TW202240601A - 透明導電性膜 - Google Patents

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河野文彦
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日商日東電工股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種可撓性及透明性兩者均優異之透明導電性膜。 本發明之透明導電性膜依序具備第1透明導電層、基材及第2透明導電層，該第1透明導電層含有金屬奈米線，該第2透明導電層含有金屬氧化物。於一實施方式中，構成上述第2透明導電層之金屬氧化物為銦-錫複合氧化物。

Description

透明導電性膜
本發明係關於一種透明導電性膜。
先前，作為觸控感測器之電極等中所用之透明導電性膜，多使用於樹脂膜上形成有銦錫複合氧化物層(ITO層)等金屬氧化物層之透明導電性膜。然而，形成有金屬氧化物層之透明導電性膜存在可撓性不充分，易因彎曲等物理應力而產生龜裂之問題。
又，作為透明導電性膜，提出有具備導電層之透明導電性膜，該導電層含有使用有銀或銅等之金屬奈米線。此種透明導電性膜具有可撓性優異之優點。然而，就光學特性之觀點而言，含有金屬奈米線之導電層存在如下等問題：存在霧度變大之傾向，又，易產生源自金屬之色調。關於導電層，越要降低電阻值，則越需要增加厚度，若增加導電層之厚度，則光學特性之問題將變得顯著。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2009-505358號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明係為解決上述課題而完成者，其目的在於提供一種可撓性及光學特性兩者均優異之透明導電性膜。 [解決問題之技術手段]
本發明之透明導電性膜具備基材、及配置於基材之至少單側之透明導電積層體，該透明導電積層體具備含有金屬氧化物之第1透明導電層及含有金屬奈米結構之第2透明導電層。 於一實施方式中，上述金屬氧化物為銦-錫複合氧化物。 於一實施方式中，上述金屬奈米結構為金屬奈米線。 於一實施方式中，上述透明導電積層體係以上述第2透明導電層成為基材側之方式配置。 於一實施方式中，上述透明導電積層體係以上述第1透明導電層成為基材側之方式配置。 於一實施方式中，上述透明導電性膜之表面電阻值為100 Ω/□以下。 於一實施方式中，將上述透明導電性膜覆於直徑2 mm之圓棒上而使其彎曲時，表面電阻值之上升率(＝彎曲後之表面電阻值/彎曲前之表面電阻值)為1.3以下。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種可撓性及光學特性兩者均優異之透明導電性膜。
A. 透明導電性膜之整體構成圖1係本發明之一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。透明導電性膜100具備基材10、及配置於基材10之至少單側之透明導電積層體20。透明導電積層體20具備第1透明導電層21及第2透明導電層22。第1透明導電層21含有金屬氧化物。第2透明導電層22含有金屬奈米結構。金屬奈米結構例如可為金屬奈米線、金屬奈米粒子等。雖未圖示，但透明導電性膜可進而含有任意適當之其他層。例如，於基材與透明導電積層體之間可配置硬塗層。
於一實施方式中，如圖1所示，透明導電積層體20係以第2透明導電層(金屬奈米結構層)22成為基材10側之方式配置。即，依序配置第1透明導電層(金屬氧化物層)21、第2透明導電層(金屬奈米結構層)22及基材10。
圖2係本發明之另一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。於該實施方式中，透明導電積層體20係以第1透明導電層(金屬氧化物層)21成為基材10側之方式配置。即，依序配置第2透明導電層(金屬奈米結構層)22、第1透明導電層(金屬氧化物層)21及基材10。
透明導電積層體20亦可配置於基材10之兩側。作為於基材10之兩側配置有透明導電積層體20之構成，例如，可例舉以下構成。 •   依序具備第1透明導電層21/第2透明導電層22/基材10/第2透明導電層22/第1透明導電層21之構成(圖3(a))。 •   依序具備第1透明導電層21/第2透明導電層22/基材10/第1透明導電層21/第2透明導電層22之構成(圖3(b))。 •   依序具備第2透明導電層22/第1透明導電層21/基材10/第2透明導電層22/第1透明導電層21之構成(圖3(c))。 •   依序具備第2透明導電層22/第1透明導電層21/基材10/第1透明導電層21/第2透明導電層22之構成(圖3(d))。
於本發明中，藉由具備含有金屬氧化物之第1透明導電層及含有金屬奈米結構之第2透明導電層，可獲得可撓性優異且光學特性優異之透明導電性膜。更詳細而言，本發明之透明導電性膜藉由具備含有金屬奈米結構之第2透明導電層而可製成可撓性優異、且因彎折所致之電阻值上升較少之透明導電性膜。又，含有金屬奈米結構之導電層具有易低電阻化之特徵，因此，於本發明中，藉由具備第2透明導電層，可容易獲得導電性優異之透明導電性膜。另一方面，通常，含有金屬奈米結構之導電層可能會對光學特性產生不良影響。例如，可能會出現霧度變大或者產生源自金屬之色調等問題。根據本案發明，藉由具備含有金屬氧化物層之第1透明導電層及含有金屬奈米結構之透明導電層這兩層，可提供一種光學特性變差受到抑制並且導電性優異之透明導電性膜。又，若將第1透明導電層(金屬氧化物層)配置於第2透明導電層(金屬奈米結構層)之外側，則可防止第2透明導電層中之金屬奈米結構之腐蝕。
本發明之透明導電性膜之表面電阻值較佳為0.01 Ω/□～1000 Ω/□，更佳為0.1 Ω/□～500 Ω/□，尤佳為0.1 Ω/□～300 Ω/□，最佳為0.1 Ω/□～100 Ω/□。於一實施方式中，透明導電性膜之表面電阻值為100 Ω/□以下。
將本發明之透明導電性膜覆於直徑2 mm(較佳為直徑1 mm)之圓棒上而使其彎曲時，表面電阻值之上升率(＝彎曲後之表面電阻值/彎曲前之表面電阻值)較佳為1.3以下，更佳為1.2以下，進而較佳為1.1以下。較佳為無論將透明導電性膜之哪一面作為外側來使其彎曲，表面電阻值之上升率均處於上述範圍內。又，於基材之兩側配置有透明導電積層體之情形時，較佳為兩面之表面電阻值均處於上述範圍內。
於基材之單側配置有透明導電積層體之情形時，以透明導電積層體為外側覆於直徑2 mm(較佳為直徑1 mm)之圓棒上而使其彎曲時，透明導電積層體側之表面電阻值之上升率(＝彎曲後之表面電阻值/彎曲前之表面電阻值)較佳為1.3以下，更佳為1.2以下，進而較佳為1.1以下。
於基材之兩側配置有透明導電積層體之情形時，當覆於直徑2 mm(較佳為直徑1 mm)之圓棒上而使其彎曲時，成為彎曲之外側之透明導電積層體側之表面電阻值之上升率(＝彎曲後之表面電阻值/彎曲前之表面電阻值)較佳為1.3以下，更佳為1.2以下，進而較佳為1.1以下。
本發明之透明導電性膜之霧度值較佳為1%以下，更佳為0.7%以下，進而較佳為0.5%以下。該霧度值越小越佳，但其下限值例如為0.05%。
本發明之透明導電性膜之全光線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，尤佳為90%以上。
本發明之透明導電性膜之厚度較佳為10 μm～500 μm，更佳為15 μm～300 μm，進而較佳為20 μm～200 μm。
B. 第 1 透明導電層如上所述，第1透明導電層含有金屬氧化物。作為金屬氧化物，例如，可例舉：氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物等。其中較佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。金屬氧化物亦可為結晶化金屬氧化物。所謂結晶化金屬氧化物，意指如下所述使金屬氧化物膜成膜後進行加熱(例如，120℃～200℃之加熱)而獲得之金屬氧化物。
上述第1透明導電層之全光線透過率較佳為80%以上，進而較佳為85%以上，進而較佳為90%以上。
作為上述第1透明導電層之形成方法，例如，可例舉：藉由任意適當之成膜方法(例如，真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、離子鍍覆法、噴霧法等)形成金屬氧化物層而獲得第1透明導電層之方法。該金屬氧化物層可直接作為第1透明導電層，亦可進而進行加熱而使金屬氧化物結晶化。該加熱時之溫度例如為120℃～200℃。
上述第1透明導電層之厚度較佳為50 nm以下，進而較佳為40 nm以下。若處於此種範圍內，則可獲得透光性優異之透明導電性膜。上述導電層之厚度之下限較佳為1 nm，更佳為5 nm。
上述第1透明導電層亦可經圖案化。作為圖案化之方法，可根據導電層之形態採用任意適當之方法。例如，可藉由蝕刻法、雷射法等進行圖案化。第1透明導電層之圖案之形狀根據用途可為任意適當之形狀。例如，可例舉日本專利特表2011-511357號公報、日本專利特開2010-164938號公報、日本專利特開2008-310550號公報、日本專利特表2003-511799號公報、日本專利特表2010-541109號公報中所記載之圖案。
C. 第 2 透明導電層如上所述，第2透明導電層含有金屬奈米結構。作為金屬奈米結構，例如，可例舉：金屬奈米線、金屬奈米網、金屬奈米棒、金屬奈米管、金屬奈米稜錐、金屬粒子或其等之組合等。較佳為第2透明導電層含有金屬奈米線。
於一實施方式中，第2透明導電層進而含有聚合物基質。於該實施方式中，於聚合物基質中存在金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)。於含有聚合物基質之第2透明導電層中，藉由聚合物基質保護金屬奈米結構。其結果，防止了金屬奈米結構之腐蝕，從而可獲得耐久性更優異之透明導電性膜。
上述第2透明導電層之厚度較佳為10 nm～1000 nm，更佳為20 nm～500 nm。再者，於第2透明導電層含有聚合物基質之情形時，該第2透明導電層之厚度相當於聚合物基質之厚度。
於一實施方式中，上述第2透明導電層經圖案化。作為圖案化之方法，可根據第2透明導電層之形態採用任意適當之方法。第2透明導電層之圖案之形狀根據用途可為任意適當之形狀。例如，可例舉：日本專利特表2011-511357號公報、日本專利特開2010-164938號公報、日本專利特開2008-310550號公報、日本專利特表2003-511799號公報、日本專利特表2010-541109號公報中所記載之圖案。第2透明導電層形成於基材上後，可根據第2透明導電層之形態，使用任意適當之方法進行圖案化。
上述第2透明導電層之全光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上，進而較佳為95%以上。
上述金屬奈米線係指材質為金屬，形狀為針狀或線狀，且直徑為奈米尺寸之導電性物質。金屬奈米線可為直線狀，亦可為曲線狀。若使用含有金屬奈米線之第2透明導電層，則由於金屬奈米線成為網狀，故即便為少量金屬奈米線，亦可形成良好之導電路徑，從而可獲得電阻較小之透明導電性膜。
上述金屬奈米線之粗度d與長度L之比(長徑比：L/d)較佳為10～100,000，更佳為50～100,000，尤佳為100～10,000。如此，若使用長徑比較大之金屬奈米線，則金屬奈米線良好地交叉，從而可藉由少量之金屬奈米線表現出較高之導電性。其結果，可獲得透光率較高之透明導電性膜。再者，於本說明書中，關於「金屬奈米線之粗度」，於金屬奈米線之剖面為圓狀之情形時，意指其直徑，於為橢圓狀之情形時，意指其短徑，於為多邊形之情形時，意指最長之對角線。金屬奈米線之粗度及長度可藉由掃描式電子顯微鏡或透射電子顯微鏡來進行確認。
上述金屬奈米線之粗度較佳為未達500 nm，更佳為未達200 nm，尤佳為100 nm以下，最佳為60 nm以下。若處於此種範圍內，則可形成透光率較高之第2透明導電層。金屬奈米線之粗度之下限例如為10 nm。
上述金屬奈米線之長度較佳為1 μm～1000 μm，更佳為1 μm～500 μm，尤佳為1 μm～100 μm。若處於此種範圍內，則可獲得導電性較高之透明導電性膜。
作為構成上述金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)之金屬，只要係導電性較高之金屬即可，可使用任意適當之金屬。作為構成上述金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)之金屬，例如，可例舉：銀、金、鉑、銅、鎳等。又，亦可使用對該等金屬進行鍍覆處理(例如，鍍鉑處理)而成之材料。金屬奈米線較佳為含有選自由銀、金、鉑、銅及鎳所組成之群之1種以上之金屬，更佳為含有選自由銀、金、鉑及銅所組成之群之1種以上之金屬。
作為上述金屬奈米線之製造方法，可採用任意適當之方法。例如，可例舉：於溶液中還原硝酸銀之方法；及使施加電壓或電流自探針之前端部作用於前驅物表面，於探針前端部引出金屬奈米線，連續地形成該金屬奈米線之方法等。於在溶液中還原硝酸銀之方法中，於乙二醇等多元醇及聚乙烯吡咯啶酮之存在下，進行硝酸銀等銀鹽之液相還原，藉此可合成銀奈米線。尺寸均一之銀奈米線例如可按照Xia, Y.etal., Chem. Mater.(2002)、14、4736-4745、Xia, Y.etal., Nano letters(2003)3(7)、955-960中所記載之方法進行大量生產。
上述第2透明導電層中之金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)之含有比率相對於第2透明導電層之總重量，較佳為80重量%以下，更佳為70重量%以下，進而較佳為50重量%以下。若處於此種範圍內，則可獲得導電性及透光性優異之透明導電性膜。
作為構成上述聚合物基質之聚合物，可使用任意適當之聚合物。作為該聚合物，例如，可例舉：丙烯酸系聚合物；聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物；聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺等芳香族系聚合物；聚胺基甲酸酯系聚合物；環氧系聚合物；聚烯烴系聚合物；丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS，Acrylonitrile-Butadiene-Styrene)；纖維素；矽系聚合物；聚氯乙烯；聚乙酸酯；聚降莰烯；合成橡膠；氟系聚合物等。較佳為使用含有如下多官能丙烯酸酯之硬化型樹脂(較佳為紫外線硬化型樹脂)：季戊四醇三丙烯酸酯(PETA，Pentaerythritol triacrylate)、新戊二醇二丙烯酸酯(NPGDA，neopentyl glycol diacrylate)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA，Dipentaerythritol Hexa Acrylate)、二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA，Dipentaerythritol Penta Acrylate)、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA，Trimethylolpropane Triacrylate)等。
於第2透明導電層含有聚合物基質且上述金屬奈米線為銀奈米線之情形時，第2透明導電層之密度較佳為1.0 g/cm 3～10.5 g/cm 3，更佳為1.0 g/cm 3～3.0 g/cm 3。若處於此種範圍內，則可獲得導電性及透光性優異之透明導電性膜。
第2透明導電層係於基材(或基材與其他層之積層體)塗佈含有金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)之第2導電層形成用組合物後，使塗佈層乾燥而形成。
上述第2導電層形成用組合物除含有金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)以外，還可含有任意適當之溶劑。第2導電層形成用組合物可以金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)之分散液之形式準備。作為上述溶劑，可例舉：水、醇系溶劑、酮系溶劑、醚系溶劑、烴系溶劑、芳香族系溶劑等。就減小環境負荷之觀點而言，較佳為使用水。上述第2導電層形成用組合物可根據目的進而含有任意適當之添加劑。作為上述添加劑，例如，可例舉：防止金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)之腐蝕之防腐蝕材料、防止金屬奈米結構(例如，金屬奈米線)之凝集之界面活性劑等。所使用之添加劑之種類、數目及量可根據目的而適當設定。
於上述第2透明導電層含有聚合物基質之情形時，聚合物基質可以上述之方式塗佈第2導電層形成用組合物並使其乾燥後，於含有金屬奈米線之層上塗佈聚合物溶液(聚合物組合物、單體組合物)，其後，使聚合物溶液之塗佈層乾燥或硬化從而形成。又，亦可使用含有構成聚合物基質之聚合物之第2導電層形成用組合物來形成第2透明導電層。
上述第2導電層形成用組合物中之金屬奈米線之分散濃度較佳為0.1重量%～1重量%。若處於此種範圍內，則可形成導電性及透光性優異之第2透明導電層。
作為上述第2導電層形成用組合物之塗佈方法，可採用任意適當之方法。作為塗佈方法，例如，可例舉：噴霧塗佈、棒式塗佈、輥式塗佈、模嘴塗佈、噴墨塗佈、絲網塗佈、浸漬塗佈、凸版印刷法、凹版印刷法、凹版(gravure)印刷法等。作為塗佈層之乾燥方法，可採用任意適當之乾燥方法(例如，自然乾燥、送風乾燥、加熱乾燥)。例如，於加熱乾燥之情形時，乾燥溫度代表性而言為50℃～200℃，較佳為80℃～150℃。乾燥時間代表性而言為1～10分鐘。
上述聚合物溶液含有構成上述聚合物基質之聚合物、或該聚合物之前驅物(構成該聚合物之單體)。
上述聚合物溶液可含有溶劑。作為上述聚合物溶液中所含有之溶劑，例如，可例舉：醇系溶劑、酮系溶劑、四氫呋喃、烴系溶劑、或芳香族系溶劑等。較佳為該溶劑為揮發性。該溶劑之沸點較佳為200℃以下，更佳為150℃以下，進而較佳為100℃以下。
D. 基材上述基材代表性而言含有任意適當之樹脂。作為構成上述基材之樹脂，例如，可例舉：環烯烴系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸乙二酯系樹脂等。較佳為使用環烯烴系樹脂。若使用含有環烯烴系樹脂之基材，則可獲得可撓性優異之透明導電性膜。
作為上述環烯烴系樹脂，例如，可較佳地使用聚降莰烯。聚降莰烯係指起始原料(單體)之一部分或全部使用具有降莰烯環之降莰烯系單體而獲得之(共)聚合物。作為上述聚降莰烯，市售有各種製品。作為具體例，可例舉：日本瑞翁公司製造之商品名「Zeonex」、「Zeonor」；JSR公司製造之商品名「Arton」；TICONA公司製造之商品名「Topas」；三井化學公司製造之商品名「APEL」。
構成上述基材之樹脂之玻璃轉移溫度較佳為50℃～200℃，更佳為60℃～180℃，進而較佳為70℃～160℃。若為具有此種範圍之玻璃轉移溫度之基材，則可防止形成透明導電積層體時之劣化。
上述基材之厚度較佳為8 μm～500 μm，更佳為10 μm～250 μm，進而較佳為10 μm～150 μm，尤佳為15 μm～100 μm。
上述基材之拉伸斷裂強度較佳為50 MPa以上，更佳為70 MPa以上，進而較佳為100 MPa以上。若處於此種範圍內，則可獲得可撓性尤其優異之透明導電性膜。再者，拉伸斷裂強度可於常溫下按照JIS K 7161進行測定。
上述基材之全光線透過率較佳為80%以上，更佳為85%以上，尤佳為90%以上。若處於此種範圍內，則可獲得適宜作為觸控面板等中所具備之透明導電性膜之透明導電性膜。
上述基材可視需要進而含有任意適當之添加劑。作為添加劑之具體例，可例舉：塑化劑、熱穩定劑、光穩定劑、潤滑劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、著色劑、抗靜電劑、相容劑、交聯劑及增黏劑等。所使用之添加劑之種類及量可根據目的而適當設定。
亦可視需要對上述基材進行各種表面處理。表面處理可根據目的採用任意適當之方法。例如，可例舉：低壓電漿處理、紫外線照射處理、電暈處理、火焰處理、酸或鹼處理。於一實施方式中，對透明基材進行表面處理，使透明基材表面親水化。若使基材親水化，則塗佈由水系溶劑所製備之透明導電層形成用組合物時之加工性優異。又，可獲得基材與透明導電層之密接性優異之透明導電性膜。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明不受該等實施例之任何限定。實施例及比較例中之評價方法如下所述。
(1)初始電阻值 於透明導電性膜(長度15 cm×寬度1 cm)之透明導電積層體側長度方向兩端塗佈Ag漿(各部，長度1 cm×寬度1 cm)而獲得試驗片。利用測試機確認Ag漿間之導通並測定表面電阻值。
(2)彎曲後電阻值 以與上述(1)相同之方式獲得試驗片。 將該試驗片以透明導電積層體側為外側覆於不鏽鋼之具有表1中所記載之直徑之圓棒上，以長度方向沿該圓棒彎曲之方式彎曲180°。繼而，經由夾具將砝碼(各500 g)掛於長度方向之兩端部，並於該狀態下保持10秒。 於上述操作之後，取下砝碼及夾具，利用測試機確認Ag漿部間之導通並測定表面電阻值。
(3)電阻值上升率 將上述(2)中所獲得之彎曲後電阻值除以上述(1)中所獲得之初始電阻值，算出所得之值(彎曲後電阻值/初始電阻值)作為電阻值上升率。
[製造例1] (金屬奈米線之製造) 於具備攪拌裝置之反應容器中，於160℃下加入無水乙二醇5 ml、PtCl 2之無水乙二醇溶液(濃度：1.5×10 -4mol/L)0.5 ml。經過4分鐘後，耗時6分鐘向所獲得之溶液中同時滴加AgNO 3之無水乙二醇溶液(濃度：0.12 mol/l)2.5 ml、及聚乙烯吡咯啶酮(MW：55000)之無水乙二醇溶液(濃度：0.36 mol/l)5 ml。於該滴加後，加熱至160℃，並耗時1小時以上進行反應直至AgNO 3被完全還原，從而生成銀奈米線。繼而，向含有以如上所述之方式獲得之銀奈米線之反應混合物中加入丙酮直至該反應混合物之體積達到5倍後，對該反應混合物進行離心分離(2000 rpm、20分鐘)，獲得銀奈米線。使該銀奈米線(濃度：0.2重量%)及五乙二醇十二烷基醚(濃度：0.1重量%)分散於純水中，製備銀奈米線分散液。
[實施例1] (透明導電層形成用組合物(PN)之製備) 用上述銀奈米線分散液25重量份、純水75重量份進行稀釋以製備固形物成分濃度為0.05重量%之透明導電層形成用組合物(PN)。 (單體組合物之製備) 將季戊四醇三丙烯酸酯(大阪有機化學工業公司製造，商品名「Viscoat ＃300」)1重量份、光聚合起始劑(BASF公司製造，商品名「Irgacure 907」)0.2重量份利用異丙醇80重量份、二丙酮醇19重量份進行稀釋，獲得固形物成分濃度為1重量%之單體組合物。 (透明導電性膜之製作) 於基材(聚環烯烴膜(日本瑞翁公司製造、商品名「ZEONOR(註冊商標)」，厚度為40 μm)之一側塗佈上述透明導電層形成用組合物(PN)，並使其乾燥。進而，於透明導電層形成用組合物(PN)塗佈層上塗佈上述單體組合物，並於80℃下乾燥1分鐘，其後，照射300 mJ/cm 2之紫外線，形成第2透明導電層。繼而，藉由濺鍍法，於第2透明導電層之上形成厚度為32 nm之包含銦錫氧化物層之第1透明導電層。將以此種方式所獲得之導電性膜捲繞於塑膠制之卷芯，製作導電性膜卷。其後，將導電性膜卷投入空氣循環式烘箱中，以140℃進行90分鐘之加熱處理，使銦錫氧化物自非晶質轉化為結晶質，製作表面電阻值為45 Ω/□之透明導電性膜。
[比較例1] (硬化樹脂層之形成) 製備將DIC(股)製造之商品名「Unidic ELS-888」80重量份與DIC(股)製造之商品名「Unidic RS28-605」20重量份混合而成之樹脂組合物溶液，作為硬化樹脂層之形成材料。 (透明導電性膜之製作) 於基材(聚環烯烴膜(日本瑞翁公司製造、商品名「ZEONOR(註冊商標)」，厚度為40 μm)之一側塗佈所製備之樹脂組合物溶液，以80℃乾燥1分鐘後，立即使用臭氧型高壓水銀燈(UV強度為180 mW/cm 2，累計光量為230 mJ/cm 2)進行紫外線照射，形成厚度1.0 μm之硬化樹脂層。繼而，藉由濺鍍法形成厚度為50 nm之包含銦錫氧化物層之透明導電層。將如此獲得之導電性膜捲繞於塑膠制之卷芯，製作導電性膜卷。其後，將導電性膜卷投入空氣循環式烘箱中，以140℃進行90分鐘之加熱處理，使銦錫氧化物自非晶質轉化為結晶質，製作表面電阻值為41 Ω/□之透明導電性膜。
[表1]
      表面電阻值(薄片電阻值)(Ω/□) 圓棒直徑(折彎直徑)(mmφ) 初始電阻值 彎曲後電阻值 電阻值上升率
Ω Ω
實施例1 基材/SNW/ITO 45 2 573 582 1.02
1 588 614 1.04
比較例1 基材/樹脂層/ITO 41 3 537 1242 2.31
2 578 1051 1.82
1.4 525 833 1.59
1 508 686 1.35
10:基材 20:透明導電積層體 21:第1透明導電層 22:第2透明導電層 100:透明導電性膜 200:透明導電性膜
圖1係本發明之一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。 圖2係本發明之另一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。 圖3(a)～(d)係本發明之另一實施方式之透明導電性膜之概略剖視圖。
10:基材
20:透明導電積層體
21:第1透明導電層
22:第2透明導電層
100:透明導電性膜

Claims (7)

  1. 一種透明導電性膜，其具備基材、及配置於基材之至少單側之透明導電積層體，該透明導電積層體具備含有金屬氧化物之第1透明導電層及含有金屬奈米結構之第2透明導電層。
  2. 如請求項1之透明導電性膜，其中上述金屬氧化物為銦-錫複合氧化物。
  3. 如請求項1或2之透明導電性膜，其中上述金屬奈米結構為金屬奈米線。
  4. 如請求項1至3中任一項之透明導電性膜，其中上述透明導電積層體係以上述第2透明導電層成為基材側之方式配置。
  5. 如請求項1至3中任一項之透明導電性膜，其中上述透明導電積層體係以上述第1透明導電層成為基材側之方式配置。
  6. 如請求項1至5中任一項之透明導電性膜，其表面電阻值為100 Ω/□以下。
  7. 如請求項1至6中任一項之透明導電性膜，其中將上述透明導電性膜覆於直徑2 mm之圓棒上而使其彎曲時，表面電阻值之上升率(＝彎曲後之表面電阻值/彎曲前之表面電阻值)為1.3以下。
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