JP6485475B2 - 透明導電性積層体の製造方法及び透明導電性積層体 - Google Patents
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
この問題を解決する方法として、透明基板上に形成された溝に補助電極層を埋め込み、表面を研磨する手法が開示されている(特許文献1参照)。また、補助電極層の開口部及びパターン上にUV硬化型樹脂組成物を塗布し、パターンを支持する透明基材側から露光して、パターン上の未露光部を除去する方法が開示されている(特許文献2参照)。さらに、平滑基板上に形成された透明導電層上の補助電極層に樹脂組成物を塗布し、平滑基板を剥離する方法が開示されている(特許文献3参照)。
また、特許文献2では、塗布したUV硬化型樹脂はパターン上に残り易く、除去した未露光部に相当する領域に陥没が生じ易いという問題があった。
さらに、特許文献3では、透明導電層に金属酸化物膜を用いた場合、剥離した際に金属酸化物膜にクラック、欠け等の損傷が生じて、導電性が低下してしまうという問題があった。
すなわち、本発明は、以下の(1)〜(10)を提供するものである。
(1)転写基材上の補助電極層に、透明樹脂層、透明樹脂基材を順に積層した後、該転写基材を剥離することにより、転写基材面の平滑性が転写された、該補助電極層と該透明樹脂層とからなる面側に透明導電層を形成した透明導電性積層体の製造方法であって、次の(A)〜(D)の工程を含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
(A)転写基材上の補助電極層上及び開口部に透明樹脂層を形成する工程、
(B)該透明樹脂層に透明樹脂基材を積層する工程、
(C)該転写基材を剥離し、該転写基材面の平滑性を該補助電極層と該透明樹脂層とからなる面に転写する工程、及び
(D)前記補助電極層と前記透明樹脂層とからなる面に透明導電層を形成する工程。
(2)前記工程(B)において、前記透明樹脂層に剥離可能な透明樹脂基材を積層し、かつ前記工程(C)において、前記転写基材と該剥離可能な透明樹脂基材とを剥離し、前記転写基材面の平滑性を前記補助電極層と前記透明樹脂層とからなる面に転写し、及び該剥離可能な透明樹脂基材面の平滑性を前記透明樹脂層からなる面に転写する上記(1)に記載の透明導電性積層体の製造方法。
(3)前記補助電極層と前記透明樹脂層とからなる面と、前記転写基材とのJIS−Z0237に準拠して測定される剥離力が、20〜300(mN/50mm)である上記(1)又は(2)に記載の透明導電性積層体の製造方法。
(4)前記補助電極層と前記透明樹脂層の界面段差が15nm以下である上記(1)〜(3)のいずれかに記載の透明導電性積層体の製造方法。
(5)前記転写基材の算術平均表面粗さが、30nm以下である上記(1)〜(4)のいずれかに記載の透明導電性積層体の製造方法。
(6)前記補助電極層が、格子状、ハニカム状または櫛歯状のパターンからなる群より選ばれる少なくとも1種以上で形成される上記(1)〜(5)のいずれかに記載の透明導電性積層体の製造方法。
(7)前記補助電極層が、金、銀、銅、アルミニウムおよびニッケルからなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含む上記(1)〜(6)のいずれかに記載の透明導電性積層体の製造方法。
(8)前記透明導電層が、金属酸化物および有機半導体からなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含む上記(1)〜(7)のいずれかに記載の透明導電性積層体の製造方法。
(9)上記(1)〜(8)のいずれかに記載の製造方法により製造された透明導電性積層体。
(10)上記(9)に記載の透明導電性積層体を有する太陽電池素子又は有機エレクトロルミネッセンス素子。
本発明の透明導電性積層体の製造方法は、転写基材上の補助電極層に透明樹脂層、透明樹脂基材を順に積層した後、該転写基材を剥離することにより、転写基材面の平滑性が転写された、該補助電極層と該透明樹脂層とからなる面側に透明導電層を形成した透明導電性積層体の製造方法であって、次の(A)〜(D)の工程を含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。
(A)転写基材上の補助電極層上及び開口部に透明樹脂層を形成する工程、
(B)該透明樹脂層に透明樹脂基材を積層する工程、
(C)該転写基材を剥離し、該転写基材面の平滑性を該補助電極層と該透明樹脂層とからなる面に転写する工程、及び
(D)前記補助電極層と前記透明樹脂層とからなる面に透明導電層を形成する工程。
本発明の製造方法について、図を用いて説明する。
同様に、図2は、本発明の製造方法に従った工程の他の一例を工程順に示す説明図を示し、(a)、(b)は図1の(a)、(b)と同じ断面図であり、(c)は透明樹脂層上に剥離可能な透明樹脂基材を貼り合わせた後の断面図であり、(d)は補助電極層を有する透明樹脂層(以降、透明基材と称する)から転写基材及び剥離可能な透明樹脂基材を剥離し、転写基材面の平滑性及び剥離可能な透明樹脂基材面の平滑性を透明基材の両面に転写した後の断面図であり、(e)は(d)の透明基材の補助電極層と透明樹脂層とからなる面側に透明導電層を積層した後の断面図である。
補助電極層形成工程は、転写基材上に、補助電極層からなるパターンを形成する工程であり、例えば、図1(a)においては、転写基材2上に金属層を成膜して、それらを所定のパターンに加工し、補助電極層3を形成する工程である。
基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリプロピレンやポリメチルペンテン等のポリオレフィンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリ酢酸ビニルフィルム等を挙げることができるが、これらの中でポリエステルフィルムが好ましく、特に二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。基材フィルムの厚さは、機械強度、耐久性、及び透明性の観点から、10μm〜500μmが好ましく、より好ましくは20μm〜300μmであり、さらに好ましくは30μm〜100μmである。
付加反応型シリコーン樹脂としては、特に制限はなく、様々なものを用いることができる。例えば、熱硬化付加反応型シリコーン樹脂剥離剤として慣用されているものを用いることができる。この付加反応型シリコーン樹脂としては、例えば分子中に、官能基としてアルケニル基を有するポリオルガノシロキサンの中から選ばれる少なくとも一種を挙げることができる。上記の分子中に官能基としてアルケニル基を有するポリオルガノシロキサンの好ましいものとしては、ビニル基を官能基とするポリジメチルシロキサン、ヘキセニル基を官能基とするポリジメチルシロキサン及びこれらの混合物などが挙げられるが、これらの中で、特にヘキセニル基を官能基とするポリジメチルシロキサンが、硬化性に優れると共に、安定であるため好ましい。
硬化膜の剥離特性を制御するシリコーン樹脂としては、例えば分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基及び水素原子を有しないポリオルガノシロキサンが挙げられ、具体的には、トリメチルシロキシ基末端封鎖ポリジメチルシロキサン、ジメチルフェニルシロキシ基末端封鎖ポリジメチルシロキサンなどが挙げられる。
剥離調整剤としては特に制限はなく、様々なものを使用することができる。例えば,ケイ素原子に結合したアルケニル基及び水素原子を有しないポリオルガノシロキサンなどが挙げられる。
また、転写基材の補助電極層と透明樹脂層とからなる面に接する面の算術平均表面粗さは、30nm以下が好ましく、より好ましくは10nm以下である。
転写基材の厚みは、10〜500μmが好ましく、より好ましくは20〜300μm、さらに好ましくは30〜100μmである。この範囲であれば、補助電極層を形成する基材フィルムとして、機械的強度が確保できるため好ましい。
パターンが形成されていない補助電極層の形成方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD(物理気相成長法)、もしくは熱CVD、原子層蒸着(ALD)等のCVD(化学気相成長法)などのドライプロセス、又はディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、グラビアコーティング、ダイコーティング、ドクターブレード等の各種コーティングや電着等のウェットプロセス、銀塩法等が挙げられ、補助電極層の材料に応じて適宜選択される。
補助電極層のパターンの開口部(補助電極層が形成されてない部分)の開口率としては、透明性(光線透過率)の観点から、80%以上100%未満であることが好ましく、より好ましくは90%以上100%未満であり、さらに好ましくは95%以上100%未満である。なお、開口率とは、開口部を含む補助電極層のパターンが形成されている全領域の面積に対する、開口部の総面積の割合である。
補助電極層の線幅は、5〜100μmが好ましく、より好ましくは7〜50μm、さらに好ましくは10〜30μmである。線幅がこの範囲にあれば、開口率が広く、透過率が確保でき、さらに、安定した低抵抗の透明導電性積層体が得られるため、好ましい。
また、スクリーン印刷等の方法で、補助電極層のパターンを形成する場合は、導電性微粒子を含む導電ペーストを用いることができる。フォトリソグラフィー等の方法を用いてパターン化を行っても勿論かまわない。工程の簡便さ、コスト、タクトタイムの短縮の観点から、導電ペーストのパターン印刷が好ましく用いられる。
多層構造としては、異種の材料からなる層を積層した2層構造であることがより好ましい。このような多層構造としては、例えば、最初に銀のパターン層を形成させ、その上から銅のパターン層を形成させると、銀の高導電性を保持しながら耐食性が改善されるため好ましい。
透明樹脂層形成工程は、補助電極層上及び開口部に透明樹脂層を積層する工程であり、例えば、図1(b)においては、透明樹脂を含む透明樹脂組成物を、補助電極層3からなるパターン上及び開口部に成膜して、透明樹脂層4を形成する工程である。
エネルギー放射線を照射する方法としては、例えば、紫外線や電子線などが挙げられる。上記紫外線は、高圧水銀ランプ、フュージョンHランプ、キセノンランプなどで得られ、光量は、通常100〜500mJ/cm2であり、一方電子線は、電子線加速器などによって得られ、照射量は、通常150〜350kVである。この活性エネルギー線の中では、特に紫外線が好適である。なお、電子線を使用する場合は、光重合開始剤を添加することなく、硬化膜を得ることができる。
透明樹脂層の膜厚は、10〜200μmが好ましく、より好ましくは20〜50μmである。また、接着剤として用いる場合は、コスト、薄膜化の観点から、0.5〜500μmが好ましい。
また、透明樹脂層の乾燥収縮率は、1%以下が好ましく、より好ましくは0.2%以下である。さらに、透明樹脂層の硬化収縮率は、1%以下が好ましく、より好ましくは0.2%以下である。
エネルギー線硬化型樹脂組成物としては、前述したエネルギー線硬化型化合物が適用できる。
熱硬化型樹脂組成物とは樹脂成分、熱硬化剤、を含むものであり、所望により硬化促進剤等の添加剤を加えてもよい。樹脂成分としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型フェノキシ樹脂、ビスフェノールA型ジグリシジルエーテル樹脂、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等が挙げられる。熱硬化剤としては、1分子中に熱硬化型樹脂成分の官能基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。エポキシ系樹脂に対する官能基としては、フェノール性水酸基、アルコール系水酸基、アミノ基、カルボキシル基、酸無水物等が挙げられる。
硬化促進剤としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン等の3級アミン類;2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類;トリブリツフォスフィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン類;テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルフォスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
本発明において使用される熱硬化型接着剤組成物は、上記した各成分を混合し、必要に応じて混練、分散して調製することができる。
接着剤組成物の塗布方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ロールコーティング、リバースロールコーティング、コンマコーティング、ロッドコーティング、ブレードコーティング等が挙げられる。
本発明に用いる接着剤組成物の硬化条件としては、使用する組成物により適宜調整されるが、80℃〜150℃が好ましく、より好ましくは90℃〜120℃である。また、必要に応じて、硬化は加圧しながら行うこともできる。
補助電極層と透明樹脂層間との界面段差は、50nm以下が好ましく、より好ましくは15nm以下である。この範囲であれば、駆動層間との短絡の発生が抑制されるため好ましい。
透明樹脂基材積層工程は、透明樹脂層に透明樹脂基材を積層する工程であり、例えば、図1(c)においては、透明樹脂層4に透明樹脂基材6aを貼り合わせることにより積層する工程である。また、目的に応じて、例えば、図2(c)のように、透明樹脂基材6aの代わりに剥離可能な透明樹脂基材6b、又は転写基材2を貼り合わせてもよい。
透明樹脂基材の厚みは、10〜200μmが好ましく、より好ましくは10〜100μmである。この範囲であれば、透明樹脂基材としての機械強度、透明性が確保できるため好ましい。
さらに、転写基材として、前記シリコーン樹脂組成物の硬化層を有していない、支持基材として用いる前記透明樹脂基材を直接使用することができる。
前記透明樹脂層からなる面と、前記透明樹脂基材とは剥離可能であればよく、剥離力として好ましくは20〜500(mN/50mm)、より好ましくは20〜300(mN/50mm)、さらに好ましくは50〜100(mN/50mm)である。算術平均表面粗さは、好ましくは100nm以下、より好ましくは50nm以下であり、さらに好ましくは10nm以下である。該透明樹脂基材の厚みは、好ましくは10〜500μm、より好ましくは20〜300μm、さらに好ましくは30〜100μmである。前記透明樹脂層からなる面は、前記補助電極層と前記透明樹脂層との段差が問題とならないので、前記補助電極層と前記透明樹脂層からなる面に求められる平滑性とは異なる。剥離力、算術平均表面粗さ及び厚みが上記範囲にあれば、容易に該転写基材を前記透明樹脂層からなる面から剥離できる。
転写基材面転写工程は、転写基材と、補助電極層と透明樹脂層とからなる面を剥離する工程であり、例えば、図1(d)において、転写基材2と、補助電極層3と透明樹脂層4からなる透明基材5の面を、剥離することにより、転写基材面の平滑性を補助電極層3と透明樹脂層4とからなる面に転写して、表面粗さが小さく、段差の小さい、補助電極層と透明樹脂層からなる面を形成する工程である。また、例えば、図2(d)においては、図1(d)に加え、剥離可能な透明樹脂基材6bと透明基材5の透明樹脂層との界面を剥離して、剥離可能な透明樹脂基材6bの平滑性を透明樹脂層の面に転写する工程となる。転写基材及び剥離可能な透明樹脂基材の剥離方法は、特に制限はなく、公知の方法で行うことができる。
透明導電層形成工程は、前記工程で得られた補助電極層と透明樹脂層とからなる面側に、透明導電層を積層する工程であり、例えば、図1、2においては、透明導電層7を形成する工程である。該工程を経ることにより、補助電極層を有する透明導電性積層体1を製造することができる。
上記透明導電層の形成方法としては、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等のPVD(物理気相成長法)、もしくは熱CVD、原子層蒸着(ALD)等のCVD(化学気相成長法)などが挙げられる。上記手法により成膜した後、必要に応じて、他の積層体に影響を及ぼさない範囲で加熱処理を施すことにより、より優れた表面抵抗率を有する透明導電層を形成することができる。
有機バインダーとしては、特に限定されないが、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線(UV)硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂等から適宜選定することができる。例えば、熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、PET樹脂、ポリビニルアルコール樹脂等が挙げられ、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂等、紫外線硬化性樹脂としては、各種オリゴマー、モノマー、光重合開始剤を含有する樹脂等、電子線硬化性樹脂としては、各種オリゴマー、モノマーを含有する樹脂等をそれぞれ挙げることができる。
また、無機バインダーとしては、特に限定されないが、シリカゾルを主成分とするバインダーを挙げることができる。無機バインダーは、フッ化マグネシウム微粒子、アルミナゾル、ジルコニアゾル、チタニアゾル等や、有機官能基で修飾されたシリカゾルを含んでいてもよい。
また、透明導電層の全光線透過率は、JIS K7361−1に準拠して測定される全光線透過率が70%以上のものが好ましく、80%以上のものがより好ましく、90%以上のものがさらに好ましい。
透明導電層の濁度は10%以下が好ましく、より好ましくは5%以下である。
透明導電層の表面抵抗率は1000Ω/□以下が好ましく、より好ましくは100Ω/□以下である。
本発明の製造方法に従って製造された透明導電性積層体は、転写基材の平滑性が転写された、表面粗さの小さいかつ表面段差の小さい補助電極層と透明樹脂層とからなる面を有し、該面に透明導電層を形成してなる透明導電性積層体である。
透明導電性積層体の全光線透過率は、JIS K7361−1に準拠して測定される全光線透過率が70%以上のものが好ましく、80%以上のものがより好ましく、90%以上のものがさらに好ましい。
透明導電性積層体の濁度は、10%以下が好ましく、より好ましくは5%以下である。
透明導電性積層体の表面抵抗率は、100Ω/□以下が好ましく、より好ましくは50Ω/□以下である。
(a)界面段差、表面粗さ
原子間力顕微鏡(セイコーインスツル社製、製品名:SPI3800)により、補助電極層と透明樹脂層間の転写面における界面段差を測定した。同様に、補助電極層及び透明樹脂層の算術平均粗さRa(測定範囲20nm×20nm)を測定した。
(b)全光線透過率、濁度
ヘーズメータ(日本電色工業社製、製品名:NHD-5000)により、JIS K7361−1の方法で、透明導電積層体の全光線透過率、濁度を測定した。
(c)表面抵抗率
表面抵抗測定装置(三菱化学社製、製品名:ロレスタGP MCP−T600)により、四端子法で透明導電性積層体の表面抵抗率の測定を、25℃50%RHの環境下で行った。
(d)剥離力
剥離力の測定は、JIS−Z0237に準拠し、透明導電性積層体を巾50mm、長さ200mmに裁断し、引っ張り試験機を用いて、透明導電性積層体を固定し、転写基材または透明樹脂基材を25℃50%RHの環境下で、0.3m/minの速度で180°方向に剥がし、その時の剥離に要する力(剥離力)を測定した。
蒸着装置(エイエルエステクノロジー社製、品名:E200LL)により、真空下でシリコーン樹脂組成物の硬化層を有する転写基材(リンテック社製、商品名:PDS382160、45mm×45mm、表面粗さRa:5.4nm)に、銅を100nm積層し、フォトリソグラフィーにより、線幅30μm、ピッチ1000μmの格子状の金属細線パターンを有する補助電極層を作製した。
次に、熱可塑性樹脂としてポリサルフォン系樹脂(BASF社製、商品名:ULTRASON S−3010)、エネルギー線硬化型樹脂としてトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学社製、商品名:NKエステルA−DCP)、光重合開始剤としてビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(BASF社製、商品名:IRGACURE819)及び溶媒としてのジオキソランを、全固形分中の熱可塑性樹脂が60質量%、UV硬化型樹脂に対する光重合開始剤が5質量%、全固形分濃度が30質量%となるように容器に入れ、メカニカルスターラーで1時間撹拌することで透明樹脂組成物を調製した。
得られた透明樹脂組成物を、アプリケータを用いて、補助電極層上に乾燥(90℃1分間)後の膜厚が20μmになるよう塗布、乾燥し、透明樹脂層を形成させた。さらに、ラミネータを用いて、透明樹脂基材として厚み50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東洋紡社製、商品名:コスモシャイン(登録商標)A4100、表面粗さRa:4.6nm)を、透明樹脂層上に貼り合せ、PET側からUVを照射(光量800(mJ/cm2))し、透明樹脂層を硬化させた。前記補助電極層と前記透明樹脂層とからなる面と転写基材との剥離力は30mN/50mmであった。
その後、転写基材を剥離することで、転写基材の平滑性が転写された補助電極層と透明樹脂層とからなる面を有する透明基材を作製した。得られた透明基材の補助電極層と透明樹脂層間の界面段差、および補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さに係る評価結果を表1に示す。また、図3(a)に、実施例1で得られた補助電極層と透明樹脂層間でなる界面段差を示すDMF像(測定範囲20μm×20μm)を示す。
金属細線の線幅を100μmとし、透明樹脂層としてエネルギー線硬化型樹脂(東亞合成社製、商品名:アロニックスUVX−5446)をマイヤーバーで塗布し、透明樹脂基材として厚み50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東洋紡社製、商品名:コスモシャイン(登録商標)A4100、表面粗さRa:4.6nm)を、透明樹脂層上に貼り合せ、PET側からUVを照射(光量800(mJ/cm2))し、透明樹脂層を硬化させた以外、実施例1と同様に、転写基材の表面性が転写された補助電極層を有する透明基材を作製した。得られた透明基材の補助電極層と透明樹脂層間の界面段差、および補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さに係る評価結果を表1に示す。
シリコーン樹脂組成物の硬化層を有する転写基材(リンテック社製、商品名:SP−PET381031、表面粗さRa:27nm)を使用した以外、実施例1と同様にして透明基材を作製した。得られた透明基材の補助電極層と透明樹脂層間の界面段差、かつ補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さに係る評価結果を表1に示す。前記補助電極層と前記透明樹脂層とからなる面と転写基材との剥離力は20mN/50mmであった。
インクジェットプリンター(MICROJET社製、型名:NanoPrinter−600)により、銀ナノインク(イオックス社製、商品名:INCu30−50TP)からなる線幅30μm、ピッチ1000μm、膜厚1μmの金属細線パターンを有する補助電極層を作製した以外、実施例1と同様にして透明基材を作製した。得られた透明基材の補助電極層と透明樹脂層間の界面段差、かつ補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さに係る評価結果を表1に示す。
スクリーン印刷機(東海商事社製、型名:M10 500−016)により、銀ペースト(日本黒鉛工業社製、商品名:バニーハイトMSP−25)からなる線幅50μm、ピッチ1600μm、膜厚5μmの金属細線パターンを有する補助電極層を作製した以外、実施例1と同様にして透明基材を作製した。得られた透明基材の補助電極層と透明樹脂層間の界面段差、および補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さに係る評価結果を表1に示す。
銅を10μm積層した以外実施例1と同様に、転写基材の表面性が転写された補助電極層と透明樹脂層とからなる面を有する透明基材を作製した。得られた透明基材の補助電極層と透明樹脂層の界面段差、かつ補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さに係る評価結果を表1に示す。
スパッタリング装置(アルバック社製、型番:ISP−4000S−C)により、実施例1で作製した補助電極層を有する透明基材の補助電極層側に透明導電層であるITOを20nm積層することにより、透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の全光線透過率、濁度、表面抵抗率に係る評価結果を表2に示す。
スピンコーター(ミサカ社製、型番:MS−A150)により、実施例1で作製した補助電極層を有する透明基材の補助電極層側にポリチオフェン系透明導電性ポリマー(Agfa−Gevaert社製、商品名:Orgacon S30)を塗布して厚さ100nmの透明導電層とし、透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の全光線透過率、濁度、表面抵抗率に係る評価結果を表2に示す。
実施例2で作製した補助電極層を有する透明基材を用いた以外、実施例7と同様にして透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の全光線透過率、濁度、表面抵抗率に係る評価結果を表2に示す。
実施例3で作製した補助電極層を有する透明基材を用いた以外、実施例7と同様にして透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の全光線透過率、濁度、表面抵抗率に係る評価結果を表2に示す。
実施例4で作製した補助電極層を有する透明基材を用いた以外、実施例7と同様にして透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の全光線透過率、濁度、表面抵抗率に係る評価結果を表2に示す。
実施例5で作製した補助電極層を有する透明基材を用いた以外、実施例7と同様にして透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の全光線透過率、濁度、表面抵抗率に係る評価結果を表2に示す。
スパッタリング装置(アルバック社製、型番:ISP−4000S−C)により、実施例6で作製した透明基材の補助電極層および透明樹脂層とからなる面側に透明導電層であるITOを100nm積層することにより、透明導電性積層体を作製した。得られた透明導電性積層体の全光線透過率、濁度、表面抵抗率に係る評価結果を表2に示す。
真空蒸着により、PET(東洋紡社製、商品名:コスモシャインA4100、45mm×45mm)に銅を100nm積層し、フォトリソグラフィーにより、線幅30μm、ピッチ1000μmの金属細線パターンを有する補助電極層を作製した。
次に、実施例1と同様にして透明樹脂組成物を調製し、バーコートにより、補助電極層上に乾燥(90℃1分間)後の膜厚が100nmになるよう塗布、乾燥し、透明樹脂層を形成させた。さらに、ラミネータを用いて、PET(東洋紡社製、商品名:コスモシャインA4100)を透明樹脂層上に貼り合せ、補助電極層を形成したPET(コスモシャインA4100)側から、UV照射装置により光量800(mJ/cm2)の紫外線を照射し、透明樹脂層を硬化させた。
その後、ラミネータで貼り合わせたPET(コスモシャインA4100)を剥離し、ジオキソランで、補助電極層上部の未硬化の透明樹脂層を除去することにより、補助電極層を有する透明基材を作製した。得られた透明基材の補助電極層と透明樹脂層間の界面段差、かつ補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さに係る評価結果を表1に示す。また、図3(b)に、比較例1で得られた補助電極層と透明樹脂層間でなる界面段差を示すDMF像(測定範囲20μm×20μm)を示す。
表1から明らかなように、補助電極層のパターンサイズ、透明樹脂材料によらず、表面が平滑な補助電極層が得られることが実施例1と2から分かった。また、転写基材の表面粗さの大小が、補助電極層及び透明樹脂層の表面粗さの大小を反映しており、転写基材の表面粗さが小さいほど、補助電極層及び透明樹脂層の表面の平滑性が高いことが実施例1と3から分かった。さらに、補助電極層の製造工程によらず平滑な補助電極層が得られることが実施例1、4、5から分かった。加えて、補助電極層の厚さによらず補助電極層及び透明樹脂層の表面の平滑性が高いことが実施例1、4、5、6から分かった。実施例1〜6の転写工程では、比較例1の従来の工程に比べ、平滑性が向上した補助電極層及び透明樹脂層が得られた。
2:転写基材
3:補助電極層
4:透明樹脂層
5:透明基材(補助電極層含む)
6a:透明樹脂基材
6b:剥離可能な透明樹脂基材
7:透明導電層
Claims (6)
- 基材と、補助電極層及び透明樹脂層からなる面を有する層と、透明導電層と、を有する透明導電性積層体であって、
前記補助電極層及び透明樹脂層からなる面を有する層上に透明導電層が設けられ、前記補助電極層の厚さが10〜20μmであり、
前記補助電極が、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、白金、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−銅合金、及びアルミニウム−チタン−パラジウム合金からなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含み、前記透明樹脂層が、熱可塑性樹脂及びエネルギー線硬化型樹脂を含み、
前記補助電極層と前記透明樹脂層の界面段差が15nm以下であり、
前記補助電極層のパターンの開口部の開口率が80%以上100%未満(但し、95%以上除く)である、透明導電性積層体。 - 前記透明樹脂層の硬化収縮率が、1%以下である請求項1に記載の透明導電性積層体。
- 前記補助電極層の算術平均粗さRaが、2.3〜23nmである請求項1に記載の透明導電性積層体。
- 前記透明樹脂層の算術平均粗さRaが、1.9〜20nmである請求項1または2に記載の透明導電性積層体。
- 前記補助電極層が、格子状、ハニカム状または櫛歯状のパターンからなる群より選ばれる少なくとも1種以上で形成される請求項1〜4のいずれかに記載の透明導電性積層体。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の透明導電性積層体を有する太陽電池または有機エレクトロルミネッセンス素子。
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