CN104220254A

CN104220254A - 阻气膜层叠体、电子装置用构件、及电子装置

Info

Publication number: CN104220254A
Application number: CN201380018327.5A
Authority: CN
Inventors: 岩屋涉; 永绳智史
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2012-03-30
Filing date: 2013-03-28
Publication date: 2014-12-17
Anticipated expiration: 2033-03-28
Also published as: EP2832539B1; CN104220254B; TWI576247B; US20150064429A1; EP2832539A4; EP2832539A1; TW201404601A; KR20140144690A; WO2013147093A1; JP6078051B2; KR102055111B1; JPWO2013147093A1

Abstract

本发明为阻气膜层叠体、包含该阻气膜层叠体的电子装置用构件、具备该电子装置用构件的电子装置，该阻气膜层叠体，其特征在于，其为至少两片阻气膜隔着接合层层叠的阻气膜层叠体，所述接合层是在包含23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa的合成树脂的基材薄膜A的两面分别邻接地层叠粘合剂层而成的。根据本发明，提供具有高的阻气性、耐弯曲性优异的阻气膜层叠体、包含前述阻气膜层叠体的电子装置用构件、具备前述电子装置用构件的电子装置。

Description

阻气膜层叠体、电子装置用构件、及电子装置

技术领域

本发明涉及阻气性和耐弯曲性优异的阻气膜层叠体、包含前述阻气膜层叠体的电子装置用构件、以及具备前述电子装置用构件的电子装置。

背景技术

迄今，作为太阳能电池、液晶显示器、电致发光(EL)显示器等电子构件用的基板，为了实现薄型化、轻量化、柔性化、耐冲击性等，而研究使用透明塑料膜来替代玻璃板。但是，塑料膜与玻璃板相比容易透过水蒸气、氧等，存在容易产生电子构件内部的元件的劣化等问题。

为了解决这种问题，专利文献1中公开了在透明塑料膜上层叠包含金属氧化物的透明阻气层而成的柔性显示器基板。

专利文献2中公开了塑料膜、和在该塑料膜的至少一面上层叠以聚有机倍半硅氧烷作为主要成分的树脂层而成的阻气性层叠体。

另外，专利文献3中公开了在第一透明塑料膜基材上形成透明阻气层，在前述透明阻气层上隔着透明粘合剂层配置第二透明塑料膜基材而成的透明膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-338901号公报

专利文献2：日本特开2006-123307号公报

专利文献3：日本特开2006-327098号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本申请申请人以往提出了具有由含有氧原子、碳原子和硅原子的材料形成的阻气层的层叠体(WO2010/021326号公报、WO2010/107018号公报等)。这些文献中记载的层叠体的阻气性优异。

本发明人等为了得到阻气性进一步优异的层叠体而进行研究，提出了至少两片阻气膜隔着粘合剂层层叠的层叠体。

但是，隔着粘合剂层使阻气膜之间贴合的层叠体在弯曲时，在阻气膜之间的厚度的差异大的情况下，在阻气膜与粘合剂层的界面显著产生剥离，有可能产生浮动（浮き）。认为这是起因于阻气膜之间的厚度差异大，弯曲应力集中于阻气膜与粘合剂层的界面而产生的。

本发明是鉴于这种实际情况而提出的，其目的在于，提供具有高的阻气性、耐弯曲性优异(弯曲时不易产生浮动)的阻气膜层叠体、包含前述阻气膜层叠体的电子装置用构件、以及具备前述电子装置用构件的电子装置。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题而进行深入研究，结果发现，替代隔着前述粘合剂层而使阻气膜之间贴合的层叠体的该粘合剂层，设置在包含23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa的合成树脂的基材膜的两面分别邻接地层叠粘合剂层而成的接合层，由此得到耐弯曲性优异的阻气膜层叠体，从而完成了本发明。

如此根据本发明，提供下述(1)～(11)的阻气膜层叠体、(12)的电子装置用构件、以及(13)的电子装置。

(1)一种阻气膜层叠体，其特征在于，其为至少两片阻气膜隔着接合层层叠的阻气膜层叠体，前述接合层是在包含23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa的合成树脂的基材膜A的两面分别邻接地层叠粘合剂层而成的。

(2)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其中，前述基材膜A的厚度为0.5～25μm。

(3)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其中，层叠于前述基材膜A的两面的粘合剂层的厚度分别为0.5～25μm。

(4)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其中，前述粘合剂层与前述阻气膜的180°剥离粘合力为2.0N/25mm以上。

(5)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其中，前述接合层的厚度为75μm以下。

(6)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其中，层叠于前述接合层的一面的阻气膜的厚度小于层叠于该接合层的另一面的阻气膜的厚度。

(7)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其中，(层叠于前述接合层的一面的阻气膜的厚度)/(层叠于前述接合层的另一面的阻气膜的厚度)的值为0.05～1.0。

(8)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其中，前述阻气膜的至少一片具有基材膜B和设置于该基材膜B上的至少一层阻气层。

(9)根据(8)所述的阻气膜层叠体，其中，前述阻气层为向包含高分子硅化合物的层注入离子而形成的层。

(10)根据(8)所述的阻气膜层叠体，其中，前述阻气膜以其阻气层与前述接合层邻接的方式层叠。

(11)根据(1)所述的阻气膜层叠体，其厚度为100μm以下。

(12)一种电子装置用构件，其包含前述(1)所述的阻气膜层叠体。

(13)一种电子装置，其具备前述(12)所述的电子装置用构件。

发明的效果

本发明的阻气膜层叠体，通过使用具有前述特性的接合层，将层叠体弯曲时，在厚的膜一侧的阻气膜与接合层的界面由于弯曲所导致的应力的集中得到缓和，解决了在厚的膜一侧的阻气膜与粘合剂层的界面产生剥离、产生浮动的问题。

本发明的阻气膜层叠体，适于太阳能电池、液晶显示器、电致发光(EL)显示器等电子构件用。

本发明的电子装置用构件由于包含阻气性和耐弯曲性优异的本发明的阻气膜层叠体，因此可以合适地用于触摸面板、电子纸、有机･无机EL的柔性显示器、太阳能电池等电子装置等。

附图说明

[图1]为本发明的阻气膜层叠体的一例的层结构截面图。

[图2]为制造本发明的阻气膜层叠体的工序截面图。

具体实施方式

以下将本发明分为1)阻气膜层叠体、以及2)电子装置用构件和电子装置来进行详细说明。

1)阻气膜层叠体

本发明的阻气膜层叠体，其特征在于，其为至少两片阻气膜隔着接合层层叠的阻气膜层叠体，前述接合层是在包含23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa的合成树脂的基材膜的两面分别邻接地层叠粘合剂层而成的。

(接合层)

本发明中使用的接合层，是在包含23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa的合成树脂的基材膜(以下将接合层中使用的该基材膜称为“基材膜A”)的两面分别邻接地层叠粘合剂层而成的。

前述基材膜A，若包含23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa的合成树脂、可以担载粘合剂层，则可没有特别限制地使用。

构成基材膜A的合成树脂的23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa，优选为3000～5000MPa。前述拉伸弹性模量不足3000MPa时，将阻气膜层叠体弯曲时，容易产生浮动。另一方面，若前述拉伸弹性模量超过10000MPa，则阻气膜层叠体的弯曲性降低。

需要说明的是，23℃下的拉伸弹性模量根据JIS K7127测定。

作为构成基材膜A的合成树脂，可列举出例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳香族系聚合物等。

它们之中，从透明性优异、具有通用性的观点考虑，优选为聚酯或环烯烃系聚合物。

作为聚酯，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯等。

作为环烯烃系聚合物，可列举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃系聚合物、环状共轭二烯系聚合物、乙烯基脂环式烃聚合物、以及它们的氢化物。

基材膜A的厚度通常为0.5～25μm、优选1～10μm、更优选1～6μm的范围。通过基材膜A的厚度为0.5μm以上，制造阻气膜层叠体时的作业性优异。另一方面，通过基材膜A的厚度为25μm以下，将阻气膜层叠体弯曲时，不易产生浮动。

前述粘合剂层，为了保持层叠结构而分别邻接地设置于基材膜A的两面。粘合剂层若不会剥离阻气膜、基材膜A，具有充分的粘合力，则可以没有特别限制地使用。

两层粘合剂层的种类、厚度可以相同或不同。

粘合剂层的厚度通常为0.5～25μm、优选1～10μm、更优选1～6μm的范围。通过粘合剂层的厚度为0.5μm以上，形成具有充分粘合力的粘合剂层，将阻气膜层叠体弯曲时，不易产生浮动。另一方面，通过粘合剂层的厚度为25μm以下，在生产率方面有利。

前述粘合剂层与前述阻气膜的180°剥离粘合力优选为2.0N/25mm以上。通过剥离粘合力为2.0N/25mm以上，对于阻气膜具有充分的粘合力，因此将阻气膜层叠体弯曲时，进一步不易产生浮动。

需要说明的是，本发明中，“前述粘合剂层与前述阻气膜的180°剥离粘合力”，如实施例所说明，指的是在粘合剂层的一面裱褙聚酯膜，作为粘合力试验用粘合膜，该粘合力试验用粘合膜与阻气膜的、根据JIS Z0237(2000)测定的180°剥离粘合力。

对粘合剂的种类没有特别限制。本发明中，可以使用丙烯酸系、橡胶系、聚酯系、氨基甲酸酯系、有机硅系等公知的粘合剂。其中，从得到优异的粘合力的观点考虑，优选为丙烯酸系粘合剂。

丙烯酸系粘合剂为以丙烯酸系共聚物作为主要成分的粘合剂。

丙烯酸系共聚物指的是具有源自(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯的重复单元的共聚物。“(甲基)丙烯酸”指的是丙烯酸和甲基丙烯酸这两者，“(甲基)丙烯酸酯”指的是丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯这两者。

另外，丙烯酸系共聚物只要不阻碍本发明效果则可以具有上述以外的重复单元。

丙烯酸系共聚物优选具有具有羧基、羟基、氨基、酰胺基等能够形成交联结构的官能团的重复单元，和不具有官能团的重复单元这两者。

作为丙烯酸系共聚物的制造中使用的单体，可列举出具有官能团的丙烯酸系单体、不具有官能团的丙烯酸系单体、以及能够与这些单体共聚的其它单体。

作为具有官能团的丙烯酸系单体，可列举出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等具有羧基的丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等具有羟基的丙烯酸系单体；等。

它们之中，优选为(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-羧基乙酯等具有羧基的丙烯酸系单体，更优选为(甲基)丙烯酸。

这些单体可以单独使用一种或组合两种以上来使用。

作为不具有官能团的丙烯酸系单体，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻基酯、(甲基)丙烯酸棕榈酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等具有直链烷基的丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯等具有支链烷基的丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸环己酯等具有环烷基的丙烯酸系单体；等。

它们之中，从可以形成粘合性优异的粘合剂层的观点考虑，优选为具有碳原子数4～10的烃基的单体，更优选为(甲基)丙烯酸丁酯。

这些单体可以单独使用一种或组合两种以上来使用。

作为其它的单体，可列举出巴豆酸、马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸等具有羧基的单体；(甲基)丙烯酰胺、N-甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等具有酰胺基的单体；丙烯腈；苯乙烯；乙酸乙烯酯；乙烯基吡咯烷酮等。

对聚合反应中使用的引发剂没有特别限制，可列举出过氧化苯甲酰、过氧化月桂酰、过氧化甲乙酮等过氧化物系引发剂，偶氮双异丁腈、偶氮双氰基戊酸、偶氮双氰基戊烷等偶氮系引发剂等。

对聚合反应中使用的溶剂没有特别限制，可列举出甲苯、己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲乙酮、甲醇等。

聚合反应的温度、反应时间等反应条件可以采用公知的条件。

在丙烯酸系粘合剂中可以添加交联剂。交联剂指的是与上述官能团反应而形成交联的化合物。使用交联剂的情况下，对所使用的交联剂没有特别限制，可列举出异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂等。其中，优选为异氰酸酯系交联剂。

作为异氰酸酯系交联剂，没有特别限定，使用分子中具有两个以上异氰酸酯基的化合物。作为这种异氰酸酯系交联剂，可列举出亚苄基二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯等芳香族多异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族多异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯、氢化二苯基甲烷二异氰酸酯等脂环式多异氰酸酯；以及它们的缩二脲物、异氰脲酸酯物、进而作为与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等低分子含活泼氢的化合物的反应物的加成物；等。

作为环氧系交联剂，使用分子中具有两个以上环氧基的化合物，可列举出例如山梨醇四缩水甘油基醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油基醚、四缩水甘油基-1,3-双氨基甲基环己烷、四缩水甘油基-间二甲苯二胺、三缩水甘油基-对氨基苯酚等。

交联剂可以单独使用一种或组合两种以上来使用。

交联剂的用量取决于交联剂的种类，但是相对于丙烯酸系共聚物100质量份，通常为0.01～10质量份，优选为0.05～5质量份。

丙烯酸系粘合剂优选以溶剂型粘合剂形式使用。对所使用的溶剂没有特别限制，可以使用公知的溶剂。

丙烯酸系共聚物的重均分子量通常为100000～2000000，优选为300000～900000。

重均分子量可以通过聚合引发剂的量、添加链转移剂来调节。

需要说明的是，上述重均分子量为通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的聚苯乙烯换算的值。

制造丙烯酸系粘合剂时，丙烯酸系共聚物可以单独使用一种或组合两种以上来使用。

对制造丙烯酸系共聚物的方法没有特别限制，可以使用溶液聚合法、乳液聚合法、悬浮聚合法、本体聚合法等以往公知的方法。其中，从容易聚合的观点考虑优选为溶液聚合。

粘合剂可以含有增粘剂、填充剂、颜料、紫外线吸收剂等以往公知的添加剂。其中，从形成充分的粘合力的粘合剂层、得到耐弯曲性优异的阻气膜层叠体的观点考虑，所使用的粘合剂优选含有增粘剂。作为增粘剂，可列举出松香系树脂、聚萜系树脂等天然树脂，C5系、C9系、二环戊二烯系等石油树脂，香豆酮茚树脂、二甲苯树脂等合成树脂等。

作为形成粘合剂层的方法，没有特别限制，可以利用以往公知的方法。例如可以如下来形成：制造将粘合剂成分溶解于甲苯、乙酸乙酯、甲乙酮等有机溶剂中的粘合剂层形成用组合物，将该组合物通过旋涂法、喷涂法、棒涂法、刀涂法、辊涂法、刮刀涂布法、模具涂布法、照相凹板涂布法等公知的涂布方法涂布到剥离膜上后，由所得到的涂膜干燥去除溶剂，根据需要加热，由此形成粘合剂层。此时，得到带剥离膜的粘合剂层。另外，粘合剂层也可以通过在基材膜A上直接涂布粘合剂层形成用组合物，并干燥所得到的涂膜来形成。在有效率地制造接合层方面优选为前者的方法。

作为剥离片材，可以使用以往公知的剥离片材。例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯等树脂膜；将这些树脂膜表面用有机硅系剥离剂等进行了剥离处理的剥离片材；等。

接合层是在前述基材膜A的两面分别邻接地层叠前述粘合剂层而成的。

接合层，其厚度通常为75μm以下、优选1.5～20μm、更优选2.0～15μm的范围。通过接合层的厚度为75μm以下，可以得到薄且耐弯曲性优异的阻气膜层叠体。

接合层例如可以如下得到：在前述基材膜A的一面，以使基材膜A的表面与带剥离膜的粘合剂层的粘合剂层对向的方式进行贴合后，在前述基材膜A的另一面一侧以使基材膜A的另一面与带剥离膜的粘合剂层的粘合剂层对向的方式进行贴合，由此得到接合层。此时得到带剥离膜的接合层。另外，接合层也可以如下得到：在基材膜A上直接涂布粘合剂层形成用组合物，将所得到的涂膜干燥，在基材膜A的一面上形成粘合剂层后，在基材膜A的另一面上直接涂布粘合剂层形成用组合物，将所得到的涂膜干燥，在基材膜A的另一面上形成粘合剂层，由此得到接合层。从有效率地制造接合层的观点考虑，优选为前者的方法。

(阻气膜)

本发明中使用的阻气膜为具有抑制氧、水蒸气的透过的特性(以下称为“阻气性”)的膜。

所使用的阻气膜，优选水蒸气透过率在40℃、相对湿度90%的气氛下为1.0g/m²/天以下，更优选为0.5g/m²/天以下。通过使用具有这种性能的阻气膜，可以得到阻气性高的阻气膜层叠体。

本发明中使用的阻气膜的厚度通常为0.5μm～100μm，优选为1μm～50μm，更优选为5μm～30μm。

另外，本发明的阻气膜层叠体中，对于至少两片阻气膜而言，厚度可以相同，但是层叠于接合层的一面的阻气膜的厚度小于层叠于该接合层的另一面的阻气膜的厚度的情况下，耐弯曲性的效果得到显著表现。

因此，(层叠于接合层的一面的阻气膜的厚度(薄的膜一侧))/(层叠于该接合层的另一面的阻气膜的厚度(厚的膜一侧))的值优选为0.05～1.0，更优选为0.1～0.5，进一步优选为0.2～0.3。

作为阻气膜，可列举出包含合成树脂的单层的膜，在包含合成树脂的基材膜(以下有时称为“基材膜B”)上直接或隔着其它层形成阻气层而成的层叠膜。

作为构成前述单层的膜的合成树脂，可列举出聚乙烯醇、聚对苯二甲酸乙二醇酯、超低密度聚乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、氟系树脂、聚酰胺系树脂、乙烯-乙烯醇共聚物、聚苯硫醚、聚丙烯腈等单独或两种以上的合成树脂。

其中，从阻气性优异的观点考虑，阻气膜的至少一片优选具有基材膜B、和设置于该基材膜B上的至少一层阻气层。

作为基材膜B的材质，可列举出作为基材膜A的材质先前例示出的材质。

其中，从透明性优异、具有通用性的观点考虑，优选为聚酯、聚酰胺或环烯烃系聚合物，更优选为聚酯或环烯烃系聚合物。

作为聚酰胺，可列举出全芳香族聚酰胺、尼龙6、尼龙66、尼龙共聚物等。

基材膜B，其厚度通常为0.5μm～80μm、优选1μm～40μm、优选为1μm～30μm的范围。

前述阻气膜中的阻气层为具有阻气性的层。

阻气层可以形成于基材膜B的一面，也可以形成于基材膜B的两面。另外，阻气层可以为单层或多层层叠。

作为阻气层的材料，若阻止氧和水蒸气的透过，则没有特别限制，但是优选为透明性好、阻气性良好的材料。

作为阻气层的材料，可列举出例如铝、镁、锌、锡等金属；氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氧化铟、氧化锡等无机氧化物；氮化硅等无机氮化物；无机碳化物；无机硫化物；作为它们的复合体的无机氧化氮化物；无机氧化碳化物；无机氮化碳化物；无机氧化氮化碳化物；高分子化合物；等。

作为形成阻气层的方法，没有特别限定，可列举出例如将上述材料通过蒸镀法、溅射法、离子镀法、热CVD法、等离子体CVD法等形成在基材膜B上的方法；将上述材料溶解或分散于有机溶剂中的溶液通过公知的涂布方法涂布到基材膜B上、将所得到的涂膜适当干燥来形成的方法；通过对由高分子化合物构成的高分子层实施等离子体处理、离子注入处理来形成的方法等。

对阻气层的厚度没有特别限制，但是通常为20nm～50μm，优选为30nm～1μm，更优选为40～500nm。

阻气层从可以容易地形成目的的阻气层的观点考虑，优选是对由高分子化合物构成的高分子层进行离子注入处理来形成的层。由高分子化合物构成的高分子层，通过实施离子注入处理来改性，阻气性提高。

作为离子注入处理的方法，可以使用公知的方法。即，阻气层优选对由高分子化合物构成的高分子层注入离子来形成。通过如此形成阻气层，可以得到优异的阻气性。

需要说明的是，此时，“阻气层”并非指的是仅仅通过离子注入而改性的部分，而指的是“具有通过离子注入而改性的部分的高分子层”。

作为构成高分子层的高分子化合物，可列举出例如硅系高分子化合物、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系树脂、环烯烃系聚合物、芳香族系聚合物、以及这些高分子的两种以上的组合等。

它们之中，从可以容易地形成阻气性优异的阻气层的观点考虑，优选为硅系高分子化合物、聚酯或丙烯酸系树脂，更优选为硅系高分子化合物。

作为硅系高分子化合物，若为含有硅的高分子则可以为有机化合物或无机化合物。可列举出例如聚有机硅氧烷系化合物、聚碳硅烷系化合物、聚硅烷系化合物、聚硅氮烷系化合物等。

聚有机硅氧烷系化合物为将具有水解性官能团的硅烷化合物缩聚而得到的化合物。

对聚有机硅氧烷系化合物的主链结构没有限制，可以为直链状、梯状、笼状中的任意一种。

例如，作为前述直链状的主链结构，可列举出下式(a)所示的结构，作为梯状的主链结构，可列举出下式(b)所示的结构，作为笼状的主链结构，例如可列举出下式(c)所示的结构。

[化学式1]

[化学式2]

[化学式3]

式中，Rx、Ry、Rz各自独立地表示氢原子、未取代或具有取代基的烷基、未取代或具有取代基的烯基、未取代或具有取代基的芳基等非水解性基团。需要说明的是，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry、以及式(c)的多个Rz可以分别相同或不同。但是，前述式(a)的Rx不会两个都为氢原子。

作为未取代或具有取代基的烷基的烷基，可列举出例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳原子数为1～10的烷基。

作为烯基，可列举出例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳原子数为2～10的烯基。

作为前述烷基和烯基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤原子；羟基；硫醇基；环氧基；环氧丙氧基；(甲基)丙烯酰基氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等未取代或具有取代基的芳基；等。

作为未取代或具有取代基的芳基的芳基，可列举出例如苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子数为6～10的芳基。

作为前述芳基的取代基，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤原子；甲基、乙基等碳原子数为1～6的烷基；甲氧基、乙氧基等碳原子数为1～6的烷氧基；硝基；氰基；羟基；硫醇基；环氧基；环氧丙氧基；(甲基)丙烯酰基氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等未取代或具有取代基的芳基；等。

它们之中，作为Rx、Ry、Rz，优选为氢原子、碳原子数为1～6的烷基、或苯基，特别优选为碳原子数为1～6的烷基。

作为聚有机硅氧烷系化合物，优选为前述式(a)所示的直链状的化合物，从获得容易性、以及可以形成具有优异的阻气性的层的观点考虑，更优选前述式(a)中两个Rx都为甲基的化合物、即聚二甲基硅氧烷。

聚有机硅氧烷系化合物例如可以通过将具有水解性官能团的硅烷化合物缩聚的公知的制造方法来得到。

聚碳硅烷系化合物为分子内的主链具有(-Si-C-)键的高分子化合物。其中，作为本发明中使用的聚碳硅烷系化合物，优选为含有下述式(d)所示重复单元的化合物。

[化学式4]

式中，Rw、Rv各自独立地表示氢原子、羟基、烷基、芳基、烯基、或一价杂环基。多个Rw、Rv可以分别相同或不同。

作为Rw、Rv的烷基、芳基、烯基，可列举出与作为前述Rx等例示的例子相同的基团。

这些基团可以在任意位置具有烷基、芳基、烷氧基、芳氧基等的取代基。

R表示亚烷基、亚芳基或二价杂环基。

作为R的亚烷基，可列举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基、八亚甲基等碳原子数为1～10的亚烷基。

作为亚芳基，可列举出亚苯基、1,4-亚萘基、2,5-亚萘基等碳原子数为6～20的亚芳基。

作为二价的杂环基，若为由除了碳原子之外，还含有至少一个氧原子、氮原子、硫原子等杂原子的3～10元杂环化合物衍生的二价基团，则没有特别限制。

需要说明的是，R的亚烷基、亚芳基、二价杂环基可以在任意位置具有烷基、芳基、烷氧基、卤原子等的取代基。

它们之中，更优选含有式(d)中，Rw、Rv各自独立地是氢原子、烷基或芳基，R是亚烷基或亚芳基的重复单元，进一步优选含有Rw、Rv各自独立地是氢原子或烷基，R是亚烷基的重复单元。

具有式(d)所示的重复单元的聚碳硅烷系化合物的重均分子量通常为400～12000。

作为聚碳硅烷系化合物的制造方法，没有特别限定，可以采用以往公知的方法。

聚硅烷系化合物为在分子内具有(-Si-Si-)键的高分子化合物。作为上述聚硅烷系化合物，可列举出具有选自下式(e)所示的结构单元中的至少一种重复单元的化合物。

[化学式5]

式(e)中，Rq和Rr相同或不同，表示氢原子、烯基、环烷基、环烯基、芳基、羟基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、芳烷氧基、可以具有取代基的氨基、硅烷基（シリル基）、或卤原子。

作为Rq和Rr的烷基、烯基、芳基，可列举出与前述Rx等中例示的例子相同的基团。

作为环烷基，可列举出环戊基、环己基、甲基环己基等碳原子数为3～10的环烯基。

作为环烯基，可列举出环戊烯基、环己烯基等碳原子数为4～10的环烯基。

作为烷氧基，可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊氧基等碳原子数为1～10的烷氧基。

作为环烷氧基，可列举出环戊氧基、环己氧基等碳原子数为3～10的环烷氧基。

作为芳氧基，可列举出苯氧基、萘氧基等碳原子数为6～20的芳氧基。

作为芳烷氧基，可列举出苄氧基、苯乙氧基、苯基丙氧基等碳原子数为7～20的芳烷氧基。

作为可以具有取代基的氨基，可列举出氨基；被烷基、环烷基、芳基、芳烷基、酰基等取代的N-单或N,N-二取代氨基等。

作为硅烷基，可列举出甲硅烷基、乙硅烷基、丙硅烷基等Si为1～10的硅烷基(优选Si为1～6的硅烷基)、取代甲硅烷基(例如被烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基等取代的取代甲硅烷基)等。

作为卤原子，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。

前述环烷基、环烯基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、芳烷氧基、硅烷基可以具有卤原子、烷基、芳基、烷氧基等的取代基。

它们之中，从得到本发明的更优异的效果的观点考虑，优选为含有前述式(e)所示的重复单元的化合物，更优选为含有式(e)中，Rq、Rr各自独立地是氢原子、羟基、烷基、芳基、烷氧基、氨基或硅烷基的重复单元的化合物，进一步优选为含有式(e)中，Rq、Rr各自独立地是氢原子、烷基或芳基的重复单元的化合物。

对聚硅烷系化合物的形态没有特别限制，可以为非环状聚硅烷(直链状聚硅烷、支链状聚硅烷、网眼状聚硅烷等)、环状聚硅烷等均聚物，也可以为无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物、梳型共聚物等共聚物。

聚硅烷系化合物为非环状聚硅烷时，聚硅烷系化合物的末端基团(末端取代基)可以为氢原子，也可以为卤原子(氯原子等)、烷基、羟基、烷氧基、硅烷基等。

作为聚硅烷系化合物的具体例，可列举出聚二甲基硅烷、聚(甲基丙基硅烷)、聚(甲基丁基硅烷)、聚(甲基戊基硅烷)、聚(二丁基硅烷)、聚(二己基硅烷)等聚二烷基硅烷，聚(二苯基硅烷)等聚二芳基硅烷，聚(甲基苯基硅烷)等聚(烷基芳基硅烷)等均聚物；二甲基硅烷-甲基己基硅烷共聚物等二烷基硅烷与其它的二烷基硅烷的共聚物，苯基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物等芳基硅烷-烷基芳基硅烷共聚物，二甲基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物、二甲基硅烷-苯基己基硅烷共聚物、二甲基硅烷-甲基萘基硅烷共聚物、甲基丙基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物等二烷基硅烷-烷基芳基硅烷共聚物等的共聚物；等。

聚硅烷系化合物的平均聚合度(例如数均聚合度)通常为5～400，优选为10～350，进一步优选为20～300左右。

另外，聚硅烷系化合物的重均分子量为300～100000，优选为400～50000，进一步优选为500～30000左右。

聚硅烷系化合物大多为公知物质，可以使用公知的方法制造。

聚硅氮烷系化合物为分子内具有(-Si-N-)键的高分子化合物。作为上述聚硅氮烷系化合物，优选为具有式(f)所示的重复单元的化合物。

[化学式6]

另外，对所使用的聚硅氮烷系化合物的数均分子量没有特别限定，优选为100～50000。

式(f)中，n表示任意的自然数。

Rm、Rp、Rt各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基等非水解性基团。

作为前述烷基、烯基、芳基，可列举出与前述Rx等中例示的例子相同的基团。

作为环烷基，可列举出与前述Rq等中例示的例子相同的基团。

作为烷基甲硅烷基，可列举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三叔丁基甲硅烷基、甲基二乙基甲硅烷基、二甲基甲硅烷基、二乙基甲硅烷基、甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基等。

它们之中，作为Rm、Rp、Rt，优选为氢原子、碳原子数为1～6的烷基、或苯基，特别优选为氢原子。

作为具有前述式(f)所示的重复单元的聚硅氮烷系化合物，可以为Rm、Rp、Rt全部为氢原子的无机聚硅氮烷、Rm、Rp、Rt中的至少一个不是氢原子的有机聚硅氮烷的任意一种。

作为无机聚硅氮烷，可列举出具有含有下式

[化学式7]

所示的重复单元的直链状结构、具有690～2000的分子量、一分子中具有3～10个SiH₃基的全氢聚硅氮烷(日本特公昭63-16325号公报)，

具有式(A)

[化学式8]

[式中，b、c表示任意的自然数，Y¹表示氢原子或式(B)

[化学式9]

(式中，d表示任意的自然数，*表示键合位置，Y²表示氢原子、或前述(B)所示的基团)所示的基团]所示的重复单元的、具有直链状结构和支链结构的全氢聚硅氮烷，

具有式(C)

[化学式10]

所示的全氢聚硅氮烷的结构的、分子内具有直链状结构、支链结构和环状结构的全氢聚硅氮烷等。

作为有机聚硅氮烷，可列举出

(i)以-(Rm’SiHNH)-(Rm’表示与Rm相同的烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基。以下的Rm’也相同)作为重复单元、主要具有聚合度为3～5的环状结构的有机聚硅氮烷，

(ii)以-(Rm’SiHNRt’)-(Rt’表示与Rt相同的烷基、环烷基、烯基、芳基或烷基甲硅烷基)作为重复单元、主要具有聚合度为3～5的环状结构的有机聚硅氮烷，

(iii)-(Rm’Rp’SiNH)-(Rp’表示与Rp相同的烷基、环烷基、烯基、芳基烷基甲硅烷基)作为重复单元、主要具有聚合度为3～5的环状结构的有机聚硅氮烷，

(iv)分子内具有下式所示的结构的聚有机(氢)硅氮烷，

[化学式11]

(v)具有下式

[化学式12]

[Rm’、Rp’表示与前述相同的意思，e、f表示任意的自然数，Y³表示氢原子或下述式(D)

[化学式13]

(式中，g表示任意的自然数，*表示键合位置，Y⁴表示氢原子、或前述(D)所示的基团)所示的基团]所示的重复结构的聚硅氮烷等。

上述有机聚硅氮烷可以通过以往公知的方法制造。例如可以通过使下式

[化学式14]

(式中，m表示2或3，X表示卤原子，R¹表示前述Rm、Rp、Rt、Rm’、Rp’、Rt’中的任意一种的取代基)所示的未取代或具有取代基的卤代硅烷化合物与仲胺的反应产物、与氨或伯胺反应来得到。

所使用的仲胺、氨和伯胺根据目标的聚硅氮烷系化合物的结构适当选择即可。

另外，本发明中，作为聚硅氮烷系化合物，也可以使用聚硅氮烷改性物。作为聚硅氮烷改性物，可列举出例如含有金属原子(该金属原子可以形成交联)的聚金属硅氮烷，重复单元由[(SiH₂)_j(NH)_h)]和[(SiH₂)_iO](式中，j、h、i各自独立地是1、2或3)表示的聚硅氧硅氮烷(日本特开昭62-195024号公报)，使聚硅氮烷与硼化合物反应而制造的聚硼硅氮烷(日本特开平2-84437号公报)，使聚硅氮烷与金属醇盐反应而制造的聚金属硅氮烷(日本特开昭63-81122号公报等)，无机硅氮烷高聚物、改性聚硅氮烷(日本特开平1-138108号公报等)，向聚硅氮烷导入了有机成分的共聚硅氮烷(日本特开平2-175726号公报等)，向聚硅氮烷加成或添加了用于促进陶瓷化的催化性化合物的低温陶瓷化聚硅氮烷(日本特开平5-238827号公报等)，

硅醇盐加成聚硅氮烷(日本特开平5-238827号公报)，环氧丙醇加成聚硅氮烷(日本特开平6-122852号公报)，乙酰丙酮络合物加成聚硅氮烷(日本特开平6-306329号公报)，金属羧酸盐加成聚硅氮烷(日本特开平6-299118号公报等)，

向上述聚硅氮烷或其改性物添加胺类和/或酸类而成的聚硅氮烷组合物(日本特开平9-31333号公报)，对于全氢聚硅氮烷将甲醇等醇或六甲基二硅氮烷加成到末端N原子上而得到的改性聚硅氮烷(日本特开平5-345826号公报、日本特开平4-63833号公报)等。

它们之中，作为本发明中使用的聚硅氮烷系化合物，优选为Rm、Rp、Rt全部为氢原子的无机聚硅氮烷，Rm、Rp、Rt中的至少一个不是氢原子的有机聚硅氮烷，从获得容易性、以及可以形成具有优异的阻气性的注入层的观点考虑，更优选为无机聚硅氮烷。

需要说明的是，聚硅氮烷系化合物也可以直接使用作为玻璃涂覆材等市售的市售品。

形成阻气层的前述高分子层，除了上述高分子化合物之外，在不阻碍本发明目的的范围下还可以含有其它的成分。作为其它的成分，可列举出固化剂、其它的高分子、抗老化剂、光稳定剂、阻燃剂等。

高分子层中的高分子化合物的含量，从可以形成具有优异的阻气性的阻气层的观点考虑，优选为50%质量以上，更优选为70%质量以上。

对形成高分子层的方法没有特别限制，可列举出例如将含有高分子化合物的至少一种、根据需要的其它成分、以及溶剂等的层形成用溶液，通过公知的涂布方法涂布到基材上或根据需要形成在基材上的底漆层上，将所得到的涂膜适当干燥来形成的方法。

作为涂布装置，可以使用旋涂机、刀涂机、照相凹板涂布机等公知的装置。

为了使所得到的涂膜的干燥、膜的阻气性提高，优选加热涂膜。作为加热、干燥方法，可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。加热温度通常为80～150℃，加热时间通常为数十秒～数十分钟。

对所形成的高分子层的厚度没有特别限制，但是通常为20nm～1000nm, 优选为30～500nm，更优选为40～200nm。

本发明中，即使高分子层的厚度为纳米级，通过如后所述那样注入离子，也可以得到具有充分的阻气性能的膜。

注入到高分子层中的离子的注入量，与所形成的膜的使用目的(需要的阻气性、透明性等)相符合来适当确定即可。

作为所注入的离子，可列举出氩、氦、氖、氪、氙等稀有气体的离子；碳氟化合物、氢、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的离子；甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、戊烷、己烷等烷烃系气体类的离子；乙烯、丙烯、丁烯、戊烯等烯烃系气体类的离子；戊二烯、丁二烯等链二烯系气体类的离子；乙炔、甲基乙炔等炔烃系气体类的离子；苯、甲苯、二甲苯、茚、萘、菲等芳香族烃系气体类的离子；环丙烷、环己烷等环烷烃系气体类的离子；环戊烯、环己烯等环烯烃系气体类的离子；金、银、铜、铂、镍、钯、铬、钛、钼、铌、钽、钨、铝等导电性的金属的离子；硅烷(SiH₄)或四甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷等有机硅化合物的离子；等。

这些离子可以单独使用一种或者组合两种以上来使用。

其中，从可以更简便地注入、得到具有特别优异的阻气性的阻气层的观点考虑，优选为选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙和氪中的至少一种的离子。

作为注入离子的方法，没有特别限定，可列举出照射通过电场加速的离子(离子束)的方法、注入等离子体中的离子的方法等。其中，本发明中，从简便地得到阻气性的膜的观点考虑，优选为后者的注入等离子体离子的方法。

作为等离子体离子注入法，优选为(A)将存在于使用外部电场产生的等离子体中的离子注入到高分子层的表面部的方法，或(B)将存在于不使用外部电场、仅通过由对前述层施加的负的高电压脉冲形成的电场而产生的等离子体中的离子注入到高分子层的表面部的方法。

前述(A)的方法中，注入离子时的压力(注入等离子体离子时的压力)优选为0.01～1Pa。注入等离子体离子时的压力为这样的范围时，可以简便且有效、均匀地注入离子，可以有效地形成目标的阻气层。

前述(B)的方法无需提高减压度，处理操作简便，处理时间也可以大幅缩短。另外，可以对前述层整体进行均匀处理，施加负的高电压脉冲时，可以将等离子体中的离子以高的能量连续地注入到层的表面部。进而，无需无线电频率(radio frequency)(高频、以下简称为“RF”)、微波等高频功率源等特别的其它设备，仅对层施加负的高电压脉冲，就可以在层的表面部均匀地形成优质的离子注入层。

前述(A)和(B)中的任意一种方法中，施加负的高电压脉冲时，即注入离子时的脉冲宽度优选为1～15μsec。脉冲宽度为这样的范围时，可以更简便且有效、均匀地注入离子。

另外，产生等离子体时的施加电压优选为－1～－50kV，更优选为－1～－30kV，特别优选为－5～－20kV。若施加电压为大于－1kV的值来进行离子注入，则离子注入量(剂量)不充分，得不到所希望的性能。另一方面，若以小于－50kV的值进行离子注入，则注入离子时膜带电，另外产生对膜的着色等不良问题，所以不优选。

作为等离子体离子注入的离子种类，可列举出与作为前述所注入的离子例示的例子相同的离子。

向层的表面部注入等离子体中的离子时，使用等离子体离子注入装置。作为等离子体离子注入装置，具体而言，可列举出(α)在对高分子层(有时称为“注入离子的层”)施加负的高电压脉冲的馈通重叠高频功率，用等离子体均等地包围注入离子的层的周围，引诱、注入、碰撞、堆积等离子体中的离子的装置(日本特开2001-26887号公报)，(β)在腔内设置天线，提供高频功率，产生等离子体，等离子体到达注入离子的层周围后，对注入离子的层交替施加正和负的脉冲，由此通过正的脉冲，使等离子体中的电子引诱、碰撞而对注入离子的层进行加热，控制脉冲常数进行温度控制的同时，施加负的脉冲，引诱、注入等离子体中的离子的装置(日本特开2001-156013号公报)，(γ)使用微波等高频功率源等外部电场产生等离子体，施加高电压脉冲，引诱、注入等离子体中的离子的等离子体离子注入装置，(δ)将不使用外部电场、仅用通过高电压脉冲的施加产生的电场而产生的等离子体中的离子注入的等离子体离子注入装置等。

它们之中，从处理操作简便、处理时间也可以大幅缩短、适于连续使用的观点考虑，优选使用(γ)或(δ)的等离子体离子注入装置。

对于使用前述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置的方法，可列举出国际公开WO2010/021326号公报中记载的方法。

在前述(γ)和(δ)的等离子体离子注入装置中，通过高电压脉冲电源兼用产生等离子体的等离子体产生设备，因此无需RF、微波等高频功率源等特别的其它设备，仅通过施加负的高电压脉冲，就产生等离子体，向高分子层的表面部连续地注入等离子体中的离子，可以批量生产形成在表面部具有通过离子注入而得到改性的部分的高分子层、即阻气层的阻气膜。

注入离子的部分的厚度可以通过离子的种类、施加电压、处理时间等注入条件控制，根据高分子层的厚度、阻气膜的使用目的等确定即可，但是通常为10～1000nm。

离子被注入，这可以通过使用X射线光电子分光分析(XPS)，进行距离高分子层的表面10nm左右的元素分析测定来进行确认。

(阻气膜层叠体)

本发明的阻气膜层叠体，为至少两片阻气膜隔着前述接合层层叠而成的。

对本发明的阻气膜层叠体的形状没有特别限制，可列举出例如片状等。

另外，本发明的阻气膜层叠体中，若所层叠的阻气膜的片数为2以上则没有特别限定。阻气膜的层叠片数通常为2～5。

本发明的阻气膜层叠体中，对使阻气膜与接合层贴合的方法没有特别限定，可以使用层压机等装置利用公知的方法贴合。

本发明的阻气膜层叠体中，若至少两片阻气膜隔着前述接合层层叠，则对层叠结构没有特别限定。

本发明的阻气膜层叠体，其厚度通常为100μm以下、优选1～50μm的范围。通过阻气膜层叠体的厚度为100μm以下，可以实现使用其的电子构件的轻量化等。

本发明的阻气膜层叠体的一例如图1(a)、(b)所示。

图1(a)所示的阻气膜层叠体100A，具有以两片阻气膜30a、30b的阻气层2a和阻气层2b与接合层20邻接(更具体而言，与接合层20的粘合剂层4a、4b邻接)的方式层叠的层结构(基材膜B 1a/阻气层2a/粘合剂层4a/基材膜A 3/粘合剂层4b/阻气层2b/基材膜B 1b)。

图1(b)所示的阻气膜层叠体100B，具有以阻气膜30a的基材层1a与接合层20邻接(更具体而言，与接合层20的粘合剂层4a邻接)的方式层叠，以阻气膜30b的阻气层2b与接合层20邻接(更具体而言，与接合层20的粘合剂层4b邻接)的方式层叠了的层结构(阻气层2a/基材膜B 1a/粘合剂层4a/基材膜A 3/粘合剂层4b/阻气层2b/基材膜B 1b)。

如图1(a)、(b)所示，优选阻气膜的至少一片以该阻气膜的阻气层与接合层邻接的方式层叠，其中，更优选如图(a)所示，以两片阻气膜各自的阻气层与接合层邻接的方式层叠。

如此，通过阻气层与接合层邻接，该阻气层不易产生缺陷，可以得到水蒸气阻隔性不易降低的阻气膜层叠体。

作为将前述至少两片阻气膜之间隔着接合层层叠的方法，没有特别限定，可以采用公知方法。

例如具有图1(a)所示层结构(基材膜B 1a/阻气层2a/粘合剂层4a/基材膜A 3/粘合剂层4b/阻气层2b/基材膜B 1b)的阻气膜层叠体100A可以如下所述制造。

首先，如图2(a)所示，在剥离膜5上形成粘合剂层4，制作两片带粘合剂层的剥离膜10(10a、10b)。

接着，如图2(b)所示，使带粘合剂层的剥离膜10a的粘合剂层4a与基材膜A 3贴合后，如图2(c)所示，使另一片带粘合剂层的剥离膜10b的粘合剂层4b与基材膜A 3贴合，由此得到接合层形成用层叠体20’。对贴合的方法没有特别限定，可列举出例如使用公知的层压机的方法。

另一方面，准备两片图2(d)所示的具有基材膜B 1和设置于该基材膜上的阻气层2的阻气膜30(30a、30b)。

接着，如图2(e)所示，将利用上述方法得到的接合层形成用层叠体20’的剥离膜5a剥离，在露出的粘合剂层4a面将阻气膜30a以阻气层2a贴合后，如图2(f)所示，剥离剥离膜5b，在露出的粘合剂层4b面将另一片阻气膜30b以阻气层2b贴合，由此可以得到阻气膜层叠体100A。

本发明的阻气膜层叠体，根据需要可以层叠保护层、导电体层、底漆层等其它的层。需要说明的是，对层叠其它的层的位置没有特别限定。其它的层可以为一种或者相同或不同的两层以上。

(保护层)

作为保护层，透明性良好、耐擦伤性良好是必要条件，在由外部施加冲击时，发挥保护阻气膜层叠体的作用。

对层叠保护层的位置没有特别限定，但是优选层叠于阻气膜层叠体的最外层。

作为构成保护层的材料，没有特别限定，可以使用公知的材料。可列举出例如含有硅的化合物；包含光聚合性单体和/或光聚合性预聚物的光聚合性化合物、以及至少含有利用可见光区域的光产生自由基的聚合引发剂的聚合性组合物；聚酯系树脂、聚氨酯系树脂(特别是聚丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等与异氰酸酯化合物的双组份固化型树脂)、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、氯化乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛系树脂、硝酸纤维素系树脂等树脂类；钛酸烷基酯；乙撑亚胺；等。这些材料可以单独使用一种或两种以上组合来使用。

保护层可以如下形成：将使构成前述保护层的材料溶解或分散于适当的溶剂中而成的保护层形成用溶液，通过公知的方法涂布到所层叠的层上，将所得到的涂膜干燥，根据需要进行加热，由此可以形成保护层。

作为涂布保护层形成用溶液的方法，可以使用通常的湿式涂覆方法。可列举出例如浸涂法、辊涂、照相凹板涂布、刀涂、气刀涂布、辊刀涂布、模具涂布、丝网印刷法、喷涂、凹版胶印法等。

作为干燥保护层形成用溶液的涂膜的方法，可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。保护层的厚度可以根据阻气膜层叠体的目的适当选择，但是优选为0.05～50μm，更优选为0.1～10μm，进一步优选为0.2～5μm。

保护层的厚度比0.05μm薄的情况下，耐擦伤性不充分，所以不优选。另一方面，比50μm厚的情况下，容易产生由于固化时的变形而导致的卷曲，所以不优选。

(导电体层)

作为构成导电体层的材料，可列举出金属、合金、金属氧化物、导电性化合物、它们的混合物等。具体而言，可列举出掺杂有锑的氧化锡(ATO)；掺杂有氟的氧化锡(FTO)；氧化锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化锌铟(IZO)等导电性金属氧化物；金、银、铬、镍等金属；这些金属与导电性金属氧化物的混合物；碘化铜、硫化铜等无机导电性物质；聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等有机导电性材料；等。

它们之中，从透明性的观点考虑，优选为导电性金属氧化物，特别优选为ITO。导体层可以是包含这些材料的层多层层叠而成。

作为导电体层的形成方法，可列举出例如蒸镀法、溅射法、离子镀法、热CVD法、等离子体CVD法等。它们之中，从可以简便地形成导电体层的观点考虑，优选为溅射法。

溅射法为向真空槽内导入放电气体(氩等)，在靶与基板之间施加高频电压或直流电压，使放电气体等离子体化，使该等离子体与靶碰撞，由此使靶材料飞散，附着于基板而得到薄膜的方法。作为靶，使用包含前述形成导电体层的材料的靶。

导电体层的厚度根据其用途等适当选择即可。通常为10nm～50μm，优选为20nm～20μm。所得到的导电体层的表面电阻率通常为1000Ω/□以下。

对于所形成的导电体层，可以根据需要进行图案化。作为图案化的方法，可列举出利用光刻等的化学蚀刻、使用激光等的物理蚀刻等、使用掩模的真空蒸镀法、溅射法、剥离(lift off)法、印刷法等。

(底漆层)

底漆层发挥提高基材膜B与阻气层、或其它层的层间密合性的作用。通过设置底漆层，可以提高层间密合性和表面平滑性。

作为构成底漆层的材料，没有特别限定，可以使用公知的材料。可列举出例如含有硅的化合物；包含光聚合性单体和/或光聚合性预聚物的光聚合性化合物、以及至少含有利用可见光区域的光产生自由基的聚合引发剂的聚合性组合物；聚酯系树脂、聚氨酯系树脂(特别是聚丙烯酸多元醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇等与异氰酸酯化合物的双组份固化型树脂)、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯系树脂、氯化乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇缩丁醛系树脂、硝酸纤维素系树脂等树脂类；钛酸烷基酯；乙撑亚胺；等。这些材料可以单独使用一种或两种以上组合来使用。

底漆层可以如下形成：将使构成前述底漆层的材料溶解或分散于适当的溶剂中而成的底漆层形成用溶液，涂布到基材层或其它层的一面或两面上，将所得到的涂膜干燥，根据需要进行加热，由此可以形成底漆层。

作为将底漆层形成用溶液涂布到基材膜B或其它层上的方法，可以使用通常的湿式涂覆方法。可列举出例如浸涂法、辊涂、照相凹板涂布、刀涂、气刀涂布、辊刀涂布、模具涂布、丝网印刷法、喷涂、凹版胶印法等。

作为干燥底漆层形成用溶液的涂膜的方法，可以采用热风干燥、热辊干燥、红外线照射等以往公知的干燥方法。底漆层的厚度通常为10～1000nm，优选为20～4000nm。

本发明的阻气膜层叠体，通过使用具有上述特性的接合层，将层叠体弯曲时，在厚的膜一侧的阻气膜与接合层的界面由弯曲所导致的应力的集中得到缓和，解决了在厚的膜一侧的阻气膜与粘合剂层的界面产生剥离、产生浮动的问题。

2)电子装置用构件及电子装置

本发明的电子装置用构件的特征在于，其包含本发明的阻气膜层叠体。因此，本发明的电子装置用构件具有优异的阻气性，因此可以防止由于水蒸气等气体所导致的元件的劣化。另外，由于光的透过性高、耐热性优异，因此作为触摸面板、液晶显示器、EL显示器等显示器构件；太阳能电池用背部片材；等电子装置用构件是合适的。

本发明的电子装置具备本发明的电子装置用构件。作为具体例，可列举出触摸面板、液晶显示器、有机EL显示器、无机EL显示器、电子纸、太阳能电池等。

实施例

以下列举出实施例对本发明进行更具体的说明。但是本发明不受以下实施例的任何限定。

(1)粘合剂组合物的制造

将使用丙烯酸丁酯(BA)和丙烯酸(AA)得到的丙烯酸系共聚物[质量比(BA:AA)=90:10、重均分子量550000]100质量份和异氰酸酯系交联剂(东洋インキ社制、BHS-8515、浓度37.5质量%)0.22质量份混合，用甲乙酮稀释，得到不挥发成分浓度30质量%的粘合剂组合物A。

(2)阻气膜的制造

作为基材膜B，在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)(三菱树脂社制、PET25T-100、厚度25μm)上，通过旋涂法涂布聚硅氮烷化合物[以全氢聚硅氮烷作为主要成分的涂覆材料(クラリアントジャパン社制、アクアミカNL110-20)]，120℃下加热1分钟，在PET膜上形成厚度150nm的含有全氢聚硅氮烷的聚硅氮烷层。

接着使用等离子体离子注入装置，向所得到的聚硅氮烷层的表面，在下述条件下将氩(Ar)进行等离子体离子注入，形成阻气层，制作阻气膜A。

为了形成阻气层而使用的等离子体离子注入装置和离子注入条件如下所述。

<等离子体离子注入装置>

RF电源：日本电子社制、型号“RF”56000

高电压脉冲电源：栗田制作所社制、“PV-3-HSHV-0835”

(等离子体离子注入条件)

等离子体生成气体：Ar

气体流量：100sccm

占空比：0.5%

施加电压：－6kV

RF电源：频率 13.56MHz、施加功率 1000W

腔内压：0.2Pa

脉冲宽度：5μsec

处理时间(离子注入时间)：200秒。

作为基材膜B，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(PET膜)(三菱树脂社制、ダイアホイル K205-6E、厚度6μm)，除此之外与上述同样地制作阻气膜B。

需要说明的是，(阻气膜B的厚度)/(阻气膜A的厚度)的值为0.24。

(3)接合层的基材膜A的拉伸弹性模量

作为接合层的基材膜A使用的树脂膜及其拉伸弹性模量如以下所示。　

树脂膜1：PET膜(三菱树脂社制、商品名：ダイアホイルK100-2.0W、厚度2μm、23℃下的拉伸弹性模量、3300MPa)

树脂膜2：环烯烃系树脂膜(JSR社制、商品名：アートン、厚度5μm、23℃下的拉伸弹性模量、4300MPa)

树脂膜3：聚砜系树脂膜(BASF公司制、商品名：ULTRASON S3030、厚度2μm、23℃下的拉伸弹性模量、2400MPa)

树脂膜4：聚砜系树脂膜(BASF公司制、商品名：ULTRASON S3030、厚度5μm、23℃下的拉伸弹性模量、2400MPa)

需要说明的是，23℃下的拉伸弹性模量，使用拉伸试验机(オリエンテック社制、TENSILON RTA-100)根据JIS K7127测定。

(实施例1)

在厚度38μm的PET膜的一面设置有有机硅剥离层而成的剥离膜(リンテック社制、SP-PET381031)的剥离层表面，通过逗号直接涂布法涂布粘合剂组合物A，将所得到的涂膜在100℃下干燥1分钟，得到具有厚度2μm的粘合剂层的带粘合剂层的剥离膜A。

使带粘合剂层的剥离膜A的粘合剂层面与树脂膜1贴合，接着贴合另一片带粘合剂层的剥离膜A的粘合剂层面，得到接合层形成用层叠体A。

将一片接合层形成用层叠体A的剥离膜剥离，使所露出的粘合剂层面与通过上述方法制作的阻气膜A的阻气层面贴合，接着，剥离另一片剥离膜，使所露出的粘合剂层面与阻气膜B的阻气层面贴合，制作阻气膜层叠体A。

(实施例2)

实施例1中，作为接合层的基材膜，使用树脂膜2替代树脂膜1，除此之外与实施例1同样地制作阻气膜层叠体B。

(比较例1)

在前述剥离膜(リンテック社制、SP-PET381031)的剥离层表面，通过逗号直接涂布法涂布粘合剂组合物A，将所得到的涂膜在100℃下干燥1分钟，得到具有厚度6μm的粘合剂层的带粘合剂层的剥离膜B。

接着，使阻气膜A的阻气层面与带粘合剂层的剥离膜B的粘合剂层面贴合后，剥离剥离膜。

接着，使所露出的粘合剂层面与阻气膜B的阻气层面贴合，制作不具有基材膜A的阻气膜层叠体C。

(比较例2)

比较例1中，将粘合剂层的厚度变更为10μm，得到带粘合剂层的剥离膜C，使用该带粘合剂层的剥离膜C，除此之外与比较例1同样地制作不具有基材膜A的阻气膜层叠体D。

(比较例3)

实施例1中，作为接合层的基材膜，使用树脂膜3替代树脂膜1，除此之外与实施例1同样地制作阻气膜层叠体E。

(比较例4)

实施例1中，作为接合层的基材膜，使用树脂膜4来替代树脂膜1，除此之外与实施例1同样地制作阻气膜层叠体F。

(粘合力试验)

对于实施例和比较例中使用的带粘合剂层的剥离膜A～C，使粘合剂层面与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜(三菱树脂社制、PET25T-100、厚度25μm)贴合，将其裁切为宽度25mm长度250mm的尺寸，得到试验用粘合膜。

由利用上述方法得到的试验用粘合膜，剥离剥离膜，使所露出的粘合剂层面与阻气膜A的阻气层面贴合，利用2kg的辊往复1次，得到试验片。从贴附起24小时后，根据JISZ0237测定剥离速度300mm/min、180°下的粘合力(N/25mm)。

测定结果如表1所示。

(耐弯曲性试验)

将实施例1、2和比较例1～4中得到的阻气膜层叠体A～F，以阻气膜A为外侧的方式在中央部分弯曲，以层压速度5m/min、压力0.18MPa、温度23℃的条件通过层压装置(フジプラ社制、“LAMIPACKER LPC1502”)的两根辊之间后，肉眼观察阻气膜层叠体。评价基准如以下所示。　

○：阻气膜层叠体没有发现浮动。　

×：阻气膜层叠体发现浮动。

评价结果如表1所示。

[表1]

由表1可知以下内容。

实施例1、2中得到的阻气膜层叠体A、B的耐弯曲性优异。

另一方面，如比较例1、2所示，作为接合层，仅使用粘合剂层时，与其厚度无关，耐弯曲性差。

另外，如比较例3、4所示，使用包含23℃下的拉伸弹性模量不足3000MPa的合成树脂的基材膜的情况下，耐弯曲性差。

附图标记说明

1,1a,1b 基材膜B

2,2a,2b 阻气层

3 基材膜A

4,4a,4b 粘合剂层

5,5a,5b 剥离膜

10,10a,10b 带粘合剂层的剥离膜

20 接合层

20’ 接合层形成用层叠体

30,30a,30b 阻气膜

100A,100B 阻气膜层叠体。

Claims

1.一种阻气膜层叠体，其为至少两片阻气膜隔着接合层层叠的阻气膜层叠体，其特征在于，

所述接合层是在基材膜A的两面分别邻接地层叠粘合剂层而成的，所述基材膜A包含23℃下的拉伸弹性模量为3000～10000MPa的合成树脂。

2.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其中，所述基材膜A的厚度为0.5～25μm。

3.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其中，层叠于所述基材膜A的两面的粘合剂层的厚度分别为0.5～25μm。

4.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其中，根据JIS Z0237(2000)测定的所述粘合剂层与所述阻气膜的180°剥离粘合力为2.0N/25mm以上。

5.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其中，所述接合层的厚度为75μm以下。

6.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其中，层叠于所述接合层的一面的阻气膜的厚度小于层叠于该接合层的另一面的阻气膜的厚度。

7.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其中，(层叠于所述接合层的一面的阻气膜的厚度)/(层叠于所述接合层的另一面的阻气膜的厚度)的值为0.05～1.0。

8.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其中，所述阻气膜的至少一片具有基材膜B和设置于该基材膜B上的至少一层阻气层。

9.根据权利要求8所述的阻气膜层叠体，其中，所述阻气层为向包含高分子硅化合物的层注入离子而形成的层。

10.根据权利要求8所述的阻气膜层叠体，其中，所述阻气膜以其阻气层与所述接合层邻接的方式层叠。

11.根据权利要求1所述的阻气膜层叠体，其厚度为100μm以下。

12.一种电子装置用构件，其包含权利要求1所述的阻气膜层叠体。

13.一种电子装置，其具备权利要求12所述的电子装置用构件。