CN109153238A - 导电性膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种导电性膜，其包含树脂层和导电层，25℃时的上述树脂层的储能模量大于10MPa且小于1000MPa，上述导电层的表面电阻值为1000Ω/sq.以下。

Description

导电性膜
技术领域
本发明涉及一种导电性膜。
背景技术
一直以来，作为透明导电性构件，已知在玻璃板上形成氧化铟薄膜的导电性玻璃。但是，导电性玻璃因为基材是玻璃，所以可挠性和加工性差，难以应用于各种用途。因此，作为可挠性和加工性优异的透明导电性构件，提出了利用树脂的导电性膜(参考专利文献1和2)。
此外，已知专利文献3那样的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特公昭61-026649号公报；
专利文献2：日本特开2014-168886号公报；
专利文献3：国际公开第2015/178370号。
发明内容
发明要解决的问题
近年，正在推进具有有机电致发光元件(以下，有时酌情称为“有机EL元件”。)的显示设备的研究。就具有这样的有机EL元件的显示设备而言，期望实现可折叠、可卷曲这样的新性能。因此，为了实现这样的性能，要求开发一种具有高导电性、并且耐弯曲性优异的导电性膜。
作为导电性膜，专利文献1中提出了由苯乙烯-二烯系嵌段共聚物和噻吩系共聚物形成的导电性膜。但是，专利文献1记载的导电性膜的导电性不足。
此外，作为导电性膜，专利文献2中提出了包含透明树脂膜和在该树脂膜上所形成的导电层的透明导电性膜。但是，专利文献2记载的透明导电性膜的耐弯曲性不足。
进而，专利文献3中记载了由规定的嵌段共聚物氢化物形成的光学用膜。此外，专利文献3中记载了透明导电膜作为该光学用膜的用途。但是，专利文献3中并未记载该透明导电膜的具体的结构。
本发明是鉴于上述问题而创立的，目的在于提供导电性和耐弯曲性这两者优异的导电性膜。
用于解决问题的方案
本发明人为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现通过将在25℃时具有规定的储能模量的树脂层和具有规定的表面电阻值的导电层组合，从而能够实现导电性和耐弯曲性这两者优异的导电性膜，由此完成了本发明。
即，本发明包含：
[1]一种导电性膜，包含树脂层和导电层，
25℃时的上述树脂层的储能模量大于10MPa且小于1000MPa，
上述导电层的表面电阻值为1000Ω/sq.以下。
[2]根据[1]所述的导电性膜，其中，25℃时的上述树脂层的弯曲弹性模量为500MPa以下。
[3]根据[1]或[2]所述的导电性膜，其中，上述树脂层包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物[3]，
上述烷氧基甲硅烷基改性物[3]为将嵌段共聚物[1]的主链和侧链的碳-碳不饱和键和芳香环的碳-碳不饱和键进行了氢化的氢化物[2]的烷氧基甲硅烷基改性物，
上述嵌段共聚物[1]具有每1分子上述嵌段共聚物[1]中为2个以上的聚合物嵌段[A]、以及每1分子上述嵌段共聚物[1]中为1个以上的聚合物嵌段[B]，上述聚合物嵌段[A]含有芳香族乙烯基化合物单元，上述聚合物嵌段[B]含有链状共轭二烯化合物单元，
上述聚合物嵌段[A]占上述嵌段共聚物[1]总体的重量百分比wA与上述聚合物嵌段[B]占上述嵌段共聚物[1]总体的重量百分比wB的比(wA/wB)为20/80～60/40。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的导电性膜，其中，上述导电层包含选自金属、导电性纳米线及导电性聚合物中的至少1种导电材料。
发明效果
根据本发明，能够提供导电性和耐弯曲性这两者优异的导电性膜。
附图说明
图1为示意性地示出作为本发明的第一实施方式的导电性膜的剖面图。
图2为示意性地示出作为本发明的第二实施方式的导电性膜的剖面图。
图3为示意性地示出作为本发明的第三实施方式的导电性膜的剖面图。
图4为示意性地示出作为本发明的第四实施方式的导电性膜的剖面图。
具体实施方式
以下，示出实施方式及示例物而对本发明进行详细说明。但是，本发明并不限定于以下所示的实施方式及示例物，在不脱离本发明的请求保护的范围及其同等的范围的范围内可以任意地变更实施。
[1.导电性膜的概要]
本发明的导电性膜包含树脂层和导电层。此外，本发明的导电性膜也可以根据需要包含任意的层。但是，通常在导电层与树脂层之间不设置任意的层而导电层与树脂层直接相接。
[2.树脂层]
[2.1.25℃时的树脂层的储能模量]
树脂层是由树脂形成的层，在25℃时具有规定范围的储能模量。25℃时的树脂层的具体的储能模量通常大于10MPa，优选大于15MPa，更优选大于30MPa，并且通常小于1000MPa，优选小于950MPa，更优选小于900MPa。
通过25℃时的树脂层的储能模量处于上述范围，从而能够有效地提高导电性膜的耐弯曲性。在此，导电性膜的耐弯曲性表示即使弯曲该导电性膜，导电层的导电性也难以降低，并且难以产生白化等外观变化的性质。具体而言，通过25℃时的树脂层的储能模量比上述范围的下限值大，从而能够难以产生在弯折导电性膜的情况下的外观变化。此外，通过25℃时的树脂层的储能模量小于上述范围的上限值，从而能够抑制在弯折导电性膜的情况下的导电性的降低。
树脂层的储能模量可使用动态粘弹性装置，在频率1Hz的条件下来测定。
[2.2.树脂层所包含的树脂]
作为树脂层所包含的树脂，通常使用包含聚合物、根据需要还包含任意成分的树脂。作为这样的聚合物，优选使用特定的烷氧基甲硅烷基改性物[3]。该烷氧基甲硅烷基改性物[3]为将特定的嵌段共聚物[1]的不饱和键进行了氢化的氢化物[2]的烷氧基甲硅烷基改性物。
(2.2.1.嵌段共聚物[1])
嵌段共聚物[1]为具有每1分子嵌段共聚物[1]中为2个以上的聚合物嵌段[A]、和每1分子嵌段共聚物[1]中为1个以上的聚合物嵌段[B]的嵌段共聚物。
聚合物嵌段[A]为含有芳香族乙烯基化合物单元的聚合物嵌段。在此，芳香族乙烯基化合物单元是指具有将芳香族乙烯基化合物聚合而形成的结构的结构单元。
作为对应于聚合物嵌段[A]具有的芳香族乙烯基化合物单元的芳香族乙烯基化合物，可举出例如：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二异丙基苯乙烯、4-叔丁基苯乙烯、5-叔丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳原子数为1～6的烷基作为取代基的苯乙烯类；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-单氟苯乙烯等具有卤原子作为取代基的苯乙烯类；4-甲氧基苯乙烯等具有碳原子数为1～6的烷氧基作为取代基的苯乙烯类；4-苯基苯乙烯等具有芳基作为取代基的苯乙烯类；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘类等。这些可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。在它们之中，从能够降低吸湿性的观点出发，优选苯乙烯、具有碳原子数为1～6的烷基作为取代基的苯乙烯类等不含有极性基团的芳香族乙烯基化合物，从工业上容易获得的观点出发，特别优选苯乙烯。
聚合物嵌段[A]中的芳香族乙烯基化合物单元的含有率优选为90重量％以上，更优选为95重量％以上，特别优选为99重量％以上。通过在聚合物嵌段[A]中芳香族乙烯基化合物单元的量如上述那样多，从而能够提高树脂层的硬度和耐热性。
聚合物嵌段[A]除了包含芳香族乙烯基化合物单元以外，也可以包含任意的结构单元。聚合物嵌段[A]可以单独包含1种任意的结构单元，也可以以任意比率组合包含2种以上任意的结构单元。
作为聚合物嵌段[A]可包含的任意的结构单元，可举出例如链状共轭二烯化合物单元。在此，链状共轭二烯化合物单元是指具有将链状共轭二烯化合物聚合而形成的结构的结构单元。作为对应于链状共轭二烯化合物单元的链状共轭二烯化合物，可举出例如与作为对应于聚合物嵌段[B]具有的链状共轭二烯化合物单元的链状共轭二烯化合物的例子中所举出的化合物相同的例子。
此外，作为聚合物嵌段[A]可包含的任意的结构单元，可举出例如具有将除了芳香族乙烯基化合物和链状共轭二烯化合物以外的任意的不饱和化合物聚合而形成的结构的结构单元。作为任意的不饱和化合物，可举出例如：链状乙烯基化合物、环状乙烯基化合物等乙烯基化合物；不饱和环状酸酐；不饱和酰亚胺化合物等。这些化合物也可以具有腈基、烷氧基羰基、羟基羰基、或卤原子基团等取代基。在它们之中，从吸湿性的观点出发，优选乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-二十碳烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每1分子中碳原子数为2～20的链状烯烃；乙烯基环己烷等每1分子中碳原子数为5～20的环状烯烃等不具有极性基团的乙烯基化合物，更优选每1分子中碳原子数为2～20的链状烯烃，特别优选乙烯、丙烯。
聚合物嵌段[A]中的任意的结构单元的含有率优选为10重量％以下，更优选为5重量％以下，特别优选为1重量％以下。
1分子嵌段共聚物[1]中的聚合物嵌段[A]的个数优选为2个以上，优选为5个以下，更优选为4个以下，特别优选为3个以下。1分子中具有的多个聚合物嵌段[A]可以彼此相同，也可以不同。
在1分子的嵌段共聚物[1]中存在多个不同的聚合物嵌段[A]的情况下，将聚合物嵌段[A]中重均分子量最大的聚合物嵌段的重均分子量设为Mw(A1)、将重均分子量最小的聚合物嵌段的重均分子量设为Mw(A2)。这时，Mw(A1)与Mw(A2)的比“Mw(A1)/Mw(A2)”优选为4.0以下，更优选为3.0以下，特别优选为2.0以下。由此，能够将各种物性值的偏差抑制得小。
聚合物嵌段[B]为含有链状共轭二烯化合物单元的聚合物嵌段。如上所述，链状共轭二烯化合物单元是指具有将链状共轭二烯化合物聚合而形成的结构的结构单元。
作为对应于该聚合物嵌段[B]具有的链状共轭二烯化合物单元的链状共轭二烯化合物，可举出例如1,3-丁二烯、异戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。这些可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。其中，从降低吸湿性的观点出发，优选不含有极性基团的链状共轭二烯化合物，特别优选1,3-丁二烯、异戊二烯。
聚合物嵌段[B]中的链状共轭二烯化合物单元的含有率优选为70重量％以上，更优选为80重量％以上，特别优选为90重量％以上。通过在聚合物嵌段[B]中链状共轭二烯化合物单元的量如上述那样多，从而能够提高树脂层的可挠性。
聚合物嵌段[B]除了包含链状共轭二烯化合物单元以外，也可以包含任意的结构单元。聚合物嵌段[B]可以单独包含1种任意的结构单元，也可以以任意比率组合包含2种以上任意的结构单元。
作为聚合物嵌段[B]可包含的任意的结构单元，可举出例如芳香族乙烯基化合物单元、以及具有将除了芳香族乙烯基化合物和链状共轭二烯化合物以外的任意的不饱和化合物聚合而形成的结构的结构单元。作为这些的芳香族乙烯基化合物单元、以及具有将任意的不饱和化合物聚合而形成的结构的结构单元，可举出例如与作为可以包含于聚合物嵌段[A]中的结构单元所示例的相同的例子。
聚合物嵌段[B]中的任意的结构单元的含有率优选为30重量％以下，更优选为20重量％以下，特别优选为10重量％以下。通过聚合物嵌段[B]中的任意的结构单元的含有率低，从而能够提高树脂层的可挠性。
1分子嵌段共聚物[1]中的嵌段共聚物[B]的个数通常为1个以上，也可以为2个以上。在嵌段共聚物[1]中的聚合物嵌段[B]的个数为2个以上的情况下，这些聚合物嵌段[B]可以彼此相同，也可以不同。
在1分子的嵌段共聚物[1]中存在多个不同的聚合物嵌段[B]的情况下，将聚合物嵌段[B]中重均分子量最大的聚合物嵌段的重均分子量设为Mw(B1)、将重均分子量最小的聚合物嵌段的重均分子量设为Mw(B2)。这时，Mw(B1)与Mw(B2)的比“Mw(B1)/Mw(B2)”优选为4.0以下，更优选为3.0以下，特别优选为2.0以下。由此，能够将各种物性值的偏差抑制得小。
嵌段共聚物[1]的嵌段方式可以是线型嵌段，也可以是径向型嵌段。其中，线型嵌段的机械强度优异，因此优选。在嵌段共聚物[1]具有线型嵌段方式的情况下，由于嵌段共聚物[1]的分子链的两端为聚合物嵌段[A]时能够将树脂层的粘性抑制到期望的低值，因此优选。
嵌段共聚物[1]的特别优选的嵌段方式为以下方式：如[A]-[B]-[A]表示的那样，聚合物嵌段[A]结合于聚合物嵌段[B]两端的三嵌段共聚物；如[A]-[B]-[A]-[B]-[A]表示的那样，聚合物嵌段[B]结合于聚合物嵌段[A]的两端、进而在该两个聚合物嵌段[B]的另一端分别结合有聚合物嵌段[A]的五嵌段共聚物。特别是[A]-[B]-[A]的三嵌段共聚物由于制造容易且能够容易地使物性处于期望的范围，因此特别优选。
在嵌段共聚物[1]中，聚合物嵌段[A]占嵌段共聚物[1]总体的重量百分比wA与聚合物嵌段[B]占嵌段共聚物[1]总体的重量百分比wB的比(wA/wB)处于特定的范围。具体而言，上述的比(wA/wB)通常为20/80以上，优选为25/75以上，更优选为30/70以上，特别优选为40/60以上，通常为60/40以下，优选为55/45以下。通过上述的比wA/wB为上述范围的下限值以上，从而能够使树脂层的硬度和耐热性提高、或能够减小双折射。此外，通过上述的比wA/wB为上述范围的上限值以下，从而能够提高树脂层的可挠性。在此，聚合物嵌段[A]的重量百分比wA表示聚合物嵌段[A]总体的重量百分比，聚合物嵌段[B]的重量百分比wB表示聚合物嵌段[B]总体的重量百分比。
上述的嵌段共聚物[1]的重均分子量(Mw)优选为40000以上，更优选为50000以上，特别优选为60000以上，优选为200000以下，更优选为150000以下，特别优选为100000以下。
此外，嵌段共聚物[1]的分子量分布(Mw/Mn)优选为3以下，更优选为2以下，特别优选为1.5以下，优选为1.0以上。在此，Mn表示数均分子量。
上述嵌段共聚物[1]的重均分子量和分子量分布(Mw/Mn)可利用将四氢呋喃(THF)作为溶剂的凝胶渗透气相色谱法(GPC)，作为聚苯乙烯换算的值而测定。
作为嵌段共聚物[1]的制造方法，可举出例如以下方法：通过活性阴离子聚合等方法，使含有芳香族乙烯基化合物的单体组合物(a)和含有链状共轭二烯化合物的单体组合物(b)交替聚合的方法；使含有芳香族乙烯基化合物的单体组合物(a)和含有链状共轭二烯系化合物的单体组合物(b)依次聚合后，利用偶联剂使聚合物嵌段[B]的末端彼此偶联的方法等。
单体组合物(a)中的芳香族乙烯基化合物的含量优选为90重量％以上，更优选为95重量％以上，特别优选为99重量％以上。此外，单体组合物(a)也可以含有除芳香族乙烯基化合物以外的任意的单体成分。作为任意的单体成分，可举出例如链状共轭二烯化合物、任意的不饱和化合物。任意的单体成分的量相对于单体组合物(a)优选为10重量％以下，更优选为5重量％以下，特别优选为1重量％以下。
单体组合物(b)中的链状共轭二烯化合物的含量优选为70重量％以上，更优选为80重量％以上，特别优选为90重量％以上。此外，单体组合物(b)也可以含有除链状共轭二烯化合物以外的任意的单体成分。作为任意的单体成分，可举出例如芳香族乙烯基化合物、任意的不饱和化合物。任意的单体成分的量相对于单体组合物(b)优选为30重量％以下，更优选为20重量％以下，特别优选为10重量％以下。
作为将单体组合物聚合从而得到各自的聚合物嵌段的方法，可使用例如自由基聚合、阴离子聚合、阳离子聚合、配位阴离子聚合、配位阳离子聚合等。从使聚合操作及后续工序的氢化反应变得容易的观点出发，优选通过活性聚合进行自由基聚合、阴离子聚合及阳离子聚合等的方法，特别优选通过活性阴离子聚合进行的方法。
聚合可在聚合引发剂的存在下进行。例如在活性阴离子聚合中，作为聚合引发剂，可使用例如：正丁基锂、仲丁基锂、叔丁基锂、己基锂、苯基锂等单有机锂；二锂甲烷、1,4-二锂丁烷、1,4-二锂-2-乙基环己烷等多官能性有机锂化合物等。这些可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。
聚合温度优选为0℃以上，更优选为10℃以上，特别优选为20℃以上，优选为100℃以下，更优选为80℃以下，特别优选为70℃以下。
聚合反应的方式可使用例如溶液聚合及浆料聚合等。其中，当使用溶液聚合时，容易除去反应热。
在进行溶液聚合的情况下，作为溶剂，可使用各工序中得到的聚合物可溶解的非活性溶剂。作为非活性溶剂，可举出例如：正丁烷、正戊烷、异戊烷、正己烷、正庚烷、异辛烷等脂肪族烃溶剂；环戊烷、环己烷、甲基环戊烷、甲基环己烷、十氢化萘、双环[4.3.0]壬烷、三环[4.3.0.12,5]癸烷等脂环式烃溶剂；苯、甲苯等芳香族烃溶剂等。这些可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。其中，当使用脂环式烃溶剂作为溶剂时，由于在氢化反应中也能够作为非活性溶剂直接使用，并且嵌段共聚物[1]的溶解性良好，因此优选。溶剂的使用量相对于100重量份的全部使用的单体，优选为200重量份～2000重量份。
在各自的单体组合物包含2种以上单体的情况下，为了抑制仅某1成分的链变长，可使用无规化剂(randomizer)。特别是在通过阴离子聚合进行聚合反应的情况下，优选使用例如路易斯碱化合物作为无规化剂。作为路易斯碱化合物，可举出例如：二甲醚、二乙醚、二异丙基醚、二丁基醚、四氢呋喃、二苯基醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基苯基醚等醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等叔胺化合物；叔戊醇钾、叔丁醇钾等碱金属醇盐化合物；三苯基膦等膦化合物等。这些可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。
(2.2.2.氢化物[2])
氢化物[2]为将嵌段共聚物[1]的不饱和键进行了氢化而得到的聚合物。在此，嵌段共聚物[1]的主链和侧链的碳-碳不饱和键、以及芳香性和非芳香性的碳-碳不饱和键均包含在被氢化的嵌段共聚物[1]的不饱和键中。
嵌段共聚物[1]的主链和侧链的碳-碳不饱和键和芳香环的碳-碳不饱和键的氢化率优选为90％以上，更优选为97％以上，特别优选为99％以上。氢化率越高，越能够使树脂层的透明性、耐热性和耐候性变良好，进而越容易使树脂层的双折射变小。在此，氢化物[2]的氢化率可通过基于1H-NMR的测定来求出。
特别是非芳香性的碳-碳不饱和键的氢化率优选为95％以上，更优选为99％以上。通过提高非芳香性的碳-碳不饱和键的氢化率，从而能够进一步提高树脂层的耐光性和耐氧化性。
此外，芳香性的碳-碳不饱和键的氢化率优选为90％以上，更优选为93％以上，特别优选为95％以上。通过提高芳香环的碳-碳不饱和键的氢化率，从而提高将聚合物嵌段[A]氢化而得到的聚合物嵌段的玻璃化转变温度，因此能够有效地提高树脂层的耐热性。进而，能够降低树脂层的光弹性系数。
氢化物[2]的重均分子量(Mw)优选为40000以上，更优选为50000以上，特别优选为60000以上，优选为200000以下，更优选为150000以下，特别优选为100000以下。通过氢化物[2]的重均分子量(Mw)处于上述的范围，从而能够提高树脂层的机械强度和耐热性，进而容易使树脂层的双折射变小。
氢化物[2]的分子量分布(Mw/Mn)优选为3以下，更优选为2以下，特别优选为1.5以下，优选为1.0以上。通过氢化物[2]的分子量分布(Mw/Mn)处于上述的范围，从而能够提高树脂层的机械强度和耐热性，进而容易使树脂层的双折射变小。
氢化物[2]的重均分子量(Mw)和分子量分布(Mw/Mn)可以利用将四氢呋喃作为溶剂的凝胶渗透气相色谱法(GPC)，作为聚苯乙烯换算的值而测定。
上述的氢化物[2]可通过将嵌段共聚物[1]氢化来制造。作为氢化方法，优选能够提高氢化率、嵌段共聚物[1]的链断裂反应少的氢化方法。作为这样的氢化方法，可举出例如国际公开第2011/096389号、国际公开第2012/043708号所记载的方法。
作为具体的氢化方法的例子，可举出例如使用包含选自镍、钴、铁、铑、钯、铂、钌和铼中的至少1种金属的氢化催化剂进行氢化的方法。氢化催化剂可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。就氢化催化剂而言，能够使用非均相催化剂、均相催化剂的任一种。此外，氢化反应优选在有机溶剂中进行。
非均相催化剂例如可以以金属或金属化合物的状态使用，也可以负载于合适的载体而使用。作为载体，可举出例如活性炭、二氧化硅、氧化铝、碳酸钙、二氧化碳、氧化镁、氧化锆、硅藻土、碳化硅、氟化钙等。催化剂的负载量相对于催化剂和载体的合计量优选为0.1重量％以上，更优选为1重量％以上，优选为60重量％以下，更优选为50重量％以下。此外，负载型催化剂的比表面积优选为100m2/g～500m2/g。而且，负载型催化剂的平均细孔径优选为以上，更优选为以上，优选为以下，更优选为以下。在此，比表面积可以测定氮吸附量、使用BET式来求得。此外，平均细孔径可通过压汞法来测定。
作为均相催化剂，能够使用例如：将镍、钴或铁的化合物与有机金属化合物(例如有机铝化合物、有机锂化合物)组合的催化剂；包含铑、钯、铂、钌、铼等的有机金属配位化合物催化剂等。
作为镍、钴或铁的化合物，可举出例如各种金属的乙酰丙酮化合物、羧酸盐、环戊二烯化合物等。
作为有机铝化合物，可举出例如：三乙基铝、三异丁基铝等烷基铝；二乙基氯化铝、乙基二氯化铝等卤化铝；二异丁基氢化铝等氢化烷基铝等。
作为有机金属配位化合物催化剂，可举出例如二氢四(三苯基膦)钌、二氢四(三苯基膦)铁、双(环辛二烯)镍、双(环戊二烯)镍等过渡金属配位化合物。
氢化催化剂的使用量相对于100重量份的嵌段共聚物[1]，优选为0.01重量份以上，更优选为0.05重量份以上，特别优选为0.1重量份以上，优选为100重量份以下，更优选为50重量份以下，特别优选为30重量份以下。
氢化反应的温度优选为10℃以上，更优选为50℃以上，特别优选为80℃以上，优选为250℃以下，更优选为200℃以下，特别优选为180℃以下。通过在这样的温度范围进行氢化反应，从而能够提高氢化率，此外，能够减少嵌段共聚物[1]的分子断裂。
氢化反应时的氢压优选为0.1MPa以上，更优选为1MPa以上，特别优选为2MPa以上，优选为30MPa以下，更优选为20MPa以下，特别优选为10MPa以下。通过在这样的氢压进行氢化反应，从而能够提高氢化率，能够减少嵌段共聚物[1]的分子链断裂，操作性变得良好。
上述的方法中得到的氢化物[2]通常以包含氢化物[2]、氢化催化剂和聚合催化剂的反应液的形式而得到。因此，氢化物[2]可以通过例如过滤和离心分离等方法，从该反应液中除去氢化催化剂和聚合催化剂后，从反应液中回收。作为从反应液中回收氢化物[2]的方法，可举出例如：从包含氢化物[2]的反应液中通过蒸汽汽提法来除去溶剂的蒸汽凝固法；在减压加热下除去溶剂的直接脱溶剂法；在氢化物[2]的不良溶剂中注入反应液而析出或凝固的凝固法等。
所回收的氢化物[2]的形态优选制成颗粒形状以便容易供于之后的甲硅烷基化改性反应(导入烷氧基甲硅烷基的反应)。例如，可以将熔融状态的氢化物[2]从模头中挤出成股状，冷却后，用造粒机进行切割而制成颗粒状，供于各种成型。此外，在使用凝固法的情况下，例如可以将得到的凝固物干燥后，用挤出机以熔融状态挤出，与上述同样地进行，制成颗粒状，供于各种成型。
(2.2.3.烷氧基甲硅烷基改性物[3])
烷氧基甲硅烷基改性物[3]为在上述的嵌段共聚物[1]的氢化物[2]中导入烷氧基甲硅烷基而得到的聚合物。这时，烷氧基甲硅烷基可以与上述的氢化物[2]直接结合，也可以经由例如亚烷基等2价有机基团间接地结合。被导入了烷氧基甲硅烷基的烷氧基甲硅烷基改性物[3]与玻璃、金属等无机材料的粘接性特别优异。因此，树脂层通常与上述的无机材料的粘接性优异。
烷氧基甲硅烷基改性物[3]中的烷氧基甲硅烷基的导入量相对于烷氧基甲硅烷基导入前的氢化物[2]100重量份，优选为0.1重量份以上，更优选为0.2重量份以上，特别优选为0.3重量份以上，优选为10重量份以下、更优选为5重量份以下，特别优选为3重量份以下。当烷氧基甲硅烷基的导入量处于上述范围时，能够防止由于水分等而被分解的烷氧基甲硅烷基彼此的交联度过高，因此能够更高地维持树脂层对于无机材料的粘接性。
烷氧基甲硅烷基的导入量可通过1H-NMR谱来测量。此外，在对烷氧基甲硅烷基的导入量进行测量时，在导入量少的情况下，可增加积算次数来测量。
由于导入的烷氧基甲硅烷基的量少，因此烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(Mw)通常与导入烷氧基甲硅烷基前的氢化物[2]的重均分子量(Mw)相比没有大的变化。但是，在导入烷氧基甲硅烷基时，通常在过氧化物的存在下使氢化物[2]进行改性反应，因此该氢化物[2]的交联反应及断裂反应进行着，分子量分布有变大的倾向。烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(Mw)优选为40000以上，更优选为50000以上，特别优选为60000以上，优选为200000以下，更优选为150000以下，特别优选为100000以下。此外，烷氧基甲硅烷基改性物[3]的分子量分布(Mw/Mn)优选为3.5以下，更优选为2.5以下，特别优选为2.0以下，优选为1.0以上。当烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(Mw)和分子量分布(Mw/Mn)为该范围时，能够维持树脂层的良好的机械强度和拉伸伸长率。
烷氧基甲硅烷基改性物[3]的重均分子量(Mw)和分子量分布(Mw/Mn)可以利用将四氢呋喃作为溶剂的凝胶渗透气相色谱法(GPC)，作为聚苯乙烯换算的值而测定。
烷氧基甲硅烷基改性物[3]可通过在上述的嵌段共聚物[1]的氢化物[2]中导入烷氧基甲硅烷基而制造。作为在氢化物[2]中导入烷氧基甲硅烷基的方法，可举出例如：使氢化物[2]与烯属不饱和硅烷化合物在过氧化物的存在下反应的方法。
作为烯属不饱和硅烷化合物，可使用能够与氢化物[2]接枝聚合而能够在氢化物[2]中导入烷氧基甲硅烷基的化合物。作为这样的烯属不饱和硅烷化合物的例子，可举出：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、二甲氧基甲基乙烯基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷等具有乙烯基的烷氧基硅烷；烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷等具有烯丙基的烷氧基硅烷；对苯乙烯基三甲氧基硅烷、对苯乙烯基三乙氧基硅烷等具有对苯乙烯基的烷氧基硅烷；3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等具有3-甲基丙烯酰氧基丙基的烷氧基硅烷；3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷等具有3-丙烯酰氧基丙基的烷氧基硅烷；2-降冰片烯-5-基三甲氧硅烷等具有2-降冰片烯-5-基的烷氧基硅烷等。在它们之中，从更容易得到本发明的效果的观点出发，优选乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、二甲氧基甲基乙烯基硅烷、二乙氧基甲基乙烯基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、烯丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷。此外，烯属不饱和硅烷化合物可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。
烯属不饱和硅烷化合物的量相对于导入烷氧基甲硅烷基前的氢化物[2]100重量份，优选为0.1重量份以上，更优选为0.2重量份以上，特别优选为0.3重量份以上，优选为10重量份以下，更优选为5重量份以下，特别优选为3重量份以下。
作为过氧化物，可使用作为自由基反应引发剂而发挥功能的过氧化物。作为这样的过氧化物，通常使用有机过氧化物。作为有机过氧化物，可举出例如：过氧化二苯甲酰、过氧化乙酸叔丁酯、2,2-二(叔丁基过氧化)丁烷、过氧化苯甲酸叔丁酯、过氧化叔丁基异丙苯、过氧化二异丙苯、二叔己基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化己烷)、二叔丁基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷-3、叔丁基过氧化氢、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化月桂酰、过氧化二丙酰、对萜烷过氧化氢等。在它们之中，优选1分钟半衰期温度为170℃～190℃的过氧化物，具体而言，优选过氧化叔丁基异丙苯、过氧化二异丙苯、二叔己基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化己烷)、二叔丁基过氧化物。此外，过氧化物可以单独使用1种，也可以组合2种以上使用。
过氧化物的量相对于导入烷氧基甲硅烷基前的氢化物[2]100重量份，优选为0.01重量份以上，更优选为0.1重量份以上，特别优选为0.2重量份以上，优选为5重量份以下，更优选为3重量份以下，特别优选为2重量份以下。
使嵌段共聚物[1]的氢化物[2]与烯属不饱和硅烷化合物在过氧化物的存在下反应的方法，例如可使用加热混炼机和反应器来进行。当举出具体例子时，能够通过使用双螺杆混炼机使氢化物[2]、烯属不饱和硅烷化合物以及过氧化物的混合物在氢化物[2]的熔融温度以上加热熔融而进行期望时间的混炼，从而得到烷氧基甲硅烷基改性物[3]。混炼时的具体的温度优选为180℃以上，更优选为190℃以上，特别优选为200℃以上，优选为240℃以下，更优选为230℃以下，特别优选为220℃以下。此外，混炼时间优选为0.1分钟以上，更优选为0.2分钟以上，特别优选为0.3分钟以上，优选为15分钟以下，更优选为10分钟以下，特别优选为5分钟以下。在使用双螺杆混炼机、单螺杆挤出机等连续混炼设备的情况下，可以以滞留时间成为上述范围的方式连续地进行混炼和挤出。
在树脂层所包含的树脂中，烷氧基甲硅烷基改性物[3]等聚合物的比例优选为80重量％～100重量％，更优选为90重量％～100重量％，特别优选为95重量％～100重量％。通过树脂中的聚合物的比例处于上述范围，从而能够容易地使树脂层的储能模量处于上述的范围。
(2.2.4.任意的成分)
树脂层所包含的树脂还可包含与上述的聚合物组合的任意的成分。作为任意的成分，可举出例如用于调节玻璃化转变温度和弹性模量的增塑剂；用于提高耐候性和耐热性的光稳定剂；紫外线吸收剂；抗氧化剂；滑剂；无机填充剂等。此外，任意的成分可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。
作为将聚合物与任意的成分混合的方法的例子，可举出以下方法：将任意的成分溶解于合适的溶剂并与聚合物的溶液混合后，除去溶剂而回收包含任意的成分的树脂的方法；使用双螺杆混炼机、辊式混炼机、布拉班德(Brabender)混炼机、挤出机等混炼机，将聚合物制成熔融状态并与任意的成分混炼的方法等。
[2.3.树脂层的物性]
100℃时的树脂层的储能模量优选小于10MPa，更优选小于7.5MPa，特别优选小于5MPa。通过使高温环境下的树脂层的储能模量如上述那样低，从而能够容易地将树脂层与任意的构件加热压接。因此，能够将树脂层与导电层加热压接而容易地制造导电性膜。此外，通过将导电性膜与任意的构件加热压接，从而能够容易地贴合。从使耐热性提高的观点出发，100℃时的树脂层的储能模量的下限优选为0.1MPa以上，更优选为0.5MPa以上，特别优选为1MPa以上。
25℃时的树脂层的弯曲弹性模量优选为1MPa以上，更优选为5MPa以上，特别优选为10MPa以上，优选为500MPa以下，更优选为450MPa以下，特别优选为400MPa以下。通过25℃时的树脂层的弯曲弹性模量为上述范围的下限值以上，从而能够提高导电性膜的处理性，通过为上述范围的上限值以下，从而能够提高导电性膜的耐弯曲性。
树脂层的弯曲弹性模量可使用万能试验机(例如英斯特朗公司制“机电式万能试验机5900”)，按照JIS K 7117来测定。
树脂层通常具有高透明性。树脂层的具体的全光线透射率优选为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。全光线透射率可使用紫外·可见分光光度计，在波长400nm～700nm的范围测定。
此外，树脂层的雾度优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下，理想为0％。雾度可采用如下的平均值，即，依据JIS K7361-1997，使用日本电色工业公司制的“浊度计NDH-300A”测定5处的浊度，根据其求出的平均值。
[2.4.树脂层的制造方法]
树脂层的制造方法没有限制。例如，在通过包含上述的烷氧基甲硅烷基改性物[3]的树脂这样的热塑性树脂而形成树脂层的情况下，树脂层可通过熔融成型法、溶液流延法等成型方法来制造。其中，从能够抑制溶剂等挥发性成分残留于树脂层的方面出发，优选熔融成型法。熔融成型法进一步详细而言能够分类为挤出成型法、压制成型法、吹胀成型法、注射成型法、吹塑成型法、拉伸成型法等。在这些方法中，为了得到机械强度及表面精度优异的树脂层，优选挤出成型法、吹胀成型法及压制成型法，从能够有效率且简单地制造树脂层的观点出发，特别优选挤出成型法。
[2.5.树脂层的厚度]
树脂层的厚度优选为5μm以上，更优选为10μm以上，特别优选为15μm以上，优选为200μm以下，更优选为175μm以下，特别优选为150μm以下。通过树脂层的厚度为上述范围的下限值以上，从而能够提高导电性膜的机械强度，此外，通过为上述范围的上限值以下，从而能够有效地提高导电性膜的耐弯曲性。
[3.导电层]
[3.1.导电层的表面电阻值]
导电层的表面电阻值通常为1000Ω/sq.以下，优选为900Ω/sq.以下，更优选为800Ω/sq.以下。通过使导电层的表面电阻值如上述那样低，从而能够得到高的导电性。导电层的表面电阻值的下限没有特别的限制，从容易制造的方面出发，优选为1Ω/sq.以上，更优选为2.5Ω/sq.以上，特别优选为5Ω/sq.以上。
[3.2.导电层的组成]
上述那样的导电层通常以包含具有导电性的材料(以下，酌情地称为“导电材料”。)的层的形式而形成。作为这样的导电材料，可举出例如金属、导电性金属氧化物、导电性纳米线、导电性聚合物等。此外，导电材料可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。其中，从提高导电性膜的耐弯曲性的观点出发，导电层优选包含选自金属、导电性纳米线和导电性聚合物中的至少1种导电材料。
作为金属可举出例如金、铂、银和铜。其中优选为银、铜和金，更优选为银。这些金属可以单独使用1种，也可以以任意比率将2种以上组合使用。在由这些金属形成导电层的情况下，通过将导电层形成为细线状，从而能够得到透明的导电层。例如，通过以形成为格子状的金属网格层的形式来形成导电层，从而能够得到透明的导电层。
包含金属的导电层能够通过例如涂敷包含金属粒子的导电层形成用组合物来形成。此时，通过将上述的导电层形成用组合物印刷成规定的格子图案，从而能够得到作为金属网格层的导电层。进而，能够通过例如涂覆包含银盐的导电层形成用组合物并采用露光处理和显影处理而将金属细线形成为规定的格子图案，从而能够以金属网格层的形式形成导电层。对于这样的导电层及其形成方法的详细内容，可参考日本特开2012-18634号公报、日本特开2003-331654号公报。
作为导电性金属氧化物，可举出例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、IWO(氧化铟钨)、ITiO(氧化铟钛)、AZO(氧化铝锌)、GZO(氧化镓锌)、XZO(锌系特殊氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)等。在它们之中，从光线透射性和耐久性的观点出发，特别优选ITO。导电性金属氧化物可以单独使用1种，也可以以任意比率将2种以上组合使用。
包含导电性金属氧化物的导电层可通过例如蒸镀法、溅射法、离子镀法、离子束辅助沉积法、电弧放电等离子体沉积法、热CVD法、等离子体CVD法、镀金法和它们的组合等成膜方法来形成。在它们之中，优选蒸镀法和溅射法，特别优选溅射法。在溅射法中，由于能够形成厚度均匀的导电层，因此能够抑制在导电层局部产生薄的部分。
导电性纳米线是指形状为针状或丝状、直径为纳米尺寸的导电性物质。导电性纳米线可以是直线状，也可以是曲线状。这样的导电性纳米线通过导电性纳米线彼此形成间隙而成为网眼状，从而即便少量的导电性纳米线也能够形成良好的导电通路，能够实现电阻小的导电层。此外，通过导电性线成为网眼状，从而在网眼的间隙形成开口部，因此能够得到光透射率高的导电层。
导电性纳米线的粗度d与长度L的比(长径比：L/d)优选为10～100000，更优选为50～100000，特别优选为100～10000。如果像这样使用长径比大的导电性纳米线，则导电性纳米线良好地交差而通过少量的导电性纳米线能够显现高的导电性。其结果能够得到透明性优异的导电性膜。在此，“导电性纳米线的粗度”在导电性纳米线的剖面为圆形的情况下是指其直径、在剖面为椭圆形的情况下是指其短径、在剖面为多边形的情况下是指最长的对角线。导电性纳米线的粗度和长度可通过扫描型电子显微镜或透射型电子显微镜来测定。
导电性纳米线的粗度优选小于500nm，更优选小于200nm，进一步优选为10nm～100nm，特别优选为10nm～50nm。由此，能够提高导电层的透明性。
导电性纳米线的长度优选为2.5μm～1000μm，更优选为10μm～500μm，特别优选为20nm～100nm。由此，能够提高导电层的导电性。
作为导电性纳米线，可举出例如由金属构成的金属纳米线、包含碳纳米管的导电性纳米线等。
作为金属纳米线所包含的金属，优选导电性高的金属。作为优选的金属的例子，可举出金、铂、银和铜，其中优选银、铜和金，更优选银。此外也可以使用对上述金属进行了电镀处理(例如镀金处理)的材料。而且，上述材料可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。
作为金属纳米线的制造方法，能够采用任意的合适的方法。可举出例如以下方法：在溶液中还原硝酸银的方法；使施加电压或电流从探针的尖端部作用于前体表面，从探针的尖端部分引出金属纳米线，连续地形成该金属纳米线的方法等。在溶液中还原硝酸银的方法中，可通过在乙二醇等多元醇和聚乙烯吡咯烷酮的存在下进行硝酸银等银盐的液相还原，从而合成银纳米线。均匀尺寸的银纳米线能够按照Xia，Y.etal.，Chem.Mater.(2002)、14、4736-4745、Xia，Y.etal.，Nano letters(2003)3(7)、955-960所述的方法来大量生产。
作为碳纳米管可使用例如直径为0.3nm～100nm、长度0.1μm～20μm左右的所谓的多层碳纳米管、二层碳纳米管、单层碳纳米管等。其中，从导电性高的方面出发，优选直径10nm以下、长度为1μm～10μm的单层或二层碳纳米管。此外，碳纳米管的集合体中优选不包含无定形碳和催化剂金属等杂质。作为碳纳米管的制造方法，能够采用任意的合适的方法。优选使用通过电弧放电法而制作的碳纳米管。通过电弧放电法而制作的碳纳米管的结晶性优异，因此优选。
包含导电性纳米线的导电层可通过将使导电性纳米线分散于溶剂而得到的导电性纳米线分散液涂覆，使其干燥而制造。
作为导电性纳米线分散液所包含的溶剂，可举出例如水、醇系溶剂、酮系溶剂、醚系溶剂、烃系溶剂、芳香族系溶剂等，其中从降低环境负荷的观点出发，优选使用水。此外，溶剂可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。
导电性纳米线分散液中的导电性纳米线的浓度优选为0.1重量％～1重量％。由此，能够形成导电性和透明性优异的导电层。
导电性纳米线分散液可包含与导电性纳米线和溶剂组合的任意的成分。作为任意的成分，可举出例如抑制导电性纳米线的腐蚀的腐蚀抑制剂、抑制导电性纳米线的凝聚的表面活性剂、为了将导电性纳米线保持于导电层的粘结剂聚合物等。此外，任意的成分可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。
作为导电性纳米线分散液的涂覆方法，可举出例如喷涂法、棒涂法、辊涂法、模涂法、喷墨涂布法、丝网涂布法、浸涂法、缝模涂布法、凸版印刷法、凹版印刷法、凹印印刷法等。作为干燥方法，可采用任意的合适的干燥方法(例如自然干燥、送风干燥、加热干燥)。例如在加热干燥的情况下，干燥温度为100℃～200℃，干燥时间可设为1分钟～10分钟。
导电层中的导电性纳米线的比例相对于导电层的总重量优选为80重量％～100重量％，更优选为85重量％～99重量％。由此，能够得到导电性和光透射性优异的导电层。
作为导电性聚合物，可举出例如聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚对亚苯基系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基系聚合物、聚吡咯系聚合物、聚亚苯基系聚合物、用丙烯酸系聚合物改性的聚酯系聚合物等。其中，优选聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚对亚苯基系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚对亚苯基亚乙烯基系聚合物、聚吡咯系聚合物。
其中，特别优选聚噻吩系聚合物。通过使用聚噻吩系聚合物，从而能够得到透明性和化学稳定性优异的导电层。作为聚噻吩系聚合物的具体例子，可举出：聚噻吩；聚(3-己基噻吩)等聚(3-C1-8烷基-噻吩)；聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)，聚(3,4-亚丙基二氧噻吩)，聚[3,4-(1,2-环亚己基)二氧噻吩]等聚(3,4-(环)烯基二氧噻吩)；聚噻吩乙烯等。在此，“C1-8烷基”表示碳原子数为1～8的烷基。此外，上述的导电性聚合物可以单独使用1种，也可以以任意比率将2种以上组合使用。
导电性聚合物优选在阴离子性聚合物的存在下聚合。例如聚噻吩系聚合物优选在阴离子性聚合物的存在下进行氧化聚合。作为阴离子性聚合物，可举出具有羧基、磺酸基或其盐的聚合物。优选使用聚苯乙烯磺酸等具有磺酸基的阴离子性聚合物。
包含导电性聚合物的导电层可通过例如将包含导电性聚合物的导电层形成用组合物涂覆，使其干燥而形成。对于包含导电性聚合物的导电层，可参考日本特开2011-175601号公报。
[3.3.导电层的平面形状]
导电层可以形成于树脂层的单面，也可以形成于两面。此外，导电层可以形成于树脂层的整个面，也可以形成于树脂层的一部分的面。例如，导电层可以在树脂层的一部分面图案化成规定的图案而形成。导电层的图案的形状可根据导电性膜的用途来设定。例如，在将导电性膜作为电路基板使用的情况下，导电层的平面形状可以形成为对应于电路的配线形状的图案。此外，例如在将导电性膜用作触控面板用的传感器膜的情况下，导电性膜的平面形状优选作为触控面板(例如静电容量式触控面板)良好地工作的图案，当举出具体例子时，可举出日本特表2011-511357号公报、日本特开2010-164938号公报、日本特开2008-310550号公报、日本特表2003-511799号公报、日本特表2010-541109号公报所记载的图案。
[3.4.导电层的物理性质]
导电层通常具有高透明性。因此，可见光通常能够透过该导电层。导电层的具体的透明性可根据导电性膜的用途来调节。导电层的具体的全光线透射率优选为80％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。
[3.5.导电层的厚度]
每1层的导电层的厚度优选为0.01μm～10μm，更优选为0.05μm～3μm，特别优选为0.1μm～1μm。在导电性膜具有2层以上导电层的情况下，这些导电层的厚度可以相同，也可以不同。其中，在树脂层的两侧有导电层的情况下，从抑制导电性膜的褶皱和卷曲等变形的观点出发，优选导电层的厚度相同。
[4.任意的层]
导电性膜可根据需要包含任意的层。作为任意的层，可举出例如具有比树脂层高的储能模量的支承体层。25℃时的支承体层的具体的储能模量优选为1000MPa以上，更优选为1500MPa以上，特别优选为2000MPa以上，优选为5000MPa以下，更优选为4500MPa以下，特别优选为4000MPa以下。通过像这样包含具有大的储能模量的支承体层，从而能够提高导电性膜的加工、运输和安装时的处理性。
作为支承体层，可举出由具有高储能模量的树脂形成的层。支承体层所包含的树脂可包含聚合物和根据需要添加的任意的成分。作为聚合物，可举出例如：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯；聚苯硫醚等聚亚芳基硫醚；聚乙烯醇；聚碳酸酯；聚芳酯；纤维素酯聚合物、聚醚砜；聚砜；聚烯丙基砜；聚氯乙烯；降冰片烯系聚合物等含有脂环式结构的聚合物；棒状液晶聚合物等。这些聚合物可以单独使用1种，也可以将2种以上以任意比率组合使用。此外，聚合物可以是均聚物，也可以是共聚物。在它们之中，从机械特性、耐热性、透明性、低吸湿性、尺寸稳定性和轻质性优异的方面出发，优选含有脂环式结构的聚合物。
支承体层的厚度优选为10μm以上，更优选为13μm以上，特别优选为15μm以上，优选为60μm以下，更优选为58μm以下，特别优选为55μm以下。通过支承体层的厚度为上述范围的下限值以上，从而能够提高导电性膜的处理性，此外，通过为上述范围的上限值以下，从而能够将导电性膜变薄。
进而，作为任意的层，可举出例如硬涂层、折射率匹配层、粘接层、相位差层、起偏器层、光学补偿层等。
[5.导电性膜的物理性质和厚度]
导电性膜的耐弯曲性优异。因此，导电性膜即使弯曲，导电层的导电性也难以降低。而且，导电性膜即使弯曲，也难以产生白化等外观的变化。像这样得到优异的耐弯曲性的机理可推测为如下所述。但是，本发明的技术范围并不被下述说明的机理所限制。
本发明的导电性膜具有的树脂层因为具有合适的范围的储能模量，所以具有优异的可挠性。因此，在弯曲导电性膜的情况下，能够容易变形、能够吸收由弯曲导致的应力。因此，难以产生由弯曲导致的应力所引起的导电层的破坏。因此，即使弯曲导电性膜，导电层的表面电阻值也难以上升，因此，能够抑制导电性的降低。
此外，由于树脂层具有合适范围的储能模量，因此在弯曲导电性膜的情况下，难以产生树脂层的破坏，此外，难以产生树脂层与导电层的剥离。因此，难以产生由上述破坏或剥离导致的微小空隙的发生，所以难以引起弯折部分的雾度的上升，由此，可抑制白化等外观的变化。此外，树脂层具有优异的弹性，因此即使弯折也容易恢复到原来的形状，所以难以形成弯折痕迹。
导电性膜具有树脂层作为用于支承导电层的层，因此与导电性玻璃相比通常耐冲击性和加工性优异。而且，导电性膜通常比导电性玻璃轻。
导电性膜的全光线透射率优选为70％以上，更优选为80％以上，进一步优选为90％以上。
此外，导电性膜的雾度优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下，理想为0％。
导电性膜的厚度优选为5μm以上，更优选为7.5μm以上，特别优选为10μm以上，此外，优选为200μm以下，更优选为175μm以下，特别优选为150μm以下。通过导电性膜的厚度为上述范围的下限值以上，从而能够提高导电性膜的机械强度，此外，通过为上述范围的上限值以下，从而能够将导电性膜薄膜化。
[6.导电性膜的制造方法]
导电性膜可通过例如包含制造树脂层的工序和在上述的树脂层上设置导电层的工序的制造方法来制造。导电层可以使用该导电层的材料而在树脂层上形成，也可以在合适的基材上形成导电层、将形成的导电层与树脂层贴合、由此在树脂层上设置导电层。例如在通过利用导电性金属氧化物的溅射法来形成导电层的情况下，根据溅射时的成膜条件树脂层有可能受损。在该情况下，如果在可承受溅射的基材上形成导电层后，将该导电层与树脂层贴合而制造导电性膜，则能够避免对树脂层的损害并且得到导电性膜。
[7.层构成的例子]
本发明的导电性膜在包含树脂层和导电层的范围内，能够任意地设定其层构成。以下示出图例对导电性膜的优选的层构成的例子进行说明。
图1为示意性地示出作为本发明的第一实施方式的导电性膜10的剖面图。如图1所示，第一实施方式的导电性膜10为仅具有树脂层110和导电层120的2层结构的膜。该导电性膜10由于具有表面电阻值小的导电层120，因此导电性优异。此外，导电性膜10由于具有树脂层110，因此耐弯曲性优异，上述树脂层110具有合适的范围的储能模量。因此，即使例如弯折也难以产生导电性的降低和外观的变化。
图2为示意性地示出作为本发明的第二实施方式的导电性膜20的剖面图。此外，图3为示意性地示出作为本发明的第三实施方式的导电性膜30的剖面图。如图2和图3所示，第二和第三实施方式的导电性膜20和30可以具有与树脂层110和导电层120组合的支承体层130。此时各层的顺序是任意的，可以如图2所示的导电性膜20那样依次设置树脂层110、导电层120和支承体层130，也可以如图3所示的导电性膜30那样依次设置支承体层130、树脂层110和导电层120。像这样具有支承体层130的导电性膜20和30除了具有与第一实施方式相同的优点以外，还能够进一步提高溅射性。
图4为示意性地示出作为本发明的第四实施方式的导电性膜40的剖面图。导电性膜所包含的层的数量是任意的，例如可以如图4所示的第四实施方式的导电性膜40那样依次设置支承体层130、导电层120、树脂层110、导电层140和支承体层150。在该情况下，导电层120和140的材料、形状、厚度可以相同，也可以不同。例如，一边的导电层120的图案形状与另一边的导电层140的图案形状可以不同。而且，支承体层130和150的材料、形状、厚度可以相同，也可以不同。像这样即使在树脂层、导电层和支承体层等任意的层分别设置多个的情况下，也能够得到与第一实施方式～第三实施方式相同的优点。
[8.导电性膜的用途]
导电性膜的用途没有限制。当举出导电性膜的优选的用途的例子时，可举出电阻式触控面板和静电容量式触控面板等触控面板用的传感器膜；有机EL元件等发光元件用的电极等。
实施例
以下，示出实施例对本发明具体地说明。但是，本发明并不限定于以下所示的实施例，在不脱离本发明的请求保护的范围及其同等的范围的范围可以任意地变更实施。
在以下说明中，表示量的“％”和“份”，只要没有另外说明为重量基准。此外，以下说明的操作只要没有另外说明，在常温和常压大气中进行。
此外，在以下说明中，只要没有另外说明，“PEDOT”表示聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)，“PSS”表示聚苯乙烯磺酸，“PEDOT/PSS”表示掺杂了聚苯乙烯磺酸的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。
[评价方法]
[储能模量的测定方法]
树脂层的储能模量使用动态粘弹性装置(SII公司制“DMS6100”)，在频率1Hz的条件下测定。
[弯曲弹性模量的测定方法]
树脂层的弯曲弹性模量使用机电式万能试验机(英斯特朗公司制“5900”)，按照JIS K 7117来测定。
[表面电阻值的测定方法]
透明导电性膜的导电层的表面电阻值使用非接触电阻测定器(Napson公司制“NC-10”)来测定。
[基于弯折试验的表面电阻值的变化的评价方法]
对透明导电性膜进行弯折试验。在该弯折试验中使用弯曲试验机(汤浅系统设备公司制“TCDM111LH”)，对透明导电性膜进行1万次曲率半径5mm的弯折操作。之后，测定透明导电性膜的导电层的表面电阻值。然后，根据弯折试验前的表面电阻值R0与弯折试验后的表面电阻值Ri按照下述式(X)，计算出基于弯折试验的表面电阻值的上升率。
表面电阻值的上升率[％]＝{(Ri-R0)/R0}×100 (X)
将这样求得的表面电阻值的上升率按照下述的基准来评价。在此，基于弯折试验的表面电阻值的上升率越小，表示透明导电性膜的耐弯曲性越优异。
A：表示弯曲试验前后的表面电阻值的上升率小于5％的值。
B：表示弯曲试验前后的表面电阻值的上升率为5％以上且小于10％的值。
C：表示弯曲试验前后的表面电阻值的上升率为10％以上的值。
[弯折试验后的外观的评价方法]
进行了上述的弯折试验之后，进行透明导电性膜的目视观察，按照下述的基准来评价。基于弯折试验的外观的变化小，表示透明导电性膜的耐弯曲性优异。
A：弯折处的外观完全没有发生变化。
B：在弯折处有稍微能看得到的弯折痕迹。
C：弯折处白化、或有明显能看得到的弯折痕迹。
D：弯折处白化、并且有明显能看得到的弯折痕迹。
[制造例1.树脂层(1)的制造]
参考国际公开2014/077267号所记载的方法，依次聚合25份的苯乙烯、50份的异戊二烯和25份的苯乙烯，制造三嵌段共聚物氢化物(ia1)(重均分子量Mw＝48200；分子量分布Mw/Mn＝1.04；主链和侧链的碳-碳不饱和键、以及芳香环的碳-碳不饱和键的氢化率≈100％)。进而，参考上述国际公开2014/077267号所记载的方法，使1.8份的乙烯基三甲氧基硅烷与100份的上述三嵌段共聚物氢化物(ia1)结合，制造三嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物(ia1-s)的颗粒。
使用具有侧进料器和宽度400mm的T型模头的双螺杆挤出机(东芝机械公司制“TEM-37B”)、以及具有铸辊和脱膜供给装置的片材卷取机，按下述的方法制造树脂层(1)。
将烷氧基甲硅烷基改性物(ia1-s)供于双螺杆挤出机。以相对于100份该烷氧基甲硅烷基改性物(ia1-s)成为15份氢化聚丁烯(日油公司制“Pearl Ream(注册商标)24”)的比例的方式，从侧进料器连续地供给氢化聚丁烯，得到包含上述的烷氧基甲硅烷基改性物(ia1-s)和氢化聚丁烯的熔融树脂。然后将该熔融树脂从T型模头挤出至铸辊上，成型为膜状。该挤出是在熔融树脂温度180℃、T型模头温度180℃、铸辊温度40℃的成型条件下进行的。所挤出的熔融树脂通过铸辊而被冷却，得到厚度50μm的树脂层(1)。
将脱模用的PET膜(厚度50μm)供于挤出在铸辊上的树脂层(1)的单面，将树脂层(1)与PET膜重叠并卷绕为辊状，进行回收。由此，得到具有树脂层(1)和PET膜的多层膜的辊。
从上述的辊引出多层膜，剥离PET膜，得到树脂层(1)。在25℃测定树脂层(1)的储能模量，结果为143MPa。此外，在25℃测定树脂层(1)的弯曲弹性模量，结果为437MPa。
[制造例2.树脂层(2)的制造]
参考国际公开2011/096389号所记载的方法，依次聚合25份的苯乙烯、50份的异戊二烯和25份的苯乙烯，制造三嵌段共聚物氢化物(ia2)(重均分子量Mw＝48200；分子量分布Mw/Mn＝1.04；主链和侧链的碳-碳不饱和键、以及芳香环的碳-碳不饱和键的氢化率≈100％)的颗粒。
使用具有宽度400mm的T型模头的双螺杆挤出机(东芝机械公司制“TEM-37B”)、以及具有铸辊和脱膜供给装置的片材卷取机，按照下述的条件制造树脂层(2)。
将三嵌段共聚物氢化物(ia2)供于双螺杆挤出机，使其熔融，得到熔融树脂。然后将该熔融树脂从T型模头挤出至铸辊上，成型为膜状。该挤出是在熔融树脂温度180℃、T型模头温度180℃、铸辊温度40℃的成型条件下进行的。所挤出的熔融树脂通过铸辊而被冷却，得到厚度50μm的树脂层(2)。
将脱模用的PET膜(厚度50μm)供于挤出在铸辊上的树脂层(2)的单面，将树脂层(2)与PET膜重叠并卷绕为辊状，进行回收。由此，得到具有树脂层(2)和PET膜的多层膜的辊。
从上述的辊引出多层膜，剥离PET膜，得到树脂层(2)。在25℃测定树脂层(2)的储能模量，结果为111MPa。此外，在25℃测定树脂层(2)的弯曲弹性模量，结果为760MPa。
[制造例3.树脂层(3)的制造]
参考国际公开2011/096389号所记载的方法，依次聚合30份的苯乙烯、40份的异戊二烯和30份的苯乙烯，制造三嵌段共聚物氢化物(ia3)(重均分子量Mw＝48200；分子量分布Mw/Mn＝1.04；主链和侧链的碳-碳不饱和键、以及芳香环的碳-碳不饱和键的氢化率≈100％)的颗粒。
使用具有宽度400mm的T型模头的双螺杆挤出机(东芝机械公司制“TEM-37B”)、以及具有铸辊和脱膜供给装置的片材卷取机，按照下述的条件制造树脂层(3)。
将三嵌段共聚物氢化物(ia3)供于双螺杆挤出机，使其熔融，得到熔融树脂。然后将该熔融树脂从T型模头挤出至铸辊上，成型为膜状。该挤出是在熔融树脂温度180℃、T型模头温度180℃、铸辊温度40℃的成型条件下进行的。所挤出的熔融树脂通过铸辊而被冷却，得到厚度50μm的树脂层(3)。
将脱模用的PET膜(厚度50μm)供于挤出在铸辊上的树脂层(3)的单面，将树脂层(3)与PET膜重叠并卷绕为辊状，进行回收。由此，得到具有树脂层(3)和PET膜的多层膜的辊。
从上述的辊引出多层膜，剥离PET膜，得到树脂层(3)。在25℃测定树脂层(3)的储能模量，结果为800MPa。此外，在25℃测定树脂层(3)的弯曲弹性模量，结果为1260MPa。
[实施例1.使用导电性聚合物的例子]
在100g的工业用改性乙醇(Copyright,Japan Alchohol Trading CO.,LTD制“SolMix AP-7”)中加入10g的PEDOT/PSS(贺利氏公司制“Clevios PH1000”)、0.8g的丙烯酸树脂(东亚合成公司制“Jurimer AT-510”、固体成分30％)和3g的乙二醇(和光纯药公司制)，进行搅拌，制造作为导电层形成用组合物的涂料组合物。
在制造例1中制造的树脂层(1)上，使用棒涂机(安田精机制作所制)涂敷涂料组合物，使用干燥器在100℃实施加热处理1分钟。由此，在树脂层(1)上形成厚度1μm的导电层，得到透明导电性膜(a)。
测定得到的透明导电性膜(a)的导电层的表面电阻值，结果为450Ω/sq.。将该透明导电性膜(a)按上述的方法评价。
[实施例2.使用银纳米线的例子]
作为导电性纳米线分散液，准备包含银纳米线的分散液(Cambrios TechnologiesCorporation公司制“Clear Ohm”)。
在制造例1中制造的树脂层(1)上，使用棒涂机，涂敷上述的分散液，在80℃使其干燥。由此，在树脂层(1)上形成厚度1μm的导电层，得到透明导电性膜(b)。
测定得到的透明导电性膜(b)的导电层的表面电阻值，结果为750Ω/sq.。将该透明导电性膜(b)按上述的方法评价。
[实施例3.使用CNT的例子]
(通过超生长法的碳纳米管的制造)
按照国际公开第2006/011655号的记载，通过超生长法从而制造碳纳米管。以下有时将该碳纳米管酌情地称为“SGCNT”。得到的SGCNT基于氮吸附的BET比表面积为804m2/g、基于水蒸气吸附的BET比表面积为2.4m2/g、质量密度为0.03g/cm3、微孔容积为0.44mL/g。此外，使用透射型电子显微镜，测定随机选择的100根SGCNT的直径，结果是平均直径(Av)为3.3nm、直径的样本标准偏差(σ)乘以3的值(3σ)为1.9nm、(3σ/Av)为0.58、平均长度为500μm。此外，得到的SGCNT主要包含单层碳纳米管(单层CNT)。
(导电性膜的制造)
量取0.015g的SGCNT、以及0.030g的作为分散剂的苯乙烯磺酸钠/马来酸二钠的共聚物(单体摩尔比1/1，平均聚合度2万)，将其加入于容量30mL的样品瓶中，加入8g的离子交换水和2g的乙醇后，使用硝酸调节pH至2.5。之后，用Bath型超声波分散机处理2小时，从而得到作为导电性纳米线分散液的CNT分散液。
在制造例1中制造的树脂层(1)上，使用棒涂机，涂敷上述的CNT分散液，使其干燥。由此，在树脂层(1)上形成厚度1.5μm的导电层，得到透明导电性膜(c)。
测定得到的透明导电性膜(c)的导电层的表面电阻值，结果为1000Ω/sq.。将该透明导电性膜(c)按上述的方法评价。
[实施例4.使用银粒子的例子]
准备作为包含银纳米粒子作为金属粒子的导电层形成用组合物的银墨(Sigma-Aldrich Japan制“Silver Nanoparticle Ink”)。
在制造例1中制造的树脂层(1)上，使用棒涂机，涂敷上述的银墨，在120℃使其干燥60秒。由此，在树脂层(1)上形成厚度0.7μm的导电层，得到透明导电性膜(d)。
测定得到的透明导电性膜(d)的导电层的表面电阻值，结果为300Ω/sq.。将该透明导电性膜(d)按上述的方法评价。
[实施例5.使用导电性金属氧化物的例子]
作为基材，准备厚度50μm的环烯烃聚合物膜(日本瑞翁公司制“Zeonor FilmZF16-50”。以下有时称为“COP膜”。)。使用膜卷绕式磁控溅射装置进行溅射，在上述的COP膜上形成ITO层作为导电层，得到包含COP膜和ITO层的多层膜。就上述的溅射而言，作为目标使用将氧化锡和氧化铟烧结而成的产物，在氩(Ar)流量150sccm、氧气(O2)流量10sccm、功率4.0kW、真空度0.3Pa、膜运送速度0.5m/分钟的条件下进行。在此，“sccm”为气体的流量单位，将每1分钟流过的气体的量用该气体在25℃、1atm时的体积(cm3)表示。
将得到的多层膜的ITO层侧的面与在制造例1中制造的树脂层(1)通过热层压法(温度100℃、运送速度1m/分钟、压力0.4MPa)来贴合。之后，剥离COP膜，得到具有树脂层(1)和厚度30nm的ITO层的透明导电性膜(e)。
测定得到的透明导电性膜(e)的ITO层的表面电阻值，结果为150Ω/sq.。将该透明导电性膜(e)按上述的方法评价。
[实施例6]
代替树脂层(1)，使用制造例2中制造的树脂层(2)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，制造透明导电性膜(f)。
测定得到的透明导电性膜(f)的导电层的表面电阻值，结果为450Ω/sq.。将该透明导电性膜(f)按上述的方法评价。
[实施例7]
代替树脂层(1)，使用制造例3中制造的树脂层(3)，除此以外，进行与实施例5同样的操作，制造透明导电性膜(g)。
测定得到的透明导电性膜(g)的导电层的表面电阻值，结果为150Ω/sq.。将该透明导电性膜(g)按上述的方法评价。
进而，使用雾度计(日本电色株式会社制“NDH-4000”)基于JIS K 7136对得到的透明导电性膜(g)的雾度进行测定，结果为0.5％。
[比较例1]
代替树脂层(1)，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(Toray公司制“U-34”、厚度50μm、25℃时的储能模量4000MPa)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，制造透明导电性膜(g)。
测定得到的透明导电性膜(g)的导电层的表面电阻值，结果为450Ω/sq.。将该透明导电性膜(g)按上述的方法评价。
[比较例2]
代替树脂层(1)，使用聚萘二甲酸乙二醇酯膜(帝人杜邦公司制“Q65HA”、厚度50μm、25℃时的储能模量5000MPa)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，制造透明导电性膜(h)。
测定得到的透明导电性膜(h)的导电层的表面电阻值，结果为450Ω/sq.。将该透明导电性膜(h)按上述的方法评价。
[比较例3]
代替树脂层(1)，使用聚碳酸酯膜(帝人杜邦公司制“Pure ace”、厚度50μm、25℃时的储能模量1300MPa)，除此以外，进行与实施例1同样的操作，制造透明导电性膜(i)。
测定得到的透明导电性膜(i)的导电层的表面电阻值，结果为450Ω/sq.。将该透明导电性膜(i)按上述的方法评价。
[比较例4]
准备具有脱模基材和设置在该脱模基材上的压敏粘合剂(日东电工公司制“CS9621”)的层的粘合膜(日东电工公司制、粘合剂的层的厚度20μm、粘合剂的层在25℃时的储能模量1Mpa、剥离基材的厚度50μm)。
在上述粘合膜的粘合剂的层上，使用棒涂机(安田精机制作所制)涂敷实施例1中制造的涂料组合物，使用干燥器在100℃实施加热处理1分钟。由此，在粘合剂的层上形成导电层。之后，将剥离基材剥离，得到具有粘合剂的层和导电层的透明导电性膜(j)。
测定得到的透明导电性膜(j)的导电层的表面电阻值，结果为450Ω/sq.。将该透明导电性膜(j)按上述的方法评价。
[结果]
将上述的实施例和比较例的结果示于下述表中。在下述的表中，简写的意思为如下所述。
PET：聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
PEN：聚萘二甲酸乙二醇酯膜。
PC：聚碳酸酯膜。
PSA：压敏粘合剂的层。
储能模量：25℃时的树脂层的储能模量。
弯曲弹性模量：25℃时的树脂层的弯曲弹性模量。
CNT：碳纳米管
[表1]
[表1.实施例和比较例的结果]
[讨论]
如上述的实施例和比较例所示，将在25℃时具有规定范围的储能模量的树脂层、和具有规定范围的表面电阻值的导电层组合而成的导电性膜即使弯曲该导电性膜，导电层的表面电阻值也难以上升，并且也难以产生白化等外观变化。因此，根据上述的实施例和比较例的结果能够确认，根据本发明能够实现导电性和耐弯曲性这两者优异的导电性膜。
[参考例1]
(树脂层A的制造)
将制造例1中得到的三嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物(ia1-s)的颗粒46.15g与氢化聚丁烯(日油株式会社制“10SH”)13.85g溶解在140g的环己烷中，得到树脂溶液。
将得到的树脂溶液使用狭缝涂敷机涂覆于厚度50μm的脱模PET膜(三菱树脂株式会社制、“MRV38”)上，在120℃干燥3分钟，在脱模PET膜上形成厚度20μm的树脂层A。之后，剥离脱模PET膜，以单体的膜的形式得到厚度20μm的树脂层A。
(基于弯折试验的树脂层A的耐弯折性的评价1)
对于树脂层A，使用弯曲性试验机(汤浅系统设备公司制“TCDM111LHA”)，进行20万次曲率半径2.5mm的弯折操作。
之后，进行树脂层A的目视观察，观察的结果确认了弯折处的外观完全没有发生变化。
(基于弯折试验的树脂层A的耐弯折性的评价2)
对于树脂层A，使用弯曲性试验机(汤浅系统设备公司制“TCDM111LHA”)，进行20万次间隙4mm的弯折操作。
之后，进行树脂层A的目视观察，观察的结果确认了弯折处的外观完全没有发生变化。
附图标记说明
10、20、30和40：导电性膜；
110：树脂层；
120和140：导电层；
130和150：支承体层。

Claims (4)

1.一种导电性膜，包含树脂层和导电层，
25℃时的所述树脂层的储能模量大于10MPa且小于1000Mpa，
所述导电层的表面电阻值为1000Ω/sq.以下。
2.根据权利要求1所述的导电性膜，其中，25℃时的所述树脂层的弯曲弹性模量为500MPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的导电性膜，其中，
所述树脂层包含嵌段共聚物氢化物的烷氧基甲硅烷基改性物[3]，
所述烷氧基甲硅烷基改性物[3]为将嵌段共聚物[1]的主链和侧链的碳-碳不饱和键和芳香环的碳-碳不饱和键进行了氢化的氢化物[2]的烷氧基甲硅烷基改性物，
所述嵌段共聚物[1]具有每1分子所述嵌段共聚物[1]中为2个以上的聚合物嵌段A、以及每1分子所述嵌段共聚物[1]中为1个以上的聚合物嵌段B，所述聚合物嵌段A含有芳香族乙烯基化合物单元，所述聚合物嵌段B含有链状共轭二烯化合物单元，
所述聚合物嵌段A占所述嵌段共聚物[1]总体的重量百分比wA与所述聚合物嵌段B占所述嵌段共聚物[1]总体的重量百分比wB的比即wA/wB为20/80～60/40。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性膜，其中，所述导电层包含选自金属、导电性纳米线及导电性聚合物中的至少1种导电材料。
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