JPH10107312A - 半導体受光装置用反射防止膜 - Google Patents
半導体受光装置用反射防止膜Info
- Publication number
- JPH10107312A JPH10107312A JP8260371A JP26037196A JPH10107312A JP H10107312 A JPH10107312 A JP H10107312A JP 8260371 A JP8260371 A JP 8260371A JP 26037196 A JP26037196 A JP 26037196A JP H10107312 A JPH10107312 A JP H10107312A
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- sio
- sinx
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜厚の制御性が良く、半導体受光装置として
の信頼性も良く、更に、透過率も向上させることが出来
る半導体受光装置用反射防止膜を提供する。 【解決手段】 光が入射される「半導体受光装置」とし
てのフォトダイオード１の「受光部」としての受光部拡
散層３上に反射防止を目的として形成される反射防止膜
４において、ＳｉＮｘ膜１０とＳｉＯ2膜９の二層構造
の薄膜からなる。
の信頼性も良く、更に、透過率も向上させることが出来
る半導体受光装置用反射防止膜を提供する。 【解決手段】 光が入射される「半導体受光装置」とし
てのフォトダイオード１の「受光部」としての受光部拡
散層３上に反射防止を目的として形成される反射防止膜
４において、ＳｉＮｘ膜１０とＳｉＯ2膜９の二層構造
の薄膜からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光が入射される
半導体受光装置の反射防止膜に関するものである。
半導体受光装置の反射防止膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体受光装置において、そ
の反射防止膜はプロセスの簡便さからＳｉＯ2膜を用い
ることが多い。その場合、ＳｉＯ2膜の膜厚は、入射光
の透過率に大きく影響するため、入射光の波長に応じて
適正な膜厚に形成するようにしている。
の反射防止膜はプロセスの簡便さからＳｉＯ2膜を用い
ることが多い。その場合、ＳｉＯ2膜の膜厚は、入射光
の透過率に大きく影響するため、入射光の波長に応じて
適正な膜厚に形成するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、入射光
がｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）のように波長が短いと、
この波長に応じた適正な膜厚はＳｉＯ2膜を用いた反射
防止膜では４００〜６００Åとかなり薄くなることか
ら、膜厚の制御性が悪く、又、半導体受光装置としての
信頼性も悪くなる。
がｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）のように波長が短いと、
この波長に応じた適正な膜厚はＳｉＯ2膜を用いた反射
防止膜では４００〜６００Åとかなり薄くなることか
ら、膜厚の制御性が悪く、又、半導体受光装置としての
信頼性も悪くなる。
【０００４】また、そのような適正なＳｉＯ2膜の膜厚
（４００〜６００Å）においても、その透過率は最大で
も８０％程度である。
（４００〜６００Å）においても、その透過率は最大で
も８０％程度である。
【０００５】そこで、この発明は、膜厚の制御性が良
く、半導体受光装置としての信頼性も良く、更に、透過
率も向上させることが出来る半導体受光装置用反射防止
膜を提供することを課題としている。
く、半導体受光装置としての信頼性も良く、更に、透過
率も向上させることが出来る半導体受光装置用反射防止
膜を提供することを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を達成するた
めに、請求項１に記載の発明は、光が入射される半導体
受光装置の受光部上に反射防止を目的として形成される
反射防止膜において、ＳｉＮｘ膜とＳｉＯ2膜の二層構
造の薄膜からなる半導体受光装置用反射防止膜としたこ
とを特徴とする。
めに、請求項１に記載の発明は、光が入射される半導体
受光装置の受光部上に反射防止を目的として形成される
反射防止膜において、ＳｉＮｘ膜とＳｉＯ2膜の二層構
造の薄膜からなる半導体受光装置用反射防止膜としたこ
とを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１の構成
に加え、前記受光部上にＳｉＯ2膜を、該ＳｉＯ2膜上に
前記ＳｉＮｘ膜を形成したことを特徴とする。
に加え、前記受光部上にＳｉＯ2膜を、該ＳｉＯ2膜上に
前記ＳｉＮｘ膜を形成したことを特徴とする。
【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
の構成に加え、前記ＳｉＮｘの膜厚が８００〜１０００
Åであることを特徴とする。
の構成に加え、前記ＳｉＮｘの膜厚が８００〜１０００
Åであることを特徴とする。
【０００９】請求項４に記載の発明は、前記ＳｉＮｘの
膜厚が８００〜１０００Å、前記ＳｉＯ2の膜厚が５０
０〜９００Åであることを特徴とする。
膜厚が８００〜１０００Å、前記ＳｉＯ2の膜厚が５０
０〜９００Åであることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】図１には、この発明の実施の形態を示す。
【００１２】まず構成について説明すると、図１中符号
１は「半導体受光装置」としてのフォトダイオードで、
このフォトダイオード１は、Ｎ−形のＳｉ基板２を有
し、このＳｉ基板２上に、「受光部」としてのＰ＋形の
受光部拡散層３が不純物を拡散させることにより形成さ
れている。
１は「半導体受光装置」としてのフォトダイオードで、
このフォトダイオード１は、Ｎ−形のＳｉ基板２を有
し、このＳｉ基板２上に、「受光部」としてのＰ＋形の
受光部拡散層３が不純物を拡散させることにより形成さ
れている。
【００１３】そして、この受光部拡散層３上に反射防止
膜４が形成され、この反射防止膜４の横には受光部電極
部５と基板電極部６とが設けられ、この受光部電極部５
が受光部電極拡散部７を介して受光部拡散層３に電気的
に接続され、又、基板電極部６がＮ＋形の基板電極拡散
部８を介してＳｉ基板２に電気的に接続されている。
膜４が形成され、この反射防止膜４の横には受光部電極
部５と基板電極部６とが設けられ、この受光部電極部５
が受光部電極拡散部７を介して受光部拡散層３に電気的
に接続され、又、基板電極部６がＮ＋形の基板電極拡散
部８を介してＳｉ基板２に電気的に接続されている。
【００１４】その反射防止膜４は、受光部拡散層３上に
ＳｉＯ2膜９が形成され、このＳｉＯ2膜９上にＳｉＮｘ
膜１０が形成されることにより、二層構造の薄膜形状を
呈している。
ＳｉＯ2膜９が形成され、このＳｉＯ2膜９上にＳｉＮｘ
膜１０が形成されることにより、二層構造の薄膜形状を
呈している。
【００１５】このように反射防止膜４を、ＳｉＯ2膜９
とＳｉＮｘ膜１０との二層構造とすることにより、入射
光がｉ線（λ＝３６５ｎｍ）の場合には、従来のように
ＳｉＯ2膜のみを反射防止膜として用いるものと比較す
ると、従来では最大でも透過率が８０％程度であったの
に対し、この発明では、それより透過率を向上させるこ
とができる。
とＳｉＮｘ膜１０との二層構造とすることにより、入射
光がｉ線（λ＝３６５ｎｍ）の場合には、従来のように
ＳｉＯ2膜のみを反射防止膜として用いるものと比較す
ると、従来では最大でも透過率が８０％程度であったの
に対し、この発明では、それより透過率を向上させるこ
とができる。
【００１６】また、フォトダイオード１自体としても、
受光部拡散層３上にＳｉＯ2膜９が、更にその上にＳｉ
Ｎｘ膜１０が形成されており、反射防止膜４の膜厚を従
来より厚くできるため、信頼性を十分確保できる。しか
も、ＳｉＯ2膜９とＳｉＮｘ膜１０との膜厚も、従来の
単層のＳｉＯ2膜に比較して若干厚くできるため、膜形
成時に制御性も向上する。
受光部拡散層３上にＳｉＯ2膜９が、更にその上にＳｉ
Ｎｘ膜１０が形成されており、反射防止膜４の膜厚を従
来より厚くできるため、信頼性を十分確保できる。しか
も、ＳｉＯ2膜９とＳｉＮｘ膜１０との膜厚も、従来の
単層のＳｉＯ2膜に比較して若干厚くできるため、膜形
成時に制御性も向上する。
【００１７】さらに、受光部拡散層３上にＳｉＯ2膜９
を、このＳｉＯ2膜９上にＳｉＮｘ膜１０を形成するこ
とにより、シリコン熱酸化膜を使用できるので、膜質が
良く、膜厚の均一性が良い。
を、このＳｉＯ2膜９上にＳｉＮｘ膜１０を形成するこ
とにより、シリコン熱酸化膜を使用できるので、膜質が
良く、膜厚の均一性が良い。
【００１８】
【実施例】この実施例では、そのＳｉＯ2膜９は、Ｓｉ
の熱酸化により、膜厚が５００〜９００Åに形成され、
ＳｉＮｘ膜１０は、減圧ＣＶＤにより、８００〜１００
０Åに形成されている。これらＳｉＯ2膜９，ＳｉＮｘ
膜１０のｉ線における屈折率は実測値で、ＳｉＯ2膜９
がｎ≒１．９、ＳｉＮｘ膜１０がｎ≒３．１である。
の熱酸化により、膜厚が５００〜９００Åに形成され、
ＳｉＮｘ膜１０は、減圧ＣＶＤにより、８００〜１００
０Åに形成されている。これらＳｉＯ2膜９，ＳｉＮｘ
膜１０のｉ線における屈折率は実測値で、ＳｉＯ2膜９
がｎ≒１．９、ＳｉＮｘ膜１０がｎ≒３．１である。
【００１９】このように反射防止膜４は、ＳｉＯ2膜９
上にＳｉＮｘ膜１０を形成し、それぞれの膜厚を、Ｓｉ
Ｏ2膜９を５００〜９００Å、ＳｉＮｘ膜１０を８００
〜１０００Åとすることにより、そのｉ線に対する透過
率は最大で９４％程度得られることが判明した。
上にＳｉＮｘ膜１０を形成し、それぞれの膜厚を、Ｓｉ
Ｏ2膜９を５００〜９００Å、ＳｉＮｘ膜１０を８００
〜１０００Åとすることにより、そのｉ線に対する透過
率は最大で９４％程度得られることが判明した。
【００２０】従って、かかる数値とすることにより、従
来のようにＳｉＯ2膜のみを反射防止膜として用いるも
のと比較すると、従来では最大でも透過率が８０％程度
であったのに対し、この発明では９４％程度となり、透
過率が極めて向上することとなる。
来のようにＳｉＯ2膜のみを反射防止膜として用いるも
のと比較すると、従来では最大でも透過率が８０％程度
であったのに対し、この発明では９４％程度となり、透
過率が極めて向上することとなる。
【００２１】また、フォトダイオード１自体としても、
受光部拡散層３上にＳｉＯ2膜９が５００〜９００Å、
更にその上にＳｉＮｘ膜１０が８００〜１０００Å形成
されているため、信頼性を十分確保できる。しかも、Ｓ
ｉＯ2膜９とＳｉＮｘ膜１０との膜厚も、従来の単層の
ＳｉＯ2膜に比較して若干厚くなるため、膜形成時に制
御性も向上する。
受光部拡散層３上にＳｉＯ2膜９が５００〜９００Å、
更にその上にＳｉＮｘ膜１０が８００〜１０００Å形成
されているため、信頼性を十分確保できる。しかも、Ｓ
ｉＯ2膜９とＳｉＮｘ膜１０との膜厚も、従来の単層の
ＳｉＯ2膜に比較して若干厚くなるため、膜形成時に制
御性も向上する。
【００２２】なお、上記実施の形態では、ＳｉＯ2膜９
上にＳｉＮｘ膜１０が形成されているが、これに限定さ
れるものでない。また、上記実施例では、ＳｉＯ2膜９
をＳｉの熱酸化により、又、ＳｉＮｘ膜１０を減圧ＣＶ
Ｄにより形成しているが、形成プロセスはこれに限ら
ず、他の方法でも良く、又、ＳｉＯ2膜９，ＳｉＮｘ膜
１０のｉ線における屈折率も、上記の値に限定されるも
のでない。
上にＳｉＮｘ膜１０が形成されているが、これに限定さ
れるものでない。また、上記実施例では、ＳｉＯ2膜９
をＳｉの熱酸化により、又、ＳｉＮｘ膜１０を減圧ＣＶ
Ｄにより形成しているが、形成プロセスはこれに限ら
ず、他の方法でも良く、又、ＳｉＯ2膜９，ＳｉＮｘ膜
１０のｉ線における屈折率も、上記の値に限定されるも
のでない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明してきたように、請求項１に記
載された発明によれば、反射防止膜を、ＳｉＯ2膜とＳ
ｉＮｘ膜との二層構造とすることにより、従来のように
ＳｉＯ2膜のみを反射防止膜として用いるものと比較す
ると、従来では最大でも透過率が８０％程度であったの
に対し、この発明では、それより透過率を向上させるこ
とができる。
載された発明によれば、反射防止膜を、ＳｉＯ2膜とＳ
ｉＮｘ膜との二層構造とすることにより、従来のように
ＳｉＯ2膜のみを反射防止膜として用いるものと比較す
ると、従来では最大でも透過率が８０％程度であったの
に対し、この発明では、それより透過率を向上させるこ
とができる。
【００２４】また、反射防止膜をＳｉＯ2膜とＳｉＮｘ
膜との二層構造とすることにより、上記のように透過率
を向上できた上で、反射防止膜の膜厚も従来より厚くで
きることから、半導体受光装置自体としても、信頼性を
十分確保できる。しかも、ＳｉＯ2膜とＳｉＮｘ膜との
各々の膜厚も、従来の単層のＳｉＯ2膜に比較して若干
厚くできるため、膜形成時に制御性も向上する。
膜との二層構造とすることにより、上記のように透過率
を向上できた上で、反射防止膜の膜厚も従来より厚くで
きることから、半導体受光装置自体としても、信頼性を
十分確保できる。しかも、ＳｉＯ2膜とＳｉＮｘ膜との
各々の膜厚も、従来の単層のＳｉＯ2膜に比較して若干
厚くできるため、膜形成時に制御性も向上する。
【００２５】また、請求項２に記載された発明によれ
ば、請求項１の効果に加え、受光部上にＳｉＯ2膜を、
このＳｉＯ2膜上にＳｉＮｘ膜を形成することにより、
シリコン熱酸化膜を使用できるので、膜質が良く、膜厚
の均一性が良い。
ば、請求項１の効果に加え、受光部上にＳｉＯ2膜を、
このＳｉＯ2膜上にＳｉＮｘ膜を形成することにより、
シリコン熱酸化膜を使用できるので、膜質が良く、膜厚
の均一性が良い。
【００２６】さらに、請求項４に記載された発明によれ
ば、請求項１又は２の効果に加え、ＳｉＯ2膜の膜厚を
５００〜９００Å、ＳｉＮｘ膜の膜厚を８００〜１００
０Åとすることにより、そのｉ線に対する透過率は最大
で９４％程度得られ、従来よりも大幅に向上する、とい
う実用上有益な効果を発揮する。
ば、請求項１又は２の効果に加え、ＳｉＯ2膜の膜厚を
５００〜９００Å、ＳｉＮｘ膜の膜厚を８００〜１００
０Åとすることにより、そのｉ線に対する透過率は最大
で９４％程度得られ、従来よりも大幅に向上する、とい
う実用上有益な効果を発揮する。
【図１】この発明の実施の形態に係るフォトダイオード
の断面図である。
の断面図である。
１ フォトダイオード（半導体受光装置） ２ Ｓｉ基板 ３ 受光部拡散層（受光部） ４ 反射防止膜 ９ ＳｉＯ2膜 10 ＳｉＮｘ膜
Claims (4)
- 【請求項１】 光が入射される半導体受光装置の受光部
上に反射防止を目的として形成される反射防止膜におい
て、 ＳｉＮｘ膜とＳｉＯ2膜の二層構造の薄膜からなること
を特徴とする半導体受光装置用反射防止膜。 - 【請求項２】 前記受光部上にＳｉＯ2膜を、該ＳｉＯ2
膜上に前記ＳｉＮｘ膜を形成したことを特徴とする請求
項１記載の半導体受光装置用反射防止膜。 - 【請求項３】 前記ＳｉＮｘの膜厚が８００〜１０００
Åであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体
受光装置用反射防止膜。 - 【請求項４】 前記ＳｉＮｘの膜厚が８００〜１０００
Å、前記ＳｉＯ2の膜厚が５００〜９００Åであること
を特徴とする請求項１又は２記載の半導体受光装置用反
射防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8260371A JPH10107312A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 半導体受光装置用反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8260371A JPH10107312A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 半導体受光装置用反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107312A true JPH10107312A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17347006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8260371A Pending JPH10107312A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 半導体受光装置用反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107312A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039507A1 (fr) * | 2000-11-13 | 2002-05-16 | Sony Corporation | Dispositif a semiconducteur et son procede de fabrication |
| US7538404B2 (en) | 2005-07-27 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2010512655A (ja) * | 2006-12-11 | 2010-04-22 | アルプ ラゼール ソスィエテ アノニム | フッ化イットリウム層を含む反射防止膜を有する量子カスケードレーザー増幅器 |
| JP2018163968A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | エイブリック株式会社 | 紫外線受光素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
| CN115437042A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-12-06 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 一种增透膜及其制作方法 |
-
1996
- 1996-10-01 JP JP8260371A patent/JPH10107312A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002039507A1 (fr) * | 2000-11-13 | 2002-05-16 | Sony Corporation | Dispositif a semiconducteur et son procede de fabrication |
| US7893515B2 (en) | 2000-11-13 | 2011-02-22 | Sony Corporation | Photodetector integrated chip |
| US8664031B2 (en) | 2000-11-13 | 2014-03-04 | Sony Corporation | Method of manufacturing photodiode intergrated chip |
| US7538404B2 (en) | 2005-07-27 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Optical semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2010512655A (ja) * | 2006-12-11 | 2010-04-22 | アルプ ラゼール ソスィエテ アノニム | フッ化イットリウム層を含む反射防止膜を有する量子カスケードレーザー増幅器 |
| JP2018163968A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | エイブリック株式会社 | 紫外線受光素子を有する半導体装置およびその製造方法 |
| CN115437042A (zh) * | 2022-08-25 | 2022-12-06 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 一种增透膜及其制作方法 |
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