CN116705384A - 透明导电性膜的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供制造在基材的两个面具备导电层的同时、这些导电层与基材的密合性也优异的透明导电性膜的方法。本发明的透明导电性膜的制造方法为具备基材、配置于所述基材的表面上的第一导电层、及配置于所述基材的背面上的第二导电层的透明导电性膜的制造方法,其依次包含以下工序:在所述基材的至少背面上实施表面改性处理而形成表面处理面的工序A;在所述基材的表面上形成第一导电层的工序B;以及在所述基材的背面上形成第二导电层的工序C。
Description
技术领域
本发明涉及透明导电性膜的制造方法。
背景技术
近年提出了一种透明导电性膜,其为在触摸传感器的电极等中使用的透明导电性膜,作为实现了提高弯曲性的透明导电性膜,具备包含导电性金属纤维的导电层。
通常,上述那样包含金属纤维的导电层是将包含金属纤维的涂布液涂饰在规定的基材上而形成。所述涂布液多为水性的,因此对上述基材的涂布面要求对水性涂布液(代表性地为水)的湿润性优异。作为提高湿润性的手段,已知对涂布面进行电晕处理等表面改性处理的手段。
但是,在基材的两个面上形成导电层时,当在一个面上形成第一导电层之后对另一个面进行表面改性处理时,在另一个面上会发生基材与导电层的密合力不足的问题。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1:日本特表2009-505358号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明为了解决上述技术问题而完成,其目的在于提供制造在基材的两个面具备导电层的同时、这些导电层与基材的密合性也优异的透明导电性膜的方法。
用于解决技术问题的手段
本发明的透明导电性膜的制造方法为具备基材、配置在所述基材的表面上的第一导电层、及配置于所述基材的背面的第二导电层的透明导电性膜的制造方法,其依次包含以下工序:在所述基材的至少背面上实施表面改性处理而形成表面处理面的工序A;在所述基材的表面上形成第一导电层的工序B;以及在所述基材的背面上形成第二导电层的工序C。
一个实施方式中,上述工序A中,仅对上述基材的背面实施表面改性处理而形成表面处理面。
一个实施方式中,上述工序A中进行的表面改性处理为放电处理。
一个实施方式中,上述工序A中进行的表面改性处理为电晕处理。
一个实施方式中,上述工序A中的放电处理的放电量为12W·min/m2~200W·min/m2。
一个实施方式中,上述工序A中进行了表面改性处理的面的水接触角为40°~68°。
一个实施方式中,上述第一导电层包含金属纤维。
一个实施方式中,上述第二导电层包含金属纤维。
一个实施方式中,上述第一导电层以及第二导电层由导电层形成用组合物形成,所述导电层形成用组合物包含水。
发明效果
根据本发明,可以提供制造在基材的两个面具备导电层(优选为包含金属纤维的导电层)的同时、这些导电层与基材的密合性也优异的透明导电性膜的方法。
附图说明
图1为说明本发明一个实施方式的透明导电性膜的制造方法的图。
符号说明
10 基材
20 第一导电层
30 第二导电层
100 透明导电性膜
具体实施方式
A.透明导电性膜的制造方法
图1为说明本发明一个实施方式的透明导电性膜的制造方法的图。本发明的透明导电性膜的制造方法是具备基材10、配置于所述基材10的表面上的第一导电层20、及配置于所述基材10的背面上的第二导电层30的透明导电性膜100的制造方法,其依次包含以下工序:
在基材的至少背面(图1(a)中仅为背面、图1(b)中为表面以及背面)上实施表面改性处理而形成表面处理面的工序A;
在上述基材的表面上形成第一导电层的工序B;以及
在上述基材的背面(即,与形成有第一导电层的面相反一侧的面)上形成第二导电层的工序C。
在形成第二导电层的工序C中,在上述工序A中形成的表面处理面上涂饰第二导电层形成用材料。作为基材10,可以使用长条状的基材,各工序分别可以是卷对卷工艺。优选工序A在与工序B不同的另外的设备中进行。例如,将在工序A中经卷绕的处理过的中间品在工序B中卷出,进行第一导电层的形成。此外,本说明书中“表面”以及“背面”是专门为了使说明变得清楚、为了方便所使用的用语,需要注意的是,并非要利用这些用语来规定工序内的基材的配置、透明导电性膜的使用方法等。
本发明中,通过利用上述的工序形成透明导电性膜,可以在形成第一导电层之后、形成第二导电层之前、即工序B与工序C之间不进行表面改性处理(特别是伴随放电的表面改性处理)的情况下即可形成第二导电层。如此,可以在不损害第二导电层与基材的密合性的情况下,在基材的两个面上形成具有同等优异品质的导电层。
A-1.工序A
工序A中,如上所述,在基材的至少背面上实施表面改性处理而形成表面处理面。一个实施方式中,如图1(a)所示,在工序A中,仅对基材的背面(即预定形成第二导电层的面)实施表面处理而形成表面处理面。
上述基材代表性地由任意适当的树脂构成。作为构成上述基材的树脂,例如可举出环烯烃系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯系树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯系树脂等。优选使用环烯烃系树脂。若使用由环烯烃系树脂构成的基材,则可以获得弯曲性优异的透明导电性膜。
作为上述环烯烃系树脂,例如可优选使用聚降冰片烯。聚降冰片烯是指起始原料(单体)的一部分或全部使用具有降冰片烯环的降冰片烯系单体而获得的(共)聚合物。作为上述聚降冰片烯,市售有各种产品。作为具体例子,可举出日本Zeon公司制的商品名“Zeonex”、“Zeonor”、JSR公司制的商品名“Arton”、TICONA公司制的商品名“TOPAS”、三井化学公司制的商品名“APEL”。
构成上述基材的树脂的玻璃化转变温度优选为50℃~200℃,更优选为60℃~180℃,进一步优选为70℃~160℃。若为具有这种范围的玻璃化转变温度的基材,则可以防止形成导电层时的劣化。
上述基材的厚度优选为8μm~500μm,更优选为10μm~250μm,进一步优选为10μm~150μm,特别优选为15μm~100μm。
上述基材的总光线透过率优选为80%以上,更优选为85%以上,特别优选为90%以上。若为这种范围,可以获得作为触摸面板等所具备的透明导电性膜优选的透明导电性膜。
上述基材可以根据需要进一步包含任意适当的添加剂。作为添加剂的具体例子,可举出增塑剂、热稳定剂、光稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、阻燃剂、着色剂、防静电剂、增容剂、交联剂、以及增粘剂等。所使用的添加剂的种类以及量可以根据目的适当设定。
作为工序A中进行的表面改性处理,代表地可举出亲水化处理。作为亲水化处理,例如可举出电晕处理、等离子体处理等放电处理、UV洗涤表面改性、离子轰击处理等。
优选上述表面改性处理为放电处理。本发明中,形成第二导电层的面(背面)由于是在第一导电层形成前进行过放电处理(即,在第一导电层存在的状态下未进行放电处理),因此可以稳定地进行所述放电处理。结果,可以获得不仅第一导电层与基材的密合性优异、而且第二导电层与基材的密合性也优异的透明导电性膜。
作为工序A中的上述放电处理的条件,可采用任意适当的条件。作为上述放电处理(优选电晕处理)的条件,例如放电量优选为6W·min/m2~300W·min/m2、更优选为12W·min/m2~200W·min/m2、进一步优选为15W·min/m2~200W·min/m2、特别优选为30W·min/m2~150W·min/m2。本发明中,由于在导电层不存在的状态下进行表面改性处理,因此能够进行高放电量下的处理。
工序A中,进行了表面改性处理的面的水接触角优选为40°~68°,更优选为55°~65°,进一步优选为60°~65°。若为这种范围,可以获得基材与导电层的密合性优异的透明导电性膜。此外,水接触角可以向测定对象的表面滴加4μl蒸馏水1秒钟后,利用接触角测定装置(例如协和界面科学公司制的商品名“DMo-501”)测定所述蒸馏水的液滴与测定对象表面的接触角。
A-2.工序B
工序A之后,在工序B中,如上所述在基材的表面上形成第一导电层。
如图1(a)所示,在工序A中仅对基材的背面(即预定形成第二导电层的面)实施表面处理而形成表面处理面时,优选在工序B中对形成第一导电层的面(即基材的表面)进行表面改性处理后涂饰(涂布、干燥)导电层形成用组合物(涂布、干燥)来形成第一导电层。
工序B中,在对基材实施表面改性处理时,作为该表面改性处理,可进行任意适当的表面改性处理。代表性地可进行可提高对于水性溶剂的亲和性的表面改性处理。作为工序B中的表面改性处理,可以采用在A-1项中说明过的处理以及处理条件。
工序B中进行了表面改性处理的面的水接触角优选为40°~68°,更优选为55°~65°,进一步优选为60°~65°。若为这种范围,可以获得基材与第一导电层的密合性优异的透明导电性膜。
如图1(b)所示,在工序A中对基材的两个面实施表面处理而形成表面处理面时,形成第一导电层的面可以是基材的任一个面。为了方便,使形成第一导电层的面为基材的表面。本实施方式中,在基材的一个面(表面)上涂饰(涂布、干燥)导电层形成用组合物,形成第一导电层。
工序A之后直至开始工序B的时间优选为130小时以内,更优选为120小时以内,进一步优选为75小时以内。若为这种范围,可以获得表面改性处理效果高的透明导电性膜。另外,在如图1(a)所示、在工序B中对基材的表面进行表面改性处理后涂饰导电层形成用组合物来形成第一导电层时,对基材的表面进行表面改性处理后直至涂饰导电层形成用组合物的时间优选为130小时以内,更优选为120小时以内,进一步优选为75小时以内。若为这种范围,可获得表面改性处理效果高的透明导电性膜。
一个实施方式中,第一导电层包含金属纤维。一个实施方式中,第一导电层进一步包含聚合物基质。
上述第一导电层的厚度优选为50nm~300nm,更优选为80nm~200nm。
上述第一导电层的总光线透过率优选为85%以上,更优选为90%以上,进一步优选为95%以上。
一个实施方式中,将上述第一导电层图案化。作为图案化的方法,可以根据导电层的形态采用任意适当的方法。导电层的图案的形状根据用途可以是任意适当的形状。例如可举出日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报中记载的图案。将第一导电层形成在基材上之后,可以根据第一导电层的形态,使用任意适当的方法进行图案化。
作为上述金属纤维,可以优选使用金属纳米丝。上述金属纳米丝是指材质为金属、形状为针状或丝状、直径为纳米尺寸的导电性物质。金属纳米丝可以是直线状的,还可以是曲线状的。若使用由金属纳米丝构成的导电层,则金属纳米丝变成网眼状,通过分别接合,可以形成良好的导电路径,可以获得电阻小的透明导电性膜。
上述金属纳米丝的粗度d与长度L之比(长宽比:L/d)优选为10~100,000,更优选为50~100,000,特别优选为100~10,000。若使用长宽比如此大的金属纳米丝,则金属纳米丝良好地交叉,利用少量的金属纳米丝即可显现高导电性。结果,可以获得透光率高的透明导电性膜。此外,本说明书中“金属纳米丝的粗度”在金属纳米丝的截面为圆状时是指其直径,在为椭圆状时是指其短径,在为多边形时是指最长的对角线。金属纳米丝的粗度以及长度可以通过扫描型电子显微镜或透过型电子显微镜来确认。
上述金属纳米丝的粗度优选小于500nm,更优选小于200nm,特别优选为10nm~100nm,最优选为10nm~60nm。若为这种范围,可以形成透光率高的导电层。
上述金属纳米丝的长度优选为1μm~1000μm,更优选为1μm~500μm,特别优选为1μm~100μm。若为这种范围,可以获得导电性高的透明导电性膜。
作为构成上述金属纳米丝的金属,只要是导电性高的金属,则可以使用任意适当的金属。作为构成上述金属纳米丝的金属,例如可举出银、金、铜、镍等。另外,还可以使用对这些金属进行了镀覆处理(例如镀金处理)的材料。金属纳米丝优选由选自金、铂、银以及铜中的1种以上的金属构成。一个实施方式中,上述金属纳米丝为银纳米丝。
作为上述金属纳米丝的制造方法,可以采用任意适当的方法。例如可举出在溶液中将硝酸银还原的方法;从探针的前端部对前体表面作用施加电压或电流,在探针前端部将金属纳米丝拉出,连续地形成所述金属纳米丝的方法等。在溶液中将硝酸银还原的方法中,通过在乙二醇等多元醇以及聚乙烯基吡咯烷酮的存在下进行硝酸银等银盐的液相还原,可以合成银纳米丝。均匀尺寸的银纳米丝例如可以依据Xia,Y.etal.,Chem.Mater.(2002)、14、4736-4745、Xia,Y.etal.,Nano letters(2003)3(7)、955-960记载的方法大量生产。
上述第一导电层中的金属纳米丝的含有比例相对于第一导电层的总重量优选为80重量%以下,更优选为30重量%~75重量%,更加优选为30重量%~65重量%,进一步优选为45重量%~65重量%。若为这种范围,可以获得导电性以及透光性优异的透明导电性膜。
作为构成上述聚合物基质的聚合物,可以使用任意适当的聚合物。作为所述聚合物,例如可举出丙烯酸系聚合物;聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系聚合物;聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺等芳香族系聚合物;聚氨酯系聚合物;环氧系聚合物;聚烯烃系聚合物;丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS);纤维素;硅系聚合物;聚氯乙烯;聚乙酸酯;聚降冰片烯;合成橡胶;氟系聚合物等。优选使用由季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、新戊二醇二丙烯酸酯(NPGDA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)等多官能丙烯酸酯构成的固化型树脂(优选紫外线固化型树脂)。
上述第一导电层的密度优选为1.3g/cm3~10.5g/cm3,更优选为1.5g/cm3~3.0g/cm3。若为这种范围,可以获得导电性以及透光性优异的透明导电性膜。
上述第一导电层可以通过在基材上涂布包含金属纤维(例如金属纳米丝)的导电层形成用组合物、之后将涂布层干燥来形成。导电层形成用组合物中还可以包含形成聚合物基质的树脂材料。或者,也可以与导电层形成用组合物分开地另外准备形成聚合物基质的树脂材料,在涂布导电层形成用组合物并使其干燥后,在由金属纤维构成的层上涂布树脂材料(聚合物组合物、单体组合物),之后使树脂材料的涂布层干燥或固化,从而形成导电层。
上述导电层形成用组合物除了金属纤维(例如金属纳米丝)之外,还可以包含任意适当的溶剂。导电层形成用组合物可作为金属纤维(例如金属纳米丝)的分散液进行准备。作为上述溶剂,从减少环境负荷的观点出发,优选使用水。上述导电层形成用组合物还可以根据目的进一步含有任意适当的添加剂。作为上述添加剂,例如可举出防止金属纤维(例如金属纳米丝)腐蚀的防腐蚀材料、防止金属纤维(例如金属纳米丝)凝集的表面活性剂等。所使用的添加剂的种类、以及数量可以根据目的适当地设定。
上述导电层形成用组合物中的金属纤维(例如金属纳米丝)的分散浓度优选为0.1重量%~1重量%。若为这种范围,可以形成导电性以及透光性优异的导电层。
作为上述导电层形成用组合物的涂布方法,可以采用任意适当的方法。作为涂布方法,例如可举出喷涂、棒涂、辊涂、模涂、喷墨涂布、丝网涂布、浸渍涂布、凸版印刷法、凹版印刷法、凹版印刷法等。作为涂布层的干燥方法,可以采用任意适当的干燥方法(例如自然干燥、送风干燥、加热干燥)。例如为加热干燥时,干燥温度代表性地为50℃~200℃,优选为80℃~150℃。干燥时间代表性地为1分钟~10分钟。
上述聚合物溶液包含构成上述聚合物基质的聚合物、或所述聚合物的前体(构成所述聚合物的单体)。
上述聚合物溶液可以包含溶剂。作为上述聚合物溶液所含的溶剂,例如可举出醇系溶剂、酮系溶剂、四氢呋喃、烃系溶剂、或芳香族系溶剂等。优选所述溶剂是挥发性的。所述溶剂的沸点优选为200℃以下,更优选为150℃以下,进一步优选为100℃以下。
A-3.工序C
工序C中,如上所述,在基材的背面(即与形成了第一导电层的面相反一侧的面)上形成第二导电层。工序C中,在上述工序A中形成的表面处理面上涂饰第二导电层形成用材料。即,工序A中,当仅对基材的背面实施表面处理而形成表面处理面时,在所述背面上形成第二导电层。
一个实施方式中,第二导电层包含金属纤维和聚合物基质。作为这种第二导电层及其形成方法,可以采用在A-2项中说明的导电层及其形成方法。
B.透明导电性膜
利用上述制造法制造的透明导电性膜具备基材、配置于所述基材的一个面上的第一导电层、以及配置于所述基材的背面上的第二导电层。
透明导电性膜的表面电阻值优选为0.01Ω/□~1000Ω/□,更优选为0.1Ω/□~500Ω/□,特别优选为0.1Ω/□~300Ω/□,最优选为0.1Ω/□~100Ω/□。一个实施方式中,透明导电性膜的表面电阻值为100Ω/□以下。
透明导电性膜的雾度值优选为1%以下,更优选为0.7%以下,进一步优选为0.5%以下。所述雾度值越小越优选,其下限值例如为0.05%。
透明导电性膜的总光线透过率优选为80%以上,更优选为85%以上,特别优选为90%以上。
[实施例]
以下,通过实施例具体地说明本发明,但本发明并不受这些实施例的任何限定。
[实施例1]
(工序A)
使用春日电机公司制的电晕处理机对基材(环烯烃膜)的背面实施电晕处理。作为电晕处理的条件,使照射功率为1kW、达到60W·min/m2的放电量。
(工序B)
使用春日电机公司制的电晕处理机对上述基材的表面实施电晕处理。作为电晕处理的条件,使照射功率为1kW、达到60W·min/m2的放电量。
进而,在上述电晕处理后,在基材的表面上使用拉丝锭按照制膜后的比电阻值达到50Ω/□的方式涂布导电层形成用组合物(银纳米丝油墨),在120℃下加热制膜2分钟,形成第一导电层。导电层形成用组合物(银纳米丝油墨)如下所述。
银纳米丝油墨的制备:
在具备搅拌装置的反应容器中,在160℃下添加无水乙二醇5ml、PtCl2的无水乙二醇溶液(浓度:1.5×10-4mol/L)0.5ml。经过4分钟后,在所得溶液中同时地用6分钟的时间滴加AgNO3的无水乙二醇溶液(浓度:0.12mol/l)2.5ml和聚乙烯基吡咯烷酮(MW:55000)的无水乙二醇溶液(浓度:0.36mol/l)5ml。该滴加后,加热至160℃,用1小时以上的时间进行反应直至AgNO3被完全地还原,生成银纳米丝。接着,在包含如上获得的银纳米丝的反应混合物中添加丙酮至所述反应混合物的体积变为5倍之后,将所述反应混合物离心分离(2000rpm、20分钟),获得银纳米丝。在纯水中分散所述银纳米丝(浓度:0.2重量%)以及五乙二醇十二烷基醚(浓度:0.1重量%),制备银纳米丝油墨。
(工序C)
工序A结束72小时后,在基材(环烯烃膜)的背面上利用与上述工序B相同的方法涂饰与上述工序B中制备的相同的导电层形成用组合物(银纳米丝油墨),形成第二导电层,获得透明导电性膜。
此外,工序A、工序B、工序C分别在不同的设备中进行。
[实施例2]
除了使工序A中的电晕处理的功率为0.3kw、放电量为18W·min/m2以外,与实施例1同样地获得透明导电性膜。
[实施例3]
除了使工序A中的电晕处理的功率为2kw、放电量为122W·min/m2以外,与实施例1同样地获得透明导电性膜。
[实施例4]
(工序A)
使用春日电机公司制的电晕处理机对基材(环烯烃膜)的背面实施电晕处理。作为电晕处理的条件,使照射功率为1kW、达到60W·min/m2的放电量。
(工序B)
使用春日电机公司制的电晕处理机对上述基材的表面实施电晕处理。作为电晕处理的条件,使照射功率为1kW、达到60W·min/m2的放电量。
接着,工序A结束72小时后,在基材的背面使用拉丝锭按照制膜后的比电阻值达到50Ω/□的方式涂布导电层形成用组合物(银纳米丝油墨),在120℃下加热制膜2分钟,形成第一导电层。导电层形成用组合物(银纳米丝油墨)如下所述。
银纳米丝油墨的制备:
在具备搅拌装置的反应容器中,在160℃下添加无水乙二醇5ml、PtCl2的无水乙二醇溶液(浓度:1.5×10-4mol/L)0.5ml。经过4分钟后,在所得溶液中同时地用6分钟的时间滴加AgNO3的无水乙二醇溶液(浓度:0.12mol/l)2.5ml和聚乙烯基吡咯烷酮(MW:55000)的无水乙二醇溶液(浓度:0.36mol/l)5ml。该滴加后,加热至160℃,用1小时以上的时间进行反应直至AgNO3被完全地还原,生成银纳米丝。接着,在包含如上获得的银纳米丝的反应混合物中添加丙酮至所述反应混合物的体积变为5倍之后,将所述反应混合物离心分离(2000rpm、20分钟),获得银纳米丝。在纯水中分散所述银纳米丝(浓度:0.2重量%)以及五乙二醇十二烷基醚(浓度:0.1重量%),制备银纳米丝油墨。
(工序C)
工序B结束72小时后,在基材的表面上与上述工序B同样地涂饰导电层形成用组合物,形成第二导电层,获得透明导电性膜。
此外,工序A、工序B、工序C分别在不同的设备中进行。另外,工序B中,基材表面的电晕处理和导电层形成用组合物在基材背面上的涂布在不同的设备中进行。
[实施例5]
(工序A)
使用积水化学公司制的等离子体处理机对基材(环烯烃膜)的背面实施等离子体处理。作为等离子体处理的条件,使照射功率为1kW、达到60W·min/m2的放电量。
(工序B)
与实施例1同样地形成第一导电层。
(工序C)
与实施例1同样地形成第二导电层。
[实施例6]
(工序A)
使用Ushio电机公司制的UV照射装置在空气中对基材(环烯烃膜)的背面进行UV照射,实施臭氧洗涤。作为UV照射的条件,使累积曝光量为450mJ/cm2。
(工序B)
与实施例1同样地形成第一导电层。
(工序C)
与实施例1同样地形成第二导电层。
[实施例7]
(工序A)
对基材(环烯烃膜)的背面实施离子轰击处理(使用了Ar气体的等离子体处理)。作为离子轰击处理的条件,使有效功率密度为0.34W·min/cm2·m、压力为0.5Pa。
(工序B)
与实施例1同样地形成第一导电层。
(工序C)
与实施例1同样地形成第二导电层。
[实施例8]
除了在工序C中在工序A结束了120小时后进行导电层形成用组合物的涂布以外,与实施例1同样地获得透明导电性膜。
[实施例9]
除了在工序A中使电晕处理的功率为0.1kw以外,与实施例1同样地获得透明导电性膜。
[比较例1]
除了不进行工序A、即不进行表面改性处理地形成第二导电层以外,与实施例1同样地获得透明导电性膜。
[比较例2]
(工序I)
使用春日电机公司制的电晕处理机对基材(环烯烃膜)的表面实施电晕处理。电晕处理条件为使照射功率为1(kW)、以60(W·min/m2)的放电量进行处理。
在上述电晕处理后,在基材的表面上使用拉丝锭按照制膜后的比电阻值达到50Ω/□的方式涂布导电层形成用组合物(银纳米丝油墨),在120℃下加热制膜2分钟,形成第一导电层。
(工序II)
使用春日电机公司制的电晕处理机对基材(环烯烃膜)的背面实施电晕处理。作为电晕处理条件,使照射功率为1(kW)、60(W·min/m2)的放电量。
在上述电晕处理后,在基材的背面上使用拉丝锭按照制膜后的比电阻值达到50Ω/□的方式涂布导电层形成用组合物(银纳米丝油墨),在120℃下加热制膜2分钟,形成第二导电层。
[比较例3]
除了使工序I中的表面改性处理为臭氧洗涤以外,与比较例2同样地获得透明导电性膜。此外,臭氧洗涤的条件与实施例6相同。
[比较例4]
除了使工序I中的表面改性处理为离子轰击处理以外,与比较例2同样地获得透明导电性膜。此外,臭氧洗涤的条件与实施例7相同。
[评价]
将实施例以及比较例中获得的透明导电性膜供至以下的评价。将结果示于表1中。
(1)导电层的状态
从导电层与基材的密合性是否良好的观点出发,目视确认导电层的外观。
(2)面内的电阻值变异系数
使用Loresta GP(日本测器制),以10mm间隔测定50点电阻值,利用下述公式求算面内的电阻值变异系数。
面内电阻值变异系数=电阻值50点的标准偏差/电阻值50点的平均值
(3)水接触角
在基材背面滴加4μl蒸馏水1秒钟后,利用接触角测定装置(协和界面科学公式制的商品名“DMo-501”)测定所述蒸馏水的液滴与基材背面的接触角。
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Claims (9)
1.一种透明导电性膜的制造方法,其为具备基材、配置于所述基材的表面上的第一导电层、及配置于所述基材的背面的第二导电层的透明导电性膜的制造方法,
其依次包含以下工序:
在所述基材的至少背面上实施表面改性处理而形成表面处理面的工序A;
在所述基材的表面上形成第一导电层的工序B;以及
在所述基材的背面上形成第二导电层的工序C。
2.根据权利要求1所述的透明导电性膜的制造方法,其中,在所述工序A中,仅对所述基材的背面实施表面改性处理而形成表面处理面。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性膜的制造方法,其中,所述工序A中进行的表面改性处理为放电处理。
4.根据权利要求3所述的透明导电性膜的制造方法,其中,所述工序A中进行的表面改性处理为电晕处理。
5.根据权利要求3或4所述的透明导电性膜的制造方法,其中,所述工序A中的放电处理的放电量为12W·min/m2~200W·min/m2。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的透明导电性膜的制造方法,其中,所述工序A中进行了表面改性处理的面的水接触角为40°~68°。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的透明导电性膜的制造方法,其中,所述第一导电层包含金属纤维。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的透明导电性膜的制造方法,其中,所述第二导电层包含金属纤维。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的透明导电性膜的制造方法,其中,
所述第一导电层以及第二导电层由导电层形成用组合物形成,
所述导电层形成用组合物包含水。
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PB01 | Publication |