JPS62142351A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS62142351A JPS62142351A JP60283785A JP28378585A JPS62142351A JP S62142351 A JPS62142351 A JP S62142351A JP 60283785 A JP60283785 A JP 60283785A JP 28378585 A JP28378585 A JP 28378585A JP S62142351 A JPS62142351 A JP S62142351A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板裏面がら光を入射する形式の固体撮像装
置のパッシベーション）−構造に関する。
置のパッシベーション）−構造に関する。
不発明は、絶縁性透明基板上に作製された固体撮像装置
において、上部に有機系樹脂コーティング（例えばポリ
イミド） Ｉｍを形成して、前記固体撮像装置への不純
物イオン（例えばナトリウムイオンＨａ”）の浸入を防
ぎ、さらに前記有機系樹脂コーティング層上に、無機質
％４ ＋ｐＸ （例えばＳｉｎ、。
において、上部に有機系樹脂コーティング（例えばポリ
イミド） Ｉｍを形成して、前記固体撮像装置への不純
物イオン（例えばナトリウムイオンＨａ”）の浸入を防
ぎ、さらに前記有機系樹脂コーティング層上に、無機質
％４ ＋ｐＸ （例えばＳｉｎ、。
８１、Ｎ、など）を、ステップカバレッジ性良く形成し
て前記固体撮像装置への水分あるいは湿気の侵入を防ぐ
優れたパッ７ベーション１茜嘴ａを、ホト１工程で作製
できるようにしたものである。
て前記固体撮像装置への水分あるいは湿気の侵入を防ぐ
優れたパッ７ベーション１茜嘴ａを、ホト１工程で作製
できるようにしたものである。
従来の固体盪像装［書のパッシベーション１賛構造は〔
第１６回１体素子及び材料コンファＶンス予稿果Ｐ５５
９〜Ｐ５６２に記載されているように〕有機系樹脂コニ
ティング膜のみの−Ｉ−１あるいは無機薄膜のみの−１
−の構造が一般的であった。
第１６回１体素子及び材料コンファＶンス予稿果Ｐ５５
９〜Ｐ５６２に記載されているように〕有機系樹脂コニ
ティング膜のみの−Ｉ−１あるいは無機薄膜のみの−１
−の構造が一般的であった。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕有機系樹脂
（ポリイミドなどンの特徴は、ナトリウムイオンなどの
よつな不純物イオンの透過を防ぐことができるという長
所を有するが、一方で透水性が大きいという短所も有し
ている。従って前述の従来技術のように、有機系樹脂コ
ーティングＩ＋４−ノーのみでは、不純物イオンの侵入
を防ぐことは出来るが、耐湿性を保つことはむずかしい
。
（ポリイミドなどンの特徴は、ナトリウムイオンなどの
よつな不純物イオンの透過を防ぐことができるという長
所を有するが、一方で透水性が大きいという短所も有し
ている。従って前述の従来技術のように、有機系樹脂コ
ーティングＩ＋４−ノーのみでは、不純物イオンの侵入
を防ぐことは出来るが、耐湿性を保つことはむずかしい
。
一方、５ｉ０２などの無機質薄膜一層のみのパッシベー
ション層では、耐湿性は良好であるが、不純物イオンの
透過をおさλることはできない。また、５ｉｎｔは、ス
テップカバレッジ性が良くないので段差の部分ではパッ
シベーション不良となり信頼性が低下する。そこで本発
明は、このような問題点を解決するもので、その目的と
するところは、耐湿性及び信頼性の高い固体撮像装置１
１１を提供するところにある。
ション層では、耐湿性は良好であるが、不純物イオンの
透過をおさλることはできない。また、５ｉｎｔは、ス
テップカバレッジ性が良くないので段差の部分ではパッ
シベーション不良となり信頼性が低下する。そこで本発
明は、このような問題点を解決するもので、その目的と
するところは、耐湿性及び信頼性の高い固体撮像装置１
１１を提供するところにある。
本発明の固体撮像装置は、絶縁性透明基板上に光電変換
素子と、該光！変換素子を駆動させる薄膜トランジスタ
とを形成して成る囲体撮像装置において、上部に有機系
樹脂コーティング層を有し該有機系樹脂コーティング層
上に、さらに無機質薄膜を有すること全特徴とする。
素子と、該光！変換素子を駆動させる薄膜トランジスタ
とを形成して成る囲体撮像装置において、上部に有機系
樹脂コーティング層を有し該有機系樹脂コーティング層
上に、さらに無機質薄膜を有すること全特徴とする。
〔作用〕
本発明の上記の構成によれば、有機系樹脂コーティング
ｒ−によってＮａ＋などの不純物イオンの侵入を防いで
いるので、アルミ配線の電解腐蝕が起きなくなる。さら
に前記有伎系樹脂コーティング層の上に、無機質薄膜を
形成するので耐湿性が向上する。また、ステップカバレ
ッジ性の良好な有機系樹脂コーティングｆ噺によって段
差が緩和された基板の上に５ｉｎｔなどの無機′ＪＲ薄
膜を形成しているので、ステップカバレッジ性が悪いと
いう前記無機質薄膜の欠点をおぎない、段差部にも滑ら
かに前記無機質薄膜が被曝される。従って、耐湿性は、
無機質薄膜一層のみの場合よりもさらに向上する。一方
、工程に関しては、上部の無機質薄膜をマスクとして有
機系１＄４ ｔｔＷコーティング層をエツチングしてパ
ッドオープン孔を形成するので、ホト工程は従来どおり
１工程である。
ｒ−によってＮａ＋などの不純物イオンの侵入を防いで
いるので、アルミ配線の電解腐蝕が起きなくなる。さら
に前記有伎系樹脂コーティング層の上に、無機質薄膜を
形成するので耐湿性が向上する。また、ステップカバレ
ッジ性の良好な有機系樹脂コーティングｆ噺によって段
差が緩和された基板の上に５ｉｎｔなどの無機′ＪＲ薄
膜を形成しているので、ステップカバレッジ性が悪いと
いう前記無機質薄膜の欠点をおぎない、段差部にも滑ら
かに前記無機質薄膜が被曝される。従って、耐湿性は、
無機質薄膜一層のみの場合よりもさらに向上する。一方
、工程に関しては、上部の無機質薄膜をマスクとして有
機系１＄４ ｔｔＷコーティング層をエツチングしてパ
ッドオープン孔を形成するので、ホト工程は従来どおり
１工程である。
第１図は、本発明の実施例における構道断面図である。
ここでは、多結晶シリコン薄膜トランジスタ及び、ａ＝
ｓｉ ：Ｈ（水素化アモルファスＳｉ）光１！変換素子
を用いた場合の実施例を述べる。１−１は絶縁性透明基
板、１−２は多結晶シリコノ、１−３はゲート酸化膜、
１−４はゲート電極、１−５は層間絶縁膜、１−６は工
Ｔｏ（透明導電膜）１−７は光導電性薄膜であり、ここ
ではａ−１９１：Ｈである。１−８はアルミ１を極、１
−９は有機系樹脂コーティングｒ−１１−１０は無機質
薄膜である。１−１１Ｈワイヤボンデイングの為のパッ
ドオープン孔である。次に本発明による二層のパッシベ
ーション；―の形成方法を第２図に従って説明する。第
２図（ａ）において、光電変換素子及び薄膜トランジス
タまで作りこ甘れた基板２−１に、有機系樹脂コーティ
ング層２−２′ｔ−形成する。ここでは半導体プロセス
に導入できる程度に高純変なポリイミド（例えばＮａが
Ｑ、５ｐｐｒＱ以下）ｔ−用いる。前記ポリイミド層の
形成方法としてはスピン塗布法が膜４制御が容易である
。基板長面より光を入射させる形式の固体撮像装置なの
で前「、己ポリイミドは透明である必要は１つたくない
。可視光に対する吸収率の大きなポリイミド膜を用いる
と基板表面から入射する迷光を防ぐことができるので、
固体撮像装置の光特性力３改善されるという長所をもつ
。２−５はアルミ電（返である。前記ポリイミド層上に
無機質薄膜２−４を形成す・る。該無機質薄膜としてＳ
１０．あるいはＳ ｉ３Ｎ、を用いる。
ｓｉ ：Ｈ（水素化アモルファスＳｉ）光１！変換素子
を用いた場合の実施例を述べる。１−１は絶縁性透明基
板、１−２は多結晶シリコノ、１−３はゲート酸化膜、
１−４はゲート電極、１−５は層間絶縁膜、１−６は工
Ｔｏ（透明導電膜）１−７は光導電性薄膜であり、ここ
ではａ−１９１：Ｈである。１−８はアルミ１を極、１
−９は有機系樹脂コーティングｒ−１１−１０は無機質
薄膜である。１−１１Ｈワイヤボンデイングの為のパッ
ドオープン孔である。次に本発明による二層のパッシベ
ーション；―の形成方法を第２図に従って説明する。第
２図（ａ）において、光電変換素子及び薄膜トランジス
タまで作りこ甘れた基板２−１に、有機系樹脂コーティ
ング層２−２′ｔ−形成する。ここでは半導体プロセス
に導入できる程度に高純変なポリイミド（例えばＮａが
Ｑ、５ｐｐｒＱ以下）ｔ−用いる。前記ポリイミド層の
形成方法としてはスピン塗布法が膜４制御が容易である
。基板長面より光を入射させる形式の固体撮像装置なの
で前「、己ポリイミドは透明である必要は１つたくない
。可視光に対する吸収率の大きなポリイミド膜を用いる
と基板表面から入射する迷光を防ぐことができるので、
固体撮像装置の光特性力３改善されるという長所をもつ
。２−５はアルミ電（返である。前記ポリイミド層上に
無機質薄膜２−４を形成す・る。該無機質薄膜としてＳ
１０．あるいはＳ ｉ３Ｎ、を用いる。
Ｓ１０．あるいはＳｉ、Ｎ、の形成には、プラズマＣＶ
Ｄ法あるいはスパッタ法などのように低温（約３００℃
以下）の方法で行なわなければならない。
Ｄ法あるいはスパッタ法などのように低温（約３００℃
以下）の方法で行なわなければならない。
その理由はａ−８１：Ｈの熱による特性劣化をさける為
である。次にパッドオープン孔のレジストマスク２−５
ｔ−形成する。次に同図（ｂ）に示すように前記Ｓｉｎ
、膜をフッ酸水尋液などでエツチングする。この時ポリ
イミド膜はまったくエツチングされない。従ってアルミ
ｔ？Ｉｍ ２−３はダメージを受けない。続いて同図（
Ｃ）に示すように０□プラズマエツチングを行なう。ポ
リイミド膜２−２のエツチングと同時にレジストマスク
２−５も剥離される。
である。次にパッドオープン孔のレジストマスク２−５
ｔ−形成する。次に同図（ｂ）に示すように前記Ｓｉｎ
、膜をフッ酸水尋液などでエツチングする。この時ポリ
イミド膜はまったくエツチングされない。従ってアルミ
ｔ？Ｉｍ ２−３はダメージを受けない。続いて同図（
Ｃ）に示すように０□プラズマエツチングを行なう。ポ
リイミド膜２−２のエツチングと同時にレジストマスク
２−５も剥離される。
ポリイミド膜２−２がエツチングされる前にレジストマ
スク２−５かなくなっても、ｓｉｏ、膜２−４力１エツ
チングマスクの役割をはたす為、まったく問題は起こら
ない。
スク２−５かなくなっても、ｓｉｏ、膜２−４力１エツ
チングマスクの役割をはたす為、まったく問題は起こら
ない。
以上述べたように、本発明によれば、ポリイミド膜によ
りＮａ＋などの不純物イオンの侵入を防止し、前記ポリ
イミド膜の上に形成されたＳｉ、Ｏ，あるいはＳ ｉ
、Ｎ、により、水分及び湿気の侵入を防止している。さ
らに段差被覆性の極めて良好なポリイミド膜の上にＳｉ
ｎ、あるいはＳｉ３Ｎ、が形成されるので、ステップカ
バレッジ性の悪さという短所が補われ、これらＳｉｎ、
あるいはＳｉ、Ｎ、の特徴であるところの良好な耐湿性
を充分に活用することが可能となる。従って、 ｆｉＩ
３旧順性で、耐湿性の極めて艮好な固体撮像装省ｔ−実
現できるという大きな効果を肩するものである。また、
可視光領域での吸収率の大きなポリイミド膜を用いた場
合には、基板の表面から入射する迷光を遮断することが
できるので、固体撮像装置の光特性、例えば光出力の光
強１租依存性（一般にγ特性）あるいは、光出力の均一
性が極めて良好になることは明白である。
りＮａ＋などの不純物イオンの侵入を防止し、前記ポリ
イミド膜の上に形成されたＳｉ、Ｏ，あるいはＳ ｉ
、Ｎ、により、水分及び湿気の侵入を防止している。さ
らに段差被覆性の極めて良好なポリイミド膜の上にＳｉ
ｎ、あるいはＳｉ３Ｎ、が形成されるので、ステップカ
バレッジ性の悪さという短所が補われ、これらＳｉｎ、
あるいはＳｉ、Ｎ、の特徴であるところの良好な耐湿性
を充分に活用することが可能となる。従って、 ｆｉＩ
３旧順性で、耐湿性の極めて艮好な固体撮像装省ｔ−実
現できるという大きな効果を肩するものである。また、
可視光領域での吸収率の大きなポリイミド膜を用いた場
合には、基板の表面から入射する迷光を遮断することが
できるので、固体撮像装置の光特性、例えば光出力の光
強１租依存性（一般にγ特性）あるいは、光出力の均一
性が極めて良好になることは明白である。
しかもプロセスに関して述べると、従来どおりホト一工
程でパッドオーブン孔が形成される。このように本発明
は、光特性の優れた高信頼性の固体撮像装置を実現する
の全可能にするものである。
程でパッドオーブン孔が形成される。このように本発明
は、光特性の優れた高信頼性の固体撮像装置を実現する
の全可能にするものである。
第１図は本発明の固体撮像装置の断面図である。
第２図（ａ）から（ｃ）は、本発明の固体撮像装嵯の作
製方法の一実施例を示す工程図である。 １−１・・・・・・絶縁性透明基板 １−６ ・・・・・・工 Ｔ。 １ − ７−−−−−− ａ−Ｈ１：Ｈｌ−８・・・・
・・アルミを極 １−９・・・・・・ポリイミド １−１０・・・Ｓ１０．あるいはＳ ｉ ３Ｎ４１−１
１・・・パッドオープン孔 − 以 上 出願人 セイコーエプソン体式会社 ノー２ ７−ｌρ
／−／１／−／
ＩＪ、Ｔ−Ｔ。 １−９ ポリイミド １ −＋ｏ． ＳＡＤ講あ邊・１ Ｓ＝ｊｌＶ４ ）１１本撮イ＄ｉｌ，，！ｆＴイｔｍ 第１ 区 ）］体′＆像故装４Ｌ牲固 第２図
製方法の一実施例を示す工程図である。 １−１・・・・・・絶縁性透明基板 １−６ ・・・・・・工 Ｔ。 １ − ７−−−−−− ａ−Ｈ１：Ｈｌ−８・・・・
・・アルミを極 １−９・・・・・・ポリイミド １−１０・・・Ｓ１０．あるいはＳ ｉ ３Ｎ４１−１
１・・・パッドオープン孔 − 以 上 出願人 セイコーエプソン体式会社 ノー２ ７−ｌρ
／−／１／−／
ＩＪ、Ｔ−Ｔ。 １−９ ポリイミド １ −＋ｏ． ＳＡＤ講あ邊・１ Ｓ＝ｊｌＶ４ ）１１本撮イ＄ｉｌ，，！ｆＴイｔｍ 第１ 区 ）］体′＆像故装４Ｌ牲固 第２図
Claims (1)
- 絶縁性透明基板上に、光電変換素子と、該光電変換素子
を駆動させる薄膜トランジスタとを形成して成る固体撮
像装置において、上部に有機系樹脂コーティング層を有
し、該有機系樹脂コーテイング層上に、さらに無機質薄
膜を有することを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283785A JPH0783096B2 (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283785A JPH0783096B2 (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142351A true JPS62142351A (ja) | 1987-06-25 |
| JPH0783096B2 JPH0783096B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=17670099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60283785A Expired - Fee Related JPH0783096B2 (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783096B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399884A (en) * | 1993-11-10 | 1995-03-21 | General Electric Company | Radiation imager with single passivation dielectric for transistor and diode |
| JP2005136392A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| WO2007013570A1 (en) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus, and radiation image pickup system |
| JP2007300141A (ja) * | 2007-08-08 | 2007-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | イメージセンサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS56138362A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-28 | Canon Inc | Photoelectric converter |
| JPS59117277A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS6022881A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-05 | Seiko Epson Corp | イメージセンサの製造方法 |
-
1985
- 1985-12-17 JP JP60283785A patent/JPH0783096B2/ja not_active Expired - Fee Related
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