JPS6088482A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS6088482A JPS6088482A JP58196505A JP19650583A JPS6088482A JP S6088482 A JPS6088482 A JP S6088482A JP 58196505 A JP58196505 A JP 58196505A JP 19650583 A JP19650583 A JP 19650583A JP S6088482 A JPS6088482 A JP S6088482A
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- JP
- Japan
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- light
- substrate
- transparent substrate
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- incident light
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は透明基板を通って入射する光を電気に変換する
光電変換装置に関する。
光電変換装置に関する。
太陽電池あるいは受光素子等の光電変換装置においては
、入射光の表面反射を低減し、変換効率を向上させるこ
とが望まれる。そのため、例えは第1図に示すようにガ
ラス基板1の上に透明導電膜2、接合を有する半導体薄
膜3、電極膜4を備えた太陽電池の基板の入射面に、ガ
ラスの屈、折率と空気の屈折率の中間の屈折率を有する
、例えばMgF2からなる反射防止層5を被着する。こ
れによシ入射光6のうちの反射光8を少なくシ、光電変
換に寄与する透過光7を多くする。しかしこの場合、入
射光6の波長によシ反射率が変化し、全波長にわたって
反射防止ができない欠点がある。
、入射光の表面反射を低減し、変換効率を向上させるこ
とが望まれる。そのため、例えは第1図に示すようにガ
ラス基板1の上に透明導電膜2、接合を有する半導体薄
膜3、電極膜4を備えた太陽電池の基板の入射面に、ガ
ラスの屈、折率と空気の屈折率の中間の屈折率を有する
、例えばMgF2からなる反射防止層5を被着する。こ
れによシ入射光6のうちの反射光8を少なくシ、光電変
換に寄与する透過光7を多くする。しかしこの場合、入
射光6の波長によシ反射率が変化し、全波長にわたって
反射防止ができない欠点がある。
本発明は上述の欠点を除去してよシ効来的な反射防止方
法を提供することを目的とする。
法を提供することを目的とする。
本発明は透明基板の光入射面が、横断面が60〜80°
の頂角を有する三角波状を呈する凹凸を有することによ
って反射光を波長に関係なく低減させるものである。透
明基板の凹凸を有する光入射面が基板の材料と空気との
中間の屈折率を有する拐料で被覆されることも有効であ
る。
の頂角を有する三角波状を呈する凹凸を有することによ
って反射光を波長に関係なく低減させるものである。透
明基板の凹凸を有する光入射面が基板の材料と空気との
中間の屈折率を有する拐料で被覆されることも有効であ
る。
第2図は本発明の実施例を示すもので、第1図と共通の
部分には同一の符号が付されている。この場合透明基板
lの光入射面11には頂角θ=60〜80°の三角波状
の横断面をもつ凹凸が形成されている。入射光6は透明
基板1の表面で透過光7と反射光8に分かれる。反射光
8は再び透明基板1の凹凸面に達し、透過光9と反射光
10に分かれる。このような過程において、入射光6が
透明基板1の表面から内部へ透過する機会が増加し、反
射光の量は著しく低減される。頂角θが60°以下にな
ると入射光6が全反射して透過光7がなくなる虞があり
、80°以上になると反射光8が再度透明基板1の凹凸
面に当たらなくなる。
部分には同一の符号が付されている。この場合透明基板
lの光入射面11には頂角θ=60〜80°の三角波状
の横断面をもつ凹凸が形成されている。入射光6は透明
基板1の表面で透過光7と反射光8に分かれる。反射光
8は再び透明基板1の凹凸面に達し、透過光9と反射光
10に分かれる。このような過程において、入射光6が
透明基板1の表面から内部へ透過する機会が増加し、反
射光の量は著しく低減される。頂角θが60°以下にな
ると入射光6が全反射して透過光7がなくなる虞があり
、80°以上になると反射光8が再度透明基板1の凹凸
面に当たらなくなる。
第3図は本発明の異なる実施例を示すもので、第2図の
実施例と異なる点は、凹凸加工した透明基板1の表面1
1に第1図に用いられているような反射防止層5を被着
したことで、この結果第一次反射光8は第2図の場合に
比して少なく、第二次反射光10も第2図の場合よシ少
なくなるので、反射による損失がさらに低減する。
実施例と異なる点は、凹凸加工した透明基板1の表面1
1に第1図に用いられているような反射防止層5を被着
したことで、この結果第一次反射光8は第2図の場合に
比して少なく、第二次反射光10も第2図の場合よシ少
なくなるので、反射による損失がさらに低減する。
本発明では透明基板表面を60〜80°の頂角を有する
三角波状の凹凸加工したために、入射光の反射を著しく
低減させることができる。また本発明は上述の太陽電池
のほかに受光素子などの他の光変換装置にも適用できる
ことは明らかである。
三角波状の凹凸加工したために、入射光の反射を著しく
低減させることができる。また本発明は上述の太陽電池
のほかに受光素子などの他の光変換装置にも適用できる
ことは明らかである。
第1図は従来の太陽電池の断面図、第2図は本発明の一
実施例の太陽電池の断面図、第3図は異なる゛実施例の
太陽電池の断面図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・透明導電膜
、3・・・・・・半導体薄膜、5・・・・・・反射防止
層、11・・・・・・凹凸面。
実施例の太陽電池の断面図、第3図は異なる゛実施例の
太陽電池の断面図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・透明導電膜
、3・・・・・・半導体薄膜、5・・・・・・反射防止
層、11・・・・・・凹凸面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)透明基板を通って入射する光を電気に変換するもの
において、透明基板の光入射面が、横断面が60〜80
°の頂角を有する三角波状を呈する凹凸を有することを
特徴とする光電変換装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の装置において、透明基
板の凹凸を有する光入射面が基板の拐料と空気との中間
の屈折率を有する拐料によって被覆されたことを特徴と
する光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58196505A JPS6088482A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58196505A JPS6088482A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光電変換装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6088482A true JPS6088482A (ja) | 1985-05-18 |
Family
ID=16358868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58196505A Pending JPS6088482A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6088482A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2596753A1 (fr) * | 1986-04-08 | 1987-10-09 | Glaverbel | Verre mate, procede de fabrication de verre mate, cellule photovoltaique comprenant un tel verre et procede de fabrication d'une telle cellule |
JPH01171050U (ja) * | 1988-05-20 | 1989-12-04 | ||
US4940888A (en) * | 1988-03-14 | 1990-07-10 | Hitachi, Ltd. | Direct-contact-type image sensor and image sensor assembly |
US4989972A (en) * | 1989-05-01 | 1991-02-05 | Hewlett-Packard Company | Low reflectivity surface relief gratings for photodetectors |
JPH0357952U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-05 | ||
US5035770A (en) * | 1989-05-01 | 1991-07-30 | Hewlett-Packard Company | Methods of making surface relief gratings |
US5119156A (en) * | 1987-09-11 | 1992-06-02 | Seiko Instruments Inc. | Photo-detecting semiconductor device with passivation suppressing multi-reflections |
US5150182A (en) * | 1988-06-07 | 1992-09-22 | The Boeing Company | Semiconductor device enhanced for optical interaction |
US5272356A (en) * | 1991-11-12 | 1993-12-21 | Hughes Aircraft Company | Multiple quantum well photodetector for normal incident radiation |
WO1998059378A1 (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-30 | Kaneka Corporation | Solar battery module and method for manufacturing the same |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP58196505A patent/JPS6088482A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE1001108A4 (fr) * | 1986-04-08 | 1989-07-18 | Glaverbel | Verre mate, procede de fabrication de verre mate, cellule photovoltaique comprenant un tel verre et procede de fabrication d'une telle cellule. |
FR2596753A1 (fr) * | 1986-04-08 | 1987-10-09 | Glaverbel | Verre mate, procede de fabrication de verre mate, cellule photovoltaique comprenant un tel verre et procede de fabrication d'une telle cellule |
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AU735727B2 (en) * | 1997-06-20 | 2001-07-12 | Kaneka Corporation | Solar cell module and manufacturing method thereof |
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