄膜100具备：基材10、和配置于基材10的一个面的第1透明导电层20。虽然未图示，但透明导电性薄膜还可以包含任意适当的其他层。
上述透明导电性薄膜在相较于基材而言使第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径R(mm)弯折180°时，当该弯曲半径R(mm)与基材的厚度T(mm)的关系处于0<T/(2R+T)≤0.07的范围时，该弯折所导致的电阻值(在第1透明导电层侧测定的表面电阻值)上升率a为20％以下。这样的透明导电性薄膜的弯曲性优异，在弯曲的情况下也可维持优异的导电性。本发明的透明导电性薄膜中，即使使用薄并且机械强度较低的基材，也能够得到上述效果，就该方面而言是有利的。这样的透明导电性薄膜例如可以通过由金属纳米线或金属网构成第1透明导电层来得到。电阻值上升率a优选为15％以下、更优选为10％以下。电阻值上升率a越小越优选，其下限例如为3％(更优选1％、进一步优选0.5％)。
一个实施方式中，如图2所示，透明导电性薄膜100’还可以包含第2透明导电层30。第2透明导电层30可以配置在基材20的与第1透明导电层10相反的一侧。
本发明的透明导电性薄膜的第1透明导电层侧的表面电阻值优选为0.01Ω/□～1000Ω/□、更优选为0.1Ω/□～500Ω/□、特别优选为0.1Ω/□～300Ω/□、最优选为0.1Ω/□～100Ω/□。
本发明的透明导电性薄膜的第2透明导电层侧的表面电阻值优选为0.01Ω/□～1000Ω/□、更优选为0.1Ω/□～500Ω/□、特别优选为0.1Ω/□～300Ω/□、最优选为0.1Ω/□～100Ω/□。
本发明的透明导电性薄膜的雾度值优选为1％以下、更优选为0.7％以下、进一步优选为0.5％以下。该雾度值越小越优选，其下限值例如为0.05％。
本发明的透明导电性薄膜的总透光率优选为80％以上、更优选为85％以上、特别优选为90％以上。
本发明的透明导电性薄膜的厚度优选为10μm～500μm、更优选为15μm～300μm、进一步优选为20μm～200μm。
B.第1透明导电层
优选第1透明导电层包含金属纳米线或金属网。更优选第1透明导电层包含金属网。
上述第1透明导电层的厚度优选为10nm～30μm。
上述第1透明导电层的总透光率优选为85％以上、更优选为90％以上、进一步优选为95％以上。
上述第1透明导电层的利用原子力显微镜(AFM)得到的23℃下的弹性模量优选为20GPa～100GPa、更优选为30GPa～90GPa、进一步优选为40GPa～90GPa。为这样的范围时，能够得到弯曲性优异、并且不易破损的透明导电性薄膜。具有上述范围的弹性模量的第1导电层例如可以如后述那样通过使第1透明导电层包含聚合物基质来得到。该弹性模量的测定方法在后面叙述。
(包含金属纳米线的第1透明导电层)
一个实施方式中，第1透明导电层包含金属纳米线的情况下，该第1透明导电层还可以包含聚合物基质。该实施方式中，在聚合物基质中可存在金属纳米线。在由聚合物基质构成的第1透明导电层中，金属纳米线被聚合物基质保护。其结果，能够得到金属纳米线的腐蚀得以防止、耐久性更优异的透明导电性薄膜。
第1透明导电层包含金属纳米线的情况下，上述第1透明导电层的厚度优选为10nm～1000nm、更优选为20nm～500nm。需要说明的是，第1透明导电层包含聚合物基质的情况下，该第1透明导电层的厚度相当于聚合物基质的厚度。
一个实施方式中，上述第1透明导电层进行了图案化。作为图案化的方法，根据第1透明导电层的形态可采用任意适当的方法。第1透明导电层的图案的形状根据用途可以为任意适当的形状。例如，可举出日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报中记载的图案。第1透明导电层可以在形成于基材上后，根据第1透明导电层的形态使用任意适当的方法进行图案化。
上述金属纳米线是指材质为金属、形状为针状或线状、直径为纳米尺寸的导电性物质。金属纳米线可以为直线状，也可以为曲线状。如果使用由金属纳米线构成的第1透明导电层，则金属纳米线成为网状，由此即使用少量的金属纳米线，也能够形成良好的导电路径，能够得到电阻小的透明导电性薄膜。
上述金属纳米线的粗细d与长度L的比(长径比：L/d)优选为10～100,000、更优选为50～100,000、特别优选为100～10,000。如果使用像这样长径比大的金属纳米线，则金属纳米线良好地交叉，能够通过少量的金属纳米线而表现出高的导电性。其结果，能够得到透光率高的透明导电性薄膜。需要说明的是，本说明书中，对于“金属纳米线的粗细”，在金属纳米线的截面为圆状时是指其直径，在为椭圆状时是指其短径，在为多边形时是指最长的对角线。金属纳米线的粗细及长度可以通过扫描型电子显微镜或透射型电子显微镜来进行确认。
上述金属纳米线的粗细优选不足500nm、更优选低于200nm、特别优选为10nm～100nm、最优选为10nm～60nm。为这样的范围时，能够形成透光率高的第1透明导电层。
上述金属纳米线的长度优选为1μm～1000μm、更优选为1μm～500μm、特别优选为1μm～100μm。为这样的范围时，能够得到导电性高的透明导电性薄膜。
作为构成上述金属纳米线的金属，只要为导电性高的金属，则可以使用任意适当的金属。作为构成上述金属纳米线的金属，例如，可举出银、金、铜、镍等。另外，也可以使用对这些金属进行镀覆处理(例如，金镀覆处理)而成的材料。金属纳米线优选由选自由金、铂、银及铜组成的组中的1种以上的金属构成。
作为上述金属纳米线的制造方法，可采用任意适当的方法。例如可举出：在溶液中对硝酸银进行还原的方法；对前体表面，自探针的前端部施加电压或使电流作用，利用探针前端部抽出金属纳米线而连续形成该金属纳米线的方法等。在溶液中对硝酸银进行还原的方法中，在乙二醇等多元醇、及聚乙烯基吡咯烷酮的存在下，对硝酸银等银盐进行液相还原，由此可合成银纳米线。均匀尺寸的银纳米线例如可依据Xia，Y.etal.，Chem.Mater.(2002)、14、4736-4745、Xia，Y.etal.，Nanoletters(2003)3(7)、955-960中记载的方法来大量生产。
上述第1透明导电层中的金属纳米线的含有比例相对于第1透明导电层的总重量优选为30重量％～100重量％、更优选为30重量％～90重量％、进一步优选为45重量％～80重量％。为这样的范围时，能够得到导电性及透光性优异的透明导电性薄膜。
作为构成上述聚合物基质的聚合物，可使用任意适当的聚合物。作为该聚合物，例如，可举出丙烯酸系聚合物；聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系聚合物；聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺等芳香族系聚合物；聚氨酯系聚合物；环氧系聚合物；聚烯烃系聚合物；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)；纤维素；硅系聚合物；聚氯乙烯；聚乙酸酯；聚降冰片烯；合成橡胶；氟系聚合物等。优选使用由季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、新戊二醇二丙烯酸酯(NPGDA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)等多官能丙烯酸酯构成的固化型树脂(优选紫外线固化型树脂)。
第1透明导电层由聚合物基质构成、并且上述金属纳米线为银纳米线的情况下，第1透明导电层的密度优选为1.3g/cm3～10.5g/cm3、更优选为1.5g/cm3～3.0g/cm3。为这样的范围时，能够得到导电性及透光性优异的透明导电性薄膜。
第1透明导电层由聚合物基质构成的情况下，该聚合物基质的利用原子力显微镜(AFM)得到的23℃下的弹性模量优选为20GPa～100GPa、更优选为30GPa～90GPa、进一步优选为40GPa～90GPa。
第1透明导电层可以如下来形成：在基材(或基材与其他层的层叠体)上涂布包含金属纳米线的第1导电层形成用组合物，其后，使涂布层干燥，由此形成。
上述第1导电层形成用组合物除了包含金属纳米线以外，还可包含任意适当的溶剂。第1导电层形成用组合物可以以金属纳米线的分散液的形式准备。作为上述溶剂，可举出水、醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、烃系溶剂、芳香族系溶剂等。从降低环境负担的观点出发，优选使用水。上述第1导电层形成用组合物还可以根据目的含有任意适当的添加剂。作为上述添加剂，例如，可举出防止金属纳米线的腐蚀的防腐蚀材料、防止金属纳米线的聚集的表面活性剂等。使用的添加剂的种类、数及量可以根据目的适当地设定。
上述第1透明导电层包含聚合物基质的情况下，聚合物基质可以如下来形成：如上所述那样涂布第1导电层形成用组合物并使其干燥后，在由金属纳米线构成的层上涂布聚合物溶液(聚合物组合物、单体组合物)，其后，使聚合物溶液的涂布层干燥或固化，由此形成。另外，也可以使用含有构成聚合物基质的聚合物的第1导电层形成用组合物来形成第1透明导电层。
上述第1导电层形成用组合物中的金属纳米线的分散浓度优选为0.1重量％～1重量％。为这样的范围时，能够形成导电性及透光性优异的第1透明导电层。
作为上述第1导电层形成用组合物的涂布方法，可采用任意适当的方法。作为涂布方法，例如，可举出旋转涂布机、棒涂机、辊涂机、模涂机、喷墨涂布机、丝网涂布机、浸渍涂布机、凸版印刷法、凹版印刷法、照相凹版印刷法等。作为涂布层的干燥方法，可采用任意适当的干燥方法(例如，自然干燥、送风干燥、加热干燥)。例如，加热干燥的情况下，干燥温度代表性的为50℃～200℃、优选为80℃～150℃。干燥时间代表性的为1～10分钟。
上述聚合物溶液包含构成上述聚合物基质的聚合物、或该聚合物的前体(构成该聚合物的单体)。
上述聚合物溶液可包含溶剂。作为上述聚合物溶液中包含的溶剂，例如，可举出醇系溶剂、酮系溶剂、四氢呋喃、烃系溶剂、或芳香族系溶剂等。优选该溶剂为挥发性。该溶剂的沸点优选为200℃以下、更优选为150℃以下、进一步优选为100℃以下。
(包含金属网的第1透明导电层)
包含金属网的第1透明导电层是在上述基材上将金属细线形成为格子状的图案而成的。包含金属网的第1透明导电层可以通过任意适当的方法来形成。该第1透明导电层例如可以如下来得到：将包含银盐的感光性组合物(透明导电层形成用组合物)涂布于上述层叠体上，其后进行曝光处理及显影处理，使金属细线形成为规定的图案，由此得到。另外，该第1透明导电层也可以将包含金属微粒的糊剂(透明导电层形成用组合物)印刷为规定的图案来得到。这种第1透明导电层及其形成方法的详情例如记载于日本特开2012-18634号公报中，其记载作为参考被援引至说明书中。另外，作为由金属网构成的透明导电层及其形成方法的另一个例子，可举出日本特开2003-331654号公报中记载的透明导电层及其形成方法。
上述第1透明导电层包含金属网的情况下，该第1透明导电层的厚度优选为0.1μm～30μm、更优选为0.1μm～9μm、进一步优选为1μm～3μm。
(金属系第1透明导电层)
透明导电层可以为金属系，更具体而言，可以为包含金属膜的层或包含氧化金属膜的层。作为构成这种透明导电层的材料，例如，适宜使用Cu，Al、Fe、Cr、Ti、Si、Nb、In、Zn、Sn、Au、Ag、Co、Cr、Ni、Pb、Pd、Pt、W、Zr、Ta、Hf、Mo、Mn、Mg、V等金属。另外，也可以使用含有这些金属中的2种以上的材料、将这些金属作为主成分的合金、氧化物等。例如，可使用铟-锡复合氧化物(ITO)。
上述第1透明导电层为金属系的情况下，该第1透明导电层的厚度为10nm～400nm、更优选为50nm～350nm、特别优选为100nm～200nm。
金属系第1透明导电层可以通过任意适当的方法来形成。例如，可以通过溅射法、化学气相沉积法(CVD)、物理气相沉积法(PVD)等真空成膜法、离子镀法、镀覆法(电镀、化学镀)、热压印法、涂布法等形成。
上述第1透明导电层为金属系的情况下，可以在该第1透明导电层上(与基材处于相反侧的面上)形成保护层。作为形成保护层的材料，例如，可使用选自Ni、Cu、Ti、Si、Zn、Sn、Cr、Fe、铟、镓、锑、锆、镁、铝、金、银、钯、钨中的任1种以上的金属或它们的氧化物。保护层的厚度例如为1nm～50nm。
一个实施方式中，上述第1透明导电层可被图案化为规定的图案。透明导电层的图案的形状只要为作为触摸面板(例如，电容方式触摸面板)良好地工作的图案，就没有特别限定，例如，可举出日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报中记载的图案。第1透明导电层可以在形成于基材上后使用公知的方法进行图案化。
C.基材
上述基材代表性地由任意适当的树脂构成。作为构成上述基材的树脂，例如，可举出环烯烃系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯系树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯系树脂等。优选使用环烯烃系树脂。如果使用由环烯烃系树脂构成的基材，则能够得到弯曲性优异的透明导电性薄膜。另外，从光学特性的观点出发也是有利的。本发明中，即使使用环烯烃系薄膜那样的断裂强度低的基材，也能够提供不易破损的透明导电性薄膜。
作为上述环烯烃系树脂，例如，可优选使用聚降冰片烯。聚降冰片烯是指起始原料(单体)的一部分或全部使用具有降冰片烯环的降冰片烯系单体而得到的(共)聚合物。作为上述聚降冰片烯，市售有各种制品。作为具体例，可举出Zeon Corporation制的商品名“Zeonex”、“Zeonor”、JSR公司制的商品名“Arton”、TICONA公司制的商品名“Topas”、三井化学公司制的商品名“APEL”。
构成上述基材的树脂的玻璃化转变温度优选为50℃～200℃、更优选为60℃～180℃、进一步优选为70℃～160℃。如果为具有这样的范围的玻璃化转变温度的基材，则可防止形成第1透明导电层时的劣化。
上述基材的厚度优选为8μm～150m、更优选为10μm～120μm、进一步优选为10μm～100μm、特别优选为15μm～80μm。本发明中，即使使用薄的基材，也能够提供不易破损的透明导电性薄膜。通过采用薄的基材，能够得到在弯曲的情况下透明导电层(特别是第1透明导电层)也不易破损、可维持优异的导电性的透明导电性薄膜。
一个实施方式中，上述基材的拉伸断裂强度为100MPa以下。另一实施方式中，上述基材的拉伸断裂强度为80MPa以下。本发明中，即使使用断裂强度比较小的基材，也能够提供不易破损的透明导电性薄膜。基材的拉伸断裂强度的下限例如为30MPa(优选40MPa)。需要说明的是，拉伸断裂强度可以在常温(23℃)下、依据JIS K 7161进行测定。
上述基材的总透光率优选为80％以上、更优选为85％以上、特别优选为90％以上。为这样的范围时，能够得到作为触摸面板等所具备的透明导电性薄膜适合的透明导电性薄膜。
上述基材根据需要还可以包含任意适当的添加剂。作为添加剂的具体例，可举出增塑剂、热稳定剂、光稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、阻燃剂、着色剂、抗静电剂、增溶剂、交联剂、及增稠剂等。使用的添加剂的种类及量可根据目的适宜设定。
根据需要，可以对上述基材进行各种表面处理。表面处理根据目的采用任意适当的方法。例如，可举出低压等离子体处理、紫外线照射处理、电晕处理、火焰处理、酸或碱处理。一个实施方式中，对基材进行表面处理，从而使基材表面亲水化。如果使基材亲水化，则涂布利用水系溶剂制备的透明导电层形成用组合物时的加工性优异。另外，能够得到基材与透明导电层的密合性优异的透明导电性薄膜。
D.第2透明导电层
第2透明导电层只要具有导电性，则可为任意适当的构成。一个实施方式中，第2透明导电层可采用B项中所说明的构成。另一实施方式中，第2透明导电层由金属氧化物构成。作为金属氧化物，例如，可举出铟氧化物、锡氧化物、锌氧化物、铟-锡复合氧化物、锡-锑复合氧化物、锌-铝复合氧化物、铟-锌复合氧化物等。其中优选为铟-锡复合氧化物(ITO)。金属氧化物可以为结晶化金属氧化物。结晶化金属氧化物如后述，是指在成膜为金属氧化物膜后进行加热(例如，120℃～200℃的加热)而得到的金属氧化物。
作为由金属氧化物构成的第2透明导电层的形成方法，例如，可举出通过任意适当的成膜方法(例如，真空蒸镀法、溅射法、CVD法、离子镀法、喷雾法等)形成金属氧化物层，获得第2透明导电层的方法。该金属氧化物层可以直接作为第2透明导电层，也可以进而进行加热而使金属氧化物结晶化。该加热时的温度例如为120℃～200℃。
上述第2透明导电层的总透光率优选为80％以上、进一步优选为85％以上、进一步优选为90％以上。
上述第2透明导电层的厚度优选为50nm以下、进一步优选为40nm以下。为这样的范围时，能够得到透光性优异的透明导电性薄膜。上述导电层的厚度的下限优选为1nm、更优选为5nm。
实施例
以下，通过实施例具体地对本发明进行说明，但本发明不受这些实施例限定。实施例及比较例中的评价方法如下。
(1)弯曲后导通
测定使透明导电性薄膜弯曲后的电阻值。
在透明导电性薄膜(长度100mm×宽度20mm)的第1导电层侧长度方向两端涂布Ag糊剂从而得到试验片。将该试验片以使第1导电层成为外侧地挂在不锈钢的圆棒(半径：Rmm)，以长度方向沿着该圆棒弯曲的方式弯曲180°。接着，借助夹具在长度方向的两端部悬挂砝码(各500g)，在该状态下保持10秒钟。
在上述操作后，卸除砝码·夹具，利用测试仪确认Ag糊剂部间的表面电阻值(弯曲后的电阻值)。相对于弯曲前的表面电阻值，表面电阻值的上升率为20％以下时，则设为导通OK，上升率超过20％时，设为导通NG。
(2)弹性模量
将透明导电性薄膜固定于规定的试样台，对第1透明导电层进行使用AFM(OxfordInstruments公司制、MEP-3D-SA)的接触共振测定。测定后，算出弹性模量。需要说明的是，计算弹性模量时，使用硅晶圆(假定弹性模量1500GPa)作为标准试样。以下记载详细的测定条件。
装置：Oxford Instruments公司制MEP-3D-SA
测定模式：接触共振法(DART CR)
探针：Si制(3N/m相当品)
测定范围：3μm□
测定气氛：大气
测定温度：室温
[制造例1]
(金属纳米线的制造)
在具备搅拌装置的反应容器中，在160℃下加入无水乙二醇5ml、PtCl2的无水乙二醇溶液(浓度：1.5×10-4mol/L)0.5ml。经过4分钟后，在得到的溶液中用6分钟同时滴加AgNO3的无水乙二醇溶液(浓度：0.12mol/l)2.5ml和聚乙烯基吡咯烷酮(MW：55000)的无水乙二醇溶液(浓度：0.36mol/l)5ml。该滴加后，加热至160℃，用1小时以上进行反应直到AgNO3被完全还原，生成银纳米线。接着，向如上所述那样得到的包含银纳米线的反应混合物中加入丙酮直至该反应混合物的体积为5倍后，对该反应混合物进行离心分离(2000rpm、20分钟)，得到银纳米线。使该银纳米线(浓度：0.2重量％)、及五乙二醇十二烷基醚(浓度：0.1重量％)分散于纯水中，制备银纳米线分散液。
[实施例1]
(透明导电层形成用组合物(PN)的制备)
将上述银纳米线分散液25重量份用纯水75重量份进行稀释，制备固体成分浓度0.05重量％的透明导电层形成用组合物(PN)。
(单体组合物的制备)
用异丙醇80重量份、二丙酮醇19重量份将季戊四醇三丙烯酸酯(大阪有机化学工业株式会社制、商品名“Viscoat#300”)1重量份、光聚合引发剂(BASF公司制、商品名“Irgacure 907”)0.2重量份稀释，得到固体成分浓度1重量％的单体组合物。
(透明导电性薄膜的制作)
在基材(环烯烃薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度55μm)的一侧涂布上述透明导电层形成用组合物(PN)作为第1透明导电层形成用组合物，使其干燥。进而，在第1透明导电层形成用组合物(PN)涂布层上涂布上述单体组合物，在90℃下进行1分钟干燥，其后，进行300mJ/cm2的紫外线照射，形成第1透明导电层。
如上所述地得到透明导电性薄膜。将得到的透明导电性薄膜供于上述评价(1)及(2)。该评价(1)中使用的圆棒的半径设为1mm(直径：2mm)。将结果示于表1。
[实施例2]
与实施例1同样地操作，得到透明导电性薄膜。将得到的透明导电性薄膜供于上述评价(1)及(2)。该评价(1)中使用的圆棒的半径设为0.5mm(直径：1mm)。将结果示于表1。
[实施例3]
代替基材(环烯烃薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度55μm)，使用基材(环烯烃薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度100μm)，除此以外，与实施例1同样地操作，得到透明导电性薄膜。将得到的透明导电性薄膜供于上述评价(1)及(2)。该评价(1)中使用的圆棒的半径设为1mm(直径：2mm)。将结果示于表1。
[比较例1]
通过溅射法在基材(环烯烃薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度55μm)的一个面形成包含铟·锡氧化物层的透明导电层(厚度：30nm)，得到透明导电性薄膜。
将得到的透明导电性薄膜供于上述评价(1)及(2)。该评价(1)中使用的圆棒的半径设为1mm(直径：2mm)。将结果示于表1。
[比较例2]
代替基材(环烯烃薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度55μm)，使用基材(环烯烃薄膜(Zeon Corporation制、商品名“ZEONOR(注册商标)”、厚度100μm)，除此以外，与比较例1同样地操作，得到透明导电性薄膜。将得到的透明导电性薄膜供于上述评价(1)及(2)。该评价(1)中使用的圆棒的半径设为1mm(直径：2mm)。将结果示于表1。
[表1]
Figure BDA0004113625110000151
根据表1可明确，透明导电性薄膜的弯曲性优异，在特定的条件下弯曲的情况下，可维持优异的导电性。
附图标记说明
10基材
20第1透明导电层
30第2透明导电层
100、100’透明导电性薄膜

Claims (6)

1.一种透明导电性薄膜，其具备：基材、和配置于该基材的至少一个面的第1透明导电层，
在相较于该基材而言使该第1透明导电层成为外侧并以弯曲半径R(mm)弯折180°时，当该弯曲半径R(mm)与该基材的厚度T(mm)的关系处于0<T/(2R+T)≤0.07的范围时，该弯折所导致的电阻值上升率a为20％以下。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其还具备第2透明导电层，所述第2透明导电层配置于所述基材的与所述第1透明导电层相反的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述第1透明导电层包含金属纳米线。
4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其中，所述第1透明导电层还包含聚合物基质。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述基材的拉伸断裂强度为100MPa以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，构成所述基材的材料为环烯烃系树脂。
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