JP2007035773A - 電磁波検出装置、放射線検出装置及び放射線撮像システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁基板の第1面上に配置された第1の電極と、該第1の電極上に配置された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第1の電極は前記絶縁基板の前記第1面と対向する第2面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。
【選択図】図4
Description
本発明の第1の実施形態として、変換素子としてのMIS型センサとスイッチ素子としてのTFT(薄膜トランジスタ)とから構成されている画素を有する基板上に、波長変換体としてのシンチレータ層を形成した放射線検出装置について説明する。
[第2の実施形態]
本発明の第2の実施形態として、スイッチ素子であるTFT(薄膜トランジスタ)上に層間絶縁層を介して変換素子としてのPIN型センサを積層したセンサ基板を準備し、そのセンサ基板上に、波長変換体としてのシンチレータ層を形成した放射線検出装置について説明する。
[第3の実施形態]
本発明の第3の実施形態として、1画素にスイッチ素子であるTFTを複数設け、複数のTFT上に層間絶縁層を介して、変換素子であるMIS型センサを積層した基板上に波長変換体としてのシンチレータ層を形成した放射線検出装置について説明する。
12 光透過性ゲート絶縁層
13 TFTの半導体層
14 オーミックコンタクト層
15 TFTソース/ドレイン電極
16 光透過性層間絶縁層
17 光透過性センサ下電極
18 PIN型、或いは、MIS型センサ
19 センサ上電極
20 光透過性保護層
21 センサーバイアス線
31 光透過性基板
32 転送用TFTの不透明なゲート電極
33 リセット用TFTの不透明なゲート電極
34 ゲート絶縁層
35 水素化非晶質シリコン(a-Si)半導体層
36 オーミックコンタクト層
37 ギャップ保護膜
38 リセット用TFTのソース電極
39 リセット用TFTのドレイン電極
40 転送用TFTのソース電極
41 転送用TFTのドレイン電極
42 保護膜
43 層間絶縁層
44 光透過性のセンサ下電極
45 センサ絶縁層
46 センサ半導体層
47 キャリアブロッキング層
48 センサ上電極
49 センサーバイアス配線
50 蛍光体層
101 センサ基板
102 光源
103 放射線源
104 検体
110 光透過性基板
112 蛍光体層
201 TFT(薄膜トランジスタ)
202 MIS型センサ
203 遮光層
204,205 層間絶縁層
Claims (14)
- 絶縁基板の第1面上に配置された第1の電極と、該第1の電極上に配置された第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、
前記第1の電極は前記絶縁基板の前記第1面と対向する第2面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする電磁波検出装置。 - 請求項1に記載の電磁波検出装置において、前記スイッチ素子は、前記絶縁基板上に配置された薄膜トランジスタであり、前記遮光部材は前記薄膜トランジスタのゲート電極であることを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項1または2に記載の電磁波検出装置において、前記遮光部材は、前記スイッチ素子のチャネル領域よりも大きい面積を有し、前記チャネル領域と前記絶縁基板との間に配置されていることを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、前記変換素子は前記スイッチ素子上に配置され、前記第1の電極と前記スイッチ素子との間に光透過性の層間絶縁層を有して前記変換素子と前記スイッチ素子とが接続されていることを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項4に記載の電磁波検出装置において、前記第1の電極は前記層間絶縁層と接して配置されている電磁波検出装置。
- 請求項4または5に記載の電磁波検出装置において、前記層間絶縁層は光透過性の有機絶縁材料によって構成されていることを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、層間絶縁層の厚さは2〜10μmである電磁波検出装置。
- 請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、前記第1の電極の屈折率が前記層間絶縁層との屈折率より大きく、前記第1の電極の屈折率と前記層間絶縁層の屈折率の差が0.2以下であることを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載の電磁波検出装置において、前記変換素子は、前記半導体層が非単結晶半導体によって構成されている光電変換素子であることを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項9に記載の電磁波検出装置において、前記光電変換素子はMIS型センサである電磁波検出装置。
- 請求項9に記載の電磁波検出装置において、前記光電変換素子はPIN型センサである電磁波検出装置。
- 請求項9から請求項11のいずれか1項に記載の電磁波検出装置を用いた放射線検出装置であって、前記光電変換素子上に、入射する放射線を前記光電変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換する波長変換体を設けた放射線検出装置。
- 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の電磁波検出装置を用いた放射線検出装置であって、前記変換素子は入射する放射線を電気信号に変換する半導体素子である放射線検出装置。
- 請求項12又は請求項13に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
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