JP2015065433A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様であるX線等の放射線を用いる撮像装置について、図面を参照して説明する。
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1で説明した画素回路210ついて説明する。
本実施の形態では、X線等の放射線を用いる撮像装置について、実施の形態1とは異なる例を図面を参照して説明する。なお、実施の形態1と共通する部分は符号を同じとし、詳細な説明は省略する。
本実施の形態では、実施の形態2で説明した画素回路の駆動方法の一例について説明する。
20 撮像装置
30 撮像装置
100 基板
101 発熱体
110 画素アレイ
111 画素アレイ
120 シンチレータ
130 発光装置
210 画素回路
211 回路
212 回路
213 回路
214 回路
215 回路
216 回路
217 回路
220 受光素子
230 回路部
240 回路
250 回路
301 第1のトランジスタ
302 第2のトランジスタ
303 第3のトランジスタ
304 第4のトランジスタ
305 配線
311 第1の配線
312 第2の配線
313 第3の配線
314 第4の配線
315 第5の配線
316 第6の配線
317 第7の配線
320 フォトダイオード
321 フォトダイオード
330 可変抵抗素子
401 信号
402 信号
403 信号
404 信号
405 信号
501 信号
502 信号
503 信号
504 信号
505 信号
506 信号
507 信号
508 信号
509 信号
510 期間
511 期間
520 期間
531 期間
610 期間
611 期間
612 期間
620 期間
621 期間
622 期間
623 期間
631 期間
710 画素回路
720 受光素子
730 撮像用回路部
760 発光素子
770 発光用回路部
811 走査線
820 信号線
830 電源線
840 第5のトランジスタ
850 容量素子
890 第6のトランジスタ
900 撮像システム
910 信号処理装置
920 被写体
991 ディテクタユニット
992 手
994 被写体
995 台
996 X線源
997 X線
998 撮像システム
999 コンピュータ
Claims (11)
- シンチレータと、
画素回路と、
基板と、
が上記順序で重畳しており、
前記画素回路は、受光素子および当該受光素子と電気的に接続された回路部と、
を有し、
前記基板には発熱体が形成されていることを特徴とする撮像装置。 - シンチレータと、
画素回路と、
基板と、
発光装置と、
が上記順序で重畳しており、
前記画素回路は、受光素子および当該受光素子と電気的に接続された回路部と、
を有し、
前記基板には発熱体が形成され、
前記発光装置が発する光は前記画素回路に照射される構成であることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1または2において、前記発光装置は、500nm乃至600nmの波長の単色光、または当該範囲の波長が混在した光を含んで発することを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記画素回路は酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた、トップゲート型のトランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
- シンチレータと、
画素回路と、
基板と、
が上記順序で重畳しており、
前記画素回路は、
受光素子および当該受光素子と電気的に接続された撮像用回路部と、
発光素子および当該発光素子と電気的に接続された発光用回路部と、
を有し、
前記基板には発熱体が形成されていることを特徴とする撮像装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、前記受光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一項において、前記受光素子は、一対の電極間に半導体層を有する可変抵抗素子であることを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一項において、前記発熱体は、透光性を有することを特徴とする撮像装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一項において、前記基板は、透光性を有することを特徴とする撮像装置。
- 請求項5乃至9のいずれか一項において、前記発光素子は、500nm乃至600nmの波長の単色光、または当該範囲の波長が混在した光を含んで発することを特徴とする撮像装置。
- 請求項5乃至10のいずれか一項において、前記画素回路は酸化物半導体をチャネル形成領域に用いた、ボトムゲート型のトランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
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