CN102317070B - 叠层体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明叠层体及其制造方法，包含上述叠层体的电子设备构件以及具有该电子设备构件的电子设备，所述叠层体是具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层、和导电体层的叠层体，其特征在于，从上述阻气层的表面向深度方向，该阻气层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。根据本发明，可以提供具有优异的阻气性和层间密合性、且具有表面平滑性高的导电体层的叠层体。本发明的叠层体可以挠性化和轻量化，因此可适合作为有机EL等的显示器、太阳能电池等的电子设备用构件来使用。进一步地，由于可以用辊对辊（roll？to？roll）的方式大量制造，因此能够实现低成本化。

Description

叠层体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备
技术领域
本发明涉及具有优异的阻气性、且层间密合性优异的具有阻气层和导电体层的叠层体及其制造方法，包含该叠层体的电子设备用构件以及具有该电子设备用构件的电子设备。
背景技术
近年来，在液晶显示器、电致发光(EL)显示器等显示器中，为了实现薄型化、轻量化、挠性化等，人们对使用透明塑料膜代替玻璃板来作为具有电极的基板进行了研究。
但是，塑料膜与玻璃板相比易于透过水蒸气或氧等，故存在容易引起显示器内部元件劣化和表面平滑性低的问题。
为了解决该问题，专利文献1、2等中提出了在塑料基材上叠层表面平滑层和无机屏障层、并在最外层形成了导电性电极层的导电性电极基材。
但是，这些文献中记载的导电性电极基材的阻气性能不能说是足够满意的，要求进一步的改良。另外，由于表面平滑层与无机屏障层、这些层与电极（导电性电极层）的密合性缺乏，因此有时必须设置用于在各层间提高密合性的功能性薄膜，制造工序繁琐，且存在与薄膜化、轻量化、挠性化相悖的问题。
与本发明相关，专利文献3中记载了透明导电性阻气膜，其是在塑料膜的一面上、在通过使用稀有气体、氢、氮、氨气中的至少一种气体作为等离子体源的等离子体离子法形成的离子注入层上，形成阻气层和透明电极层而成的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-154596号公报
专利文献2:日本特开2006-264118号公报
专利文献3:日本特开2008-270115号公报。
发明内容
本发明是鉴于上述现有技术而作出的发明，其目的在于提供具有优异的阻气性、且层间密合性优异的具有阻气层和导电体层的叠层体及其制造方法，包含上述叠层体的电子设备用构件以及具有该电子设备用构件的电子设备。
本发明人等为了解决上述课题，进行了努力研究，结果发现，具有下述层(阻气层)和导电体层的叠层体具有优异的阻气性和层间密合性，所述层(阻气层)由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，其从表面向深度方向，氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。
另外，本发明人等还发现，通过对在表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的成形物的上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部注入离子，可以简便且高效地形成上述阻气层，基于这些发现，从而完成了本发明。
如此，根据第一本发明，可以提供下述(1)～(7)的叠层体。
(1)叠层体，其是具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层、和导电体层的叠层体，其特征在于，从上述阻气层的表面向深度方向，该阻气层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。
(2)（1）所述的叠层体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、碳原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为10～70%，碳原子的存在比例为10～70%，硅原子的存在比例为5～35%。
(3)（1）所述的叠层体，其特征在于，上述阻气层在该阻气层的表层部的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置为102～104eV。
(4)（1）所述的叠层体，其中，进一步具有无机化合物层。
(5)（1）所述的叠层体，其特征在于，上述阻气层是在含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子而得到的层。
(6)（5）所述的叠层体，其特征在于，上述离子是将选自氮、氧、氩、氦中的至少一种气体离子化而得的。
(7)（5）所述的叠层体，其特征在于，上述聚有机硅氧烷系化合物是具有用下述所示(a)或(b)表示的重复单元的聚有机硅氧烷，
[化1]
[化2]
式中，Rx、Ry分别独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基团，并且，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry可分别相同或不同，其中，上述式(a)的Rx不能2个都为氢原子。
根据第二本发明，可以提供(8)～(11)所述的叠层体的制造方法。
(8)叠层体的制造方法，其是具有阻气层和导电体层的叠层体的制造方法，其中，具有在表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的成形物的、上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子来形成上述阻气层的工序（I）。
(9)（8）所述的叠层体的制造方法，其特征在于，上述工序（I）是将选自氮、氧、氩和氦中的至少一种气体离子化而注入的工序。
(10)（8）所述的制造方法，其特征在于，上述工序（I）是等离子体离子注入。
(11)（8）所述的制造方法，其特征在于，上述工序（I）是一边将表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的长尺状的成形物沿一定方向输送，一边在上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子的工序。
根据第三本发明，可以提供下述(12)所述的电子设备用构件。
(12)电子设备用构件，其包含上述（1）～（7）中任一项所述的叠层体。
根据第四本发明，可以提供下述(13)所述的电子设备。
(13)电子设备，其具有上述（12）所述的电子设备用构件。
本发明的叠层体具有优异的阻气性和层间密合性（阻气层和导电体层之间的密合性）。
另外，本发明的叠层体的导电体层具有高的表面平滑性。
根据本发明的制造方法，可以高效地制造本发明的叠层体。
本发明的叠层体可以挠性化和轻量化，因此可适合作为有机EL等显示器、太阳能电池等电子设备用构件来使用。进一步地，由于可以用辊对辊（rolltoroll）的方式大量制造，因此可以实现低成本化。
本发明的电子设备用构件由于包含本发明的叠层体，因此具有优异的阻气性、层间密合性等，因此可以适用于太阳能电池等电子设备中。
附图说明
[图1]是表示本发明叠层体的叠层结构的图。
[图2]是表示本发明中使用的等离子体离子注入装置的概略构成的图。
[图3]是表示本发明中使用的溅射装置的概略构成的图。
[图4]是表示实施例1的成形体1的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图5]是表示实施例2的成形体2的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图6]是表示实施例3的成形体3的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图7]是表示实施例4的成形体4的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图8]是表示实施例5的成形体5的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图9]是表示实施例6的成形体6的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图10]是表示实施例7的成形体7的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图11]是表示实施例8的成形体8的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图12]是表示实施例9的成形体9的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图13]是表示实施例10的成形体10的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图14]是表示比较例1的成形体16的阻气层中的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例(%)的图。
[图15]是表示实施例2的成形体2的阻气层的XPS分析中的硅原子的2p电子轨道结合能分布的图。
具体实施方式
以下，将本发明分为1)叠层体和其制造方法、以及2)电子设备用构件和3）电子设备来详细地说明。
1)叠层体和其制造方法
本发明的叠层体具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层、和导电体层，其特征在于，从上述阻气层的表面向深度方向，该阻气层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。应予说明，“阻气层的表面”还含有阻气层中、与导电体层等其它层的界面。
(阻气层)
本发明叠层体的阻气层(以下有时称作为“A层”)的特征在于，其由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，且从层的表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。
上述至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料只要是至少含有氧原子、碳原子和硅原子的高分子，则没有特别地限定，从发挥更优异的阻气性的角度考虑，优选相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、碳原子和硅原子的存在总量(即，以氧原子、碳原子和硅原子的合计存在量为100%时的)氧原子的存在比例为10～70%，碳原子的存在比例为10～70%，硅原子的存在比例为5～35%，更优选氧原子的存在比例为15～65%，碳原子的存在比例为15～65%，硅原子的存在比例为10～30%。氧原子、碳原子和硅原子的存在比例的测定利用实施例中说明的方法进行。
从表面向深度方向、氧原子的存在比例逐渐减少、碳原子的存在比例逐渐增加的区域是相当于阻气层的区域，其厚度通常为5～100nm、优选10～50nm。作为这样的阻气层，例如可以列举如下所述的、在含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子而得到的层(以下有时称作为“注入层”)、或在含有聚有机硅氧烷系化合物的层中实施等离子体处理而得到的层。
另外，对于上述阻气层，优选在阻气层的表层部的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能的峰位置为102～104eV。
例如，聚二甲基硅氧烷的层在X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能的峰位置约为101.5eV，相对于此，在该聚二甲基硅氧烷的层中将氩进行离子注入而得到的离子注入层(阻气层)在表层部的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道的结合能的峰位置约为103eV。该值与玻璃、二氧化硅膜等之类以往公知的具有阻气性的含硅高分子中所含硅原子的2p电子轨道的结合能的峰位置为大致相同程度(X射线光电子能谱(XPS)测定中硅原子的2p电子轨道的结合能的峰位置在玻璃的情况约为102.5eV，在二氧化硅膜的情况约为103eV)。由此可知，阻气层表层部的硅原子2p电子轨道的结合能的峰位置为102～104eV的本发明叠层体具有与玻璃或二氧化硅膜相同或类似的结构，故推测其阻气性能优异。应予说明，硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置的测定利用实施例中说明的方法进行。
本发明叠层体的阻气层在厚度为30nm～200μm的含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部形成，该阻气层的深度优选为5nm～100nm，更优选30nm～50nm。
另外，本发明的叠层体是具有阻气层和导电体层的叠层体，上述阻气层可以是通过在表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的成形物的、上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子来形成的工序(1)而得到的层。
通过在含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子，可以容易地形成阻气层，该阻气层由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，并具有从层表面向深度方向，层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加的结构。
本发明的叠层体中使用的聚有机硅氧烷系化合物的主链结构没有限定，可以为直链状、梯状、笼状的任一者。
例如，上述直链状的主链结构可以列举用下式(a)表示的结构，梯状的主链结构可以列举用下式(b)表示的结构，笼状的主链结构可以列举用下式(c)表示的结构。
[化3]
[化4]
[化5]
式中，Rx、Ry、Rz分别独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基团。应予说明，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry、和式(c)的多个Rz可分别相同或不同。其中，上述式(a)的2个Rx不能都为氢原子。
作为无取代或具有取代基的烷基中的烷基，可以列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数为1～10的烷基。
烯基可以列举例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳原子数为2～10的烯基。
作为上述烷基和烯基的取代基，可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的卤素原子;羟基;硫醇基;环氧基;环氧丙氧基;(甲基)丙烯酰氧基;苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。
无取代或具有取代基的芳基可以列举苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子数为6～10的芳基。
上述芳基的取代基可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子;甲基、乙基等碳原子数为1～6的烷基;甲氧基、乙氧基等碳原子数为1～6的烷氧基;硝基;氰基;羟基;硫醇基;环氧基;环氧丙氧基;(甲基)丙烯酰氧基;苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等无取代或具有取代基的芳基等。
其中，Rx、Ry、Rz分别独立地优选为无取代或具有取代基的碳原子数为1～6的烷基、或苯基，特别优选甲基、乙基、丙基、3-环氧丙氧基丙基或者苯基。
在本发明中，聚有机硅氧烷系化合物优选用上式(a)表示的直链状的化合物、或用上式(b)表示的梯状的化合物，从易于获得和可形成具有优异阻气性的注入层的角度考虑，特别优选上述式(a)中2个Rx为甲基或苯基的直链状化合物、上式(b)中2个Ry为甲基、丙基、3-环氧丙氧基丙基或苯基的梯状化合物。
聚有机硅氧烷系化合物可以通过将具有水解性官能团的硅烷化合物进行缩聚的、公知的制造方法来得到。
使用的硅烷化合物可以根据目标聚有机硅氧烷系化合物的结构来适当选择。优选的具体例子可以列举二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷等的2官能硅烷化合物;甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正丁基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基二乙氧基甲氧基硅烷等的3官能硅烷化合物;四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四叔丁氧基硅烷、四仲丁氧基硅烷、甲氧基三乙氧基硅烷、二甲氧基二乙氧基硅烷、三甲氧基乙氧基硅烷等4官能硅烷化合物等。
另外，聚有机硅氧烷系化合物也可以直接使用作为剥离剂、粘合剂、密封剂、涂料等市售的市售品。
含有聚有机硅氧烷系化合物的层除了含有聚有机硅氧烷系化合物以外，在不损害本发明目的的范围下也可以含有其它成分。其它成分可以列举固化剂、其它高分子、抗老化剂、光稳定剂、阻燃剂等。
应予说明，从可形成具有优异阻气性的注入层的角度考虑，含有聚有机硅氧烷系化合物的层中的、聚有机硅氧烷系化合物的含量优选为50重量%以上，更优选70重量%以上，特别优选90重量%以上。
作为形成含有聚有机硅氧烷系化合物的层的方法，没有特别地限定，可以列举例如将含有聚有机硅氧烷系化合物的至少一种、根据需要的其它成分、和溶剂等的层形成用溶液涂布在合适的基材上来得到涂膜，将该涂膜干燥，并根据需要进行加热等来形成的方法。
形成的含有聚有机硅氧烷系化合物的层的厚度没有特别地限定，通常为30nm～200μm，优选为50nm～100μm。
上述注入层是在含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子而成的。
离子的注入量只要根据形成的叠层体的使用目的(需要的阻气性、透明性等)等适当决定即可。
注入的离子可以列举氩、氦、氖、氪、氙等的稀有气体；氟碳、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子；金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等导电性金属的离子等。
其中，从可更简便地注入，特别是可得到具有优异阻气性和透明性的注入层的角度考虑，优选选自氢、氧、氮、稀有气体和氟碳的至少一种的离子，特别优选氮、氧、氩或氦的离子。
注入离子的方法没有特别地限定，可以列举例如在形成含有聚有机硅氧烷系化合物的层后，向该含有聚有机硅氧烷系化合物的层注入离子的方法等。
离子注入法可以列举：照射利用电场加速的离子(离子束)的方法、注入等离子体中的离子的方法等。其中，在本发明中，从可简便地得到具有阻气性的叠层体的角度考虑，优选后者的等离子体离子注入的方法。
等离子体离子注入例如可如下进行：在含有稀有气体等生成等离子体气体的氛围下产生等离子体，并对含有聚有机硅氧烷系化合物的层施加负的高电压脉冲，由此在含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部注入该等离子体中的离子(阳离子)。
离子的注入可以通过使用X射线光电子能谱(XPS)分析、进行阻气层表层部的元素分析测定来确认。
(导电体层)
本发明的叠层体进一步具有导电体层(以下有时称作为“B层”)。
构成B层的材料可以列举金属、合金、金属氧化物、电导性化合物、它们的混合物等。具体来说，可以列举掺杂了锑的氧化锡（ATO）；掺杂了氟的氧化锡（FTO）；氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡（ITO）、氧化锌铟（IZO）等导电性金属氧化物；金、银、铬、镍等金属；这些金属与导电性金属氧化物的混合物；碘化铜、硫化铜等无机导电性物质；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有机导电性材料等。B层也可以是将由这些材料构成的层进行多个层叠而成的叠层体。
另外，B层可以是透明的，也可以不透明，当B层为透明时，可以得到透明性优异的叠层体。从透明性的角度考虑，作为形成B层的材料，优选导电性金属氧化物，特别优选ITO。
作为B层的形成方法，可以列举例如蒸镀法、溅射法、离子镀法、热CVD法、等离子体CVD法等。在本发明中，从可简便地形成B层的角度考虑，优选溅射法。
溅射法是下述那样的方法：在真空槽内导入放电气体(氩等)，在靶与基材板(本发明中为A层)之间施加高频电压或直流电压，将放电气体等离子体化，通过使该等离子体撞击靶而使靶材料飞溅，并附着于基板上来得到薄膜。靶可以使用包含上述形成B层的材料的靶。
导电体层的厚度可以根据其用途等而适当选择。通常为10nm～50μm，优选20nm～20μm。
所得导电体层的表面电阻率通常为1000Ω/□以下。
对于形成的导电体层，也可以根据需要进行图案形成。作为图案形成的方法，可以列举利用了光刻等的化学性蚀刻、使用了激光等的物理性蚀刻等、使用了掩模的真空蒸镀法或溅射法、剥离（lift-off）法、印刷法等。
(叠层体)
本发明的叠层体只要具有上述A层和B层即可，可以是仅包含A层、B层的叠层体，也可以含有其它层。其它层可以是单层，也可以是同种或异种的2层以上。
其它层可以列举基材层或无机化合物层等。
从制造容易性、操作容易性等的角度考虑，本发明的叠层体优选含有基材层。
作为构成基材层的材料，可以列举与例示作为形成含有上述高分子化合物的层时使用的基材的材料同样的材料。当本发明的叠层体含有基材层时，通过在基材上设置A层，可以经由与基材层表面相比表面平滑性更优异的A层来形成B层，因此B层表面的平滑性也提高。
本发明的叠层体可以进而具有无机化合物层。
无机化合物层是包含一种或二种以上无机化合物的层，其具有阻气性。
构成无机化合物层的无机化合物可以列举一般可真空成膜、且具有阻气性的化合物，可以列举例如氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化铟、氧化钙、氧化锆、氧化钛、氧化硼、氧化铪、氧化钡等无机氧化物；氮化硅、氮化铝、氮化硼、氮化镁等无机氮化物；碳化硅等无机碳化物；无机硫化物；它们的复合物等。作为它们的复合物，可以列举无机氧化氮化物、无机氧化碳化物、无机氮化碳化物、无机氧化氮化碳化物等。
在本发明中，其中优选无机氧化物、无机氮化物、无机氧化氮化物、无机氮化碳化物、无机氧化氮化碳化物，更优选无机氮化物。
无机氮化物可以列举用通式：MNy表示的金属氮化物。式中，M表示金属元素，y为0.1～1.3的范围的値。
其中，从透明性等优异的角度考虑，优选M为硅（Si）、铝（Al）、钛（Ti）、锡（Sn）的氮化物，更优选M为硅的氮化物。应予说明，作为y的値，优选如果M为硅（Si），则y＝0.1～1.3，如果为铝（Al），则y＝0.1～1.1，如果为钛（Ti），则y＝0.1～1.3，如果为锡（Sn），则y＝0.1～1.3的范围。
作为无机化合物层的形成方法，没有特别地限定，可以列举例如蒸镀法、溅射法、离子镀法、热CVD法、等离子体CVD法等，优选溅射法，更优选磁控管溅射法。
无机化合物层的厚度通常为10nm～1000nm，优选20～500nm，更优选20～100nm的范围。
本发明的叠层体优选是上述A层和B层直接层叠而成的叠层体。其中“直接层叠”是指A层的表面侧和B层不隔着其它层而直接层叠的意思。上述A层和B层直接层叠而成的叠层体具有优异的阻气性和层间密合性。
另外，本发明的叠层体具有无机化合物层时，无机化合物层的配置位置没有特别地限定，从可得到具有优异的密合性和阻气性的叠层体的角度考虑，优选设置在A层和B层之间。
本发明叠层体的优选层构成的例子示于图1。但是，本发明的叠层体不限于此。
图1中，S表示基材层，A1、A2分别表示A层，B1、B2分别表示B层，C表示无机化合物层。
图1（a）表示包含A层-B层的2层的叠层体，图1（b）表示包含基材层-A层-B层的3层的叠层体，图1（c）表示包含A层-基材层-A层-B层的4层的叠层体，图1（d）表示包含B层-A层-基材层-A层-B层的5层的叠层体，图1（e）表示包含基材层-A层-无机化合物层-B层的4层的叠层体，图1（f）表示包含A层-基材层-A层-无机化合物层-B层的5层的叠层体。
本发明的叠层体的总厚度没有特别地限定，可以根据目标电子设备的用途而适当决定。
(叠层体的制造)
本发明的叠层体的制造方法没有特别地限定。可以列举例如在基材上形成A层，并将B层形成于A层上的方法等。根据该方法，可以连续地制造长尺状的膜状的叠层体，故优选。
例如，A层为由含有聚有机硅氧烷系化合物的层得到的阻气层的叠层体可以如以下那样来制造。
首先，作为基材层，在长尺状基材膜的一面侧形成含有聚有机硅氧烷系化合物的层。例如，一边将长尺状的基材膜向一定方向输送，一边利用涂布装置在该基材膜的一面上涂布层形成用溶液，该层形成用溶液含有聚有机硅氧烷系化合物的至少一种、根据需要的其它成分、和溶剂等，通过将所得涂膜进行干燥，以及根据需要进行加热等而形成。涂布装置可以使用刮刀涂布机、凹版涂布机等公知的装置。
接着，使用上述（γ）的离子体离子注入装置向该高分子层注入等离子体离子。
图2是表示具有等离子体离子注入装置的连续等离子体离子注入装置的概要的图。
图2(a)中，11a是腔室，20a是涡轮分子泵，3a是将离子注入前的膜1a输出的开卷辊，5a是将离子注入过的叠层膜1b卷绕成辊状的卷绕辊，2a是施加了高电压的旋转罐，10a是气体导入口，7是高电压脉冲电源，4是等离子体放电用电极(外部电场)。图2(b)是上述施加了高电压的旋转罐2a的斜视图，15是高电压导入端子(馈通)。
图2所示的连续等离子体离子注入装置中，膜1a在腔室11a内由开卷辊3a向图2中箭头X方向输送，通过施加了高电压的旋转罐2a，被卷绕在卷绕辊5a上。膜1a的卷绕方法、或输送膜1a的方法等没有特别地限定，在本实施方式中，通过使施加了高电压的旋转罐2a以一定速度旋转，进行膜1a的输送。另外，施加了高电压的旋转罐2a的旋转可以通过利用电动机使高电压导入端子15的中心轴13旋转来进行。
高电压导入端子15、和膜1a所接触的多个输出用辊6a等由绝缘体构成，例如是将氧化铝的表面用聚四氟乙烯等树脂被覆而形成。另外，施加了高电压的旋转罐2a由导体构成，例如可以用不锈钢等来形成。
膜1a的输送速度可以适当地设定。该速度只要可确保在膜1a由开卷辊3a输送、至卷绕到卷绕辊5a上的期间向膜1a的表面部注入离子、形成所需的离子注入层的时间即可，没有特别地限定。膜1b的卷绕速度(线速度)根据施加电压、装置规模等而不同，但通常为0.1～2m/min，优选0.2～0.7m/min。
首先，通过与回转泵连接的涡轮分子泵20a将腔室11a内排气，进行减压。减压度通常为1×10-4Pa～1Pa，优选1×10-3Pa～1×10-2Pa。
接着，由气体导入口10a向腔室11a内导入离子注入用的气体(以下有时称作为“离子注入用气体”)，使腔室11a内形成减压离子注入用气体气氛。应予说明，离子注入用气体也可以是等离子体生成气体。
接着，通过等离子体放电用电极4(外部电场)产生等离子体。作为产生等离子体的方法，可以列举采用了微波或RF等高频率功率源等的公知的方法。
另一方面，通过经由高电压导入端子15而与施加了高电压的旋转罐2a连接的高电压脉冲电源7，施加了负的高电压脉冲9。如果向施加了高电压的旋转罐2a施加负的高电压脉冲，则等离子体中的离子被诱导，注入到施加了高电压的旋转罐2a周围的膜1a的表面(图2(a)中的箭头Y)。其结果是得到在基材层上形成了A层的叠层膜1b。
接着，在所得叠层膜1b的A层(形成了离子注入层的面)上，利用溅射法形成B层。
B层可以例如使用图3所示的连续溅射装置来形成。
在图3所示的连续溅射装置中，11b是腔室，20b是涡轮分子泵，3b是将叠层膜1b输出的开卷辊，5b是将形成了B层的膜1c卷绕成辊状的卷绕辊，6b是输出用辊，10b是气体导入口。2b是旋转罐，8是溅射靶。
叠层膜1b通过使旋转罐2b旋转而由开卷辊3b向图3中箭头X方向输送，并卷绕在卷绕辊5b上。
首先，与图2所示的等离子体离子注入装置相同，在腔室11b内设置膜1b，以在A层上形成B层，通过与回转泵连接的涡轮分子泵20b将腔室11b内排气，进行减压。
一边由气体导入口10b向腔室11b内导入例如氩和氧气一边对靶施加高频功率，进行等离子体放电。这样，氩和氧气发生离子化并对靶进行冲击。由于该冲击导致构成靶的ITO等作为溅射粒子飞出，并堆积在叠层膜1b的A层的表面。
如以上所述，可以得到在叠层膜1b的A层上形成了B层的叠层膜1c（本发明的叠层体）。
另外，A层上具有无机化合物层、进而在其上具有B层的叠层体可以如下述那样得到：在与上述同样得到的叠层膜1b的A层（形成了离子注入层的面）上，例如使用磁控管溅射装置形成无机化合物层后，在形成的无机化合物层上与上述同样形成B层。
即使该情况下，在叠层膜1b为长尺状时，也可一边将该叠层膜1b沿一定方向输送，一边使用磁控管溅射装置连续地形成无机化合物层，进一步地，一边将带有无机化合物层的叠层膜沿一定方向输送，一边在该无机化合物层的表面与上述同样连续地形成B层。
根据这种本发明的叠层体的制造方法，可以容易地制造上述（1）～（7）的叠层体。
如以上这样得到的本发明的叠层体具有优异的阻气性和密合性。本发明的叠层体具有优异的阻气性，这可以通过本发明的叠层体的水蒸气等气体的透过率小来得以确认。本发明叠层体的水蒸气透过率优选为1.0g/（m2天）以下，更优选0.6g/（m2天）以下，进而优选0.1g/（m2天）以下。叠层体的水蒸气等的透过率可以使用公知的气体透过率测定装置来测定。
本发明叠层体的层间密合性优异，这例如可以如下述那样来确认，即，进行根据JIS-H8504的将粘附性胶带粘贴并剥离的试验，其评价为良好。
本发明叠层体的导电体层具有优异的表面平滑性。本发明叠层体的导电体层的表面粗糙度（Ra）通常为2.0nm以下，优选1.5nm以下，更优选0.5nm以下。导电体层的表面粗糙度可以使用原子力显微镜（AFM）来测定。
2)电子设备用构件和电子设备
本发明的电子设备用构件的特征在于，其包含本发明的叠层体。因此，本发明的电子设备用构件具有导电性并具有优异的阻气性和层间密合性，并为挠性，进而具有透明性以及可轻量化，因此适于作为液晶显示器、EL显示器等显示器或太阳能电池等的构件、例如电极基板。
本发明的电子设备具有本发明的电子设备用构件。具体例子可以列举液晶显示器、有机EL显示器、无机EL显示器、电子纸、太阳能电池等。
本发明的电子设备具有包含本发明的叠层体的电子设备用构件，因此具有优异的阻气性。
实施例
以下，列举实施例进一步详细地说明本发明。但是，本发明不受以下实施例的任何限定。
使用的等离子体离子注入装置、X射线光电子能谱测定装置（XPS）和测定条件、导电体层的表面粗糙度（Ra）的测定方法、用于测定成形体的水蒸气透过率的水蒸气透过率测定装置和测定条件、导电体层的表面电阻率的测定装置、可见光透射率测定装置以及密合性试验的方法如以下所述。应予说明，使用的等离子体离子注入装置是使用外部电场进行离子注入的装置。
(等离子体离子注入装置)
RF电源:型号“RF56000”、日本电子社制
高电压脉冲电源:“PV-3-HSHV-0835”、栗田制作所社制
(X射线光电子能谱测定装置)
测定装置:“PHIQuanteraSXM”アルバックファイ社制
X射线束直径:100μm
功率值:25W
电压:15kV
取出角度:45°
利用该测定条件，进行下述的测定。
氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置的测定
测定实施例1～15中得到的成形体的注入了等离子体离子的面、以及比较例1的成形体的含有聚二甲基硅氧烷的层的表面的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置。然后，对于各个成形体，从注入了等离子体离子的面（实施例1～15）、含有聚二甲基硅氧烷的层的表面（比较例1）向深度方向使用氩气进行溅射，反复进行测定由溅射导致露出的表面中的存在比例的操作，由此测定深度方向的原子的存在比例和硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置。
在上述测定中，使利用氩气的溅射的施加电压为-4kV，1次溅射时间设为12秒。溅射速率对于实施例1～6、实施例11～15和比较例1设为100nm/分钟、对于实施例7、8设为70nm/分钟、对于实施例9、10设为30nm/分钟。
（导电体层的表面粗糙度的测定）
导电体层的表面粗糙度可以使用原子力显微镜（AFM）（エスアイアイナノテクノロジー社制“SPA300HV”）来测定。
（密合性试验）
进行根据JISH8504的将粘附性胶带粘贴并剥离的划格（crosscut）试验。预先向B层引入切痕，以形成边长为2mm的正方形来进行试验，目测观察B层的形状，以6个级别进行评价。评价根据JISK5600-5-6的分类（表1试验结果的分类）。
（水蒸气透过率的测定）
水蒸气透过率使用透过率测定器（LYSSY社制“L80-5000”）、在相对湿度为90％、40℃的测定条件下进行测定。
（导电体层的表面电阻率的测定）
导电体层的表面电阻率使用表面电阻率测定装置（三菱化学社制“ロレスタ-GP”）进行测定。
（可见光透射率的测定）
可见光透射率（全光线透射率）使用可见光透射率测定装置（日本电色工业社制“ヘイズメーターNDH2000”）来测定。应予说明，成形体上的光线入射面，对于实施例1～15的成形体设定为注入面、对于比较例1的成形体设定为具有含有聚二甲基硅氧烷的层的面。
(实施例1)
在作为基材的聚对苯二甲酸乙二酯膜(“PET38T-300”，东レ社制，厚度为38μm)(以下称作为“PET膜”)上，使用迈耶棒(Meyerbar)涂布以作为聚有机硅氧烷系化合物的聚二甲基硅氧烷为主成分的硅树脂（A）(硅剥离剂“KS835”、信越化学工业社制)，在120℃加热2分钟，形成厚度为100nm的含有硅剥离剂A的层，得到成形物。接着，使用如图2所示的等离子体离子注入装置将氮在含有聚二甲基硅氧烷的层的表面进行等离子体离子注入，制作成形体1。
等离子体离子注入的条件如以下所示。
等离子体生成气体:N2
占空比:0.5%
重复频率数:1000Hz
施加电压:-10kV
RF电源:频率13.56MHz、施加功率1000W
腔室内压:0.2Pa
脉冲宽度:5μsec
处理时间(离子注入时间):5分钟
输送速度：0.4m/min
接着，在成形体1的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氮进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体1。
溅射的条件如以下所示。
等离子体生成气体:氩、氧
气体流量:氩100sccm,氧5sccm
功率值:1500W
腔室内压:0.2Pa
线速度:0.2m/min
溅射靶:ITO
(实施例2)
除了使用氩（Ar）作为等离子体生成气体以外，其它与实施例1同样来制作成形体2。
接着，与实施例1同样，在成形体2的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体2。
(实施例3)
除了使用氦（He）作为等离子体生成气体以外，其它与实施例1同样来制作成形体3。
接着，与实施例1同样，在成形体3的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氦进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体3。
(实施例4)
除了使用氧（O2）作为等离子体生成气体以外，其它与实施例1同样来制作成形体4。
接着，与实施例1同样，在成形体4的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氧进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体4。
(实施例5)
在与实施例1中所用的为相同的PET膜上，使用迈耶棒涂布以具有聚二甲基硅氧烷的一部分甲基取代成苯基的结构的聚有机硅氧烷系化合物为主成分的硅树脂（B）(商品名“X62-9201B”、信越化学工业社制)，在120℃加热2分钟，形成厚度为100nm的含有具有苯基的聚有机硅氧烷的层，得到成形物。接着，与实施例1同样，将氮在含有硅树脂（B）的层的表面进行等离子体离子注入，制作成形体5。
接着，与实施例1同样，在成形体5的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氮进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体5。
(实施例6)
除了使用氩（Ar）作为等离子体生成气体以外，其它与实施例5同样来制作成形体6。
接着，与实施例1同样，在成形体6的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体6。
（实施例7）
将正丙基三甲氧基硅烷（东京化成工业社制）3.29g（20mmol）、3-缩水甘油基丙基三甲氧基硅烷（东京化成工业社制）4.73g（20mmol）、甲苯20ml、蒸馏水10ml和磷酸（关东化学社制）0.10g（1mmol）混合，使其在室温下反应24小时。反应结束后，在反应混合物中加入饱和碳酸氢钠水溶液，并向其中添加醋酸乙酯100ml进行分液，获取有机层。将有机层用蒸馏水洗涤2次后，用无水硫酸镁干燥，并将硫酸镁滤去。将所得滤液滴加到大量的正己烷中进行沉淀。利用倾析将正己烷分离后，使沉淀物溶解在四氢呋喃（THF）中进行回収。使用蒸发器从沉淀物的THF溶液中减压馏去THF，通过将残留物进行真空干燥，得到具有梯状结构的聚硅倍半氧烷（聚有机硅氧烷系化合物）。其重均分子量为2,000。
接着，使得到的聚硅倍半氧烷溶解在甲苯中，使用迈耶棒将所得溶液（固体成分浓度为2质量％）涂布到与实施例1所用的为相同的PET膜上，在125℃加热6小时，使其固化，得到具有厚度为100nm的聚硅倍半氧烷的层的成形物。使用等离子体离子注入装置与实施例1同样将氮在固化后的硅倍半氧烷的层的表面进行等离子体离子注入，制作成形体7。应予说明，重均分子量是利用凝胶渗透色谱（GPC）法测定的聚苯乙烯换算的値。应予说明，进行等离子体离子注入前的成形物的水蒸气透过率为12.1（g/（m2天）），全光线透射率为89.10％。
接着，与实施例1同样，在成形体7的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氮进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体7。
(实施例8)
除了使用氩（Ar）作为等离子体生成气体以外，其它与实施例7同样来制作成形体8。
接着，与实施例1同样，在成形体8的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体8。
（实施例9）
将苯基三甲氧基硅烷（东京化成工业社制）7.94g（40mmol）、甲苯20ml、蒸馏水10ml和磷酸（关东化学社制）0.10g（1mmol）混合，使其在室温下反应24小时。反应结束后，在反应混合物中加入饱和碳酸氢钠水溶液，并向其中添加醋酸乙酯100ml进行分液，获取有机层。将有机层用蒸馏水洗涤2次后，用无水硫酸镁干燥，并将硫酸镁滤去。将所得滤液滴加到大量的正己烷中进行沉淀。利用倾析将正己烷分离后，使沉淀物溶解在THF中进行回収。使用蒸发器减压馏去THF，通过真空干燥，得到具有梯状结构的聚硅倍半氧烷（聚有机硅氧烷系化合物）。其重均分子量为1,600。接着，使得到的聚硅倍半氧烷溶解在甲苯中而形成溶液（固体成分浓度为2质量％），使用迈耶棒将上述溶液涂布到与实施例1所用的为相同的PET膜上，在125℃加热6小时，使其固化，得到具有厚度为100nm的聚硅倍半氧烷的层的成形物。使用等离子体离子注入装置与实施例1同样将氮在固化后的聚硅倍半氧烷的层的表面进行等离子体离子注入，制作成形体9。应予说明，重均分子量是利用凝胶渗透色谱（GPC）法测定的聚苯乙烯换算的値。应予说明，进行等离子体离子注入前的成形物的水蒸气透过率为11.7（g/（m2天）），全光线透射率为86.05％。
接着，与实施例1同样，在成形体9的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氮进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体9。
(实施例10)
除了使用氩（Ar）作为等离子体生成气体以外，其它与实施例9同样来制作成形体10。
接着，与实施例1同样，在成形体10的进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体10。
(实施例11)
在聚对苯二甲酸乙二酯膜（三菱树脂社制、“PET38T-300”、厚度38μm）（以下称作为“PET膜”）上涂布聚有机硅氧烷系化合物（信越化学工业社制、以聚二甲基硅氧烷为主成分的硅树脂、“KS835”），将得到的涂膜在120℃加热2分钟，在PET膜上形成厚度为100nm的含有聚二甲基硅氧烷的层（以下称作为“聚有机硅氧烷系化合物层”），接着，使用等离子体离子注入装置将氩在聚有机硅氧烷系化合物层的表面进行离子注入。
离子注入的条件如以下所示。
等离子体生成气体:氩
占空比:1%
重复频率数:1000Hz
施加电压:-10kV
RF电源:频率13.56MHz、施加功率1000W
腔室内压:0.2Pa
脉冲宽度:5μsec
处理时间:5分钟
速度：0.2m/分钟
接着，与实施例1同样，在进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层(PET膜)-A层(将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层)-B层(ITO膜)的层构成的叠层体11。
溅射的条件如以下所示。
等离子体生成气体:氩、氧
气体流量:氩100sccm,氧5sccm
功率值:1500W
腔室内压:0.2Pa
线速度:0.2m/min
溅射靶:ITO
（实施例12）
除了在实施例11中将离子注入中使用的等离子体生成气体由氩改变成氮以外，其它与实施例11同样来制作具有基材层（PET膜）-A层（将氮进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层）-B层（ITO膜）的层构成的叠层体12。
（实施例13）
在实施例11中制作的叠层体11的PET膜的、没有形成聚有机硅氧烷系化合物层的一面侧，与实施例11同样来形成聚有机硅氧烷系化合物层，在该聚有机硅氧烷系化合物层中进行离子注入，制作具有A层（将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层）-基材层（PET膜）-A层（将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层）-B层（ITO膜）的层构成的叠层体13。
（实施例14）
除了在实施例11中，使溅射靶为铝，并使溅射中的等离子体生成气体为氩（100sccm）以外，其它进行与实施例11同样的操作，形成厚度为50nm的铝膜来代替ITO膜，制作具有基材层（PET膜）-A层（将氩进行了等离子体离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层）-B层（铝膜）的层构成的叠层体14。
（实施例15）
与实施例11同样，在PET膜上形成聚有机硅氧烷系化合物层，将氩进行了离子注入。在进行了离子注入的聚有机硅氧烷系化合物层上，利用磁控管溅射法形成作为无机化合物层的厚度为50nm的氮化硅膜。溅射条件如以下所示。
等离子体生成气体：氩、氮
气体流量：氩100sccm、氮60sccm
功率値：2500Ｗ
腔室内压：0.2Pa
线速度：0.2m/min
溅射靶：Si
接着，在形成的氮化珪膜表面上，与实施例11同样利用磁控管溅射法形成厚度为50nm的ITO层，制作具有基材层（PET膜）-A层（将氩进行了离子注入的聚有机硅氧烷层）-无机化合物层-B层（ITO膜）的层构成的叠层体15。
(比较例1)
除了不进行离子注入以外，其它与实施例1同样来制作成形体。即，在PET膜上形成含有聚二甲基硅氧烷的层，制成成形体16。利用磁控管溅射法，形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层（PET膜）-含有聚二甲基硅氧烷的层-B层（ITO膜）的层构成的叠层体16。
（比较例2）
在实施例11中使用的PET膜上，利用磁控管溅射法形成作为导电体层的厚度为50nm的ITO膜，制作具有基材层（PET膜）-B层（ITO膜）的层构成的叠层体17。溅射的条件与实施例11同样。
（比较例3）
除了在实施例11中，在PET膜上利用磁控管溅射法形成厚度为50nm的氮化硅膜来代替聚有机硅氧烷系化合物层以外，其它进行与实施例11同样的操作，制作具有基材（PET膜）-无机化合物层（氮化硅膜）-B层（ITO膜）的层构成的叠层体18。氮化硅膜形成的溅射条件如以下所示。
等离子体生成气体:氩、氮
气体流量:氩100sccm,氮60sccm
功率值:2500W
腔室内压:0.2Pa
线速度:0.2m/min
溅射靶:Si
实施例1～10和比较例1的成形体1～10、16的、通过利用了XPS的元素分析测定而得到的、氧原子、碳原子和硅原子的存在比例的分析结果示于图4～14。
在图4～14中，纵轴表示以氧原子、碳原子和硅原子的合计存在量为100时的原子的存在比例(%)，横轴表示溅射的积算时间(溅射时间、分钟)。溅射的速度为一定，因此溅射的积算时间(溅射时间)与深度相对应。在图4～14中，a为碳原子的存在比例，b为氧原子的存在比例，c为硅原子的存在比例。
如图4～13所示，可以确认在成形体1～10中，具有从表面向深度方向氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加的区域(阻气层)。另一方面，如图14所示，在比较例1的成形体16中，不存在上述那样的区域。
另外，虽然没有图示，但对于成形体11～15，也与成形体1～10同样，可以确认具有从表面向深度方向氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加的区域(阻气层)。
实施例1～10的成形体中的阻气层（从表面向深度方向、层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加的区域）表层部的、氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置的测定结果示于第1表。
应予说明，对于实施例1～10的成形体的阻气层，进行了等离子体离子注入的面为表面，进行了等离子体离子注入的面的由上述方法测定的値是阻气层表层部的氧原子、碳原子和硅原子的存在比例、以及硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置。
另外，原子的存在比例是将测定得到的氧原子、碳原子和硅原子的峰面积的合计値设为100％时，由各原子的峰面积算出的値。
[表1]
第1表
由第1表可知，成形体1～10的阻气层表面的硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置为102.9eV～103.3eV。
另外，对于实施例2中制作的成形体2，利用XPS分析测定硅原子的2p电子轨道的结合能的结果示于图15。在图15中，纵轴表示峰强度，横轴表示结合能(eV)。由图15可以确认，成形体2的硅原子的2p电子轨道结合能(B)的峰位置为103.3eV。该成形体2的硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置在离子注入前（A，相当于比较例1）为101.5ev，在离子注入后为103.3eV，向高能量侧偏移。
接着，对于实施例1～15和比较例1～3中得到的叠层体1～18，测定表面粗糙度Ra（nm）、水蒸气透过率、表面电阻率、可见光透射率，进而进行密合性试验。测定结果和评价结果示于下述第2表。
[表2]
第2表
（注）实施例13和15的水蒸气透过率小于测定极限[0.01g/(m2·天)]。
由第1表可知，实施例1～15的叠层体的阻气性优异（水蒸气透过率的值小），且透明性优异（叠层体14除外）。另外，对于实施例1～15的叠层体的导电体层，其表面平滑，导电性也优异。
符号说明
1…膜状叠层体、2a、2b…旋转罐、3a、3b…开卷辊、4…等离子体放电用电极、5a、5b…卷绕辊，6a、6b…输出用辊、7…脉冲电源、8…靶、9…高电压脉冲、10a、10b…气体导入口、11a、11b…腔室。

Claims (13)

1.叠层体，其是具有基材层、在该基材层上设置的阻气层和在该阻气层上直接层叠的导电体层的叠层体，所述阻气层由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成，其特征在于，上述阻气层在厚度为30nm～200μm的含有聚有机硅氧烷系化合物的层的表面部形成，该阻气层的深度为5nm～100nm，
从上述阻气层的表面向深度方向，该阻气层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加，
上述聚有机硅氧烷系化合物是具有用下述所示式(a)或(b)表示的重复单元的聚有机硅氧烷，
式中，Rx、Ry分别独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的烯基、无取代或具有取代基的芳基非水解性基团，并且，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry分别相同或不同，其中，上述式(a)的Rx不能2个都为氢原子；且
上述导电体层的表面粗糙度Ra为0.5nm以下。
2.权利要求1所述的叠层体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、碳原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为10～70％，碳原子的存在比例为10～70％，硅原子的存在比例为5～35％。
3.权利要求1所述的叠层体，其特征在于，上述阻气层在该阻气层的表层部的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置为102～104eV。
4.权利要求1所述的叠层体，其中，进一步具有无机化合物层。
5.权利要求1所述的叠层体，其特征在于，上述阻气层是在含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子而得到的层。
6.权利要求5所述的叠层体，其特征在于，上述离子是将选自氮、氧、氩、氦中的至少一种气体离子化而得的。
7.权利要求5所述的叠层体，其特征在于，上述聚有机硅氧烷系化合物是具有用上述式(a)表示的重复单元的聚有机硅氧烷。
8.叠层体的制造方法，其是具有阻气层和导电体层的叠层体的制造方法，其中，具有在表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的成形物的、上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子来形成上述阻气层的工序(I)，
上述聚有机硅氧烷系化合物是具有用下述所示式(a)或(b)表示的重复单元的聚有机硅氧烷，
式中，Rx、Ry分别独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的烯基、无取代或具有取代基的芳基非水解性基团，并且，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry分别相同或不同，其中，上述式(a)的Rx不能2个都为氢原子；
上述导电体层的表面粗糙度Ra为0.5nm以下。
9.权利要求8所述的叠层体的制造方法，其特征在于，上述工序(I)是将选自氮、氧、氩和氦中的至少一种气体离子化而注入的工序。
10.权利要求8所述的叠层体的制造方法，其特征在于，上述工序(I)是等离子体离子注入。
11.权利要求8所述的叠层体的制造方法，其特征在于，上述工序(I)是一边将表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的长尺状的成形物沿一定方向输送，一边在上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子的工序。
12.电子设备用构件，其包含权利要求1～7中任一项所述的叠层体。
13.电子设备，其具有权利要求12所述的电子设备用构件。
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