CN103249766B - 成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明是成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件以及具备该电子设备用构件的电子设备，所述成型体的特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子而得到的层。根据本发明，可以提供阻气性和耐弯折性优异的成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件、和具有该电子设备用构件的电子设备。

Description

成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备

技术领域

本发明涉及成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件以及具备该电子设备用构件的电子设备。

背景技术

一直以来，塑料薄膜等高分子成型体由于价格低廉、加工性优异，因此可以赋予所需的功能，在各种领域中应用。

例如对于食品、药品的包装用薄膜，为了抑制蛋白质、油脂等的氧化、变质，而保持味道、鲜度，可以使用防止水蒸气、氧的透过的阻气性的塑料薄膜。

另外，近年来，对于液晶显示器或电致发光(EL)显示器等显示器，为了实现薄型化、轻量化、挠性化等，人们对于使用透明塑料薄膜代替玻璃板来作为具有电极的基板进行了研究。但是，塑料薄膜与玻璃板相比，存在容易透过水蒸气或氧等，显示器内部的元件容易劣化的问题。

为解决该问题，专利文献1中提出了在透明塑料薄膜上层叠由金属氧化物构成的透明阻气层的挠性显示器基板。

但是，该文献记载的挠性显示器基板由于是在透明塑料薄膜表面上利用蒸镀法、离子镀敷法、溅射法等叠层了由金属氧化物形成的透明阻气层的基板，因此在将该基板卷起或弯折时，存在阻气层产生裂纹，阻气性降低的问题。

另外，专利文献2中公开了在薄膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜，对该聚硅氮烷膜实施等离子体处理，来制造阻气性薄膜的方法。但是，在该方法中，存在如果不使阻气层的厚度为微米级别，就不能得到充分的阻气性能的问题。例如记载了阻气层的厚度为0.1μm时，水蒸气透过率为0.50g/m²/天。

进一步地，为了保护电子部件等易于受到静电障碍的内容物，或者为了防止尘土、尘埃的附着，有赋予抗静电性的要求（专利文献3）。可以说如果表面电阻率为1×10⁸～1×10¹²Ω/□，则具有由接地导致的抗静电性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1 : 日本特开2000－338901号公报

专利文献2 : 日本特开2007－237588号公报

专利文献3 : 日本特开昭62－220330号公报。

发明内容

本发明是鉴于上述现有技术而作出的发明，其目的在于提供阻气性和耐弯折性优异的成型体、其制造方法、包含该成型体的电子设备用构件、和具有该电子设备用构件的电子设备。

本发明人等为解决上述课题进行了深入地研究，结果发现：通过在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子，可以简便且高效地制造目标成型体，从而完成了本发明。

这样根据本发明的第1发明，提供了下述（1）～（5）的成型体。

（1）成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子而得到的层。

（2）如（1）所述的成型体，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层中，通过等离子体离子注入将烃系化合物的离子注入而得到的层。

（3）如（1）或（2）所述的成型体，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物是全氢化聚硅氮烷。

（4）如（1）或（2）所述的成型体，其特征在于，在40℃、相对湿度90％气氛下的水蒸气透过率为0.4g/m²/天以下。

（5）如（1）或（2）所述的成型体，其特征在于，表面电阻率为1×10¹⁴Ω/□以下。

根据本发明的第2发明，提供了下述（6）、（7）的成型体的制造方法。

（6）根据（1）或（2）所述的成型体的制造方法，其中，具有下述步骤：在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入烃系化合物的离子。

（7）根据（1）或（2）所述的成型体的制造方法，其特征在于，一边将在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子。

根据本发明的第3发明，提供了下述（8）的电子设备用构件。

（8）电子设备用构件，其包含（1）或（2）所述的成型体。

根据本发明的第4发明，提供了下述（9）的电子设备。

（9）电子设备，其具有（8）所述的电子设备用构件。

发明的效果

本发明的成型体具有优异的阻气性和耐弯折性。本发明的成型体可以适合用作挠性的显示器、或太阳能电池等的电子设备用构件（例如太阳能电池背板）。

根据本发明的制造方法，可以利用一个步骤安全且简便地制造具有优异的阻气性、耐弯折性、且具有优异的抗静电性的本发明的成型体。另外，与无机膜成膜相比，可以由低的成本容易地实现大面积化。

本发明的电子设备用构件具有优异的阻气性、透明性和耐弯折性等，因此可以适合用于显示器、太阳能电池等的电子设备。

附图的说明

图1是表示本发明中使用的等离子体离子注入装置的简要构成的图。

图2是表示本发明中使用的等离子体离子注入装置的简要构成的图。

具体实施方式

以下分成1)成型体、2)成型体的制造方法、以及3)电子设备用构件和电子设备的项目，详细说明本发明。

1）成型体

本发明的成型体的特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的层（以下有时称为“聚硅氮烷层”）中注入烃系化合物的离子而得到的层（以下有时称为“离子注入层”）。

本发明中使用的聚硅氮烷化合物是在分子内具有含有－Si－N－键的重复单元的高分子化合物。具体来说，优选是具有式（1）所示的重复单元的化合物，

[化1]

。另外，使用的聚硅氮烷化合物的数均分子量没有特别限定，优选为100～50000。

式（1）中，n表示任意的自然数。

Rx、Ry、Rz分别独立地表示氢原子、未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基或烷基甲硅烷基等的非水解性基团。

作为上述未取代或具有取代基的烷基的烷基，例如可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数为1～10的烷基。

作为未取代或具有取代基的环烷基的环烷基，可以举出环丁基、环戊基、环己基、环庚基等碳原子数为3～10的环烷基。

作为未取代或具有取代基的烯基的烯基，可以举出例如乙烯基、1－丙烯基、2－丙烯基、1－丁烯基、2－丁烯基、3－丁烯基等碳原子数为2～10的烯基。

作为上述烷基、环烷基和烯基的取代基，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的卤原子；羟基；硫醇基；环氧基；环氧丙氧基；（甲基）丙烯酰氧基；苯基、4－甲基苯基、4－氯苯基等的未取代或具有取代基的芳基；等。

作为未取代或具有取代基的芳基的芳基，可以举出例如苯基、1－萘基、2－萘基等碳原子数为6～10的芳基。

作为上述芳基的取代基，可以举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的卤原子；甲基、乙基等碳原子数为1～6的烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子数为1～6的烷氧基；硝基；氰基；羟基；硫醇基；环氧基；环氧丙氧基；（甲基）丙烯酰氧基；苯基、4－甲基苯基、4－氯苯基等的未取代或具有取代基的芳基；等。

烷基甲硅烷基可以举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基等。

其中，Rx、Ry、Rz优选为氢原子、碳原子数为1～6的烷基、或苯基，特别优选氢原子。

作为具有上述式（1）所示的重复单元的聚硅氮烷化合物，可以是Rx、Ry、Rz都为氢原子的无机聚硅氮烷、Rx、Ry、Rz的至少一个不为氢原子的有机聚硅氮烷的任意一者。

作为无机聚硅氮烷，可以举出：具备具有由下述

[化2]

（式中，a表示任意的自然数）表示的重复单元的直链状结构，且具有690～2000的分子量，一分子中具有3～10个SiH₃基的全氢化聚硅氮烷（日本特公昭63－16325号公报）；具有由式（A）

[化3]

〔式中，b、c表示任意的自然数，Y¹表示氢原子或由式（Ｂ）

[化4]

（式中，d表示任意的自然数，＊表示键合位置，Y²表示氢原子、或由上述（Ｂ）表示的基团）表示的基团。〕表示的重复单元的、具有直链状结构和支链结构的全氢化聚硅氮烷；具有由式（C）

[化5]

表示的全氢化聚硅氮烷结构的、分子内具有直链状结构、支链结构和环状结构的全氢化聚硅氮烷等。

作为有机聚硅氮烷，可以举出：

（i）以－（Rx’SiHNH）－（Rx’表示未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基、或烷基甲硅烷基。以下的Rx’也同样。）为重复单元，主要具有聚合度为3～5的环状结构的聚硅氮烷、

（ii）以－（Rx’SiHNRz’）－（Rz’表示未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基、或烷基甲硅烷基。）为重复单元，主要具有聚合度为3～5的环状结构的聚硅氮烷、

（iii）以－（Rx’Ry’SiNH）－（Ry’表示未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的环烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基、或烷基甲硅烷基）为重复单元，主要具有聚合度为3～5的环状结构的聚硅氮烷、

（iｖ）在分子内具有下式所示的结构的聚有机（氢化）硅氮烷，

[化6]

（ｖ）具有由下式

[化7]

〔Rx’、Ry’与上述表示相同的意思，e、f表示任意的自然数，Y³表示氢原子或由式（E）

[化8]

（式中，g表示任意的自然数，＊表示键合位置，Y⁴表示氢原子、或由上述（E）表示的基团）表示的基团。〕

表示的重复结构的聚硅氮烷等。

上述有机聚硅氮烷可以通过公知的方法制造。例如可以通过使下式（2）所示的未取代或具有取代基的卤代硅烷化合物与仲胺的反应产物、与氨或伯胺进行反应来得到。

[化9]

式（2）中，m表示2或3，X表示卤原子，R¹表示上述的、Rx、Ry、Rz、Rx’、Ry’、Rz’的任一取代基。）

使用的仲胺、氨和伯胺可以根据目标聚硅氮烷化合物的结构来适当选择。

另外，在本发明中，聚硅氮烷化合物也可以使用聚硅氮烷改性物。作为聚硅氮烷改性物，可以举出例如含有金属原子（该金属原子可进行交联）的多金属硅氮烷（ポリメタロシラザン）、重复单元由〔（SiH₂）_g（NH）_h）〕和〔（SiH₂）_iO〕（式中，g、h、i分别独立地为1、2或3）表示的聚硅氧硅氮烷（日本特开昭62－195024号公报）、使硼烷化合物与聚硅氮烷反应而制造的聚硼硅氮烷（日本特开平2－84437号公报）、使聚硅氮烷与金属醇盐反应来制造的多金属硅氮烷（日本特开昭63－81122号公报等）、无机硅氮烷高聚物或改性聚硅氮烷（日本特开平1－138108号公报等）、在聚硅氮烷中引入了有机成分的共聚合硅氮烷（日本特开平2－175726号公报等）、在聚硅氮烷中加成或添加了用于促进陶瓷化的催化剂化合物的低温陶瓷化聚硅氮烷（日本特开平5－238827号公报等）；

加成了烷氧基硅的聚硅氮烷（日本特开平5－238827号公报）、加成了缩水甘油的聚硅氮烷（日本特开平6－122852号公报）、加成了乙酰丙酮络合物的聚硅氮烷（日本特开平6－306329号公报）、加成了金属羧酸盐的聚硅氮烷（日本特开平6－299118号公报等）、

在上述聚硅氮烷或其改性物中添加胺类和/或酸类而成的聚硅氮烷组合物（日本特开平9－31333号公报）、在全氢化聚硅氮烷的末端N原子上加成甲醇等的醇或六甲基二硅氮烷而得的改性聚硅氮烷（日本特开平5－345826号公报、日本特开平4－63833号公报）等。

其中，作为本发明中使用的聚硅氮烷化合物，从获得容易性、和可形成具有优异的阻气性的离子注入层的角度考虑，优选Rx、Ry、Rz都为氢原子的全氢化聚硅氮烷。

进一步地，在本发明中，聚硅氮烷化合物也可以直接使用作为玻璃涂布材料售卖的市售品。

含有聚硅氮烷化合物的层除了聚硅氮烷化合物以外，在不损害本发明目的的范围下也可以含有其它成分。其它成分可以举出固化剂、其它高分子、抗老化剂、光稳定剂、阻燃剂等。

含有聚硅氮烷化合物的层中的、聚硅氮烷化合物的含量，从可形成具有优异的阻气性等的离子注入层的角度考虑，优选为50重量％以上，更优选为70重量％以上。

作为形成含有聚硅氮烷化合物的层的方法，没有特别限定，例如可以举出在适当的基材层上涂布含有聚硅氮烷化合物的至少一种、根据需要的其它成分、和溶剂等的层形成用溶液，并将所得的涂膜适度地干燥而形成的方法。

作为涂布装置，可以使用旋涂机、刮刀式涂胶机、照相凹板式涂布机等公知的涂布装置。

为了使所得的涂膜干燥、使成型体的阻气性增加，优选加热涂膜。加热在80～150℃进行数十秒至数十分钟。

另外，含有聚硅氮烷化合物的层也可以通过使二甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、六甲基二硅氮烷等的等离子体聚合性硅氮烷化合物的气体与塑料成型体接触，并实施等离子体聚合处理来形成（日本特开平9－143289号公报）。

形成的含有聚硅氮烷化合物的层的厚度没有特别限定，通常为20nm～100μm、优选30～500nm、更优选40～200nm。

本发明中，含有聚硅氮烷化合物的层即使为纳米级别，也可以得到具有充分的阻气性能的成型体。

本发明的成型体中，离子注入层为含有聚硅氮烷化合物的至少一种的层，只要是在该层中注入烃系化合物的离子而成的层就没有限制。

生成烃系化合物的离子的烃系化合物（原料气体）的分子量通常为1000以下、优选为500以下、更优选为200以下。

作为使用的烃系化合物的气体，可以举出甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等的烷烃系气体类；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等的烯烃系气体类；戊二烯、丁二烯等的链二烯系气体类；乙炔、甲基乙炔等的炔系气体类；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等的芳香族烃系气体类；环丙烷、环己烷等的环烷烃系气体类；环戊烯、环己烯等的环烯烃系气体类；等。

它们可以单独使用一种，或者将两种以上组合使用。

其中，从更为简便地得到具有更为优异的阻气性等的成型体的角度考虑，优选碳原子数为2～10的烃化合物的气体，更优选乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯等的烯烃系气体类；乙炔、丙炔等的炔系气体类；苯、甲苯、二甲苯等的芳香族烃系气体类，进一步优选炔系气体类、芳香族烃系气体类，特别优选乙烯气体、乙炔气体、甲苯气体。

烃系化合物的离子的注入量，可以根据形成的成型体的使用目的（必要的阻气性、透明性等）等来适当确定。

注入烃系化合物的离子（以下有时简称为“离子”）的方法没有特别限定，例如可以举出在形成含有聚硅氮烷化合物的层之后，向该含有聚硅氮烷化合物的层中注入离子的方法。

注入离子的方法可举出以下的方法：照射利用电场加速的离子(离子束)的方法；注入等离子体中的离子的方法等。其中，本发明中，从可以简便地获得具有优异的阻气性等的成型体的角度考虑，优选后者的注入等离子体离子的方法。

等离子体离子注入例如可以如下述这样进行：在含有烃系化合物的等离子体生成气体的气氛下生成等离子体，对含有聚硅氮烷化合物的层施加负的高电压脉冲，由此将该等离子体中的离子(阳离子)注入到含有聚硅氮烷化合物的层的表面部中。

形成离子注入层的部分的厚度可通过离子的种类或施加电压、处理时间等的注入条件来控制，可以根据含有聚硅氮烷化合物的层的厚度、成型体的使用目的等来确定，通常为10-1000 nm。

离子的注入可使用X射线光电子能谱分析(XPS)，通过进行距表面10 nm附近深度的元素分析测定来确认。

本发明的成型体的形状没有特别限定，例如可举出薄膜状、片状、长方体状、多棱柱状、筒状等。如后所述，作为电子设备用构件使用时，优选薄膜状、片状。该薄膜的厚度可根据目标电子设备的用途适当确定。

本发明的成型体可以只含有离子注入层，还可以进一步含有其它层。其它层可以是单层也可以是同种类或不同种类的2层以上。

其它层例如可举出：基材层、无机化合物层、冲击吸收层、导电体层、基底层等。

本发明的成型体为含有其它层的叠层体时，各层的叠层顺序可以是任意的顺序。另外，离子注入层的配置位置没有特别限定，从可高效地制造等的原因考虑，优选在表面上具有离子注入层。进一步地，离子注入层可以仅在其它层的一面形成，也可以在其它层的两面形成。

另外，本发明的成型体为含有其它层的叠层体时，叠层体的厚度没有特别限定，可以根据目的的电子设备的用途来适当决定。

（基材层）

基材层的原材料只要符合成型体的目的即可，没有特别限定，例如可举出：聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫、聚芳酯、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳香族系聚合物等。

其中，从透明性优异、具有通用性的角度考虑，优选聚酯、聚酰胺或环烯烃系聚合物，更优选聚酯或环烯烃系聚合物。

聚酯可举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。

聚酰胺可举出：全芳香族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。

环烯烃系聚合物可举出：降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物、乙烯基脂环烃聚合物以及它们的氢化物。其具体例子可举出：アペル(三井化学社制造的乙烯-环烯烃共聚物)、アートン(JSR社制造的降冰片烯系聚合物)、ゼオノア(日本ゼオン社制造的降冰片烯系聚合物)等。

（无机化合物层）

无机化合物层是由无机化合物的一种或两种以上形成的层。作为构成无机化合物层的无机化合物，是通常可真空成膜、且具有阻气性的无机化合物，例如可举出：无机氧化物、无机氮化物、无机碳化物、无机硫化物、作为它们的复合物的无机氧化氮化物、无机氧化碳化物、无机氮化碳化物、无机氧化氮化碳化物等。本发明中，在这些化合物中，优选无机氧化物、无机氮化物、无机氧化氮化物。

无机氧化物可以列举用通式MOx表示的金属氧化物。

式中，M表示金属元素。x根据M的不同，其范围各自不同，例如M如果为硅（Si），则x为0.1～2.0，M如果为铝（Al），则x为0.1～1.5，M如果为镁（Mg），则x为0.1～1.0，M如果为钙（Ca），则x为0.1～1.0，M如果为钾（K），则x为0.1～0.5，M如果为锡（Sn），则x为0.1～2.0，M如果为钠（Na），则x为0.1～0.5，M如果为硼（B），则x为0.1～1.5，M如果为钛（Ti），则x为0.1～2.0，M如果为铅（Pb），则x为0.1～1.0，M如果为锆（Zr），则x为0.1～2.0，M如果为钇（Y），则x为0.1～1.5的范围的值。

其中，从透明性等优异的角度考虑，优选M为硅的硅氧化物、M为铝的铝氧化物、M为钛的钛氧化物，更优选硅氧化物。并且，作为x的值，如果M为硅，则优选为1.0～2.0，如果M为铝，则优选为0.5～1.5，如果M为钛，则优选为1.3～2.0的范围。

作为无机氮化物，可以举出由通式MNy表示的金属氮化物。

式中，M表示金属元素。y根据M的不同，其范围各自不同，如果M为硅（Si），则y＝0.1～1.3，如果M为铝（Al），则y＝0.1～1.1，如果M为钛（Ti），则y＝0.1～1.3，如果M为锡（Sn），则y＝0.1～1.3的范围的值。

其中，从透明性等优异的角度考虑，优选M为硅的硅氮化物、M为铝的铝氮化物、M为钛的钛氮化物、M为锡的锡氮化物，更优选硅氮化物（SiN）。并且，作为y的值，如果M为硅，则优选y＝0.5～1.3，如果M为铝，则优选y＝0.3～1.0，如果M为钛，则优选y＝0.5～1.3，如果M为锡，则优选y＝0.5～1.3的范围。

作为无机氧化氮化物，可以举出由通式MOxNy表示的金属氧化氮化物。

式中，M表示金属元素。x和y的值根据M的不同，其范围各自不同。即，对于x、y，例如如果M为硅（Si），则x＝1.0～2.0、y＝0.1～1.3，如果M为铝（Al），则x＝0.5～1.0、y＝0.1～1.0，如果M为镁（Mg），则x＝0.1～1.0、y＝0.1～0.6，如果M为钙（Ca），则x＝0.1～1.0、y＝0.1～0.5，如果M为钾（K），则x＝0.1～0.5、y＝0.1～0.2，如果M为锡（Sn），则x＝0.1～2.0、y＝0.1～1.3，如果M为钠（Na），则x＝0.1～0.5、y＝0.1～0.2，如果M 为硼（B），则x＝0.1～1.0、y＝0.1～0.5，如果M为钛（Ti），则x＝0.1～2.0、y＝0.1～1.3，如果M为铅（Pb），则x＝0.1～1.0、y＝0.1～0.5，如果M为锆（Zr），则x＝0.1～2.0、y＝0.1～1.0，如果M为钇（Y），则x＝0.1～1.5、y＝0.1～1.0的范围的值。

其中，从透明性等优异的角度考虑，优选M为硅的硅氧化氮化物、M为铝的铝氧化氮化物、M为钛的钛氧化氮化物，更优选硅氧化氮化物。并且，作为x和y的值，如果M为硅，则优选x＝1.0～2.0、y＝0.1～1.3，如果M为铝，则优选x＝0.5～1.0、y＝0.1～1.0，如果M为钛，则优选x＝1.0～2.0、y＝0.1～1.3的范围。

并且，金属氧化物、金属氮化物和金属氧化氮化物中，可以含有2种以上的金属。

无机化合物层的形成方法没有特别限定。例如可举出：蒸镀法、溅射法、离子镀敷法、热CVD法、等离子体CVD法等。其中，从可简便地得到无机化合物层的角度考虑，优选溅射法。

溅射法是下述这样的方法：在真空槽内导入放电气体（氩等），在由无机化合物形成的靶与基材等的附着对象物（塑料薄膜等）之间施加高频电压或直流电压，而使放电气体形成等离子体，使该等离子体碰撞靶，由此将靶材料飞溅，并使其附着在附着对象物上而得到薄膜。作为靶，可以举出例如上述的金属氧化物、金属氮化物、金属氧化氮化物、或在它们中含有的金属的单体。

作为溅射法，可以举出作为基本方式的双极法；在双极法中补加了释放热电子的热阴极的三极法；通过利用磁场产生装置向靶表面施加磁场，使等离子体稳定化，而提高成膜速度的磁控溅射法；在靶上照射高能量的离子束的离子束法；使2块靶平行地对向设置，向它们的靶面垂直地施加磁场的对向靶法；利用电子回旋共振（ECR）的ECR法；将靶和基板配置成同轴的圆筒状的同轴型溅射法；在基板附近供给反应性气体来控制成膜组成的反应性溅射法等。

其中，从可简便地得到阻气性优异的叠层体的角度考虑，优选磁控溅射法。

另外，在本发明中，也可以使用动态离子混合法来形成无机化合物层。动态离子混合法是通过同时进行膜形成和离子注入，而将膜形成材料和注入离子种类的化合物膜成膜的方法。该动态离子混合法通过改变膜形成和离子注入的条件，可以容易地进行膜的组成控制和结晶控制，通过将这些条件最优化，可以形成针孔少、机械特性优异的膜。另外，在膜形成初始阶段，到达被成膜材料的表面的膜形成材料的原子的一部分通过与在膜中注入的离子的碰撞而接受能量，在被成膜材料中被撞击。由此，在被成膜材料与膜的界面形成构成被成膜材料的原子与膜形成材料的原子的混合层（mixing lay）。在这样的混合层中，侵入被成膜材料的膜形成材料的原子形成如在被成膜材料中钉进楔子这样的结构，作为将成膜了的膜固定在被成膜材料上的锚（アンカー）而发挥功能。因此，成膜了的膜对于被成膜材料较强地密合。因此，在本发明中，利用动态离子混合法成膜的无机化合物层与聚硅氮烷层较强地密合，另外，针孔少，因此可以得到优异的阻气性，同时使其弯折时，难以产生裂纹，可以长期维持阻气性。

作为动态离子混合法中使用的膜形成方法，没有特别限定，优选使用溅射法。在使用了溅射法的动态离子混合法中，例如如下所述形成无机化合物层。

首先，在真空腔体内配置设置了聚硅氮烷层的基材和靶。使该真空腔体内为减压状态后，将等离子体生成气体导入腔体内。等离子体生成气体含有溅射气体（稀有气体）、和根据需要的稀有气体以外的可电离的气体（反应性气体），其通过在基材上施加高频功率而进行等离子体化。

在基材上施加高频功率的同时，以脉冲状施加负的直流高电压。通过在基材上施加高频功率，基材周边的等离子体生成气体等离子体化，等离子体中的溅射气体的离子碰撞靶，溅射粒子从该靶上弹出。弹出的溅射粒子附着、堆积在聚硅氮烷层的表面上，形成溅射粒子的堆积膜（由靶材料形成的膜）。另外，与此同时，通过以脉冲状向基材施加负的直流高电压，等离子体中的离子在基材侧被诱导，并注入到成膜了的膜（无机化合物层）中。由此，对构成膜的原子赋予能量，该原子在聚硅氮烷层中被撞击。对于使用了反应性气体的情况，原子被撞击的同时，构成膜的原子与反应性气体的离子反应。其结果是靶材料和反应性气体的化合物膜（无机化合物层）较强地密合在聚硅氮烷层上而形成。

并且，在该动态离子混合法中，通过在基材上施加高频功率，可以除去由离子注入导致的基材的带电。

在以上的动态离子混合法中，靶和等离子体生成气体根据目标无机化合物层的组成来适当选择。

具体来说，作为靶，可以举出构成目标无机化合物层的金属的单体、硅、石墨、或含有金属的化合物（氧化物、氮化物、氧氮化物等）等。

另外，在等离子体生成气体中，作为溅射气体，可以举出氦、氩、氖、氪、氙等，可以使用它们中的1种，或将2种以上组合使用。另外，作为反应性气体，可以举出氢、氧、氮、氟碳化合物等，可以使用它们中的1种，或将2种以上组合使用。

对于反应性溅射的情况，等离子体生成气体优选以溅射气体为主成分，虽然也依赖于靶材料的组成比和目标的膜质量，但具体来说导入气体中的溅射气体的比例优选为50％～100％，更优选55％～98％，特别优选60～96％。由此，可以提高膜形成速度，能够高效地将无机化合物层成膜。

另外，等离子体生成气体压力（混合气体的情况下为总压）优选为1.0×10¹～1.0×10^{－ 3}Pa，更优选1.0×10⁰～1.0×10^{－ 3}Pa，特别优选1.0×10～1.0×10^{－ 2}Pa。

在基材上施加的负的脉冲状高电压为－100kV～－100V、更优选－50kV～－1kV。

另外，向膜中注入的离子浓度通常为1×10¹⁵ions/cm²以上、优选1×10¹⁶ions/cm²以上、更优选1×10¹⁶～10¹⁸ions/cm²。

无机化合物层的厚度没有特别限定，从可得到阻气性的角度考虑，优选为10～1000nm，更优选为20～500nm，特别优选为50～200nm。

（冲击吸收层）

为了防止在对无机化合物层施加冲击时产生的裂纹，可以设置冲击吸收层。形成冲击吸收层的原材料没有特别限定，例如可举出：丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂、有机硅系树脂、烯烃系树脂、橡胶系材料等。其中，优选丙烯酸系树脂、有机硅系树脂、橡胶系材料。

作为丙烯酸系树脂，可以举出含有选自（甲基）丙烯酸酯均聚物、含2种以上的（甲基）丙烯酸酯单元的共聚物、和（甲基）丙烯酸酯与其它官能性单体的共聚物中的至少一种作为主成分的丙烯酸系树脂。并且，“（甲基）丙烯酸”是丙烯酸或甲基丙烯酸的意思（以下同样。）。

作为（甲基）丙烯酸酯，优选酯部分的碳原子数为1～20的（甲基）丙烯酸，从可容易地使下述的冲击吸收层的存储弹性系数为特定的范围内的角度考虑，更优选使用酯部分的碳原子数为4～10的（甲基）丙烯酸酯。作为这样的（甲基）丙烯酸酯，可以举出（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2－乙基己酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲基）丙烯酸癸酯等。

作为官能性单体，可以举出（甲基）丙烯酸羟基乙酯等的含羟基的单体、（甲基）丙烯酰胺等的含酰胺基的单体、（甲基）丙烯酸等的含羧酸基的单体等。

（甲基）丙烯酸酯（共）聚合物可以通过例如溶液聚合法、乳化聚合法、悬浮聚合法等公知的聚合方法来得到。并且，（共）聚合物是均聚物或共聚物的意思（以下同样）。

（甲基）丙烯酸酯（共）聚合物也可以与交联剂混合，在至少一部分中形成交联物来使用。

作为交联剂，可以举出甲苯二异氰酸酯、1,6-己二异氰酸酯等、或者它们的加成物等的异氰酸酯系交联剂；乙二醇缩水甘油醚等的环氧系交联剂；六〔1－（2－甲基）－氮丙啶基〕三磷杂三嗪等的氮丙啶系交联剂；铝螯合物等的螯合物系交联剂；等。

交联剂的使用量相对于（甲基）丙烯酸酯（共）聚合物的固形成分100质量份，通常为0.01～10质量份、优选0.05～5质量份。交联剂可以单独使用1种，或将2种以上组合使用。

有机硅系树脂可以举出以二甲基硅氧烷为主成分的树脂。另外，橡胶系材料可以举出以异戊二烯橡胶、丁苯橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡胶等为主成分的材料。

冲击吸收层中可以含有各种添加剂、例如抗氧化剂、增粘剂、增塑剂、紫外线吸收剂、着色剂、抗静电剂等其它的成分。

形成冲击吸收层的原材料也可以使用作为胶粘剂、涂布剂、密封剂等市售的产品，特别优选丙烯酸系胶粘剂、有机硅系胶粘剂、橡胶系胶粘剂等的胶粘剂。

作为冲击吸收层的形成方法，没有特别限定，可以举出例如与上述含有聚硅氮烷系化合物的层的形成方法同样地，将含有上述形成冲击吸收层的原材料（胶粘剂等）、和根据需要的溶剂等其它成分的冲击吸收层形成溶液涂布在应层叠的层上，将所得的涂膜干燥，根据需要进行加热等来形成的方法。

另外，可在剥离基材上将冲击吸收层成膜，将所得的膜转印至应叠层的层上来进行叠层。

冲击吸收层的厚度通常为1～100μm，优选为5～50μm。

（导电体层）

构成导电体层的材料可举出：金属、合金、金属氧化物、导电性化合物、它们的混合物等。具体来说可举出：氧化锡、掺杂了锑的氧化锡(ATO)；掺杂了氟的氧化锡(FTO)；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化锌铟(IZO)等导电性金属氧化物；金、银、铬、镍等金属；这些金属与导电性金属氧化物的混合物；碘化铜、硫化铜等无机导电性物质；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有机导电性材料；等。导电体层可以是包含这些材料的层多层叠层而成的叠层体。

其中，从透明性的角度考虑，优选导电性金属氧化物，特别优选ITO。

导电体层的形成方法可举出：蒸镀法、溅射法、离子镀敷法、热CVD法、等离子体CVD法等。其中，从可简便地形成导电体层的角度考虑，优选为溅射法。

溅射法是通过在真空槽内导入放电气体（氩等），在靶与基板之间施加高频电压或直流电压，而使放电气体形成等离子体，使该等离子体碰撞靶，由此将靶材料飞溅，并使其附着在基板上而得到薄膜的方法。作为靶，可以使用由形成上述导电体层的材料构成的物质。

导电体层的厚度可根据其用途等适当选择。通常为10nm～50μm，优选为20nm～20μm。

所得的导电体层的表面电阻率通常为1000Ω/□以下。

对于形成的导电体层，可以根据需要进行图案的形成。作为形成图案的方法，可以举出利用了照相平版印刷术等的化学性蚀刻、使用了激光等的物理性蚀刻等、使用了掩模的真空蒸镀法或溅射法、剥离法（リフトオフ法）、印刷法等。

（基底层）

基底层起到提高基材层与离子注入层之间的层间密合性的作用。通过设置基底层，可以获得层间密合性和表面平滑性极为优异的阻气性薄膜。

构成基底层的材料没有特别限定，可以使用公知的材料。例如可举出：含硅化合物；含有光聚合性单体和/或光聚合性预聚物的光聚合性化合物、以及至少含有用可见光区域的光生成自由基的聚合引发剂的光聚合性组合物；聚酯系树脂、聚氨酯系树脂(特别是聚丙烯基型多元醇（polyacryl polyol）、聚酯型多元醇、聚醚型多元醇等与异氰酸酯化合物的双液固化型树脂)、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、氯乙烯/乙酸乙烯基酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛系树脂、硝基纤维素系树脂等树脂类；钛酸烷基酯；吖丙啶；等。这些材料可以单独使用一种或将两种以上组合使用。

基底层可如下形成：将构成基底层的材料溶解或分散于适当的溶剂中而得到基底层形成用溶液，将该基底层形成用溶液涂布在基材层的一个面或两面上，使所得的涂膜干燥，并根据需要进行加热来形成。

将基底层形成用溶液涂布在基材层上的方法可采用通常的湿式涂布方法。例如可举出：浸涂法、辊涂法、凹版涂布法、刮刀涂布法、气刀涂布法、辊刀涂布法、口模涂布法、丝网印刷法、喷涂法、凹版胶印法等。

对基底层形成用溶液的涂膜进行干燥的方法可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。基底层的厚度通常为10-1000 nm。

还可以按照与如后所述的向离子注入层中注入离子的方法为同样的方法，对所得的基底层进行离子注入。通过也对基底层进行离子注入，可以获得更为优异的阻气性薄膜。

本发明的成型体具有优异的阻气性、透明性、抗静电性，另外其形状为薄膜状或片状(以下称为“薄膜状”)时，优选耐弯折性优异，且即使进行弯折等也可维持阻气性。

本发明的成型体具有优异的阻气性，这可以由本发明的成型体的水蒸气等气体的透过率非常小得以确认。例如在40℃、相对湿度90%气氛下，水蒸气透过率通常为1g/m²/天以下、优选为0.4g/m²/天以下、更优选为0.1g/m²/天。应予说明，成型体的水蒸气等的透过率可使用公知的气体透过率测定装置进行测定。

本发明的成型体具有透明性，这可以由本发明的成型体的可见光透射率来得以确认。可见光透射率是波长550nm时的透射率，优选为55％以上。成型体的可见光透射率可以使用公知的可见光透射率测定装置来测定。

本发明的成型体耐弯折性优异，即使进行弯折等也可以维持阻气性，这可以由将薄膜状的成型体弯折成两半、施加压力、再次展开时弯折部分不劣化、水蒸气透过率也几乎不降低而得以确认。本发明的薄膜状的成型体与相同厚度的无机膜相比，弯折后也可维持阻气性的性能优异。

本发明的成型体具有抗静电性，这可以通过使用电荷衰减测定装置测定初始耐电压、和初始耐电压衰减至50％为止的时间（半衰期）、表面电阻率来得以确认。本发明的成型体的表面电阻率优选为1×10¹⁴Ω/□以下，更优选1×10¹²Ω/□以下。如果表面电阻率为1×10¹⁴Ω/□以下，则抗静电性优异，从而优选。

2）成型体的制造方法

本发明成型体的制造方法的特征在于，具有下述步骤：在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子。

本发明的成型体的制造方法中，优选一边将在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边在含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子，来制造成型体。

根据该制造方法，例如可将长的成型物从开卷辊开卷，一边将其沿一定方向运送一边注入烃系化合物的离子，并用卷绕辊卷绕，因此可以连续地制造注入了烃系化合物的离子的成型体。

长的成型物的形状为薄膜状，其可以仅由含有聚硅氮烷化合物的层构成，或者可以是在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的、含有其它层的叠层体。

从开卷、卷绕和运送的操作性的观点考虑，成型物的厚度优选1 μm～500 μm，更优选5 μm～300 μm。

向含有聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子的方法没有特别限定。其中特别优选通过等离子体离子注入法，在上述层的表面部形成离子注入层的方法。

等离子体离子注入法是通过对暴露于等离子体中的、表面具有含有聚硅氮烷化合物的层的成型物施加负的高电压脉冲，将等离子体中的离子注入到上述层的表面部，而形成离离子注入层的方法。

等离子体离子注入法优选(A)将存在于使用外部电场而产生的等离子体中的离子注入到上述层的表面部的方法；或(B)将存在于等离子体中的离子注入到上述层的表面部的方法，其中，所述等离子体不使用外部电场，只通过施加于上述层的负的高电压脉冲引起的电场而产生。

上述(A)的方法中，注入离子时的压力(等离子体离子注入时的压力)优选0.01-1 Pa。等离子体离子注入时的压力在上述范围时，可以简便且高效地形成阻气性等优异的均匀的离子注入层。

上述(B)的方法无需提高减压度，处理操作简便，处理时间也可大幅缩短。还可以对上述层全体均匀地进行处理，在施加负的高电压脉冲时，可将等离子体中的离子以高能量连续地注入到层的表面部。进一步地，无需射频(高频，以下简称为“RF”)或微波等高频功率源等特别的其它装置，仅通过对层施加负的高电压脉冲即可以在层的表面部均匀地形成优良的离子注入层。

上述(A)和(B)的任意的方法中，施加负的高电压脉冲时、即注入离子时的脉冲宽度优选为1-15微秒。脉冲宽度为该范围时，可以更简便且高效地形成透明且均匀的离子注入层。

另外，生成等离子体时的施加电压优选-1 kV～-50 kV，更优选-1 kV～-30 kV，特别优选-5 kV～-20 kV。如果以施加电压比-1 kV大的值进行离子注入，则离子注入量(剂量)不足，无法获得所需性能。另一方面，如果以比-50 kV小的值进行离子注入，则离子注入时成型体带电，另外发生成型体着色等问题，不优选。

作为生成烃系化合物的等离子体离子的原料气体，可以举出与上述1）成型体的项中列举的为同样的物质。

向层的表面部注入等离子体中的离子时，使用等离子体离子注入装置。

具体来说，等离子体离子注入装置可举出：(α)在对含有聚硅氮烷化合物的层（以下有时称为“离子注入的层”）施加负的高电压脉冲的馈通上重叠高频功率，进行离子注入，使该离子注入的层的周围被等离子体均匀包围，诱导、注入、碰撞、堆积等离子体中的离子的装置(日本特开2001-26887号公报)；(β)在腔体内设置天线，施加高频功率，生成等离子体，进行离子注入，使等离子体到达该离子注入的层的周围，然后对注入离子的层交替施加正和负的脉冲，以正的脉冲来诱导等离子体中的电子，使其碰撞，进行离子注入，对该离子注入的层进行加热，控制脉冲常数，进行温度控制，同时施加负的脉冲，诱导并注入等离子体中的离子的装置(日本特开2001-156013号公报)；(γ)使用微波等高频功率源等的外部电场生成等离子体，施加高电压脉冲，诱导并注入等离子体中的离子的等离子体离子注入装置；(δ)将不使用外部电场，而仅利用通过施加高电压脉冲产生的电场而生成的等离子体中的离子注入的等离子体离子注入装置等。

其中，从处理操作简便、处理时间也可大幅缩短、适合连续使用的观点考虑，优选使用(γ)或(δ)的等离子体离子注入装置。

以下，边参照附图边对使用上述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置的方法进行详细说明。

图1是表示具备上述(γ)的等离子体离子注入装置的连续等离子体离子注入装置的概要图。

图1(a)中，1a是在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的长的薄膜状的成型物(以下称为“薄膜”)，11a为腔体，20a为涡轮分子泵，3a为将注入离子之前的薄膜1a送出的开卷辊，5a是将注入了离子的薄膜(成型体)1a卷绕成卷状的卷绕辊，2a是高电压施加旋转筒，6a为薄膜的送出辊，10a为气体导入口，7a为高电压脉冲电源，4为等离子体放电用电极(外部电场)。图1(b)是上述高电压施加旋转筒2a的斜视图，15为高电压导入端子(馈通)。

所使用的表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的长的薄膜1a是在基材层上形成了含有聚硅氮烷化合物的层的薄膜。

在图1所示的连续等离子体离子注入装置中，薄膜1a在腔体11a内由开卷辊3a沿着图1中箭头X方向运送，通过高电压施加旋转筒2a卷绕到卷绕辊5a上。薄膜1a的卷绕方法、或运送薄膜1a的方法等没有特别限定，本实施方案中，通过以一定的速度使高电压施加旋转筒2a旋转，进行薄膜1a的运送。另外，高电压施加旋转筒2a的旋转通过利用马达使高电压导入端子15的中心轴13旋转来进行。

高电压导入端子15、以及薄膜1a所接触的多个送出用辊6a等由绝缘体形成，例如用聚四氟乙烯等树脂覆盖氧化铝的表面而形成。另外，高电压施加旋转筒2a由导体形成，例如可由不锈钢形成。

薄膜1a的运送速度可适当设定。该速度只要是可确保在薄膜1a由开卷辊3a运送、至被卷绕在卷绕辊5a上期间，向薄膜1a的表面部(含有聚硅氮烷化合物的层)注入离子，形成所需的离子注入层的时间即可，没有特别限定。薄膜的卷绕速度(运送速度)根据施加电压、装置规模等而不同，通常为0.1-3 m/分钟，优选0.2-2.5 m/分钟。

首先，通过与旋转泵连接的涡轮分子泵20a使腔体11a内排气、减压。减压度通常为1×10^{－ 4}Pa～1Pa，优选1×10^{－ 3}Pa～1×10^{－ 2}Pa。

接着，通过气体导入口10a向腔体11a内导入离子注入用的烃系化合物的气体(以下有时称为“离子注入用气体”)，使腔体11a内形成减压离子注入用气体气氛。应予说明，离子注入用气体也可以是等离子体生成气体。

接着，通过等离子体放电用电极4 (外部电场)生成等离子体。生成等离子体的方法可举出利用了微波或RF等高频功率源等的公知的方法。

另一方面，经由高电压导入端子15、通过与高电压施加旋转筒2a连接的高电压脉冲电源7a，施加负的高电压脉冲9a。如果对高电压施加旋转筒2a施加负的高电压脉冲，则等离子体中的离子被诱导，注入到高电压施加旋转筒2a的周围的薄膜表面(图1(a)中的箭头Y)，得到薄膜状的成型体1b。

如上所述，注入离子时的压力(腔体11a内的等离子体气体的压力)优选为0.01-1 Pa，注入离子时脉冲宽度优选为1-15微秒，对高电压施加旋转筒2a施加负的高电压时的施加电压优选为-1 kV～-50 kV。

接着，对于使用图2所示的连续等离子体离子注入装置、向表面部具有含有聚硅氮烷化合物的层的薄膜的、上述含有聚硅氮烷化合物的层注入离子的方法进行说明。

图2所示的装置具备上述(δ)的等离子体离子注入装置。该等离子体离子注入装置无需使用外部电场(即，图1中的等离子体放电用电极4)，可以只用施加的高电压脉冲引起的电场来生成等离子体。

图2所示的连续等离子体离子注入装置中，与上述图1的装置同样地，通过使高电压施加旋转筒2b旋转，薄膜(薄膜状的成型物)1c由开卷辊3b沿着图2中箭头X方向运送，卷绕在卷绕辊5b上。

在图2所示的连续等离子体离子注入装置中，对上述薄膜的含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子如下进行。

首先，与图1所示的等离子体离子注入装置同样地，在腔体11b内设置薄膜1c，通过与旋转泵连接的涡轮分子泵20b使腔体11b内排气、减压。此时，通过气体导入口10b向腔体11b内导入离子注入用气体，使腔体11b内形成减压离子注入用气体气氛。

注入离子时的压力(腔体11b内的等离子体气体的压力)为10 Pa以下，优选0.01-5 Pa，更优选0.01-1 Pa。

接着，将薄膜1c沿着图2中X方向运送，同时经由高电压导入端子(未图示)，由与高电压施加旋转筒2b连接的高电压脉冲电源7b施加高电压脉冲9b。

如果对高电压施加旋转筒2b施加负的高电压，则沿着高电压施加旋转筒2b的周围的薄膜1c生成等离子体，该等离子体中的离子被诱导，并注入到高电压施加旋转筒2b的周围的成型体薄膜1c的表面(图2中的箭头Y)。如果向薄膜1c的含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入离子，则在薄膜表面部形成离子注入层，得到薄膜状的成型体1d。

对高电压施加旋转筒2b施加负的高电压时的施加电压、脉冲宽度和注入离子时的压力与图1所示的连续等离子体离子注入装置的情况相同。

图2所示的等离子体离子注入装置中，高电压脉冲电源兼用作生成等离子体的等离子体发生装置，因此无需RF或微波等高频功率源等特别的其它装置，仅通过施加负的高电压脉冲即可以生成等离子体，可以向薄膜的含有聚硅氮烷化合物的层的表面部注入等离子体中的离子，连续形成离子注入层，可以使在薄膜表面部形成有离子注入层的成型体实现量产。

3) 电子设备用构件和电子设备

本发明的电子设备用构件的特征在于，包含本发明的成型体。因此，本发明的电子设备用构件具有优异的阻气性，因此可以防止水蒸气等气体导致的元件的劣化。另外光的透射性高，因此适合用作液晶显示器、EL显示器等显示器构件；太阳能电池用背板；等。

本发明的电子设备具备本发明的电子设备用构件。具体例子可举出：液晶显示器、

有机EL显示器、无机EL显示器、电子纸、太阳能电池等。

本发明的电子设备具备包含本发明的成型体的电子设备用构件，因此具有优异的阻气性和透明性。

实施例

以下列举实施例，进一步详细说明本发明。但是，本发明并不受以下实施例的任何限定。

所使用的等离子体离子注入装置和水蒸气透过率测定装置、以及测定条件、可见光透射率测定装置、耐电压和半衰期的测定装置和测定方法、表面电阻率的测定装置和弯折试验的方法如以下所述。并且，使用的等离子体离子注入装置是使用外部电场进行离子注入的装置。

（等离子体离子注入装置）

RF电源：日本电子社制造，产品型号“RF”56000

高电压脉冲电源：栗田制作所社制造，“PV-3-HSHV-0835”

(水蒸气透过率的测定)

气体透过率测定装置：水蒸气透过率为0.01g/m²/天以上时，使用LYSSY公司制、“L89－500”，水蒸气透过率小于0.01g/m²/天时，使用TECHNOLOX公司制、“deltaperm”。

测定条件：相对湿度90％、40℃。

（可见光线透射率的测定）

可见光透射率测定装置：岛津制作所公司制、“UV－3101PC”

测定条件：波长550nm

（耐电压和半衰期的测定）

使用电荷衰减测定装置：STATIC　HONESTＭETER　Type　S－5109（シシド静電気公司制），在转车台（ターンテーブル）上，使所得的成型体的离子注入面（比较例1为含有全氢化聚硅氮烷的层一侧，比较例4为氮化硅膜一侧）朝上进行设置，在输出电压10kV、转速1300rpm的条件下测定耐电压、和初始耐电压衰减至50％为止的时间（半衰期）。半衰期为60秒以上时，测定60秒后的耐电压。

（表面电阻率的测定）

使用表面电阻率的测定装置：高电阻率计ハイレスターUP　MCP－HT450（三菱化学公司制），测定所得的成型体的离子注入面（比较例1为含有全氢化聚硅氮烷的层一侧，比较例4为氮化硅膜一侧）的表面电阻。

(弯折试验)

以所得的成型体的离子注入面(比较例1为含有全氢化聚硅氮烷的层一侧，比较例4为氮化硅膜一侧)为外侧，在中央部分对折，在层压速度5 m/分钟、温度23℃的条件下通过层压机(フジプラ社制造，“LAMIPACKER LPC1502”)的2根辊之间后，用显微镜观察弯折部分（100倍），观察有无裂纹的产生。确认没有裂纹产生时评价为“无”，确认有裂纹产生时，评价为“有”。

（实施例1）

在作为基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜（三菱树脂公司制、“PET38 T－100”、厚度38μm、以下称为“PET薄膜”）上涂布以作为聚硅氮烷化合物的全氢化聚硅氮烷为主成分的涂布剂（クラリアントジャパン公司制，“アクアミカNL110－20”），在120℃加热1分钟，在PET薄膜上形成含有全氢化聚硅氮烷的厚度100nm（膜厚）的层，得到成型物。

接着，在上述成型物的含有全氢化聚硅氮烷的层的表面上，使用图1所示的等离子体离子注入装置，将乙炔在以下所示的条件下进行等离子体离子注入，制作成型体1。

〈等离子体离子注入的条件〉

・等离子体生成气体：乙炔

・气体流量：100sccm

・Duty比：0.5％

・重复频率：1000Hz

・施加电压：－10kV

・RF电源：频率　13.56MHz，施加功率　1000W

・腔体内压：0.2Pa

・脉冲宽度：5μsec

・处理时间（离子注入时间）：5分钟

・运送速度：0.2m/分钟

（实施例2）

除了使用甲苯（气体流量：30sccm）代替乙炔来作为等离子体生成气体以外，其它与实施例1同样地制作成型体2。

（实施例3）

除了使用甲烷代替乙炔来作为等离子体生成气体以外，其它与实施例1同样地制作成型体3。

（比较例1）

除了不进行离子注入以外，其它与实施例1同样地制作成型体。即，在PET薄膜上形成含有全氢化聚硅氮烷的层，将其作为成型体4。

（比较例2）

除了不在PET薄膜上形成含有全氢化聚硅氮烷的层以外，其它与实施例1同样地制作成型体。即，在PET薄膜的表面将乙炔利用与实施例1同样的条件进行等离子体离子注入，制作成型体5。

（比较例3）

除了不在PET薄膜上形成含有全氢化聚硅氮烷的层以外，其它与实施例2同样地制作成型体。即，在PET薄膜的表面将甲苯（其中，气体流量为100sccm）利用与实施例1同样的条件进行等离子体离子注入，制作成型体6。

（比较例4）

利用溅射法在PET薄膜上形成厚度60nm的氮化硅（SiN）的膜，制作成型体7。

（参考例1）

除了使用氩（Ar）（气体流量：100sccm）代替乙炔来作为等离子体生成气体以外，其它与实施例1同样地制作成型体8。

对于实施例1～3、比较例2、3和参考例1中得到的成型体1～3、5、6、8，使用XPS（アルバックファイ公司制）进行距表面10 nm附近深度的元素分析测定，由此确认各自离子的注入。

对于实施例1～3、比较例2、3和参考例1中得到的成型体1～6，测定水蒸气透过率、可见光透射率、耐电压和半衰期、以及表面电阻率。测定结果示于下述第1表。

另外，对于成型体1～6，进行弯折试验，确认有无裂纹的产生。结果示于第1表。

进一步地，对于弯折试验后的成型体1～6，测定水蒸气透过率。结果示于第1表。

[表1]

由第1表可知，实施例1～3的成型体1～3与比较例1～4的成型体4～7相比，水蒸气透过率小，具有高的阻气性。

进一步地，实施例1、2的成型体1、2的耐电压的半衰期短，表面电阻率小，抗静电性也优异。

另外，实施例1～3的成型体1～3、参考例1的成型体8在弯折试验后没有裂纹的产生，水蒸气透过率也保持小的状态，可知耐弯折性优异。

符号的说明

1a、1c・・・薄膜状的成型物

1b、1d・・・薄膜状的成型体

2a、2b・・・旋转筒

3a、3b・・・开卷辊

4・・・等离子体放电用电极

5a、5b・・・卷绕辊

6a、6b・・・送出用辊

7a、7b・・・脉冲电源

9a、9b・・・高电压脉冲

10a、10b・・・气体导入口

11a、11b・・・腔体

13・・・中心轴

15・・・高电压导入端子

20a、20b・・・涡轮分子泵

Claims (9)

1.成型体，其特征在于，具有在含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层的表面部中注入烃系化合物的离子而得到的离子注入层，

上述含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层的厚度为20nm～100μm，

上述离子注入层的厚度为10～1000 nm。

2.权利要求1所述的成型体，其特征在于，具有在含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层中，通过等离子体离子注入将烃系化合物的离子注入而得到的层。

3.权利要求1或2所述的成型体，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物是全氢化聚硅氮烷。

4.权利要求1或2所述的成型体，其特征在于，在40℃、相对湿度90％气氛下的水蒸气透过率为0.4g/m²/天以下。

5.权利要求1或2所述的成型体，其特征在于，表面电阻率为1×10¹⁴Ω/sq以下。

6.成型体的制造方法，所述成型体具有在含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层的表面部中注入烃系化合物的离子而得到的离子注入层，

上述含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层的厚度为20nm～100μm，

上述离子注入层的厚度为10～1000 nm，

在上述制造方法中，具有下述步骤：在表面部具有含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层的成型物的、上述含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层的表面部注入烃系化合物的离子。

7.权利要求6所述的成型体的制造方法，其中，具有下述步骤：一边将在表面部具有含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含有50重量％以上的聚硅氮烷化合物的层中注入烃系化合物的离子。

8.电子设备用构件，其包含利用权利要求6或7所述的制造方法得到的成型体。

9.电子设备，其具有权利要求8所述的电子设备用构件。