JPH1140834A - 光電変換装置およびその製造方法 - Google Patents
光電変換装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1140834A JPH1140834A JP9197492A JP19749297A JPH1140834A JP H1140834 A JPH1140834 A JP H1140834A JP 9197492 A JP9197492 A JP 9197492A JP 19749297 A JP19749297 A JP 19749297A JP H1140834 A JPH1140834 A JP H1140834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- conversion device
- film
- electrode
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は光電変換素子の受光表面を耐摩耗性
の高い保護層で覆った光電変換装置およびその製造方法
を提供する。 【解決手段】 ガラスで構成される基板上に保護膜とし
て耐摩耗性の高いＢＮ膜１を形成し、第１の電極２を形
成した後、半導体膜３を光電変換層として形成する。半
導体膜３上に第２の電極４を形成し、樹脂で構成される
支持体７を第２の電極４上に接着する。その後、ガラス
基板以外をエッチングマスクで覆いてフッ酸溶液に浸し
てエッチングを行う。これによりガラス基板を除去す
る。その後、エッチングマスクを除去して光電変換装置
を完成させる。
の高い保護層で覆った光電変換装置およびその製造方法
を提供する。 【解決手段】 ガラスで構成される基板上に保護膜とし
て耐摩耗性の高いＢＮ膜１を形成し、第１の電極２を形
成した後、半導体膜３を光電変換層として形成する。半
導体膜３上に第２の電極４を形成し、樹脂で構成される
支持体７を第２の電極４上に接着する。その後、ガラス
基板以外をエッチングマスクで覆いてフッ酸溶液に浸し
てエッチングを行う。これによりガラス基板を除去す
る。その後、エッチングマスクを除去して光電変換装置
を完成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イメージセンサ、
スキャナ、太陽電池等に用いられる光電変換装置および
その製造方法に関する。
スキャナ、太陽電池等に用いられる光電変換装置および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光電変換装置は、入射光の有無や
入射光量を電気的に検出する光検出器としてだけではな
く、ライン状や２次元平面状に光電変換素子を配置した
イメージセンサ、スキャナ、太陽電池等として種々の分
野で用いられている。最近では、特に、光電変換素子が
有する光の反射や遮断によって非接触に物質の有無や画
像の濃淡等を検出可能であるという光学的検出機能に加
えて、光の有する微細性を利用して被検出対象を高精度
に検出可能であるという高精度検出機能が重視されてい
る。結果的には、光電変換装置の表面を種々の物質に接
触させて使用される例が増えており、代表的な例として
は精細な画像検出を行うために用いられるイメージセン
サがある。
入射光量を電気的に検出する光検出器としてだけではな
く、ライン状や２次元平面状に光電変換素子を配置した
イメージセンサ、スキャナ、太陽電池等として種々の分
野で用いられている。最近では、特に、光電変換素子が
有する光の反射や遮断によって非接触に物質の有無や画
像の濃淡等を検出可能であるという光学的検出機能に加
えて、光の有する微細性を利用して被検出対象を高精度
に検出可能であるという高精度検出機能が重視されてい
る。結果的には、光電変換装置の表面を種々の物質に接
触させて使用される例が増えており、代表的な例として
は精細な画像検出を行うために用いられるイメージセン
サがある。
【０００３】しかし、光電変換装置の主要な構成要素で
あり、入射した光を受けてそれを電気信号に変換して出
力する光電変換素子自体は、アモルファスシリコン等の
半導体薄膜によって形成されている。周知のように、半
導体は、不純物に極めて敏感であり、周囲からの汚染や
不純物の侵入によって劣化しやすく、さらに機械的な応
力や摩耗に対しても極めて脆弱であるという欠点を有し
ている。
あり、入射した光を受けてそれを電気信号に変換して出
力する光電変換素子自体は、アモルファスシリコン等の
半導体薄膜によって形成されている。周知のように、半
導体は、不純物に極めて敏感であり、周囲からの汚染や
不純物の侵入によって劣化しやすく、さらに機械的な応
力や摩耗に対しても極めて脆弱であるという欠点を有し
ている。
【０００４】このようなことから、従来の光電変換装置
では、被検出対象に接触する光電変換素子の受光表面は
薄板ガラスで保護されており、光がこの薄板ガラスを通
して光電変換素子に入射するような構造となっている。
すなわち、ガラス基板上に光電変換素子を形成した後、
接着剤等を用いて１００μｍ程度の厚さの薄板ガラスを
光電変換素子の上面に設けて光電変換装置を構成させて
いる。光はこの薄板ガラス側から光電変換素子に入射す
る。このように、薄板基板により光電変換素子の受光表
面を保護する構成を有する光電変換装置は、例えば特開
平５−３０４２８４号公報に記載されている。
では、被検出対象に接触する光電変換素子の受光表面は
薄板ガラスで保護されており、光がこの薄板ガラスを通
して光電変換素子に入射するような構造となっている。
すなわち、ガラス基板上に光電変換素子を形成した後、
接着剤等を用いて１００μｍ程度の厚さの薄板ガラスを
光電変換素子の上面に設けて光電変換装置を構成させて
いる。光はこの薄板ガラス側から光電変換素子に入射す
る。このように、薄板基板により光電変換素子の受光表
面を保護する構成を有する光電変換装置は、例えば特開
平５−３０４２８４号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の光電変換装置では、極力薄く加工処理した脆弱な
薄板ガラスを光電変換素子の受光表面に接着しなければ
ならず、生産性が悪く、大型化傾向に対応できる光電変
換装置を製造することは極めて困難である。さらに、最
近の光電変換装置に対しては、高精度検出の要請のみな
らず、次のような事項も要請されている。すなわち、
１）小型軽量で薄型であること、２）低コスト化が図れ
ること、３）長期間にわたって強靭な耐久性を有し、メ
ンテナンスフリーであること等である。
従来の光電変換装置では、極力薄く加工処理した脆弱な
薄板ガラスを光電変換素子の受光表面に接着しなければ
ならず、生産性が悪く、大型化傾向に対応できる光電変
換装置を製造することは極めて困難である。さらに、最
近の光電変換装置に対しては、高精度検出の要請のみな
らず、次のような事項も要請されている。すなわち、
１）小型軽量で薄型であること、２）低コスト化が図れ
ること、３）長期間にわたって強靭な耐久性を有し、メ
ンテナンスフリーであること等である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記事情に鑑み
てなされたものであり、本発明の目的は、検出精度のさ
らなる向上とともに検出対象面積の大型化に対応でき、
しかも低コストで製造可能な光電変換装置とその製造方
法を提供することである。
てなされたものであり、本発明の目的は、検出精度のさ
らなる向上とともに検出対象面積の大型化に対応でき、
しかも低コストで製造可能な光電変換装置とその製造方
法を提供することである。
【０００７】上記課題を解決するために、本発明の光電
変換装置は、光電変換素子と、Ｂ、ＢＮ系化合物、Ｓｉ
Ｂ系化合物、ＳｉＣ系化合物、ＳｉＮ系化合物、ＢＣ系
化合物、ＡｌＮ系化合物、ダイヤモンド、またはダイヤ
モンド状カーボンのいずれかよりなり、前記光電変換素
子の受光表面を覆う保護膜と、前記光電変換素子の受光
表面以外の表面を覆う支持体とから構成されることを特
徴とする。
変換装置は、光電変換素子と、Ｂ、ＢＮ系化合物、Ｓｉ
Ｂ系化合物、ＳｉＣ系化合物、ＳｉＮ系化合物、ＢＣ系
化合物、ＡｌＮ系化合物、ダイヤモンド、またはダイヤ
モンド状カーボンのいずれかよりなり、前記光電変換素
子の受光表面を覆う保護膜と、前記光電変換素子の受光
表面以外の表面を覆う支持体とから構成されることを特
徴とする。
【０００８】上記光電変換装置において、本発明は、前
記保護膜は耐摩耗性を有することを特徴とする。
記保護膜は耐摩耗性を有することを特徴とする。
【０００９】また、上記光電変換装置において、本発明
は、前記保護膜は少なくとも一部が透光性を有すること
を特徴とする。
は、前記保護膜は少なくとも一部が透光性を有すること
を特徴とする。
【００１０】また、上記光電変換装置において、本発明
は、前記支持体は樹脂からなることを特徴とする。
は、前記支持体は樹脂からなることを特徴とする。
【００１１】本発明の光電変換装置の製造方法は、基体
上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に第１の電
極を形成する工程と、前記第１の電極に接して半導体膜
を形成する工程と、前記半導体膜に接して第２の電極を
形成する工程と、前記第１の電極、前記半導体膜、およ
び前記第２の電極を覆うように支持体を形成する工程
と、前記支持体の形成後に前記基体をエッチングする工
程とを有し、前記保護膜は、Ｂ、ＢＮ系化合物、ＳｉＢ
系化合物、ＳｉＣ系化合物、ＳｉＮ系化合物、ＢＣ系化
合物、ＡｌＮ系化合物、ダイヤモンド、またはダイヤモ
ンド状カーボンのいずれかよりなることを特徴とする。
上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜上に第１の電
極を形成する工程と、前記第１の電極に接して半導体膜
を形成する工程と、前記半導体膜に接して第２の電極を
形成する工程と、前記第１の電極、前記半導体膜、およ
び前記第２の電極を覆うように支持体を形成する工程
と、前記支持体の形成後に前記基体をエッチングする工
程とを有し、前記保護膜は、Ｂ、ＢＮ系化合物、ＳｉＢ
系化合物、ＳｉＣ系化合物、ＳｉＮ系化合物、ＢＣ系化
合物、ＡｌＮ系化合物、ダイヤモンド、またはダイヤモ
ンド状カーボンのいずれかよりなることを特徴とする。
【００１２】また、上記光電変換装置の製造方法におい
て、本発明は、前記保護膜は耐摩耗性を有することを特
徴とする。
て、本発明は、前記保護膜は耐摩耗性を有することを特
徴とする。
【００１３】また、上記光電変換装置の製造方法におい
て、本発明は、前記保護膜は少なくとも一部が透光性を
有することを特徴とする。
て、本発明は、前記保護膜は少なくとも一部が透光性を
有することを特徴とする。
【００１４】また、上記光電変換装置の製造方法におい
て、本発明は、前記基体のエッチングレートは前記保護
膜のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする。
て、本発明は、前記基体のエッチングレートは前記保護
膜のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする。
【００１５】また、上記光電変換装置の製造方法におい
て、本発明は、前記支持体は樹脂からなることを特徴と
する。
て、本発明は、前記支持体は樹脂からなることを特徴と
する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の光電
変換装置について図面を参照して説明する。
変換装置について図面を参照して説明する。
【００１７】図１は本発明の実施の形態の光電変換装置
の概略構成を示す断面図である。図１に示すように、本
発明の実施の形態の光電変換装置は、ＢＮ膜１、第１の
電極２、半導体膜３、第２の電極４、絶縁膜５、外部電
極６、および支持体７から構成される。
の概略構成を示す断面図である。図１に示すように、本
発明の実施の形態の光電変換装置は、ＢＮ膜１、第１の
電極２、半導体膜３、第２の電極４、絶縁膜５、外部電
極６、および支持体７から構成される。
【００１８】ＢＮ膜１は機械的な応力や受光表面からの
汚染等に対して光電変換素子を保護する保護膜として用
いられ、高い耐摩耗性を有する。光電変換素子は第１の
電極２、半導体膜３、および第２の電極４によって構成
される。半導体膜３は光電変換層として用いられ、例え
ば、Ｐ層、Ｉ層、およびＮ層の３層構造となっている。
光電変換素子を構成する第１の電極２、半導体膜３、お
よび第２の電極４は絶縁膜５に覆われている。絶縁膜５
としては、例えば、２０００オングストローム程度の膜
厚を有するシリコンナイトライド（ＳｉＮ）膜が用いら
れ、必要に応じて形成される。なお、絶縁膜５には第１
の電極２および第２の電極４を外部回路（図示しない）
等に電気的に接続するためにコンタクトホールが設けら
れ、そのコンタクトホールに外部電極６が形成される。
ＢＮ膜１によって覆われていない光電変換素子の受光表
面以外の表面や外部電極６はポリイミドやエポキシ等の
樹脂等からなる支持体７によって覆われて保護されてい
る。
汚染等に対して光電変換素子を保護する保護膜として用
いられ、高い耐摩耗性を有する。光電変換素子は第１の
電極２、半導体膜３、および第２の電極４によって構成
される。半導体膜３は光電変換層として用いられ、例え
ば、Ｐ層、Ｉ層、およびＮ層の３層構造となっている。
光電変換素子を構成する第１の電極２、半導体膜３、お
よび第２の電極４は絶縁膜５に覆われている。絶縁膜５
としては、例えば、２０００オングストローム程度の膜
厚を有するシリコンナイトライド（ＳｉＮ）膜が用いら
れ、必要に応じて形成される。なお、絶縁膜５には第１
の電極２および第２の電極４を外部回路（図示しない）
等に電気的に接続するためにコンタクトホールが設けら
れ、そのコンタクトホールに外部電極６が形成される。
ＢＮ膜１によって覆われていない光電変換素子の受光表
面以外の表面や外部電極６はポリイミドやエポキシ等の
樹脂等からなる支持体７によって覆われて保護されてい
る。
【００１９】このような光電変換装置によれば、従来の
光電変換装置に用いられる保護膜と比較してその厚さが
薄いＢＮ膜１を通して光電変換素子の半導体膜３に光が
入射し、半導体膜３で光電変換されて第１の電極２およ
び第２の電極４によって電気信号として取出され、外部
電極６を介して外部回路に導出される。この場合にはＢ
Ｎ膜１の厚さが薄いので、入射光がＢＮ膜１の内部で多
重反射して迷光とならず、さらに、光電変換装置全体の
厚さを極めて薄く形成することができる。
光電変換装置に用いられる保護膜と比較してその厚さが
薄いＢＮ膜１を通して光電変換素子の半導体膜３に光が
入射し、半導体膜３で光電変換されて第１の電極２およ
び第２の電極４によって電気信号として取出され、外部
電極６を介して外部回路に導出される。この場合にはＢ
Ｎ膜１の厚さが薄いので、入射光がＢＮ膜１の内部で多
重反射して迷光とならず、さらに、光電変換装置全体の
厚さを極めて薄く形成することができる。
【００２０】図２〜図９は本発明の実施の形態の光電変
換装置の製造工程を示す図である。まず、厚さ０．７ｍ
ｍ〜１．１ｍｍの例えば硼珪酸ガラスで構成される基板
８を基体として準備する（図２参照）。
換装置の製造工程を示す図である。まず、厚さ０．７ｍ
ｍ〜１．１ｍｍの例えば硼珪酸ガラスで構成される基板
８を基体として準備する（図２参照）。
【００２１】なお、基板８は後の製造工程においてフッ
酸を用いたウエットエッチングにより除去されるので、
基板８とＢＮ膜１との間でエッチング比が大きくとれる
ように材料を選択する。すなわち、基板８のエッチング
レートがＢＮ膜１のエッチングレートよりも大きいこと
が必要である。
酸を用いたウエットエッチングにより除去されるので、
基板８とＢＮ膜１との間でエッチング比が大きくとれる
ように材料を選択する。すなわち、基板８のエッチング
レートがＢＮ膜１のエッチングレートよりも大きいこと
が必要である。
【００２２】また、基板８の表面は光学的に平坦（およ
び／または平滑）であることが望ましい。本発明の実施
の形態では、後の製造工程において平坦な表面を有する
基板８上にＢＮ膜１が保護膜として形成されるので、基
板８に接するＢＮ膜１の表面は平坦になる。ＢＮ膜１上
に種々の膜が積層された後で基板８がエッチングされる
までの製造工程においては基板８に接するＢＮ膜１の表
面は何等ダメージを受けない。従って、基板上に種々の
膜を順次積層して最終段階で保護膜を形成するような従
来の製造工程のように保護膜としてのＢＮ膜１の表面が
荒れることはなく、平坦な表面を得ることができる。こ
れにより、入射光の散乱を防止することができる。
び／または平滑）であることが望ましい。本発明の実施
の形態では、後の製造工程において平坦な表面を有する
基板８上にＢＮ膜１が保護膜として形成されるので、基
板８に接するＢＮ膜１の表面は平坦になる。ＢＮ膜１上
に種々の膜が積層された後で基板８がエッチングされる
までの製造工程においては基板８に接するＢＮ膜１の表
面は何等ダメージを受けない。従って、基板上に種々の
膜を順次積層して最終段階で保護膜を形成するような従
来の製造工程のように保護膜としてのＢＮ膜１の表面が
荒れることはなく、平坦な表面を得ることができる。こ
れにより、入射光の散乱を防止することができる。
【００２３】次に、基板８上に保護膜として０．１μｍ
以上の膜厚を有するＢＮ膜１を化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）によって室温〜５００°Ｃの温度範囲で形成する
（図３参照）。なお、光はＢＮ膜１を通して光電変換素
子を構成する半導体膜３に入射されることになるので、
ＢＮ膜１の一部は透光性を有している。また、保護膜と
して、ＢＮの代わりに、ＳｉＢ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ｂ４
Ｃ、Ｂ、ＡｌＮ、ダイヤモンド、またはダイヤモンド状
カーボン（ＬＤＣ）等を用いることができる。
以上の膜厚を有するＢＮ膜１を化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）によって室温〜５００°Ｃの温度範囲で形成する
（図３参照）。なお、光はＢＮ膜１を通して光電変換素
子を構成する半導体膜３に入射されることになるので、
ＢＮ膜１の一部は透光性を有している。また、保護膜と
して、ＢＮの代わりに、ＳｉＢ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ｂ４
Ｃ、Ｂ、ＡｌＮ、ダイヤモンド、またはダイヤモンド状
カーボン（ＬＤＣ）等を用いることができる。
【００２４】その後、ＢＮ膜１上に第１の電極２を室温
〜３００°Ｃの温度範囲で形成する（図４参照）。第１
の電極２としては酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明
導電膜が用いられ、その膜厚は１０００オングストロー
ム〜５０００オングストロームである。
〜３００°Ｃの温度範囲で形成する（図４参照）。第１
の電極２としては酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明
導電膜が用いられ、その膜厚は１０００オングストロー
ム〜５０００オングストロームである。
【００２５】さらに、１５０℃〜３００℃の温度範囲に
おいてアモルファスシリコン等からなる半導体膜３を光
電変換層として形成する（図５参照）。
おいてアモルファスシリコン等からなる半導体膜３を光
電変換層として形成する（図５参照）。
【００２６】半導体膜３の形成後、半導体膜３上に第２
の電極４をスパッタリングまたは蒸着により形成する
（図６参照）。第２の電極４としてはアルミニウム膜が
用いられるが、第１の電極２と同様にＩＴＯ等の透明導
電膜を用いてもよい。
の電極４をスパッタリングまたは蒸着により形成する
（図６参照）。第２の電極４としてはアルミニウム膜が
用いられるが、第１の電極２と同様にＩＴＯ等の透明導
電膜を用いてもよい。
【００２７】支持体７は、ポリイミドやエポキシの樹脂
ペ−ストを光入射面以外の表面に塗布後、熱硬化させて
光入射面以外の面を覆うように形成する（図７参照）。
樹脂としては無溶剤系が好ましい。これは、無溶剤系以
外の接着剤を用いて支持体７を接着した場合にはその内
部に気泡が生じるので、後の製造工程において基板８を
除去する時に膜の内部応力により膜剥離が起こるからで
ある。また、熱伝導率や機械的強度を調整するために樹
脂中に無機材質のフィラーを分散含有させても良い。さ
らに、支持体７は、ガラス、セラミック、または金属に
より構成してもよい。ただし、この場合にはエポキシ等
の樹脂で接着することが必要である。支持体７が不透明
な場合には光路となるスリットを設ける必要がある。
ペ−ストを光入射面以外の表面に塗布後、熱硬化させて
光入射面以外の面を覆うように形成する（図７参照）。
樹脂としては無溶剤系が好ましい。これは、無溶剤系以
外の接着剤を用いて支持体７を接着した場合にはその内
部に気泡が生じるので、後の製造工程において基板８を
除去する時に膜の内部応力により膜剥離が起こるからで
ある。また、熱伝導率や機械的強度を調整するために樹
脂中に無機材質のフィラーを分散含有させても良い。さ
らに、支持体７は、ガラス、セラミック、または金属に
より構成してもよい。ただし、この場合にはエポキシ等
の樹脂で接着することが必要である。支持体７が不透明
な場合には光路となるスリットを設ける必要がある。
【００２８】支持体７を形成した後、フッ酸を用いたウ
エットエッチングにより基板８を除去するために基板８
以外をエッチングマスク９で覆う（図８参照）。エッチ
ングマスク９としては日化精工製のブラックマスクやプ
ロテクトワックス等を用いている。
エットエッチングにより基板８を除去するために基板８
以外をエッチングマスク９で覆う（図８参照）。エッチ
ングマスク９としては日化精工製のブラックマスクやプ
ロテクトワックス等を用いている。
【００２９】エッチングマスク９を形成した後、図８に
示すように膜全体を５０％のフッ酸溶液に浸して室温で
エッチングを行い、これにより基板８を除去する。その
後、エッチングマスク９を除去する。なお、前述したよ
うに、基板８とＢＮ膜１との間でエッチング比が大きく
とれるように材料を選択して用いているので、基板８の
エッチング時にはＢＮ膜１はエッチングストッパーとし
て機能する。
示すように膜全体を５０％のフッ酸溶液に浸して室温で
エッチングを行い、これにより基板８を除去する。その
後、エッチングマスク９を除去する。なお、前述したよ
うに、基板８とＢＮ膜１との間でエッチング比が大きく
とれるように材料を選択して用いているので、基板８の
エッチング時にはＢＮ膜１はエッチングストッパーとし
て機能する。
【００３０】以上のような製造工程によって図９に示す
ような光電変換装置が完成する。なお、必要に応じて、
図１に示すような絶縁膜５を第２の電極４の形成後に形
成してもよい。また、光電変換素子と外部回路との間の
電気的な接続を行う場合、絶縁膜５が形成されていれば
絶縁膜５にコンタクトホールを設け、そのコンタクトホ
ールに外部電極６を形成する。
ような光電変換装置が完成する。なお、必要に応じて、
図１に示すような絶縁膜５を第２の電極４の形成後に形
成してもよい。また、光電変換素子と外部回路との間の
電気的な接続を行う場合、絶縁膜５が形成されていれば
絶縁膜５にコンタクトホールを設け、そのコンタクトホ
ールに外部電極６を形成する。
【００３１】
【発明の効果】以上のような本発明の光電変換装置の製
造方法によれば、支持体を構成する耐熱性が低い樹脂は
光電変換装置の製造工程の最終段階で設けている。従っ
て、基板上にＢＮ膜を介して光電変換素子を形成した製
造工程の段階であっても支持体が設けられる製造工程の
前の段階であれば、必要な熱処理を行うことができる。
すなわち、例えば、サーマルヘッドにおいて設けられる
耐熱性が低いポリイミド等の蓄熱体は上記の熱処理が終
了した後の製造工程で形成できる。
造方法によれば、支持体を構成する耐熱性が低い樹脂は
光電変換装置の製造工程の最終段階で設けている。従っ
て、基板上にＢＮ膜を介して光電変換素子を形成した製
造工程の段階であっても支持体が設けられる製造工程の
前の段階であれば、必要な熱処理を行うことができる。
すなわち、例えば、サーマルヘッドにおいて設けられる
耐熱性が低いポリイミド等の蓄熱体は上記の熱処理が終
了した後の製造工程で形成できる。
【００３２】また、本発明によれば、後の製造工程でエ
ッチング除去される基体として用いられる基板上にＢＮ
膜等を介して光電変換素子を形成し、樹脂等で構成され
る支持体により光電変換素子を覆った後に基板をエッチ
ング除去するような製造方法を用いているので、光電変
換装置を低コストで製造できる。
ッチング除去される基体として用いられる基板上にＢＮ
膜等を介して光電変換素子を形成し、樹脂等で構成され
る支持体により光電変換素子を覆った後に基板をエッチ
ング除去するような製造方法を用いているので、光電変
換装置を低コストで製造できる。
【００３３】また、本発明によれば、上記基体として用
いられる基板として基板表面の平坦化加工処理が容易な
ガラス基板を用いることができるので、光学的に受光表
面が平坦で大面積を有する光電変換装置を製造すること
ができる。
いられる基板として基板表面の平坦化加工処理が容易な
ガラス基板を用いることができるので、光学的に受光表
面が平坦で大面積を有する光電変換装置を製造すること
ができる。
【００３４】また、本発明によれば、ＢＮ膜等によって
保護された光電変換素子を樹脂を用いて所望の構造体や
放熱体等に接着することができる。しかも、ヒートシン
クの形状を任意に選択可能である。従って、例えば、ロ
ール巻きした印画紙等の曲面に沿って密着検出が可能な
イメージスキャナ等の形成を実現できる。
保護された光電変換素子を樹脂を用いて所望の構造体や
放熱体等に接着することができる。しかも、ヒートシン
クの形状を任意に選択可能である。従って、例えば、ロ
ール巻きした印画紙等の曲面に沿って密着検出が可能な
イメージスキャナ等の形成を実現できる。
【００３５】また、本発明によれば、光電変換素子の受
光表面を薄いＢＮ膜等によって保護するように構成した
ので、被検出対象物である印画紙等が直接接触しても受
光表面が摩耗することを防止でき、また、印画紙と光電
変換素子との間を広げることなくより接近させて密着検
出が可能となる。その結果、従来のように光電変換素子
の受光表面をガラス基板を用いて保護していた場合と比
較して光電変換素子への入射光が迷光となることを防止
できるので、例えば、画像の高精細度検出化にも十分に
対応可能な光電変換装置を提供することができる。
光表面を薄いＢＮ膜等によって保護するように構成した
ので、被検出対象物である印画紙等が直接接触しても受
光表面が摩耗することを防止でき、また、印画紙と光電
変換素子との間を広げることなくより接近させて密着検
出が可能となる。その結果、従来のように光電変換素子
の受光表面をガラス基板を用いて保護していた場合と比
較して光電変換素子への入射光が迷光となることを防止
できるので、例えば、画像の高精細度検出化にも十分に
対応可能な光電変換装置を提供することができる。
【００３６】また、本発明の光電変換装置は、イメージ
センサ、スキャナ、太陽電池等に適用することができ
る。
センサ、スキャナ、太陽電池等に適用することができ
る。
【００３７】さらに、以上のことから、本発明によれ
ば、耐久性に優れた光電変換装置を提供することができ
る。
ば、耐久性に優れた光電変換装置を提供することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態の光電変換装置の概略構成
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図３】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図４】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図５】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図６】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図７】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図８】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
【図９】本発明の実施の形態の光電変換装置の製造工程
を示す図。
を示す図。
１ ＢＮ膜 ２ 第１の電極 ３ 半導体膜 ４ 第２の電極 ５ 絶縁膜 ６ 外部電極 ７ 支持体 ８ 基板 ９ エッチングマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平林 潤 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 萩原 淳 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 光電変換素子と、 Ｂ、ＢＮ系化合物、ＳｉＢ系化合物、ＳｉＣ系化合物、
ＳｉＮ系化合物、ＢＣ系化合物、ＡｌＮ系化合物、ダイ
ヤモンド、またはダイヤモンド状カーボンのいずれかよ
りなり、前記光電変換素子の受光表面を覆う保護膜と、 前記光電変換素子の受光表面以外の表面を覆う支持体と
から構成されることを特徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 前記保護膜は耐摩耗性を有することを特
徴とする請求項１に記載の光電変換装置。 - 【請求項３】 前記保護膜は少なくとも一部が透光性を
有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装
置。 - 【請求項４】 前記支持体は樹脂からなることを特徴と
する請求項１に記載の光電変換装置。 - 【請求項５】 基体上に保護膜を形成する工程と、 前記保護膜上に第１の電極を形成する工程と、 前記第１の電極に接して半導体膜を形成する工程と、 前記半導体膜に接して第２の電極を形成する工程と、 前記第１の電極、前記半導体膜、および前記第２の電極
を覆うように支持体を形成する工程と、 前記支持体の形成後に前記基体をエッチングする工程と
を有し、 前記保護膜は、Ｂ、ＢＮ系化合物、ＳｉＢ系化合物、Ｓ
ｉＣ系化合物、ＳｉＮ系化合物、ＢＣ系化合物、ＡｌＮ
系化合物、ダイヤモンド、またはダイヤモンド状カーボ
ンのいずれかよりなることを特徴とする光電変換装置の
製造方法。 - 【請求項６】 前記保護膜は耐摩耗性を有することを特
徴とする請求項５に記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記保護膜は少なくとも一部が透光性を
有することを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置
の製造方法。 - 【請求項８】 前記基体のエッチングレートは前記保護
膜のエッチングレートよりも大きいことを特徴とする請
求項５に記載の光電変換装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記支持体は樹脂からなることを特徴と
する請求項５に記載の光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197492A JPH1140834A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197492A JPH1140834A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140834A true JPH1140834A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16375379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9197492A Pending JPH1140834A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 光電変換装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140834A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023701A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池モジュール |
| WO2011013599A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 国立大学法人東北大学 | 光電変換装置 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP9197492A patent/JPH1140834A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023701A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池モジュール |
| WO2011013599A1 (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 国立大学法人東北大学 | 光電変換装置 |
| JP2011035123A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tohoku Univ | 光電変換部材 |
| US8941005B2 (en) | 2009-07-31 | 2015-01-27 | National University Corporation Tohoku University | Photoelectric conversion device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5233181A (en) | Photosensitive element with two layer passivation coating | |
| EP0481552A1 (en) | Infrared detector devices | |
| WO2018214799A1 (zh) | 光电传感器及其制作方法、显示装置 | |
| JPH05315581A (ja) | 大領域能動マトリックス配列を製造する方法 | |
| US20040266051A1 (en) | Method for manufacturing a solid-state image sensing device, such as a CCD | |
| JP2008305972A (ja) | 光学デバイス及びその製造方法、並びに、光学デバイスを用いたカメラモジュール及び該カメラモジュールを搭載した電子機器 | |
| US5032718A (en) | Photo sensor array and reader with hexagonal fiber bundles | |
| JP2001188086A (ja) | シンチレータに対して連続重合体層を用いる放射線撮像装置 | |
| US7649236B2 (en) | Semiconductor photodetector and photodetecting device having layers with specific crystal orientations | |
| WO2021056960A1 (zh) | 影像感测模块 | |
| JPH0370912B2 (ja) | ||
| TW583703B (en) | Optoelectronic unit and transparent conductive substrate of the same | |
| JPH1140834A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| US10692908B2 (en) | CMOS image sensor encapsulation structure and method for manufacturing the same | |
| US10868203B1 (en) | Film-based image sensor with planarized contacts | |
| JPH1140791A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP5348405B2 (ja) | 半導体イメージセンサの製造方法 | |
| JPS61148870A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH11224975A (ja) | 集積化デバイス及びこれを用いたエンコーダ | |
| JPS6062278A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JP2979071B2 (ja) | 画像読み取り装置 | |
| EP4213219A1 (en) | Photosensitive element and optoelectronic component | |
| US10692907B2 (en) | CMOS image sensor encapsulation structure and method for manufacturing the same | |
| JP4186481B2 (ja) | 固体撮像素子モジュール及び固体撮像素子モジュールの製造方法 | |
| TWM643366U (zh) | 觸控模組以及觸控顯示模組 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040317 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070529 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071002 |