TWI491500B - A manufacturing method of a laminated body, a structure for an electronic device, and an electronic device - Google Patents

A manufacturing method of a laminated body, a structure for an electronic device, and an electronic device Download PDF

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Description

層積體之製造方法、電子裝置用構造及電子裝置
本發明關於具有優異的阻氣性，而且層間密接性優異，具有阻氣層及導電體層之層積體及其製造方法，由此層積體所成的電子裝置用構造，以及包括該電子裝置用構造之電子裝置。
近年來，於液晶顯示器或電致發光(EL)顯示器等的顯示器中，為了實現薄型化、輕量化、可撓化等，作為具有電極的基板，檢討使用透明塑膠薄膜來代替玻璃。然而，與玻璃相比，塑膠薄膜由於水蒸氣或氧容易透過等，故易引起顯示器內部的元件之劣化，而且有表面平滑性低的問題。
為了解決此問題，專利文獻1、2等中提案在塑膠基材上，層積表面平滑層與無機障壁層，在最外層形成有導電性電極層之導電性電極基材。
然而，此等文獻中所記載的導電性電極基材之阻氣性能不能說是可令人充分滿足，而要求進一步的改良。又，由於表面平滑層與無機障壁層，此等層與電極(導電性電極層)缺乏密接性，故必須設置機能性薄膜，以用於在各層之間提高密接性，製程變煩雜，有違反薄膜化、輕量化、可撓化的問題。
與本發明有關聯，專利文獻3中記載在塑膠薄膜的一面上，藉由在以使用稀有氣體、氫、氮、氨氣之中的至少一種類當作電漿源之氣體的電漿離子注入法而形成之離子注入層上，形成有阻氣層及透明電極層的透明導電性阻氣薄膜。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]特開2003-154596號公報
[專利文獻2]特開2006-264118號公報
[專利文獻3]特開2008-270115號公報
本發明係鑒於上述先前技術而完成者，其目的為提供具有優異的阻氣性，而且層間密接性優異，具有阻氣層及導電體層之層積體，其製造方法，由前述層積體所成的電子裝置用構造，以及包括該電子裝置用構造之電子裝置。
本發明者們為了解決上述問題，進行專心致力的檢討，結果發現由至少含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成，具有自表面起朝向深度方向，氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子的存在比例逐漸增加的層(阻氣層)、與導電體層之層積體，係具有優異的阻氣性及層間密接性。
又，本發明者們發現藉由在表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之成形物的前述含聚有機矽氧烷系化合物的層之表面中注入離子，可簡便且高效率地形成前述阻氣層，以此等知識為基礎，終於完成本發明。
如此地，依照本發明的第1點，提供下述(1)～(7)之層積體。
(1)一種層積體，其係具有由至少含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成的阻氣層與導電體層之層積體，其特徵在於：自前述阻氣層的表面起朝向深度方向，該阻氣層中的氧原子之存在比例係逐漸減少，碳原子的存在比例係逐漸增加。
(2)如(1)記載的層積體，其中於前述阻氣層的表層部中，相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言，氧原子的存在比例為10～70%、碳原子的存在比例為10～70%，矽原子的存在比例為5～35%。
(3)如(1)記載的層積體，其中前述阻氣層在該阻氣層的表層部之X射線光電子分光(XPS)測定中，矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置係102～104eV。
(4)如(1)記載的層積體，其中更具有無機化合物層。
(5)如(1)記載的層積體，其中前述阻氣層係於含聚有機矽氧烷系化合物的層中，注入離子而得之層。
(6)如(5)記載的層積體，其中前述離子係由氮、氧、氬、氦所組成族群所選出的至少一種氣體經離子化者。
(7)如(5)記載的層積體，其中前述聚有機矽氧烷系化合物係具有下述所示的(a)或(b)所示的重複單位之聚有機矽氧烷：
式中，Rx、Ry各自獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基的烷基、無取代或具有取代基的烯基、無取代或具有取代基的芳基等之非水解性基。尚且，式(a)的複數之Rx、式(b)的複數之Ry可各自相同或不同。惟，前述式(a)的Rx係不2個皆為氫原子。
依照本發明的第2點，提供(8)～(11)記載的層積體之製造方法。
(8)一種層積體之製造方法，其係具有阻氣層與導電體層的層積體之製造方法，其具有藉由在表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之成形物的前述含聚有機矽氧烷系化合物的層中注入離子而形成前述阻氣層之步驟(I)。
(9)如(8)記載的層積體之製造方法，其中前述步驟(I)係將由氮、氧、氬及氦所組成族群所選出的至少一種之氣體離子化及注入之步驟。
(10)如(8)記載的製造方法，其中前述步驟(I)係電漿離子注入。
(11)如前述(8)記載的製造方法，其中前述步驟(I)係邊在一定方向中搬送表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之長條狀成形物，邊將離子注入前述含聚有機矽氧烷系化合物的層中之步驟。
依照本發明的第3點，提供(12)記載的電子裝置用構造。
(12)一種電子裝置用構造，其係由前述(1)～(7)中任一項記載的層積體所成。
依照本發明的第4點，提供下述(13)記載的電子裝置。
(13)一種電子裝置，其具有前述(12)記載的電子裝置用構造。
本發明的層積體具有優異的阻氣性及層間密接性(阻氣層與導電體層之間的密接性)。
又，本發明的層積件之導電體層具有高的表面平滑性。
依照本發明的製造方法，可高效率地製造本發明的層積體。
本發明的層積體，由於可撓化及輕量化係可能，故可適用作為有機EL等的顯示器、太陽電池等的電子裝置用構造。再者，由於以輥對輥方式來大量製造係可能，故可實現低成本化。本發明的電子裝置用構造，由於係由本發明的層積體所成，而具有優異的阻氣性、層間密接性，故可適用於顯示器、太陽電池等的電子裝置。
以下分項為(1)層積體及其製造方法、(2)電子裝置用構造及(3)電子裝置來詳細說明本發明。
(1)層積體及其製造方法
本發明的層積體係具有由至少含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成的阻氣層與導電體層之層積體，其特徵在於：自前述阻氣層的表面起朝向深度方向，該阻氣層中的氧原子之存在比例係逐漸減少，碳原子的存在比例係逐漸增加。尚且，於「阻氣層的表面」，在阻氣層中亦含有與導電體層等的其它層之界面
(阻氣層)
本發明的層積體之阻氣層(以下亦稱為「A層」)的特徵為由至少含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成，而且自層的表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在比例係逐漸減少，碳原子的存在比例係逐漸增加。
前述至少含有氧原子、碳原子及矽原子的材料，若為至少含有氧原子、碳原子及矽原子的高分子，則沒有特別的限制，從發揮更優異的阻氣性之觀點來看，前述阻氣層的表層部中，相對於氧原子、碳原子及矽原子的存在量全體而言(即以氧原子、碳原子及矽原子的存在量之合計當作100%時)，酸原子的存在比例較佳為10～70%，碳原子的存在比例較佳為10～70%，矽原子的存在比例較佳為5～35%，氧原子的存在比例更佳為15～65%、碳原子的存在比例更佳為15～65%，矽原子的存在比例更佳為10～30%。氧原子、碳原子及矽原子的存在比例之測定係以實施例中所說明的方法來進行。
自表面起朝向深度方向，氧原子的存在比例逐漸減少、碳原子的存在比例逐漸增加的區域，係相當於阻氣層的區域，厚度通常為5～100nm，較佳為10～50nm。作為如此的阻氣層，例如像後述地，可舉出於含聚有機矽氧烷系化合物的層中注入離子而得之層(以下亦稱為「注入層」)，或對含聚有機矽氧烷系化合物的層施予電漿處理而得之層。
又，前述阻氣層在該阻氣層的表層部之X射線光電子分光(XPS)測定中，矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置較佳為102～104eV。
例如，聚二甲基矽氧烷的層在X射線光電子分光(XPS)測定中，相對於矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置係約101.5eV，在此聚二甲基矽氧烷的層中離子注入氬而得之離子注入層(阻氣層)，在表層部的X射線光電子分光(XPS)測定中，矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置係約103eV。此值係與玻璃或二氧化矽膜等習知的具有阻氣性之含矽高分子中所含有的矽原子之2p電子軌域之鍵能的尖峰位置大致相同程度(X射線光電子分光(XPS)測定中矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置，在玻璃的情況約102.5eV，在二氧化矽膜的情況約103eV)。因此，阻氣層的表層部中矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置為102～104eV的本發明之層積體，由於具有與玻璃或二氧化矽膜相同或類似的構造，故推測阻氣性能優異。再者，矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置之測定係以實施例中所說明的方法來進行。
本發明的層積體之阻氣層係形成在厚度為30nm至200μm的含聚有機矽氧烷系化合物的層之表面部上，該阻氣層的深度較佳為5nm至100nm，更佳為30mm至50nm。
又，本發明的層積體係具有阻氣層與導電體層的層積體，前述阻氣層可為藉由在表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之成形物的前述含聚有機矽氧烷系化合物的層中注入離子而形成的步驟(I)所得之層。
藉由在含聚有機矽氧烷系化合物的層中注入離子，可容易形成由至少含有氧原子、碳原子及矽原子的材料所構成，具有自層表面的表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在比例逐漸減少、碳原子的存在比例逐漸增加之構造的阻氣層。
本發明的層積體中所用的聚有機矽氧烷系化合物之主鏈構造係沒有限制，可為直鏈狀、梯狀、籠狀的任一者。
例如，作為前述直鏈狀的主鏈構造，可舉出下述式(a)所示的構造，作為梯狀的主鏈構造，可舉出下述式(b)所示的構造，作為籠狀的主鏈構造，可例示下述式(c)所示的構造。
(式中，Rx、Ry、Rz各自獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基的烷基、無取代或具有取代基的烯基、無取代或具有取代基的芳基等之非水解性基；尚且，式(a)的複數之Rx、式(b)的複數之Ry及式(c)的複數之Rz可各自相同或不同；惟，前述式(a)的Rx係不2個皆為氫原子)。
作為無取代或具有取代基的烷基之烷基，例如可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等之碳數1～10的烷基。
作為烯基，例如可舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等之碳數2～10的烯基。
作為前述烷基及烯基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等之無取代或具有取代基的芳基等。
作為無取代或具有取代基的芳基之芳基，例如可舉出苯基、1-萘基、2-萘基等之碳數6～10的芳基。
作為前述芳基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等之鹵素原子；甲基、乙基等之碳數1～6的烷基；甲氧基、乙氧基等之碳數1～6的烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等之無取代或具有取代基的芳基等。
於此等之中，Rx、Ry、Rz各自獨立地較佳為無取代或具有取代基的碳數1～6之烷基或苯基，特佳為甲基、乙基、丙基、3-環氧丙氧基丙基或苯基。
於本發明中，作為聚有機矽氧烷系化合物，較佳為前述式(a)所示的直鏈狀化合物或前述式(b)所示的梯狀化合物，從取得容易性及可形成具有優異的阻氣性之注入層的觀點來看，特佳為前述式(a)中的2個Rx係甲基或苯基的直鏈狀化合物，前述式(b)中的2個Ry係甲基、丙基、3-環氧丙氧基丙基或苯基的梯狀化合物。
聚有機矽氧烷系化合物係可藉由將具有水解性官能基的矽烷化合物聚縮合的眾所周知之製造方法來獲得。
所用的矽烷化合物，係可按照目的之聚有機矽氧烷系化合物的構造來適宜選擇。作為較佳的具體例，可舉出二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷等的2官能矽烷化合物；甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、正丁基三乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基二乙氧基甲氧基矽烷等的3官能矽烷化合物；四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁氧基矽烷、四第三丁氧基矽烷、四第二丁氧基矽烷、甲氧基三乙氧基矽烷、二甲氧基二乙氧基矽烷、三甲氧基乙氧基矽烷等的4官能矽烷化合物等。
又，聚有機矽氧烷系化合物係可將作為剝離劑、接著劑、密封劑、塗料等而市售的市售品照原樣使用。
含聚有機矽氧烷系化合物的層，係除了聚有機矽氧烷系化合物，亦可含有不阻礙本發明目的之範圍的其它成分。作為其它成分，可舉出硬化劑、其它高分子、防老化劑、光安定劑、難燃劑等。
尚且，含聚有機矽氧烷系化合物的層中之聚有機矽氧烷系化合物的含量，從可形成具有優異的阻氣性之注入層的觀點來看，較佳為50重量%以上，更佳為70重量%以上，特佳為90重量%以上。
作為形成含聚有機矽氧烷系化合物的層之方法，並沒有特別的限制，例如可舉出將含有聚有機矽氧烷系化合物的至少一種、依所欲的其它成分及溶劑等的層形成用溶液塗佈在適當的基材上，使所得之塗膜乾燥，視需要進行加熱等而形成的方法。
所形成之含聚有機矽氧烷系化合物的層之厚度係沒有特別的限制，通常為30nm至200μm，較佳為50nm至100μm。
前述注入層係在含聚有機矽氧烷系化合物的層中注入離子而成者。
離子的注入量係可配合所形成的層積體之使用目的(必要的阻氣性、透明性等)來適宜決定。
作為所注入的離子，可舉出氬、氦、氖、氪、氙等的稀有氣體；碳氟化合物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；金、銀、銅、鉑、鎳、鈀、鉻、鈦、鉬、鈀、鉭、鎢、鋁等的導電性金屬之離子等。
其中，從可更簡便地注入，尤其可得到具有阻氣性與透明性的注入層來看，較佳為由氫、氧、氮、稀有氣體及碳氟化合物所組成族群所選出的至少一種之離子，特佳為氮、氧、氬或氦的離子。
注入離子的方法係沒有特別的限定，例如可舉出在形成含聚有機矽氧烷系化合物的層後，將離子注入含該聚有機矽氧烷系化合物的層中之方法等。
作為離子注入法，可舉出照射經電場所加速的離子(離子束)之方法、將電漿中的離子注入之方法等。特別地，本發明中，從可簡便地得到具有阻氣性的層積體來看，較佳為後者之電漿離子注入方法。
電漿離子注入係可藉由在含有稀有氣體等的電漿生成氣體之環境下使產生電漿，對含聚有機矽氧烷系化合物的層施加負的高電壓脈衝，將該電漿中的離子(陽離子)注入含聚有機矽氧烷系化合物的層之表面部而進行。
離子的注入係可藉由使用X射線光電子分光(XPS)分析，進行阻氣層表層部的元素分析測定來確認。
＜導電體層＞
本發明的層積體更具有導電體層(以下亦稱為「B層」)。
作為構成B層的材料，可舉出金屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物、此等的混合物等。具體地，可舉出摻雜有銻的氧化錫(ATO)；摻雜有氟的氧化錫(FTO)；氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)等的導電性金屬氧化物；金、銀、鉻、鎳等的金屬；此等金屬與導電性金屬氧化物的混合物；碘化銅、硫化銅等的無機導電性物質；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等的有機導電性材料等。B層亦可為由此等材料所成的層以複數層積而成的層積體。
又，B層可為透明或不透明，當B層為透明時，可得到透明性優異的層積體。從透明性之點來看，作為形成B層的材料，較佳為導電性金屬氧化物，特佳為ITO。
作為B層的形成方法，例如可舉出蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等。於此等之中，從可簡便地形成B層來看，本發明中較佳為濺鍍法。
濺鍍法係在真空槽內導入放電氣體(氬等)，在標靶與基板(本發明中為A層)之間施加高頻電壓或直流電壓而將放電氣體電漿化，以該電漿衝撞標靶而使標靶材料飛濺，使附著在基板上而得到薄膜之方法。作為標靶，使用由形成前述B層的材料所成者。
導電體層的厚度係可按照其用途等來適宜選擇。通常為10nm～50μm，較佳為20nm～20μm。
所得之導電體層的表面電阻率通常為1000Ω/□以下。
對所形成之導電體層，視需要亦可進行圖案化。作為圖案化的方法，可舉出微影術等的化學蝕刻、用雷射等的物理蝕刻等、用光罩的真空蒸鍍法或濺鍍法、掀離(lift-off)法、印刷法等。
(層積體)
本發明的層積體係具有前述A層與B層者，可僅由A層、B層所構成者，也可含有其它層。其它層可為單層，也可為同種或異種的2層以上。
作為其它層，可舉出基材層或無機化合物層等。
本發明的層積體，從製造容易性、操作容易性等來看，較佳為含有基材層。
作為構成基材層的材料，可舉出與形成前述含高分子化合物的層時所用的基材之材料所例示者同樣者。當本發明的層積體含有基材層時，藉由在基材上設置A層，由於隔著表面平滑性比基材層表面優異的A層來形成B層，故提高B層表面的平滑性。
本發明的層積體亦可更含有無機化合物層。
無機化合物層係由無機化合物的一種或二種以上所成的層，具有阻氣性。
作為構成無機化合物層的無機化合物，可舉出一般可真空成膜且具有阻氣性者，例如氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化銦、氧化鈣、氧化鋯、氧化鈦、氧化硼、氧化鉿、氧化鋇等的無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氮化鎂等的無機氮化物；碳化矽等的無機碳化物；無機硫化物；此等的複合體等。作為此等的複合體，可舉出無機氧化氮化物、無機氧化碳化物、無機氮化碳化物、無機氧化氮化碳化物等。
於本發明的此等之中，較佳為無機氧化物、無機氮化物、無機氧化氮化物、無機氮化碳化物、無機氧化氮化碳化物，更佳為無機氮化物。
作為無機氮化物，可舉出通式：MNy所示的金屬氮化物。式中，M表示金屬元素，y係0.1～1.3的範圍之值。
於此等之中，從透明性等優異來看，M較佳為矽(Si)、鋁(Al)、鈦(Ti)、錫(Sn)的氮化物，M更佳為矽的氮化物。再者，作為y的值，若M為矽(Si)的話y=0.1～1.3，若為鋁(Al)的話y=0.1～1.1，若為鈦(Ti)的話y=0.1～1.3，若為錫(Sn)的話y=0.1～1.3之範圍為佳。
無機化合物層的形成方法係沒有特別的限制，例如可舉出蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、熱CVD法、電漿CVD法等，較佳為濺鍍法，更佳為磁控濺鍍法。
無機化合物層的厚度通常為10nm～1000nm，較佳為20～500mm，更佳為20～100nm的範圍。
本發明的層積體較佳為前述A層與B層直接層積而成的層積體。此處的「直接層積」係意味A層的表面側與B層不經由其它層而直接層積。前述A層與B層所直接層積而成的層積體係阻氣性及層間密接性優異。
又，當本發明的層積體具有無機化合物層時，無機化合物層的配置位置係沒有特別的限定，從得到具有優異的密接性與阻氣性之層積體的觀點來看，較佳為設在A層與B層之間。
圖1中顯示本發明的層積體之較佳層構成之例。惟，本發明的層積體不受此等所限定。
圖1中，S表示基材層，A1、A2分別表示A層，B1、B2分別表示B層，C表示無機化合物層。
圖1(a)表示由A層-B層所成的2層之層積體，圖1(b)表示由基材層-A層-B層所成的3層之層積體，圖1(c)表示由A層-基材層-A層-B層所成的4層之層積體，圖1(d)表示由B層-A層-基材層-A層-B層所成的5層之層積體，圖1(e)表示由基材層-A層-無機化合物層-B層所成的4層之層積體，圖1(f)表示由A層-基材層-A層-無機化合物層-B層所成的5層之層積體。
本發明的層積體之全體厚度係沒有特別的限制，可按照目的之電子裝置的用途來適宜決定。
＜層積體的製造＞
本發明的層積體之製造方法係沒有特別的限定。例如可舉出在基材上形成A層，於其上形成B層之方法等。依照此方法，可連續地製造長條的薄膜狀層積體而較佳。
例如，A層為由含有聚有機矽氧烷系化合物的層所得之阻氣層的層積體係可如以下地製造。
首先，於作為基材層的長條狀基材薄膜之一面側，形成含有聚有機矽氧烷系化合物的層。例如，可藉由邊在一定方向中搬送長條狀基材薄膜，邊在該基材薄膜的一面上，以塗佈裝置來塗佈含有聚有機矽氧烷系化合物的至少一種、依所欲的其它成分及溶劑之層形成用溶液，將所得之塗膜乾燥，視需要進行加熱等而形成。作為塗佈裝置，可使用刀塗機、凹槽輥塗佈機等眾所周知的裝置。
其次，對該高分子層，使用前述(ν)的電漿離子注入裝置，進行電漿離子注入。
圖2係顯示包括前述電漿離子注入裝置的連續電漿離子注入裝置之概要的圖。
圖2(a)中，11a係室，20a係渦輪分子泵，3a係送出離子注入前的薄膜1a之捲出輥，5a係將經離子注入的層積薄膜1b捲繞成輥狀的捲取輥，2a係高電壓施加旋轉罐(can)，10a係氣體導入口，7係高電壓脈衝電源，4係電漿放電用電極(外部電場)。圖2(b)係前述高電壓施加旋轉罐2a的斜視圖，15係高電壓導入端子(饋通)。
於圖2所示的連續電漿離子注入裝置中，薄膜1a係在室11a內，由捲出輥3a往圖2中箭號X方向搬送，通過高電壓施加旋轉罐2a，捲繞在捲取輥5a上。薄膜1a的捲繞方法或搬送薄膜1a的方法等係沒有特別的限制，於本實施形態中，藉由以一定速度使電壓施加旋轉罐2a旋轉，以進行薄膜1a的搬送。又，高電壓施加旋轉罐2a的旋轉係藉由馬達使高電壓導入端子15的中心軸13旋轉而進行。
高電壓導入端子15及薄膜1a所接觸的複數之送出用輥6a等係由絕緣體所構成，例如氧化鋁的表面經聚四氟乙烯等的樹脂所被覆而形成。又，高電壓施加旋轉罐2a係由導體所構成，例如可由不銹鋼等所形成。
薄膜1a的搬送速度係可適宜設定。在由捲出輥3a搬送出薄膜1a到捲繞在捲取輥5a上為止之間，於薄膜1a的表面部進行離子注入，速度只要是能確保形成所欲之離子注入層的時間，則沒有特別的限制。薄膜1b的捲繞速度(線速度)亦取決於外加電壓、裝置規模等，通常為0.1～2m/min，較佳為0.2～0.7m/min。
首先，藉由連接於旋轉泵的渦輪分子泵20a，將室11a內排氣、減壓。減壓度通常為1×10-4 Pa～1Pa，較佳為1×10-3 Pa～1×10-2 Pa。
其次，經由氣體導入口10a在室11a內導入離子注入用的氣體(以下亦稱為「離子導入用氣體」)，而使室11a內成為減壓離子注入用氣體環境。再者，離子注入用氣體亦為電漿生成氣體。
接著，藉由電漿放電用電極4(外部電場)使產生電漿。作為使產生電漿的方法，可舉出藉由微波或RF等的高頻電力源等之眾所周知的方法。
另一方面，經由高電壓導入端子15，由連接於高電壓施加旋轉罐2a的高電壓脈衝電源7來施加負的高電壓脈衝9。若對高電壓施加旋轉罐2a施加負的高電壓脈衝，則誘發電漿中的離子，注入高電壓施加旋轉罐2a的周圍之薄膜1a的表面(圖2(a)中箭號Y)。結果，得到在基材層上形成有A層的層積薄膜1b。
接著，在所得之層積薄膜1b的A層(形成有離子注入層的面)上，藉由濺鍍來形成B層。
B層例如可使用圖3所示的連續濺鍍裝置來形成。
於圖3所示的連續濺鍍裝置中，11b係室，20b係渦輪分子泵，3b係送出層積薄膜1b的捲出輥，5b係將形成有B層的薄膜1c捲繞成輥狀的捲取輥，6b係送出用輥，10b係氣體導入口。2b係旋轉罐，8係濺鍍標靶。
層積薄膜1b係藉由使旋轉罐2b旋轉，而由捲出輥3b往圖3中箭號X方向搬送，捲繞在捲取輥5b上。
首先，與圖2中所示的電漿離子注入裝置同樣地，在室11b內設置薄膜1b，以便在A層上形成B層，藉由連接於旋轉泵的渦輪分子泵20b，將室11b內排氣、減壓。
對該處，藉由氣體導入口10b在室11b內，例如一邊導入氬及氧氣，一邊對標靶施加高頻電力而使電漿放電。如此的話，氬及氧氣進行離子化，而衝撞標靶。藉由該衝擊，構成標靶的ITO等係當作濺射粒子而飛出，堆積在層積薄膜1b的A層之表面上。
如以上地，可得到在層積薄膜1b的A層上形成有B層的層積薄膜1c(本發明的層積體)。
又，在A層上具有無機化合物層且再於其上具有B層的層積體，係可藉由在與上述同樣地得到之層積薄膜1b的A層(形成有離子注入層的面)上，例如使用磁控濺鍍裝置來形成無機化合物層後，在所形成的無機化合物層上，與前述同樣地形成B層而獲得。
於此情況下，當層積薄膜1b亦為長條時，可邊在一定方向中搬送該層積薄膜1b，邊使用磁控濺鍍裝置來連續地形成無機化合物層，再邊在一定方向中搬送附有無機化合物層的層積薄膜，邊在該無機化合物層的表面上，與前述同樣地連續形成B層。
依照如此的本發明之層構件的製造方法，可容易製造前述(1)～(7)的層積體。
如以上所得之本發明的層積體，係具有優異的阻氣性及密接性。本發明的層積體具有優異的阻氣性，此可由本發明的層積體之水蒸氣等氣體的透過率小來確認。本發明的層積體之水蒸氣透過率較佳為1.0g/(m2 ‧day)以下，更佳為0.6g/(m2 ‧day)以下，特佳為0.1g/(m2 ‧day)以下。層積體的水蒸氣等之透過率，係可使用眾所周知的氣體透過率測定裝置來測定。
本發明的層積體係層間密接性優異，此例如可黏貼依照JIS-H8504的黏著性膠帶，進行拉剝試驗，由其評價為良好來確認。
本發明的層積體之導電體層係表面平滑性優異。本發明的層積體之導電體層的表面粗糙度(Ra)通常為2.0mm以下，較佳為1.5nm以下，更佳為0.5nm以下。導電體層的表面粗糙度係可使用原子力顯微鏡(AFM)來測定。
(2)電子裝置用構造及電子裝置
本發明的電子裝置用構造之特徵為由本發明的層積體所構成。因此，本發明的電子裝置用構造具有導電性，具有優異的阻氣性及層間密接性，為可撓性，而且由於可成為具有透明性的構件及輕量化，故適合作為液晶顯示器、EL顯示器等的顯示器或太陽電池等的構件，例如電極基板。
本發明的電子裝置包括本發明的電子裝置用構造。具體例可舉出液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽電池等。
本發明的電子裝置，由於包括由本發明的層積體所成的電子裝置用構造，故具有優異的阻氣性。
【實施例】
以下，舉出實施例來更詳細說明本發明，惟本發明完全不受以下的實施例所限定。
所用的電漿離子注入裝置、X射線光電子分光測定裝置(XPS)及測定條件、導電體層的表面粗糙度(Ra)之測定方法、用於測定成型體的水蒸氣透過率之水蒸氣透過率測定裝置與測定條件、導電體層的表面電阻率之測定裝置、可見光透過率測定裝置及密接性試驗的方法係如以下。尚且，所用的電漿離子注入裝置係使用外部電場進行離子注入的裝置。
(電漿離子注入裝置)
RF電源：型號「RF56000」，日本電子公司製
高電壓脈衝電源：「PV-3-HSHV-0835」，栗田製作所公司製
(X射線光電子分光測定裝置)
測定裝置：「PHI Quantera SXM」Ulvac-Phi公司製
X射線光束直徑：100μm
電力值：25W
電壓：15Kv
取出角度：45°
於此測定條件下進行下述的測定。
氧原子、碳原子及矽原子的存在比例，及矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置之測定
測定實施例15所得的成形體之電漿離子注入面及比較例1的成形體之含聚二甲基矽氧烷的層之表面的氧原子、碳原子及矽原子之存在比例以及矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置。然後，對於各自的成形體，自電漿離子注入面(實施例1～15)、含聚二甲基矽氧烷的層之表面(比較例1)朝向深度方向，使用氬氣進行濺鍍，藉由重複測定經濺鍍所露出的表面中之存在比例的操作，以測定深度方向的原子之存在比例及矽原子的2p電子軌域之鍵量的尖峰位置。
於上述測定中，氬氣的濺鍍之施加電壓為-4Kv，1次的濺鍍時間為12秒，濺鍍速率在實施例1～6、實施例11～15及比較例1中係100nm/分鐘，在實施例7、8中係70nm/分鐘，在實施例9、10中係30nm/分鐘。
(導電體層的表面粗糙度之測定)
導電體層的表面粗糙度係使用原子力顯微鏡(AFM)(SII奈米科技公司製「SPA300HV」)來測定。
(密接性試驗)
黏貼依照JIS-H8504的黏著性膠帶，進行拉剝十字切割試驗。試驗係預先在B層中導入切槽，以完成1邊2mm的正方形，目視觀察B層的形狀，以6個等級進行評價。評價係依照JIS K5600-5-6的分類(表1試驗結果的分類)。
(水蒸氣透過率的測定)
水蒸氣透過率係使用透過率測定器(LYSSY公司製「L80-5000」)，於相對濕度90%、40℃的測定條件下進行測定。
(導電體層的表面電阻率之測定)
導電體層的表面電阻率係使用表面電阻率測定裝置(三菱化學公司製「Loresta GP」)來進行。
(可見光透過率的測定)
可見光線透過率(全光線透過率)係使用可見光透過率測定裝置(日本電色工業公司製「Hazemeter NDH2000」)來測定。再者，對成形體的光線入射面，係在實施例1～15的成形體中當作注入面，在比較例1的成形體中當作具有含聚二甲基矽氧烷的層之面。
(實施例1)
於當作基材的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(「PET38T-300」,東麗公司製，厚度38μm)(以下稱為「PET薄膜」)上，使用美亞桿，塗佈當作聚有機矽氧烷系化合物的以聚二甲基矽氧烷當作主成分之聚矽氧樹脂(A)(聚矽氧剝離劑「KS835」,信越化學工業公司製)，在120℃加熱2分鐘，形成厚度100nm之含聚矽氧剝離劑A的層，而得到成形物。接著，使用圖2所示的電漿離子注入裝置，在含聚二甲基矽氧烷的層之表面，電漿離子注入氮，以製作成形體1。
以下顯示電漿離子注入的條件。
‧電漿生成氣體：N2
‧負載(Duty)比：0.5%
‧重複頻率：1000Hz
‧外加電壓：-10kV
‧RF電源：頻率13.56MHz，外加電力1000W
‧室內壓：0.2Pa
‧脈衝寬：5μ sec
‧處理時間(離子注入時間)：5分鐘
‧搬送速度：0.4m/min
其次，在成形體1的經離子注入之聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氮離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體1。
以下顯示濺鍍的條件。
‧電漿生成氣體：氬、氧
‧氣體流量：氬100sccm，氧5sccm
‧電力值：1500W
‧室內壓：0.2Pa
‧線速度：0.2m/min
‧濺鍍標靶：ITO
(實施例2)
除了使用氬(Ar)當作電漿生成氣體以外，與實施例1同樣地製作成形體2。
其次，與實施例1同樣地，在成形體2之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET 薄膜)-A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體2。
(實施例3)
除了使用氦(He)當作電漿生成氣體以外，與實施例1同樣地製作成形體3。
其次，與實施例1同樣地，在成形體3之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氦離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體3。
(實施例4)
除了使用氧(O2 )當作電漿生成氣體以外，與實施例1同樣地製作成形體4。
其次，與實施例1同樣地，在成形體4之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氧離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體4。
(實施例5)
於與實施例1所用者相同的PET薄膜上，使用美亞桿，塗佈以具有聚二甲基矽氧烷的甲基之一部分被取代成苯基的構造之聚有機矽氧烷系化合物當作主成分的聚矽氧樹脂(B)(商品名「X62-9201B」，信越化學公司製)，在120℃加熱2分鐘，形成厚度100nm的具有苯基之含聚有機矽氧烷的層，而得到成形物。接著，於含聚矽氧樹脂(B)的層之表面上，與實施例1同樣地，電漿離子注入氮，而得到成形體5。
其次，與實施例1同樣地，在成形體5之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氮離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體5。
(實施例6)
除了使用氬(Ar)當作電漿生成氣體以外，與實施例5同樣地製作成形體6。
其次，與實施例1同樣地，在成形體6之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體6。
(實施例7)
混合3.29克(20mmol)正丙基三甲氧基矽烷(東京化成工業公司製)、4.73克(20mmol)3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(東京化成工業公司製)、20ml的甲苯、10ml的蒸餾水及0.10克(1mmol)磷酸(關東化學公司製)，在室溫使反應24小時。反應結束後，於反應混合物中添加飽和碳酸氫鈉水溶液，於其中添加100ml的醋酸乙酯，進行分液，分離取得有機層。以蒸餾水來洗淨有機層2次後，用無水硫酸鎂進行乾燥，過濾分離硫酸鎂。將所得之濾液滴下到大量的正己烷中以使沈澱。藉由傾析來分離正己烷後，使沈澱物溶解在四氫呋喃(THF)中，進行回收。由沈澱物的THF溶液中，使用蒸發器來減壓餾去THF，對殘留物進行真空乾燥，而得到具有梯狀構造的聚倍半矽氧烷(聚有機矽氧烷系化合物)。此物的重量平均分子量為2,000。
其次，使所得之聚倍半矽氧烷溶解在甲苯中，使用美亞桿，將所得之溶液(固體成分濃度2質量%)塗佈在與實施例1所用者相同的PET薄膜上，在125℃加熱6小時以使硬化，而得到具有厚度100nm的聚倍半矽氧烷之層之成形物。於硬化後的倍半矽氧烷之層的表面，使用電漿離子注入裝置，與實施例1同樣地，電漿離子注入氮，以製作成形體7。尚且，重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析法(GPC)所測定的聚苯乙烯換算值。再者，電漿離子注入前的成形物之水蒸氣透過率為12.1(g/(m2 ‧day))，全光線透過率為89.10%。
接著，與實施例1同樣地，在成形體7之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氮離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體7。
(實施例8)
除了使用氬(Ar)當作電漿生成氣體以外，與實施例7同樣地製作成形體8。
其次，與實施例1同樣地，在成形體8之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體8。
(實施例9)
混合7.94克(40mmol)苯基三甲氧基矽氧烷(東京化成工業公司製)、20ml的甲苯、10ml的蒸餾水及0.10克(1mmol)磷酸(關東化學公司製)，在室溫使反應24小時。反應結束後，於反應混合物中添加飽和碳酸氫鈉水溶液，於其中添加100ml的醋酸乙酯，進行分液，分離取得有機層。以蒸餾水來洗淨有機層2次後，用無水硫酸鎂進行乾燥，過濾分離硫酸鎂。將所得之濾液滴下到大量的正己烷中以使沈澱。藉由傾析來分離正己烷後，使沈澱物溶解在THF中，進行回收。藉由蒸發器來減壓餾去THF，進行真空乾燥，而得到具有梯狀構造的聚倍半矽氧烷(聚有機矽氧烷系化合物)。此物的重量平均分子量為1,600。接著，使用美亞桿，將所得之聚倍半矽氧烷溶解在甲苯中的溶液(固體成分濃度2質量%)塗佈在與實施例1所用者相同的PET薄膜上，在125℃加熱6小時以使硬化，而得到具有厚度100nm的聚倍半矽氧烷之層的成形物。於硬化後的聚倍半矽氧烷之層的表面，使用電漿離子注入裝置，與實施例1同樣地，電漿離子注入氮，以製作成形體9。尚且，電漿離子注入前的成形物之水蒸氣透過率為11.7(g/(m2 ‧day))，全光線透過率為86.05%。
其次，與實施例1同樣地，在成形體9之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氮離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體9。
(實施例10)
除了使用氬(Ar)當作電漿生成氣體以外，與實施例9同樣地製作成形體10。
其次，與實施例1同樣地，在成形體10之經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體10。
(實施例11)
於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱樹脂公司製,「PET38T-300」,厚度38μm)(以下稱為「PET薄膜」)上，塗佈聚有機矽氧烷系化合物(信越化學工業公司製，以聚二甲基矽氧烷當作主成分的聚矽氧樹脂,「KS835」)，將所得之塗膜在120℃加熱2分鐘，而在PET薄膜上形成含有厚度100nm的聚二甲基矽氧烷之層(以下稱為「聚有機矽氧烷系化合物層」)。接著，使用電漿離子注入裝置，於聚有機矽氧烷系化合物層的表面，離子注入氬。
以下顯示離子注入的條件。
‧電漿生成氣體：氬
‧負載(Duty)比：1%
‧重複頻率：1000Hz
‧外加電壓：-10kV
‧RF電源：頻率13.56MHz，外加電力1000W
‧室內壓：0.2Pa
‧脈衝寬：5μ sec
‧處理時間：5分鐘
‧速度：0.2m/分鐘
其次，在經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，與實地例1同樣地，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體11。
以下顯示濺鍍的條件。
‧電漿生成氣體：氬、氧
‧氣體流量；氬100sccm，氧5sccm
‧電力值；1500W
‧室內壓：0.2Pa
‧線速度：0.2m/min
‧濺鍍標靶：ITO
(實施例12)
除了以實施例11中，將離子注入所用的電漿生成氣體由氬氣改變成氮氣以外，與實施例11同樣地，製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氮離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)之層構成的層積體12。
(實施例13)
於實施例11所製作的層積體11之PET薄膜的不形成聚有機矽氧烷系化合物層之面側，與實施例11同樣地形成聚有機矽氧烷系化合物層，對該聚有機矽氧烷系化合物層進行離子注入，以製作A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-基材層(PET薄膜)-A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(ITO膜)的層構成之層積體13。
(實施例14)
除了於實施例11中，濺鍍標靶為鋁，濺鍍中的電漿生成氣體為氬(100sccm)以外，進行與實施例11同樣的操作，代替ITO膜，形成厚度50nm的鋁膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氬電漿離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層)-B層(鋁膜)的層構成之層積體14。
(實施例15)
與實施例11同樣地，在PET薄膜上形成聚有機矽氧烷系化合物層，離子注入氬。於經離子注入的聚有機矽氧烷系化合物層上，藉由磁控濺鍍法，形成當作無機化合物層的厚度50nm之氮化矽膜。以下顯示濺鍍的條件。
‧電漿生成氣體：氬、氮
‧氣體流量：氬100sccm，氮60sccm
‧電力值：2500W
‧室內壓：0.2Pa
‧線速度：0.2m/min
‧濺鍍標靶：Si
其次，於所形成的氮化矽膜表面上，與實施例11同樣地，藉由磁控濺鍍法，形成厚度50nm的ITO層，以製作具有基材層(PET薄膜)-A層(經氬離子注入的聚有機矽氧烷層)-無機化合物層-B層(ITO膜)的層構成之層積體15。
(比較例1)
除了不進行離子注入以外，與實施例1同樣地製作成形體。即，在PET薄膜上形成含聚二甲基矽氧烷的層，而成為成形體16。藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-含聚二甲基矽氧烷的層-B層(ITO膜)的層構成之層積體16。
(比較例2)
於實施例11所用的PET薄膜上，藉由磁控濺鍍法，形成當作導電體層的厚度50nm之ITO膜，以製作具有基材層(PET薄膜)-B層(ITO膜)的層構成之層積體17。濺鍍的條件係與實施例11同樣。
(比較例3)
除了於實施例11中，在PET薄膜上，不形成聚有機矽氧烷系化合物層，而藉由磁控濺鍍法形成厚度50nm的氮化矽膜以外，進行與實施例11同樣的操作，以製作具有基材(PET薄膜)-無機化合物層(氮化矽膜)-B層(ITO膜)的層構成之層積體18。以下顯示氮化矽膜形成中的濺鍍條件。
‧電漿生成氣體：氬、氮
‧氣體流量：氬100sccm，氮60sccm
‧電力值：2500W
‧室內壓：0.2Pa
‧線速度：0.2m/min
‧濺鍍標靶：Si
圖4～14中顯示由實施例1～10及比較例1之成形體1～10、16的XPS的元素分析測定所得之氧原子、碳原子及矽原子的存在比例之分析結果。
圖4～14中，縱軸表示當氧原子、碳原子及矽原子的存在量之合計為100時的原子之存在比例(%)，橫軸表示濺鍍的累計時間(Sputter Time,分鐘)。由於濺鍍的速度係固定，故濺鍍的累計時間(Sputter Time)係對應於深度。圖4～14中，a係碳原子的存在比例，b係氧原子的存在比例，c係矽原子的存在比例。
如圖4～13所示地，在成形體1～10中，確認具有自表面起朝向深度方向，氧原子的存在比例逐漸減少、碳原子的存在比例逐漸增加的區域(阻氣層)。另一方面，如圖14所示地，於比較例1的成形體1中，如上述的區域係不存在。
又，雖然圖中沒有顯示，但是在成形體11～15中，亦與成形體1～10同樣地，確認自表面起朝向深度方向，氧原子的存在比例逐漸減少、碳原子存在比例逐漸增加的區域(阻氣層)係存在。
表1中顯示測定實施例1～10的成形體之阻氣層(自表面起朝向深度方向，層中的氧原子之存在逐漸減少、碳原子的存在比例逐漸增加的區域)表層部中的氧原子、碳原子及矽原子之存在比例，以及矽原子的2p電子軌域之鍵量的尖峰位置之結果。
再者，實施例1～10的成形體之阻氣層的經電漿離子注入面係表面，經電漿離子注入的面之以前述方法的測定值，係阻氣層表層部的氧原子、碳原子及矽原子之存在比例，以及矽原子的2p電子軌域之鍵量的尖峰位置。
又，原子的存在比例，係以測定所得的氧原子、碳原子及矽原子之尖峰面積的合計值為100%，由各原子的尖峰面積所算出的值。
根據表1，成形體1～10的阻氣層表面之矽原子的2p電子軌域之鍵能的尖峰位置係102.9eV～103.3eV。
又，圖15中顯示對於實施例2所製作的成形體2，藉由XPS分析，測定矽原子的2p電子軌域之鍵能的結果。圖15中，縱軸表示尖峰強度，橫軸表示鍵能(eV)。根據圖15，成形體2的矽原子之2p電子軌域的鍵能(B)之尖峰位置係103.3eV。此成形體2的矽原子之2p電子軌域的鍵能之尖峰位置，在離子注入前(A,相當於比較例1)係101.5eV，在離子注入後確認係位移到103.3eV的高能量側。
其次，對於實施例1～15及比較例1～3所得之層積體1～18，測定表面粗糙度Ra(nm)、水蒸氣透過率、表面電阻率、可見光透過率，而且進行密接性試驗。下述表2中顯示測定結果及評價結果。
根據表1，實施例1~15的層積體係阻氣性優異(水蒸氣透過率的值小)，而且透明性(層積體14除外)優異。又，實施例1~15的層積體之導電體層係表面平滑，導電性亦優異。
1‧‧‧薄膜狀層積體
2a、2b‧‧‧旋轉罐
3a、3b‧‧‧捲出輥
4‧‧‧電漿放電用電極
5a、5b‧‧‧捲取輥
6a、6b‧‧‧送出用輥
7‧‧‧脈衝電源
8‧‧‧標靶
9‧‧‧高電壓脈衝
10a、10b‧‧‧氣體導入口
11a、11b‧‧‧室
圖1(a)~(f)係顯示本發明的層積體之層積構造的圖。
圖2(a)、(b)係顯示本發明中所使用的電漿離子注入裝置之概略構成的圖。
圖3係顯示本發明中所使用的濺鍍裝置之概略構成的圖。
圖4係表示實施例1的成形體1之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖5係表示實施例2的成形體2之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖6係表示實施例3的成形體3之阻氣層中，氧原子 、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖7係表示實施例4的成形體4之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖8係表示實施例5的成形體5之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖9係表示實施例6的成形體6之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖10係表示實施例7的成形體7之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖11係表示實施例8的成形體8之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖12係表示實施例9的成形體9之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖13係表示實施例10的成形體10之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖14係表示比較例1的成形體16之阻氣層中，氧原子、碳原子及矽原子的存在比例(%)之圖。
圖15係表示實施例2的成形體2之阻氣層的XPS分析中，矽原子的2p電子軌域之鍵能分布的圖。

Claims (7)

  1. 一種層積體之製造方法，係具有阻氣層與導電體層的層積體之製造方法，其具有藉由在表面部具有含聚有機矽氧烷系化合物的層之成形物的前述含聚有機矽氧烷系化合物的層中注入離子而形成前述阻氣層之步驟(I)，其中前述聚有機矽氧烷系化合物係具有下述所示的(a)或(b)所示的重複單位之聚有機矽氧烷： 式中，Rx、Ry各自獨立地表示氫原子、無取代或具有取代基的烷基、無取代或具有取代基的烯基、無取代或具有取代基的芳基等之非水解性基；且，式(a)的複數之Rx、式(b)的複數之Ry可各自相同或不同；惟，前述式(a)的Rx不同時為氫原子。
  2. 如申請專利範圍第1項之層積體之製造方法，其中前述導電體層的表面粗糙度(Ra)為2.0nm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之層積體之製造方法，其中 前述步驟(I)係將由氮、氧、氬及氦所組成族群所選出的至少一種之氣體離子化及注入之步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項之層積體之製造方法，其中前述步驟(I)係電漿離子注入。
  5. 如申請專利範圍第1項之層積體之製造方法，其中前述步驟(I)係邊在一定方向中搬送表面部具有含前述聚有機矽氧烷系化合物的層之長條狀成形物，邊將離子注入前述含聚有機矽氧烷系化合物的層中之步驟。
  6. 一種電子裝置用構造，係由申請專利範圍第1至5項中任一項之層積體之製造方法而得之層積體所形成。
  7. 一種電子裝置，包括申請專利範圍第6項之電子裝置用構造。
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