JP2004146778A - 光電変換装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くするとともに、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画像読み取り装置１０は、情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２を形成した光電変換素子形成基板４と、光電変換素子形成基板４の複数の光電変換素子２に対向して接着樹脂５にて一体化するように貼り合わされた支持基板１とを備える。
【選択図】 図１
【解決手段】画像読み取り装置１０は、情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２を形成した光電変換素子形成基板４と、光電変換素子形成基板４の複数の光電変換素子２に対向して接着樹脂５にて一体化するように貼り合わされた支持基板１とを備える。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、原稿、写真、名刺等の情報を読み取ることができる光電変換装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板上に光電変換手段（フォトダイオード、フォトトランジスタ等）とスイッチング素子（薄膜トランジスタ等）をライン状、又は２次元状に多数配列させた密着型の光電変換装置としてのイメージセンサが開発されている。
【０００３】
この種のイメージセンサとして、例えば、特許文献１及び特許文献２に開示されているアクティブマトリクス型画像読取装置がある。
【０００４】
上記アクティブマトリクス型画像読取装置は、図１４に示すように、ＸＹマトリクス状に画素が配列されたアクティブマトリクスアレイの各画素８１…には、光電変換素子である光センサ用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）８２とスイッチング素子であるスイッチング用ＴＦＴ８３とがそれぞれ備えられている。各画素８１…の光センサ用ＴＦＴ８２は、原稿面等の被写体の白／黒（明／暗）によって電気特性が変化する仕組みになっている。
【０００５】
具体的には、光センサ用ＴＦＴ８２として用いられているフォトトランジスタの抵抗値が光の明／暗によって変化するため、それに伴って、各フォトトランジスタに接続されている画素容量（蓄積容量）に蓄積される電荷量又は電圧が変化する。そして、その画素容量の電荷量分布又は電圧分布を、スイッチング用ＴＦＴ８３によって順次読み出すことにより、被写体の２次元情報を得ることができる。
【０００６】
上記の密着型の光電変換装置では、例えば、特許文献３に開示しているように、１次元のラインセンサ用光電変換装置、２次元のエリアセンサ用光電変換装置にかかわらず、基板上に薄膜フォトトランジスタ又はフォトダイオード、フォトコンダクタ等からなる光電変換手段を形成した後、その上に透光性を有する保護層を形成する必要がある。
【０００７】
この保護層は、半導体素子からなる光電変換手段の保護を目的として設けられる。
【０００８】
具体的には、図１５に示すように、光電変換素子９１が形成された光電変換素子形成基板９２と、マイクロガラスシート等の薄いガラス基板からなる保護層９３が、接着樹脂９４を介して貼り合わされている。
【０００９】
この場合、光電変換素子９１が形成された光電変換素子形成基板９２の外側（同図において下側）にバックライトとなる光源９５を設置し、保護層９３側の外側に読み取り対象原稿が設置される。光源９５から発せられた光は、光電変換装置の開口部（透光部）を通過し、原稿に照射される。原稿に照射された光は、原稿面で反射された後、光電変換素子９１に入射する仕組みになっている。
【００１０】
【特許文献１】
実開平２−８０５５号公報（１９９０年１月１８日公開）
【００１１】
【特許文献２】
特開平５−２４３５４７号公報（１９９３年９月２１日公開）
【００１２】
【特許文献３】
特開平６−３５００７０号公報（１９９４年１２月２２日公開）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光電変換装置及びその製造方法では、以下のような問題が生じる。
（１）光電変換装置の高精細化が求められる場合、それに伴って保護層（マイクロガラスシート）の厚みを薄くしていく必要がある。例えば、３００ｄｐｉの画素密度を有する光電変換装置の場合、画素ピッチが約８５μｍとなるが、保護層の厚みをそれ以下の５０μｍ程度に設定してやらないと、原稿で反射された光の画素間のクロストークが激しくなってしまい画像がボケてしまう。５００ｄｐｉの画素密度の場合は、画素ピッチが約５０μｍとなり、さらに薄い３０μｍ程度の厚みの保護層が求められる。
【００１４】
ところが、このような薄い保護層を従来のようにマイクロガラスシートにて形成しようとすると、マイクロガラスシートが破損し易く取り扱いが困難な上、ゆがみ易いため、光電変換素子が形成された基板上に接着樹脂を介して平坦に貼り付けることが難しくなる。したがって、マイクロガラスシートの貼り合せプロセスを無くした光電変換装置の構造や製法が求められる。
（２）また、光電変換素子が形成された基板には、光電変換素子の他にもスイッチング素子等がマトリクス状又はライン状に多数形成されており、基板の周辺部にはこれらのスイッチング素子を駆動する駆動ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ）や、光電変換素子からの得られる電気情報を読み出す読出しＬＳＩやフレキシブル基板（ＦＰＣ）を実装する必要がある。
【００１５】
なお、ＬＳＩを基板周辺に実装する際には、ＬＳＩチップを直接基板上に実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式や、予めＬＳＩが実装されたテープを実装するＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）方式がある。ＣＯＧ方式やＴＣＰ方式でＬＳＩを実装する場合、又はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を実装する場合、これらの実装部分を保護するカバーを設ける必要があるために、結果的に、撮像領域に設けられている保護層よりも、周辺の実装領域の方が表面に出っ張ることになる。
【００１６】
密着型の光電変換素子の場合、原稿を上述の保護層に密着させて画像を読み取る必要があるが、原稿のサイズが大きい場合には、この実装部分の出っ張りが、原稿と保護層の密着を妨げることになり、入力画像が歪んだりボケたりし、問題である。したがって、原稿撮像面、つまり保護層が形成されている面に、ＬＳＩやＦＰＣの実装部分が存在しない光電変換装置の構造や製法が求められる。
【００１７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くするとともに、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、上記課題を解決するために、情報読取面の裏面に複数の光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板と、上記光電変換素子形成基板の複数の光電変換素子に対向して接着部材にて一体化するように貼り合わされた支持基板とを備えたことを特徴としている。
【００１９】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板には複数の光電変換素子が形成されているとともに、この光電変換素子形成基板の複数の光電変換素子に対向して支持基板が接着部材にて一体化するように貼り合わされている。
【００２０】
したがって、この構成では、光電変換素子を形成するための光電変換素子形成基板の裏面が情報読取面となっており、光電変換素子形成基板が原稿画像への接触に対する保護基板の役割を兼用している。
【００２１】
このため、従来のように保護作用をもたらすマイクロガラスシートを別途準備して、光電変換素子形成基板に貼り合わせる必要がなくなる。
【００２２】
この結果、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし得る光電変換装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板は、前記光電変換素子形成基板よりも厚いことを特徴としている。
【００２４】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板の厚みが薄い場合であっても、支持基板によって構造的に補強することが可能となる。
【００２５】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要な半導体集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されていることを特徴としている。
【００２６】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要なＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）及び／又はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されていることを特徴としている。
【００２７】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面には、複数の光電変換素子の駆動に必要な半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが実装されている。
【００２８】
したがって、半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【００２９】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置を提供することができる。
【００３０】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子は半導体層を含み、前記光電変換素子形成基板と前記半導体層との間に透光部が存在することを特徴としている。
【００３１】
上記の発明によれば、半導体層を含み、前記光電変換素子形成基板と前記半導体層との間に透光部が存在する。このため、原稿画像の読み取りに際して、金属電極が読み取りの障害とならない。
【００３２】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板の情報読取面に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜が設けられていることを特徴としている。
【００３３】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板の情報読取面に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜が設けられている。したがって、光電変換装置をいわゆる間接変換方式のＸ線の撮像装置として使用することができる。
【００３４】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板と前記支持基板との間に表示媒体を備えるとともに、上記光電変換素子形成基板の光電変換素子形成面に、上記表示媒体を駆動するためのアクティブ素子を備えていることを特徴としている。
【００３５】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板と前記支持基板との間に表示媒体を備えるとともに、この表示媒体をアクティブ素子にて駆動するので、一つの画面で画像の読み取り（入力）と表示（出力）を行なうことができる光電変換装置を実現することができる。
【００３６】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、液晶であることを特徴としている。
【００３７】
上記の発明によれば、液晶を光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入することが可能であり、支持基板を、液晶を駆動するための共通電極を備えた対向基板として有効に利用することができる。
【００３８】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体である液晶の表示モードは、偏光子不要の表示モードであることを特徴としている。なお、上記偏光子を使用しない液晶表示モードとして、例えば、ゲストホスト（ＧＨ）モード、動的散乱（ＤＳ）モード、相転移（ＰＣ）モード、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）モード等が有る。
【００３９】
上記の発明によれば、光電変換素子形成面から原稿等の読み取り対象物までの間に偏光子の設置が必要ないので、光電変換素子と読み取り対象物との隙間を最小限に短くすることができ、画像のボケの少ない光電変換装置を実現することができる。
【００４０】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板の、光電変換素子形成基板とは反対側に光源を備えるとともに、上記光源は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用されることを特徴としている。
【００４１】
上記の発明によれば、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用される光源を設けることによって、バックライトとしての光源が一組しか必要なく、部材コストを削減することが可能になる。
【００４２】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子であることを特徴としている。
【００４３】
上記の発明によれば、ＥＬ素子を用いた表示（出力）を行なうことができる。また、ＥＬ素子が光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入される構造になるため、支持基板をＥＬ素子のバリア層、つまりＥＬ素子の信頼性に悪影響を与える外気や水分の流入を遮断する層（膜）として有効に利用することが可能になる。
【００４４】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記ＥＬ素子は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用されることを特徴としている。
【００４５】
上記の発明によれば、ＥＬ素子は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用されるので、別途に光源を設ける必要がなく、これによって、部材コストを削減することが可能になる。
【００４６】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、情報を読み取る光電変換装置の製造方法において、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含むことを特徴としている。
【００４７】
上記の発明によれば、まず、実装工程において、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）を実装する。次いで、貼合工程において、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる。その後、加工工程において、第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する。
【００４８】
したがって、従来存在した、保護基板としてマイクロガラスシートの貼り合せせるプロセスを無くすことができるので、光電変換装置を簡単に製造することができる。
【００４９】
また、従来では、薄く形成したマイクロガラスシートを保護基板として貼り合わせていたので、その薄く形成したマイクロガラスシートを取り扱うときに、マイクロガラスシートの破損等を招いていた。
【００５０】
しかし、本発明では、先に光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板の裏面を削って薄くするので、光電変換素子形成基板の破損が防止される。したがって、製品の歩留まりの低減を防止することができる。
【００５１】
したがって、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５２】
また、本発明では、実装工程において、複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）までも実装する。このため、半導体集積回路（ＩＣ）が情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【００５３】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５４】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、情報を読み取る光電変換装置の製造方法において、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）及び／又はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含むことを特徴としている。
【００５５】
上記の発明によれば、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５６】
また、本発明では、実装工程においては、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣまで実装される。
【００５７】
このため、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【００５８】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５９】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記記載の光電変換装置の製造方法において、前記第１基板がガラス材からなり、前記加工工程における第１基板の研磨工程が、化学研磨加工であることを特徴としている。
【００６０】
上記の発明によれば、第１基板がガラス材からなっている。そして、加工工程における第１基板の研磨工程は化学研磨加工である。すなわち、第１基板をガラス材としている場合には、第１基板の裏面を薄く加工するときに化学研磨加工を適用することができる。この化学研磨加工は、液に第１基板を浸漬することにより、化学的にガラス材を侵食して薄くするので、加工を静的に行うことができる。したがって、物理的な研磨等に比べて、加工時の製品の破損が少ない。
【００６１】
この結果、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００６２】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００６３】
本実施の形態の光電変換装置としての画像読み取り装置１０は、図１に示すように、支持基板１と、光電変換素子２及びスイッチング素子３が形成された光電変換素子形成基板４が接着部材としての接着樹脂５にて貼り合わされた構造をなしており、この光電変換素子形成基板４の厚みが支持基板１の厚みより薄い点に特徴がある。
【００６４】
具体的には、光電変換素子形成基板４は、５０μｍ程度の厚みの基板から構成されているのに対し、支持基板１は、０．５〜２ｍｍ程度の厚みの基板から構成されている。このため、光電変換素子形成基板４を原稿と接する面の保護基板として使用することが可能となる。すなわち、従来の図１１に示した光電変換装置と比べると、保護基板としてマイクロガラスシートの代わりに光電変換素子形成基板４を用いた構造になっている。そして、バックライトからなる光源６側には、薄い光電変換素子形成基板４を支える支持基板１を設置している。なお、光電変換素子２の画素アレイは、１次元でも２次元でも良い。
【００６５】
上記構成を有する画像読み取り装置１０の形成プロセスを、図２（ａ）〜（ｄ）に基いて説明する。
【００６６】
図２（ａ）に示すように、先ず、通常通りに、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板からなる第１基板２１上に、光電変換素子２を含む画素アレイを形成する。各画素には、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、又はフォトコンダクタ等の光電変換素子２の他に、この光電変換素子２に接続されたＴＦＴ等のスイッチング素子３や、図示しない蓄積容量等が形成されている。光電変換素子２には、可視光を受光する場合、アモルファスシリコン膜を半導体膜つまり光導電膜として用いることが好ましい。また、スイッチング素子３には、アモルファスシリコンやポリシリコンを用いたＴＦＴが好ましい。
【００６７】
なお、第１基板２１の裏面、つまり光電変換素子２が形成されている面とは反対の面から入射する光を検知できるように、図３に示すように、光電変換素子２の構造つまり向きを最適化しておく必要がある。すなわち、例えば、光電変換素子２として、透明電極２２と金属電極２３との間に半導体層２４が挟まれた構造の積層型ダイオードを用いる場合、第１基板２１上に、透明電極２２が下層で金属電極２３が上層となるようにダイオードを設計し、第１基板２１の裏面から入射された光が透明電極２２を通して半導体層２４に入射するような構造にする必要がある。
【００６８】
また、光電変換素子２としてフォトトランジスタ（光検知ＴＦＴ）を用いる場合には、第１基板２１の裏面から入射された光が半導体層２４（ＴＦＴのチャネル領域）に入射する際、図４に示すように、ゲート電極２６が邪魔にならないように、トップゲート構造のＴＦＴを形成する必要がある。ここでトップゲート構造のＴＦＴとは、チャネル層（ａ−Ｓｉ又はｐｏｌｙ−Ｓｉ）２７の上側にゲート電極２６を備えたＴＦＴ構造を指す。
【００６９】
これら光電変換素子２やスイッチング素子３は、窒化珪素膜からなるパッシベーション膜で覆っておくことが好ましい。
【００７０】
次に、図２（ｂ）に示すように、支持基板１として機能する例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板からなる第２基板３１を準備し、第１基板２１における光電変換素子２の形成面上に接着樹脂５を介して貼り合わせる。ここで、光電変換素子２及びスイッチング素子３は、完全に外気から密封された状態となる。接着樹脂５としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の各種材料を用いることができるが、光源６からの光を効率良く透過させる必要があるので、透明な樹脂材料を用いる必要がある。
【００７１】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１基板２１の外側面を、研磨やエッチングにより所定の厚みまで削る。具体的には、０．７ｍｍ厚のガラス基板からなる第１基板２１を１００μｍ以下の厚みになるように薄くする。
【００７２】
このとき、研磨の方法としては、メカニカルな研磨（物理研磨）と化学的な研磨（化学研磨）を使用することができる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用したＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等を用いることができる。
【００７３】
一方、化学研磨（ウェットエッチングと呼ぶこともある）としては、薬液を建浴し所定の温度に昇温した後、その浴に対象となるガラス基板を浸漬する方法を用いることができる。この方法においては、例えば、ガラスの加工に弗酸系薬液を用いると、弗酸とガラス表面との反応により、ガラス表面に細かいピッチのムラが形成される場合がある。この場合、薬液への添加剤の付与や温度制御により、これらの反応を極力均等にすることができ、ガラス基板表面が平行移動するかのごとくガラス基板を薄くすることができる。
【００７４】
本実施の形態の場合、大面積のガラス基板を簡単に均一に研磨する必要があるので、バッチ処理が容易な化学研磨法を用いることが好ましい。
【００７５】
ところで、化学研磨工程において、支持基板１が同時に研磨されてしまうと、支持基板１も薄くなってしまい、支持基板１としての役割が果たせなくなる。このため、これを防止するために、化学研磨薬液に耐性を有する樹脂シート等で、化学研磨を行う工程期間には、支持基板１の表面を保護するのが良い。
【００７６】
或いは、支持基板１として、当初からガラスの化学研磨薬液に耐性を有するプラスチック基板を使用しておく方法でも良い。
【００７７】
なお、ガラスを薄くする方法としては、上述のような研磨以外に、例えば、真空チャンバー内に基板をセットし、チャンバー内にガスを導入してガラスを分解するドライエッチングや、さらにバイアスで加速させたイオンの衝突効果を併用するＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法といったエッチング方法を利用することも可能である。
【００７８】
次に、図２（ｄ）に示すように、できあがった光電変換装置本体に対して、支持基板１の外側に光源６を設置し、第１基板２１つまり光電変換素子形成基板４の外側に原稿Ｐを密着させることによって、従来と同様に原稿Ｐを読み取ることが可能になる。
【００７９】
このような光電変換装置及びその製造方法では、従来と異なり、非常に薄いマイクロガラスシートを光電変換素子形成基板４に貼り合わせるプロセスが不要となる。
【００８０】
すなわち、従来は、上述したようにマイクロガラスシートを貼り合わせるプロセスを必要であったが、マイクロガラスシートが破損し易く取り扱いが困難な上、歪み易いため、光電変換素子２が形成された基板上に接着樹脂５を介して平坦に貼り付けることが難しいといった問題を有していた。
【００８１】
これに対し、本実施の形態では、マイクロガラスシートの貼り合せプロセスを必要としないため、作業性向上や良品率向上を実現することが可能となる。
【００８２】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置１０では、光電変換素子形成基板４には複数の光電変換素子２が形成されているとともに、この光電変換素子形成基板４の複数の光電変換素子２に対向して支持基板１が接着樹脂５にて一体化するように貼り合わされている。
【００８３】
したがって、この構成では、光電変換素子２を形成するための光電変換素子形成基板４の裏面が情報読取面となっており、光電変換素子形成基板４が原稿画像への接触に対する保護基板の役割を兼用している。
【００８４】
このため、従来のように保護作用をもたらすマイクロガラスシートを別途準備して、光電変換素子形成基板４に貼り合わせる必要がなくなる。
【００８５】
この結果、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし得る画像読み取り装置１０を提供することができる。
【００８６】
また、本実施の形態の画像読み取り装置１０では、第２基板３１は第１基板２１よりも厚いので、第１基板２１の厚みが薄い場合であっても、第２基板３１によって構造的に補強することが可能となる。
【００８７】
また、本実施の形態の画像読み取り装置１０の製造方法では、第１基板２１がガラス材からなっている。そして、加工工程における第１基板２１の研磨工程は化学研磨加工である。すなわち、第１基板２１をガラス材としている場合には、第１基板の裏面を薄く加工するときに化学研磨加工を適用することができる。この化学研磨加工は、液に第１基板２１を浸漬することにより、化学的にガラス材を侵食して薄くするので、加工を静的に行うことができる。したがって、物理的な研磨等に比べて、加工時の製品の破損が少ない。
【００８８】
この結果、製品の歩留まりの低減を防止し得る画像読み取り装置１０の製造方法を提供することができる。
【００８９】
また、本実施の形態の画像読み取り装置１０では、複数の光電変換素子２は半導体層を含み、光電変換素子形成基板と半導体層の間に金属電極が無く、透光部が存在する構造となっている。このため、原稿画像の読み取りに際して、金属電極２３やゲート電極２６が読み取りの障害とならない。
【００９０】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図５及び図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００９１】
本実施の形態の光電変換装置としての画像読み取り装置４０は、図５に示すように、第１基板２１上に光電変換素子２及びスイッチング素子３を含む画素アレイを形成した後、これら光電変換素子２及びスイッチング素子３を駆動するための駆動ＩＣ（ＬＳＩ）や、光電変換素子２からの電気信号を読み出す読み出しＩＣ（ＬＳＩ）等の半導体集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）としてのＩＣ４１を第１基板２１である光電変換素子形成基板４の周辺に実装した構造を有している。
【００９２】
ＩＣ４１は異方性導電接着剤４２を介して光電変換素子形成基板４上に形成された配線パターンと電気的に接続するようにしてもよいし、または、光電変換素子形成基板４上に直接ＩＣ４１をモノリシック形成してもよい。
【００９３】
ここで、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１をモノリシック形成する方法とは、ａ−Ｓｉよりも移動度が高いｐｏｌｙ−ＳｉからなるＴＦＴを用いて、上述のスイッチング素子３の形成時に、第１基板２１の周辺部に駆動回路を一体形成する方法である。詳しくは、「液晶ディスプレイ技術−アクティブマトリクスＬＣＤ−」（編著者：松本正一、発行：産業図書株式会社（１９９６年））の第３章等に記載されている。その他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００９４】
上記構成を有する画像読み取り装置４０の形成プロセスを、図６（ａ）〜（ｄ）に基いて説明する。なお、画像読み取り装置４０の形成プロセスは、前記実施の形態１で述べた画像読み取り装置１０の形成プロセスと略同じであるため、共通部分については、概略説明に留める。
【００９５】
図６（ａ）に示すように、先ず、第１基板２１上に、光電変換素子２を含む画素アレイを形成する。各画素には光電変換素子２の他に、この光電変換素子２に接続されたＴＦＴ等のスイッチング素子３や、図示しない蓄積容量等が形成されている。その後、第１基板２１の周辺部に、例えば異方導電接着材４２にて駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１を接着する。
【００９６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、支持基板１として機能するための第２基板３１を第１基板２１に貼り合わせる。この貼り合わせの構造及び製造方法は、実施の形態１の図２（ｂ）にて示したと同様である。ただし、このとき、両者を接続する接着樹脂５にて、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１の実装部分も同時に封止してしまうと良い。
【００９７】
次いで、図６（ｃ）に示すように、第１基板２１の外側面を、エッチング又は研磨により所定の厚みまで削る。このエッチング又は研磨により所定の厚みまで削る工程は、前記実施の形態１の図２（ｃ）と同様である。
【００９８】
次いで、図６（ｄ）に示すように、できあがった光電変換装置本体に対して、支持基板１の外側に光源６を設置し、光電変換素子形成基板４として機能する第１基板２１の外側に原稿Ｐを密着させることによって、従来と同様に原稿Ｐを読み取ることが可能になる。
【００９９】
上述の画像読み取り装置４０及びその製造方法では、実施の形態１で説明した画像読み取り装置１０の特徴に加えて、以下の特徴を有する。
【０１００】
画像読み取り装置４０の周辺部に、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１の実装部分を有する場合でも、実装部分は完全にモールドされた構造になっている。このため、実装部分が、原稿Ｐに露出又は突出することが無い。したがって、従来のように、実装部分に保護カバーを設ける必要もない。この結果、画像読み取り装置４０の原稿密着面を完全にフラットにすることが可能になり、原稿Ｐのサイズが画像読み取り装置４０の撮像面より大きい場合でも、原稿ＰがＩＣ４１近傍で撓まず原稿読取面に密着し、原稿Ｐを読み取る際に画像がボケる現象を回避することが可能になる。
【０１０１】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置４０では、複数の光電変換素子２の駆動に必要なＩＣ４１が、光電変換素子形成基板４の周辺部における情報読取面の裏面に実装されている。
【０１０２】
したがって、ＩＣ４１が情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板４の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＩＣ４１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１０３】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置４０を提供することができる。
【０１０４】
また、本実施の形態の画像読み取り装置４０の製造方法では、まず、実装工程において、第１基板２１における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２及び該複数の光電変換素子２を駆動するのに必要なＩＣ４１を実装する。次いで、貼合工程において、第１基板２１における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子２及びＩＣ４１を覆うように接着樹脂５を用いて第２基板３１を貼り合せる。その後、加工工程において、第１基板２１における情報読取面をエッチング又は研磨してこの第１基板２１の厚みを薄く加工する。
【０１０５】
したがって、従来存在した、保護基板としてマイクロガラスシートの貼り合せせるプロセスを無くすことができるので、画像読み取り装置４０を簡単に製造することができる。
【０１０６】
また、従来では、薄く形成したマイクロガラスシートを保護基板として貼り合わせていたので、その薄く形成したマイクロガラスシートを取り扱うときに、マイクロガラスシートの破損等を招いていた。
【０１０７】
しかし、本実施の形態では、先に光電変換素子２を形成した光電変換素子形成基板４の裏面を削って薄くするので、光電変換素子形成基板４の破損が防止される。したがって、製品の歩留まりの低減を防止することができる。
【０１０８】
したがって、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る画像読み取り装置４０の製造方法を提供することができる。
【０１０９】
また、本実施の形態では、実装工程において、複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＩＣ４１までも実装する。このため、ＩＣ４１が情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板４の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＩＣ４１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１１０】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置４０の製造方法を提供することができる。
【０１１１】
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施の形態について図７ないし図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１及び実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１２】
前記実施の形態２では、第１基板２１の周辺領域に駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１を設けていたが、必ずしもこれに限らず、図７（ｄ）に示すように、第１基板２１の周辺領域にＣＯＧ方式にて直接実装しても良いし、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１を利用して外部に設ける方式を採用した光電変換装置としての画像読み取り装置５０とすることができる。なお、ＦＰＣ及びＴＣＰ５１は、両方設けることも可能である。さらに、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１をモノリシック形成しておき、ＦＰＣにて外部から駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１用の電源のみ供給する方式でも構わない。
【０１１３】
上記構成を有する画像読み取り装置５０の形成プロセスを、図７（ａ）〜（ｄ）に基いて説明する。なお、画像読み取り装置５０の形成プロセスは、前記実施の形態１及び実施の形態２で述べた画像読み取り装置１０・４０の形成プロセスと略同じであるため、共通部分については概略説明に留める。
【０１１４】
図７（ａ）に示すように、先ず、第１基板２１上に、光電変換素子２を含む画素アレイを形成する。各画素には光電変換素子２の他に、この光電変換素子２に接続されたＴＦＴ等のスイッチング素子３や、図示しない蓄積容量等が形成されている。その後、第１基板２１の周辺部に、例えば異方導電接着材５２にてＦＰＣ又はＴＣＰ５１を接着する。
【０１１５】
次いで、図７（ｂ）に示すように、支持基板１として機能する第２基板３１を第１基板２１に貼り合わせる。この貼り合わせの構造及び製造方法は、実施の形態１の図２（ｂ）及び実施の形態２の図６（ｂ）にて示したと同様である。このとき、両者を接続する接着樹脂５にて、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１の実装部分も同時に封止してしまうと良い。
【０１１６】
次いで、図７（ｃ）に示すように、第１基板２１の外側面を、エッチング又は研磨により所定の厚みまで削る。このエッチング又は研磨により所定の厚みまで削る工程は、前記実施の形態１の図２（ｃ）及び実施の形態２の図６（ｃ）と同様である。ただし、このとき、端部からはみ出しているＦＰＣ又はＴＣＰ５１が、化学研磨薬液に触れないように樹脂等でモールドしておくと良い。
【０１１７】
次いで、図７（ｄ）に示すように、できあがった光電変換装置本体に対して、支持基板１の外側に光源６を設置し、光電変換素子形成基板４として機能する第１基板２１の外側に原稿Ｐを密着させることによって、従来と同様に原稿Ｐを読み取ることが可能になる。
【０１１８】
上述の画像読み取り装置５０及びその製造方法では、実施の形態１で説明した画像読み取り装置１０及び実施の形態２で説明した画像読み取り装置４０の特徴に加えて、以下の特徴を有する。
【０１１９】
画像読み取り装置５０の周辺部に、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１の実装部分を有する場合でも、実装部分は完全にモールドされた構造になっている。このため、実装部分が、原稿Ｐに露出又は突出することが無い。したがって、従来のように、実装部分に保護カバーを設ける必要もない。この結果、画像読み取り装置５０の原稿密着面を完全にフラットにすることが可能になり、原稿Ｐのサイズが画像読み取り装置５０の撮像面より大きい場合でも、原稿Ｐを読み取る際に画像がボケる現象を回避することが可能になる。
【０１２０】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置５０では、光電変換素子形成基板４の周辺部における情報読取面の裏面には、複数の光電変換素子２の駆動に必要なＦＰＣ又はＴＣＰ５１が実装されている。
【０１２１】
したがって、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＦＰＣ又はＴＣＰ５１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１２２】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置５０を提供することができる。
【０１２３】
また、本実施の形態の画像読み取り装置５０の製造方法では、第１基板２１における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２及び該複数の光電変換素子２を駆動するのに必要なＦＰＣ又はＴＣＰ５１を実装する実装工程と、第１基板２１における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子２を覆うように接着樹脂５を用いて第２基板３１を貼り合せる貼合工程と、第１基板２１における情報読取面をエッチング又は研磨して第１基板２１の厚みを薄く加工する加工工程とを含んでいる。
【０１２４】
このため、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る画像読み取り装置５０の製造方法を提供することができる。
【０１２５】
また、本実施の形態では、実装工程においては、第１基板２１における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２及び該複数の光電変換素子２を駆動するのに必要なＦＰＣ又はＴＣＰ５１まで実装される。
【０１２６】
このため、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１が情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板４の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＦＰＣ又はＴＣＰ５１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１２７】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置５０の製造方法を提供することができる。
【０１２８】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上述の実施の形態１〜３では、光電変換装置の画素に、光電変換素子２とスイッチング素子３とが別々に形成された構成について説明してきた。しかし、必ずしもこれに限らず、例えば、図８に示すように、光電変換素子２としてのフォトトランジスタと、スイッチング素子３としてのトランジスタとを、１つのＴＦＴにて兼用したタイプの光電変換装置にも適用可能である。
【０１２９】
また、本実施の形態の光電変換装置は、例えば、図９に示すように、保護基板の外側面に、Ｘ線を光に変換する「Ｘ線−光変換膜」（シンチレーター、増感紙と呼ぶこともある）を形成することによって、いわゆる間接変換方式のＸ線の撮像装置としても使用することができる。
【０１３０】
この場合、「Ｘ線−光変換膜」の材料としては、ＣｓＩ：ＴｌやＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ等を用いると良い。人体や披検体を透過したＸ線は、上述の「Ｘ線−光変換膜」にて可視光像に変換される。その可視光像を光電変換装置で受像することによって、Ｘ線の画像を得ることができる。
【０１３１】
〔実施の形態４〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１０ないし図１２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし実施の形態３の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１３２】
前記実施の形態１〜実施の形態３では、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合わせるプロセスを無くするとともに、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置とその製造方法について説明してきたが、本発明の構造は、表示機能を備えた光電変換装置についても適用することが可能である。以下、表示機能一体型の光電変換装置について詳しく説明する。
【０１３３】
本実施の形態の画像読み取り装置６０は、図１０に示すように、表示媒体として液晶を用いた表示機能一体型の光電変換装置である。
【０１３４】
上記画像読み取り装置６０は、光電変換素子形成基板としての第１基板２１上には、実施の形態１と同様に、画素毎に、光電変換素子２が形成されている。また、これら光電変換素子２の形成面と同じ面に、後述する表示媒体（液晶７）を駆動するための表示用画素電極８が画素毎に形成されている。また、上記光電変換素子２や表示用画素電極８への信号のやり取りを制御するアクティブ素子としてのスイッチング素子３が設けられている。このスイッチング素子３にはＴＦＴが好適に用いられる。このＴＦＴは、光電変換素子２と表示用画素電極８とに対し、別々に、すなわち、各画素に複数個設けても良いし、１個のＴＦＴで、光電変換素子２と表示用画素電極８との両方の駆動用に兼用しても良い。
【０１３５】
一方、支持基板及びＣＦ基板としての第２基板３１上には、カラーフィルター（ＣＦ）１１や表示用共通電極（ＩＴＯ等）９が形成されている。そして、これら両基板はシール部材によって接着固定されており、これら両基板の間には液晶７が封入されている。
【０１３６】
光源６であるバックライトは、画像読み取りの際は、被写体を照射するための光源として作用し、表示の際には液晶表示用の背面光源として作用する。
【０１３７】
ここで、実施の形態１でも説明したように、被写体の読み取り像がボケないように、第１基板２１はできるだけ薄く加工する必要がある。一方、液晶層を介して対向する第２基板３１は、本パネルの機械的強度を向上させるために、第１基板２１よりも厚くなるように設定している。
【０１３８】
この結果、画像のボケを最小限に抑えながら、パネルの機械的強度を確保することが可能になる。もちろん、実施の形態１と同様に、光電変換素子２の駆動に必要な電気部材（ＩＣ、ＴＣＰ、ＦＰＣ等）の実装部分が情報読み取り面に出っ張ることもなく、被写体と情報読み取り面との密着性を向上させることも可能である。
【０１３９】
なお、図１１に示す画像読み取り装置６１のように、第１基板２１とその対向基板としてカラーフィルター（ＣＦ）１１を備えたカラーフィルター（ＣＦ）基板１２を、第１基板２１を薄板化するプロセスで同時に薄板化しておき、別途、支持基板としての第２基板３１を準備し、それをカラーフィルター（ＣＦ）基板１２の外側に設置しても良い。
【０１４０】
この場合、偏光板１３はカラーフィルター（ＣＦ）基板１２と第２基板３１との間に配置しても良いし、図１０に示すように、第２基板３１のさらに外側つまり光源６側に配置しても良い。
【０１４１】
通常、同じ材質（例えばガラス）からなる第１基板２１とカラーフィルター（ＣＦ）基板１２とを互いに貼り合せた後、そのパネルを化学エッチング液に浸漬すと、両基板が同じようにエッチングされ、両基板が同時に薄型化されてしまう。このため、カラーフィルター（ＣＦ）基板１２に支持基板としての機能を持たせることが困難になる場合がある。このため、別途、第２基板３１を準備し、図１５に示す画像読み取り装置６１のような構成にすることが望ましい。
【０１４２】
ところで、液晶７の表示モードが、ＴＮモードのように偏光子を必要とする場合、図１０に示すように、光電変換素子形成面から読み取り対象物（原稿Ｐ等）の間に偏光子としての偏光板１４を挿入する必要がある。偏光板１４の厚みが厚くなると、これも読み取り画像のボケを助長する原因になるため、偏光板１４はできるだけ薄く形成する必要がある。
【０１４３】
一方、液晶７の表示モードが、ゲストホストモードのように偏光板１２を必要としない場合には、図１２に示す画像読み取り装置６２のように、光電変換素子形成面から読み取り対象物（原稿Ｐ等）の間に偏光板１４を設置する必要はない。したがって、光電変換素子形成面と読み取り対象物（原稿Ｐ等）との間を最小限に薄くでき、画像のボケを小さくすることができるので有用である。なお、上記偏光子を使用しない液晶表示モードとして、上記のゲストホスト（ＧＨ）モードの他、例えば、動的散乱（ＤＳ）モード、相転移（ＰＣ）モード、及び高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）モード等が有る。
【０１４４】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置６０・６１・６２は、第１基板２１と第２基板３１との間に液晶７を備えるとともに、この液晶７をスイッチング素子３にて駆動するので、一つの画面で画像の読み取り（入力）と表示（出力）を行なうことができる画像読み取り装置６０・６１・６２を実現することができる。
【０１４５】
また、本実施の形態の画像読み取り装置６０・６１・６２では、液晶７を第１基板２１と第２基板３１との間に封入することが可能であり、第２基板３１を、液晶７を駆動するための表示用共通電極９を備えた対向基板として有効に利用することができる。
【０１４６】
また、本実施の形態の画像読み取り装置６２では、液晶７の表示モードは、偏光子不要の表示モードである。したがって、第１基板２１から原稿Ｐまでの間に偏光板１４の設置が必要ないので、光電変換素子２と原稿Ｐとの隙間を最小限に短くすることができ、画像のボケの少ない画像読み取り装置６２を実現することができる。
【０１４７】
また、本実施の形態の画像読み取り装置６０・６１・６２では、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用される光源６を設けることによって、バックライトとしての光源６が一組しか必要なく、部材コストを削減することが可能になる。
【０１４８】
〔実施の形態５〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし実施の形態４の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１４９】
前記実施の形態４では、表示媒体としての液晶７を備えた光電変換装置について説明したが、液晶７の代わりにＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を適用することもできる。以下、ＥＬ表示機能付きの光電変換装置について詳しく説明する。
【０１５０】
本実施の形態の画像読み取り装置７０は、図１３に示すように、表示媒体として有機ＥＬを用いた表示機能一体型の光電変換装置である。
【０１５１】
上記画像読み取り装置７０では、光電変換素子形成基板としての第１基板２１上には、実施の形態１と同様に、画素毎に、光電変換素子２が形成されている。また、これら光電変換素子２の形成面と同じ面に、表示媒体としてＥＬ素子１５が画素毎に形成されている。さらに、光電変換素子２やＥＬ素子１５への信号のやり取りを制御するスイッチング素子３が設けられている。このスイッチング素子３にはＴＦＴが好適に用いられる。このＴＦＴは、光電変換素子２とＥＬ素子１５とに対し、別々に、すなわち、各画素に複数個設けても良いし、１個のＴＦＴにて光電変換素子２とＥＬ素子１５との両方の駆動用に兼用しても良い。
【０１５２】
一方、支持基板としての第２基板３１は、機械的な補強効果だけでなく、ＥＬ層のバリア膜、つまりＥＬ素子１５の信頼性に悪影響を与える外気や水分の流入を遮断する層（膜）としても利用することができ、これら両基板はシール部材としてのモールド材１６によって接着固定されている。
【０１５３】
ここで、実施の形態１でも説明したように、被写体の読み取り像がボケないように、第１基板２１はできるだけ薄く加工する必要がある。一方、ＥＬ素子１５層を介して対向する支持基板及びバリア基板としての第２基板３１は、本パネルの機械的強度を向上させるために、第１基板２１よりも厚くなるように設定している。
【０１５４】
この結果、画像のボケを最小限に抑えながら、パネルの機械的強度を確保することが可能になる。もちろん、実施の形態１と同様に、光電変換素子２の駆動に必要な電気部材（ＩＣ、ＴＣＰ、ＦＰＣ等）の実装部分が情報読み取り面に出っ張ることもなく、被写体と情報読み取り面との密着性を向上させることも可能である。
【０１５５】
なお、前記実施の形態４の図１１に示す画像読み取り装置６１と同様の考えにより、光電変換素子形成基板としての第１基板２１とその対向基板であるバリア基板とを、第１基板２１を薄板化するプロセスで同時に薄板化しておき、別途、支持基板としての第２基板３１を準備し、それをバリア基板の外側に設置しても良い。また、バリア基板としてバリアシート（金属箔）などを用い、別途、支持基板としての第２基板３１を準備し、それをバリア基板の外側に設置しても良い。
【０１５６】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置７０は、表示媒体が、ＥＬ素子１５である。このため、ＥＬ素子１５を用いた表示（出力）を行なうことができる。また、ＥＬ素子１５が第１基板２１と第２基板３１との間に封入される構造になるため、第２基板３１をＥＬ素子１５のバリア層として有効に利用することが可能になる。
【０１５７】
また、本実施の形態の画像読み取り装置７０では、ＥＬ素子１５は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用される。このため、別途に光源６を設ける必要がなく、これによって、部材コストを削減することが可能になる。
【０１５８】
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的手段に含まれる。
【０１５９】
【発明の効果】
本発明の光電変換装置は、以上のように、情報読取面の裏面に複数の光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板と、上記光電変換素子形成基板の複数の光電変換素子に対向して接着部材にて一体化するように貼り合わされた支持基板とを備えたものである。
【０１６０】
それゆえ、この構成では、光電変換素子を形成するための光電変換素子形成基板の裏面が情報読取面となっており、光電変換素子形成基板が原稿画像への接触に対する保護基板の役割を兼用している。
【０１６１】
このため、従来のように保護作用をもたらすマイクロガラスシートを別途準備して、光電変換素子形成基板に貼り合わせる必要がなくなる。
【０１６２】
この結果、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし得る光電変換装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１６３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板は、前記光電変換素子形成基板よりも厚いものである。
【０１６４】
それゆえ、光電変換素子形成基板の厚みが薄い場合であっても、支持基板によって構造的に補強することが可能となるという効果を奏する。
【０１６５】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要な半導体集積回路（ＩＣ）が、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されているものである。
【０１６６】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣが、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されているものである。
【０１６７】
それゆえ、半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１６８】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１６９】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子は半導体層を含み、前記光電変換素子形成基板と前記半導体層との間に透光部が存在するものである。
【０１７０】
それゆえ、原稿画像の読み取りに際して、金属電極が読み取りの障害とならないという効果を奏する。
【０１７１】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板の情報読取面に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜が設けられているものである。
【０１７２】
それゆえ、光電変換装置をいわゆる間接変換方式のＸ線の撮像装置として使用することができるという効果を奏する。
【０１７３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板と前記支持基板との間に表示媒体を備えるとともに、上記光電変換素子形成基板の光電変換素子形成面に、上記表示媒体を駆動するためのアクティブ素子を備えているものである。
【０１７４】
それゆえ、一つの画面で画像の読み取り（入力）と表示（出力）を行なうことができる光電変換装置を実現することができるという効果を奏する。
【０１７５】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、液晶である。
【０１７６】
それゆえ、液晶を光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入することが可能であり、支持基板を、液晶を駆動するための共通電極を備えた対向基板として有効に利用することができるという効果を奏する。
【０１７７】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体である液晶の表示モードは、偏光子不要の表示モードである。
【０１７８】
それゆえ、光電変換素子形成面から原稿等の読み取り対象物までの間に偏光子の設置が必要ないので、光電変換素子と読み取り対象物との隙間を最小限に短くすることができ、画像のボケの少ない光電変換装置を実現することができるという効果を奏する。
【０１７９】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板の、光電変換素子形成基板とは反対側に光源を備えるとともに、上記光源は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用されるものである。
【０１８０】
それゆえ、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用される光源を設けることによって、バックライトとしての光源が一組しか必要なく、部材コストを削減することが可能になるという効果を奏する。
【０１８１】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、ＥＬ素子である。
【０１８２】
それゆえ、ＥＬ素子を用いた表示（出力）を行なうことができる。また、ＥＬ素子が光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入される構造になるため、支持基板をＥＬ素子のバリア層として有効に利用することが可能になるという効果を奏する。
【０１８３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記ＥＬ素子は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用されるものである。
【０１８４】
それゆえ、別途に光源を設ける必要がなく、これによって、部材コストを削減することが可能になるという効果を奏する。
【０１８５】
また、本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）を実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含む方法である。
【０１８６】
それゆえ、従来存在した、保護基板としてマイクロガラスシートの貼り合せせるプロセスを無くすことができるので、光電変換装置を簡単に製造することができる。
【０１８７】
また、本発明では、先に光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板の裏面を削って薄くするので、光電変換素子形成基板の破損が防止される。したがって、製品の歩留まりの低減を防止することができる。
【０１８８】
したがって、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１８９】
また、本発明では、実装工程において、複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）までも実装する。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１９０】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１９１】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣを実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含む方法である。
【０１９２】
それゆえ、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１９３】
また、本発明では、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１９４】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１９５】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記記載の光電変換装置の製造方法において、前記第１基板がガラス材からなり、前記加工工程における第１基板の研磨工程が、化学研磨加工である方法である。
【０１９６】
それゆえ、物理的な研磨等に比べて、加工時の製品の破損が少ない。この結果、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における画像読み取り装置の実施の一形態を示す断面図である。
【図２】（ａ）は上記画像読み取り装置においてガラス基板（第１基板）上にスイッチング素子及び光電変換素子のアレイを形成する工程を示す断面図、（ｂ）は接着剤で対向支持基板（第２基板）を貼り付ける工程を示す断面図、（ｃ）はガラス基板（第１基板）をエッチバックしてマイクロガラスシート保護膜に仕上げる工程を示す断面図、（ｄ）は光源を取り付けて原稿を読み取る状態を示す断面図である。
【図３】上記光電変換素子の第１基板への取り付け状態を示す断面図である。
【図４】トップゲート構造のＴＦＴからなる光電変換素子を示す断面図である。
【図５】本発明における画像読み取り装置の他の実施の形態を示す断面図である。
【図６】（ａ）は上記画像読み取り装置においてガラス基板（第１基板）上にスイッチング素子及び光電変換素子のアレイを形成し、さらにＩＣを基板の端部に取り付ける工程を示す断面図、（ｂ）は接着剤で対向支持基板（第２基板）を貼り付ける工程を示す断面図、（ｃ）はガラス基板（第１基板）をエッチバックしてマイクロガラスシート保護膜に仕上げる工程を示す断面図、（ｄ）は光源を取り付ける工程を示す断面図である。
【図７】本発明における画像読み取り装置の他の実施の形態を示すものであり、（ａ）は上記画像読み取り装置においてガラス基板（第１基板）上にスイッチング素子及び光電変換素子のアレイを形成し、さらにＦＰＣ又はＴＣＰを基板の端部に取り付ける工程を示す断面図、（ｂ）は接着剤で対向支持基板（第２基板）を貼り付ける工程を示す断面図、（ｃ）はガラス基板（第１基板）をエッチバックしてマイクロガラスシート保護膜に仕上げる工程を示す断面図、（ｄ）は光源を取り付ける工程及び完成品を示す断面図である。
【図８】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、光電変換素子としてのフォトトランジスタとスイッチング素子としてのトランジスタとを、１つのＴＦＴにて兼用したタイプの画像読み取り装置を示す平面図である。
【図９】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、間接変換方式のＸ線の撮像装置として使用する場合の画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、液晶による表示機能を備えた画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１１】上記画像読み取り装置の変形例の構成を示すものであり、カラーフィルター（ＣＦ）基板を第２基板と別体に形成した画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１２】上記画像読み取り装置の他の変形例の構成を示すものであり、偏光子不要の表示モードを採用した画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、ＥＬ素子による表示機能を備えた画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１４】従来の画像読み取り装置の構成を示す平面図である。
【図１５】上記画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 支持基板
２ 光電変換素子
３ スイッチング素子（アクティブ素子）
４ 光電変換素子形成基板
５ 接着樹脂（接着部材）
６ 光源
７ 液晶
８ 表示用画素電極
９ 表示用共通電極
１０ 画像読み取り装置（光電変換装置）
１１ カラーフィルター
１２ カラーフィルター（ＣＦ）基板
１３ 偏光板（偏光子）
１４ 偏光板（偏光子）
２１ 第１基板
３１ 第２基板
４０ 画像読み取り装置（光電変換装置）
４１ ＩＣ（半導体集積回路）
５０ 画像読み取り装置（光電変換装置）
５１ ＦＰＣ又はＴＣＰ
６０・６１・６２ 画像読み取り装置
７０ 画像読み取り装置
Ｐ 原稿
【発明の属する技術分野】
本発明は、原稿、写真、名刺等の情報を読み取ることができる光電変換装置及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板上に光電変換手段（フォトダイオード、フォトトランジスタ等）とスイッチング素子（薄膜トランジスタ等）をライン状、又は２次元状に多数配列させた密着型の光電変換装置としてのイメージセンサが開発されている。
【０００３】
この種のイメージセンサとして、例えば、特許文献１及び特許文献２に開示されているアクティブマトリクス型画像読取装置がある。
【０００４】
上記アクティブマトリクス型画像読取装置は、図１４に示すように、ＸＹマトリクス状に画素が配列されたアクティブマトリクスアレイの各画素８１…には、光電変換素子である光センサ用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）８２とスイッチング素子であるスイッチング用ＴＦＴ８３とがそれぞれ備えられている。各画素８１…の光センサ用ＴＦＴ８２は、原稿面等の被写体の白／黒（明／暗）によって電気特性が変化する仕組みになっている。
【０００５】
具体的には、光センサ用ＴＦＴ８２として用いられているフォトトランジスタの抵抗値が光の明／暗によって変化するため、それに伴って、各フォトトランジスタに接続されている画素容量（蓄積容量）に蓄積される電荷量又は電圧が変化する。そして、その画素容量の電荷量分布又は電圧分布を、スイッチング用ＴＦＴ８３によって順次読み出すことにより、被写体の２次元情報を得ることができる。
【０００６】
上記の密着型の光電変換装置では、例えば、特許文献３に開示しているように、１次元のラインセンサ用光電変換装置、２次元のエリアセンサ用光電変換装置にかかわらず、基板上に薄膜フォトトランジスタ又はフォトダイオード、フォトコンダクタ等からなる光電変換手段を形成した後、その上に透光性を有する保護層を形成する必要がある。
【０００７】
この保護層は、半導体素子からなる光電変換手段の保護を目的として設けられる。
【０００８】
具体的には、図１５に示すように、光電変換素子９１が形成された光電変換素子形成基板９２と、マイクロガラスシート等の薄いガラス基板からなる保護層９３が、接着樹脂９４を介して貼り合わされている。
【０００９】
この場合、光電変換素子９１が形成された光電変換素子形成基板９２の外側（同図において下側）にバックライトとなる光源９５を設置し、保護層９３側の外側に読み取り対象原稿が設置される。光源９５から発せられた光は、光電変換装置の開口部（透光部）を通過し、原稿に照射される。原稿に照射された光は、原稿面で反射された後、光電変換素子９１に入射する仕組みになっている。
【００１０】
【特許文献１】
実開平２−８０５５号公報（１９９０年１月１８日公開）
【００１１】
【特許文献２】
特開平５−２４３５４７号公報（１９９３年９月２１日公開）
【００１２】
【特許文献３】
特開平６−３５００７０号公報（１９９４年１２月２２日公開）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の光電変換装置及びその製造方法では、以下のような問題が生じる。
（１）光電変換装置の高精細化が求められる場合、それに伴って保護層（マイクロガラスシート）の厚みを薄くしていく必要がある。例えば、３００ｄｐｉの画素密度を有する光電変換装置の場合、画素ピッチが約８５μｍとなるが、保護層の厚みをそれ以下の５０μｍ程度に設定してやらないと、原稿で反射された光の画素間のクロストークが激しくなってしまい画像がボケてしまう。５００ｄｐｉの画素密度の場合は、画素ピッチが約５０μｍとなり、さらに薄い３０μｍ程度の厚みの保護層が求められる。
【００１４】
ところが、このような薄い保護層を従来のようにマイクロガラスシートにて形成しようとすると、マイクロガラスシートが破損し易く取り扱いが困難な上、ゆがみ易いため、光電変換素子が形成された基板上に接着樹脂を介して平坦に貼り付けることが難しくなる。したがって、マイクロガラスシートの貼り合せプロセスを無くした光電変換装置の構造や製法が求められる。
（２）また、光電変換素子が形成された基板には、光電変換素子の他にもスイッチング素子等がマトリクス状又はライン状に多数形成されており、基板の周辺部にはこれらのスイッチング素子を駆動する駆動ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ）や、光電変換素子からの得られる電気情報を読み出す読出しＬＳＩやフレキシブル基板（ＦＰＣ）を実装する必要がある。
【００１５】
なお、ＬＳＩを基板周辺に実装する際には、ＬＳＩチップを直接基板上に実装するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式や、予めＬＳＩが実装されたテープを実装するＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）方式がある。ＣＯＧ方式やＴＣＰ方式でＬＳＩを実装する場合、又はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を実装する場合、これらの実装部分を保護するカバーを設ける必要があるために、結果的に、撮像領域に設けられている保護層よりも、周辺の実装領域の方が表面に出っ張ることになる。
【００１６】
密着型の光電変換素子の場合、原稿を上述の保護層に密着させて画像を読み取る必要があるが、原稿のサイズが大きい場合には、この実装部分の出っ張りが、原稿と保護層の密着を妨げることになり、入力画像が歪んだりボケたりし、問題である。したがって、原稿撮像面、つまり保護層が形成されている面に、ＬＳＩやＦＰＣの実装部分が存在しない光電変換装置の構造や製法が求められる。
【００１７】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くするとともに、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、上記課題を解決するために、情報読取面の裏面に複数の光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板と、上記光電変換素子形成基板の複数の光電変換素子に対向して接着部材にて一体化するように貼り合わされた支持基板とを備えたことを特徴としている。
【００１９】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板には複数の光電変換素子が形成されているとともに、この光電変換素子形成基板の複数の光電変換素子に対向して支持基板が接着部材にて一体化するように貼り合わされている。
【００２０】
したがって、この構成では、光電変換素子を形成するための光電変換素子形成基板の裏面が情報読取面となっており、光電変換素子形成基板が原稿画像への接触に対する保護基板の役割を兼用している。
【００２１】
このため、従来のように保護作用をもたらすマイクロガラスシートを別途準備して、光電変換素子形成基板に貼り合わせる必要がなくなる。
【００２２】
この結果、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし得る光電変換装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板は、前記光電変換素子形成基板よりも厚いことを特徴としている。
【００２４】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板の厚みが薄い場合であっても、支持基板によって構造的に補強することが可能となる。
【００２５】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要な半導体集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されていることを特徴としている。
【００２６】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要なＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）及び／又はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）が、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されていることを特徴としている。
【００２７】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面には、複数の光電変換素子の駆動に必要な半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが実装されている。
【００２８】
したがって、半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【００２９】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置を提供することができる。
【００３０】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子は半導体層を含み、前記光電変換素子形成基板と前記半導体層との間に透光部が存在することを特徴としている。
【００３１】
上記の発明によれば、半導体層を含み、前記光電変換素子形成基板と前記半導体層との間に透光部が存在する。このため、原稿画像の読み取りに際して、金属電極が読み取りの障害とならない。
【００３２】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板の情報読取面に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜が設けられていることを特徴としている。
【００３３】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板の情報読取面に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜が設けられている。したがって、光電変換装置をいわゆる間接変換方式のＸ線の撮像装置として使用することができる。
【００３４】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板と前記支持基板との間に表示媒体を備えるとともに、上記光電変換素子形成基板の光電変換素子形成面に、上記表示媒体を駆動するためのアクティブ素子を備えていることを特徴としている。
【００３５】
上記の発明によれば、光電変換素子形成基板と前記支持基板との間に表示媒体を備えるとともに、この表示媒体をアクティブ素子にて駆動するので、一つの画面で画像の読み取り（入力）と表示（出力）を行なうことができる光電変換装置を実現することができる。
【００３６】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、液晶であることを特徴としている。
【００３７】
上記の発明によれば、液晶を光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入することが可能であり、支持基板を、液晶を駆動するための共通電極を備えた対向基板として有効に利用することができる。
【００３８】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体である液晶の表示モードは、偏光子不要の表示モードであることを特徴としている。なお、上記偏光子を使用しない液晶表示モードとして、例えば、ゲストホスト（ＧＨ）モード、動的散乱（ＤＳ）モード、相転移（ＰＣ）モード、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）モード等が有る。
【００３９】
上記の発明によれば、光電変換素子形成面から原稿等の読み取り対象物までの間に偏光子の設置が必要ないので、光電変換素子と読み取り対象物との隙間を最小限に短くすることができ、画像のボケの少ない光電変換装置を実現することができる。
【００４０】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板の、光電変換素子形成基板とは反対側に光源を備えるとともに、上記光源は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用されることを特徴としている。
【００４１】
上記の発明によれば、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用される光源を設けることによって、バックライトとしての光源が一組しか必要なく、部材コストを削減することが可能になる。
【００４２】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子であることを特徴としている。
【００４３】
上記の発明によれば、ＥＬ素子を用いた表示（出力）を行なうことができる。また、ＥＬ素子が光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入される構造になるため、支持基板をＥＬ素子のバリア層、つまりＥＬ素子の信頼性に悪影響を与える外気や水分の流入を遮断する層（膜）として有効に利用することが可能になる。
【００４４】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記ＥＬ素子は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用されることを特徴としている。
【００４５】
上記の発明によれば、ＥＬ素子は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用されるので、別途に光源を設ける必要がなく、これによって、部材コストを削減することが可能になる。
【００４６】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、情報を読み取る光電変換装置の製造方法において、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含むことを特徴としている。
【００４７】
上記の発明によれば、まず、実装工程において、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）を実装する。次いで、貼合工程において、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる。その後、加工工程において、第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する。
【００４８】
したがって、従来存在した、保護基板としてマイクロガラスシートの貼り合せせるプロセスを無くすことができるので、光電変換装置を簡単に製造することができる。
【００４９】
また、従来では、薄く形成したマイクロガラスシートを保護基板として貼り合わせていたので、その薄く形成したマイクロガラスシートを取り扱うときに、マイクロガラスシートの破損等を招いていた。
【００５０】
しかし、本発明では、先に光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板の裏面を削って薄くするので、光電変換素子形成基板の破損が防止される。したがって、製品の歩留まりの低減を防止することができる。
【００５１】
したがって、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５２】
また、本発明では、実装工程において、複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）までも実装する。このため、半導体集積回路（ＩＣ）が情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【００５３】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５４】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、情報を読み取る光電変換装置の製造方法において、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）及び／又はＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）を実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含むことを特徴としている。
【００５５】
上記の発明によれば、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５６】
また、本発明では、実装工程においては、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣまで実装される。
【００５７】
このため、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【００５８】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００５９】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記記載の光電変換装置の製造方法において、前記第１基板がガラス材からなり、前記加工工程における第１基板の研磨工程が、化学研磨加工であることを特徴としている。
【００６０】
上記の発明によれば、第１基板がガラス材からなっている。そして、加工工程における第１基板の研磨工程は化学研磨加工である。すなわち、第１基板をガラス材としている場合には、第１基板の裏面を薄く加工するときに化学研磨加工を適用することができる。この化学研磨加工は、液に第１基板を浸漬することにより、化学的にガラス材を侵食して薄くするので、加工を静的に行うことができる。したがって、物理的な研磨等に比べて、加工時の製品の破損が少ない。
【００６１】
この結果、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができる。
【００６２】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００６３】
本実施の形態の光電変換装置としての画像読み取り装置１０は、図１に示すように、支持基板１と、光電変換素子２及びスイッチング素子３が形成された光電変換素子形成基板４が接着部材としての接着樹脂５にて貼り合わされた構造をなしており、この光電変換素子形成基板４の厚みが支持基板１の厚みより薄い点に特徴がある。
【００６４】
具体的には、光電変換素子形成基板４は、５０μｍ程度の厚みの基板から構成されているのに対し、支持基板１は、０．５〜２ｍｍ程度の厚みの基板から構成されている。このため、光電変換素子形成基板４を原稿と接する面の保護基板として使用することが可能となる。すなわち、従来の図１１に示した光電変換装置と比べると、保護基板としてマイクロガラスシートの代わりに光電変換素子形成基板４を用いた構造になっている。そして、バックライトからなる光源６側には、薄い光電変換素子形成基板４を支える支持基板１を設置している。なお、光電変換素子２の画素アレイは、１次元でも２次元でも良い。
【００６５】
上記構成を有する画像読み取り装置１０の形成プロセスを、図２（ａ）〜（ｄ）に基いて説明する。
【００６６】
図２（ａ）に示すように、先ず、通常通りに、例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板からなる第１基板２１上に、光電変換素子２を含む画素アレイを形成する。各画素には、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタ、又はフォトコンダクタ等の光電変換素子２の他に、この光電変換素子２に接続されたＴＦＴ等のスイッチング素子３や、図示しない蓄積容量等が形成されている。光電変換素子２には、可視光を受光する場合、アモルファスシリコン膜を半導体膜つまり光導電膜として用いることが好ましい。また、スイッチング素子３には、アモルファスシリコンやポリシリコンを用いたＴＦＴが好ましい。
【００６７】
なお、第１基板２１の裏面、つまり光電変換素子２が形成されている面とは反対の面から入射する光を検知できるように、図３に示すように、光電変換素子２の構造つまり向きを最適化しておく必要がある。すなわち、例えば、光電変換素子２として、透明電極２２と金属電極２３との間に半導体層２４が挟まれた構造の積層型ダイオードを用いる場合、第１基板２１上に、透明電極２２が下層で金属電極２３が上層となるようにダイオードを設計し、第１基板２１の裏面から入射された光が透明電極２２を通して半導体層２４に入射するような構造にする必要がある。
【００６８】
また、光電変換素子２としてフォトトランジスタ（光検知ＴＦＴ）を用いる場合には、第１基板２１の裏面から入射された光が半導体層２４（ＴＦＴのチャネル領域）に入射する際、図４に示すように、ゲート電極２６が邪魔にならないように、トップゲート構造のＴＦＴを形成する必要がある。ここでトップゲート構造のＴＦＴとは、チャネル層（ａ−Ｓｉ又はｐｏｌｙ−Ｓｉ）２７の上側にゲート電極２６を備えたＴＦＴ構造を指す。
【００６９】
これら光電変換素子２やスイッチング素子３は、窒化珪素膜からなるパッシベーション膜で覆っておくことが好ましい。
【００７０】
次に、図２（ｂ）に示すように、支持基板１として機能する例えば０．７ｍｍ厚のガラス基板からなる第２基板３１を準備し、第１基板２１における光電変換素子２の形成面上に接着樹脂５を介して貼り合わせる。ここで、光電変換素子２及びスイッチング素子３は、完全に外気から密封された状態となる。接着樹脂５としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂等の各種材料を用いることができるが、光源６からの光を効率良く透過させる必要があるので、透明な樹脂材料を用いる必要がある。
【００７１】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１基板２１の外側面を、研磨やエッチングにより所定の厚みまで削る。具体的には、０．７ｍｍ厚のガラス基板からなる第１基板２１を１００μｍ以下の厚みになるように薄くする。
【００７２】
このとき、研磨の方法としては、メカニカルな研磨（物理研磨）と化学的な研磨（化学研磨）を使用することができる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用したＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等を用いることができる。
【００７３】
一方、化学研磨（ウェットエッチングと呼ぶこともある）としては、薬液を建浴し所定の温度に昇温した後、その浴に対象となるガラス基板を浸漬する方法を用いることができる。この方法においては、例えば、ガラスの加工に弗酸系薬液を用いると、弗酸とガラス表面との反応により、ガラス表面に細かいピッチのムラが形成される場合がある。この場合、薬液への添加剤の付与や温度制御により、これらの反応を極力均等にすることができ、ガラス基板表面が平行移動するかのごとくガラス基板を薄くすることができる。
【００７４】
本実施の形態の場合、大面積のガラス基板を簡単に均一に研磨する必要があるので、バッチ処理が容易な化学研磨法を用いることが好ましい。
【００７５】
ところで、化学研磨工程において、支持基板１が同時に研磨されてしまうと、支持基板１も薄くなってしまい、支持基板１としての役割が果たせなくなる。このため、これを防止するために、化学研磨薬液に耐性を有する樹脂シート等で、化学研磨を行う工程期間には、支持基板１の表面を保護するのが良い。
【００７６】
或いは、支持基板１として、当初からガラスの化学研磨薬液に耐性を有するプラスチック基板を使用しておく方法でも良い。
【００７７】
なお、ガラスを薄くする方法としては、上述のような研磨以外に、例えば、真空チャンバー内に基板をセットし、チャンバー内にガスを導入してガラスを分解するドライエッチングや、さらにバイアスで加速させたイオンの衝突効果を併用するＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）法といったエッチング方法を利用することも可能である。
【００７８】
次に、図２（ｄ）に示すように、できあがった光電変換装置本体に対して、支持基板１の外側に光源６を設置し、第１基板２１つまり光電変換素子形成基板４の外側に原稿Ｐを密着させることによって、従来と同様に原稿Ｐを読み取ることが可能になる。
【００７９】
このような光電変換装置及びその製造方法では、従来と異なり、非常に薄いマイクロガラスシートを光電変換素子形成基板４に貼り合わせるプロセスが不要となる。
【００８０】
すなわち、従来は、上述したようにマイクロガラスシートを貼り合わせるプロセスを必要であったが、マイクロガラスシートが破損し易く取り扱いが困難な上、歪み易いため、光電変換素子２が形成された基板上に接着樹脂５を介して平坦に貼り付けることが難しいといった問題を有していた。
【００８１】
これに対し、本実施の形態では、マイクロガラスシートの貼り合せプロセスを必要としないため、作業性向上や良品率向上を実現することが可能となる。
【００８２】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置１０では、光電変換素子形成基板４には複数の光電変換素子２が形成されているとともに、この光電変換素子形成基板４の複数の光電変換素子２に対向して支持基板１が接着樹脂５にて一体化するように貼り合わされている。
【００８３】
したがって、この構成では、光電変換素子２を形成するための光電変換素子形成基板４の裏面が情報読取面となっており、光電変換素子形成基板４が原稿画像への接触に対する保護基板の役割を兼用している。
【００８４】
このため、従来のように保護作用をもたらすマイクロガラスシートを別途準備して、光電変換素子形成基板４に貼り合わせる必要がなくなる。
【００８５】
この結果、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし得る画像読み取り装置１０を提供することができる。
【００８６】
また、本実施の形態の画像読み取り装置１０では、第２基板３１は第１基板２１よりも厚いので、第１基板２１の厚みが薄い場合であっても、第２基板３１によって構造的に補強することが可能となる。
【００８７】
また、本実施の形態の画像読み取り装置１０の製造方法では、第１基板２１がガラス材からなっている。そして、加工工程における第１基板２１の研磨工程は化学研磨加工である。すなわち、第１基板２１をガラス材としている場合には、第１基板の裏面を薄く加工するときに化学研磨加工を適用することができる。この化学研磨加工は、液に第１基板２１を浸漬することにより、化学的にガラス材を侵食して薄くするので、加工を静的に行うことができる。したがって、物理的な研磨等に比べて、加工時の製品の破損が少ない。
【００８８】
この結果、製品の歩留まりの低減を防止し得る画像読み取り装置１０の製造方法を提供することができる。
【００８９】
また、本実施の形態の画像読み取り装置１０では、複数の光電変換素子２は半導体層を含み、光電変換素子形成基板と半導体層の間に金属電極が無く、透光部が存在する構造となっている。このため、原稿画像の読み取りに際して、金属電極２３やゲート電極２６が読み取りの障害とならない。
【００９０】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図５及び図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００９１】
本実施の形態の光電変換装置としての画像読み取り装置４０は、図５に示すように、第１基板２１上に光電変換素子２及びスイッチング素子３を含む画素アレイを形成した後、これら光電変換素子２及びスイッチング素子３を駆動するための駆動ＩＣ（ＬＳＩ）や、光電変換素子２からの電気信号を読み出す読み出しＩＣ（ＬＳＩ）等の半導体集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）としてのＩＣ４１を第１基板２１である光電変換素子形成基板４の周辺に実装した構造を有している。
【００９２】
ＩＣ４１は異方性導電接着剤４２を介して光電変換素子形成基板４上に形成された配線パターンと電気的に接続するようにしてもよいし、または、光電変換素子形成基板４上に直接ＩＣ４１をモノリシック形成してもよい。
【００９３】
ここで、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１をモノリシック形成する方法とは、ａ−Ｓｉよりも移動度が高いｐｏｌｙ−ＳｉからなるＴＦＴを用いて、上述のスイッチング素子３の形成時に、第１基板２１の周辺部に駆動回路を一体形成する方法である。詳しくは、「液晶ディスプレイ技術−アクティブマトリクスＬＣＤ−」（編著者：松本正一、発行：産業図書株式会社（１９９６年））の第３章等に記載されている。その他の構成は、実施の形態１と同様である。
【００９４】
上記構成を有する画像読み取り装置４０の形成プロセスを、図６（ａ）〜（ｄ）に基いて説明する。なお、画像読み取り装置４０の形成プロセスは、前記実施の形態１で述べた画像読み取り装置１０の形成プロセスと略同じであるため、共通部分については、概略説明に留める。
【００９５】
図６（ａ）に示すように、先ず、第１基板２１上に、光電変換素子２を含む画素アレイを形成する。各画素には光電変換素子２の他に、この光電変換素子２に接続されたＴＦＴ等のスイッチング素子３や、図示しない蓄積容量等が形成されている。その後、第１基板２１の周辺部に、例えば異方導電接着材４２にて駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１を接着する。
【００９６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、支持基板１として機能するための第２基板３１を第１基板２１に貼り合わせる。この貼り合わせの構造及び製造方法は、実施の形態１の図２（ｂ）にて示したと同様である。ただし、このとき、両者を接続する接着樹脂５にて、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１の実装部分も同時に封止してしまうと良い。
【００９７】
次いで、図６（ｃ）に示すように、第１基板２１の外側面を、エッチング又は研磨により所定の厚みまで削る。このエッチング又は研磨により所定の厚みまで削る工程は、前記実施の形態１の図２（ｃ）と同様である。
【００９８】
次いで、図６（ｄ）に示すように、できあがった光電変換装置本体に対して、支持基板１の外側に光源６を設置し、光電変換素子形成基板４として機能する第１基板２１の外側に原稿Ｐを密着させることによって、従来と同様に原稿Ｐを読み取ることが可能になる。
【００９９】
上述の画像読み取り装置４０及びその製造方法では、実施の形態１で説明した画像読み取り装置１０の特徴に加えて、以下の特徴を有する。
【０１００】
画像読み取り装置４０の周辺部に、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１の実装部分を有する場合でも、実装部分は完全にモールドされた構造になっている。このため、実装部分が、原稿Ｐに露出又は突出することが無い。したがって、従来のように、実装部分に保護カバーを設ける必要もない。この結果、画像読み取り装置４０の原稿密着面を完全にフラットにすることが可能になり、原稿Ｐのサイズが画像読み取り装置４０の撮像面より大きい場合でも、原稿ＰがＩＣ４１近傍で撓まず原稿読取面に密着し、原稿Ｐを読み取る際に画像がボケる現象を回避することが可能になる。
【０１０１】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置４０では、複数の光電変換素子２の駆動に必要なＩＣ４１が、光電変換素子形成基板４の周辺部における情報読取面の裏面に実装されている。
【０１０２】
したがって、ＩＣ４１が情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板４の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＩＣ４１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１０３】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置４０を提供することができる。
【０１０４】
また、本実施の形態の画像読み取り装置４０の製造方法では、まず、実装工程において、第１基板２１における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２及び該複数の光電変換素子２を駆動するのに必要なＩＣ４１を実装する。次いで、貼合工程において、第１基板２１における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子２及びＩＣ４１を覆うように接着樹脂５を用いて第２基板３１を貼り合せる。その後、加工工程において、第１基板２１における情報読取面をエッチング又は研磨してこの第１基板２１の厚みを薄く加工する。
【０１０５】
したがって、従来存在した、保護基板としてマイクロガラスシートの貼り合せせるプロセスを無くすことができるので、画像読み取り装置４０を簡単に製造することができる。
【０１０６】
また、従来では、薄く形成したマイクロガラスシートを保護基板として貼り合わせていたので、その薄く形成したマイクロガラスシートを取り扱うときに、マイクロガラスシートの破損等を招いていた。
【０１０７】
しかし、本実施の形態では、先に光電変換素子２を形成した光電変換素子形成基板４の裏面を削って薄くするので、光電変換素子形成基板４の破損が防止される。したがって、製品の歩留まりの低減を防止することができる。
【０１０８】
したがって、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る画像読み取り装置４０の製造方法を提供することができる。
【０１０９】
また、本実施の形態では、実装工程において、複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＩＣ４１までも実装する。このため、ＩＣ４１が情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板４の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＩＣ４１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１１０】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置４０の製造方法を提供することができる。
【０１１１】
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施の形態について図７ないし図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１及び実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１１２】
前記実施の形態２では、第１基板２１の周辺領域に駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１を設けていたが、必ずしもこれに限らず、図７（ｄ）に示すように、第１基板２１の周辺領域にＣＯＧ方式にて直接実装しても良いし、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１を利用して外部に設ける方式を採用した光電変換装置としての画像読み取り装置５０とすることができる。なお、ＦＰＣ及びＴＣＰ５１は、両方設けることも可能である。さらに、駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１をモノリシック形成しておき、ＦＰＣにて外部から駆動ＩＣ又は読み出しＩＣ等のＩＣ４１用の電源のみ供給する方式でも構わない。
【０１１３】
上記構成を有する画像読み取り装置５０の形成プロセスを、図７（ａ）〜（ｄ）に基いて説明する。なお、画像読み取り装置５０の形成プロセスは、前記実施の形態１及び実施の形態２で述べた画像読み取り装置１０・４０の形成プロセスと略同じであるため、共通部分については概略説明に留める。
【０１１４】
図７（ａ）に示すように、先ず、第１基板２１上に、光電変換素子２を含む画素アレイを形成する。各画素には光電変換素子２の他に、この光電変換素子２に接続されたＴＦＴ等のスイッチング素子３や、図示しない蓄積容量等が形成されている。その後、第１基板２１の周辺部に、例えば異方導電接着材５２にてＦＰＣ又はＴＣＰ５１を接着する。
【０１１５】
次いで、図７（ｂ）に示すように、支持基板１として機能する第２基板３１を第１基板２１に貼り合わせる。この貼り合わせの構造及び製造方法は、実施の形態１の図２（ｂ）及び実施の形態２の図６（ｂ）にて示したと同様である。このとき、両者を接続する接着樹脂５にて、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１の実装部分も同時に封止してしまうと良い。
【０１１６】
次いで、図７（ｃ）に示すように、第１基板２１の外側面を、エッチング又は研磨により所定の厚みまで削る。このエッチング又は研磨により所定の厚みまで削る工程は、前記実施の形態１の図２（ｃ）及び実施の形態２の図６（ｃ）と同様である。ただし、このとき、端部からはみ出しているＦＰＣ又はＴＣＰ５１が、化学研磨薬液に触れないように樹脂等でモールドしておくと良い。
【０１１７】
次いで、図７（ｄ）に示すように、できあがった光電変換装置本体に対して、支持基板１の外側に光源６を設置し、光電変換素子形成基板４として機能する第１基板２１の外側に原稿Ｐを密着させることによって、従来と同様に原稿Ｐを読み取ることが可能になる。
【０１１８】
上述の画像読み取り装置５０及びその製造方法では、実施の形態１で説明した画像読み取り装置１０及び実施の形態２で説明した画像読み取り装置４０の特徴に加えて、以下の特徴を有する。
【０１１９】
画像読み取り装置５０の周辺部に、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１の実装部分を有する場合でも、実装部分は完全にモールドされた構造になっている。このため、実装部分が、原稿Ｐに露出又は突出することが無い。したがって、従来のように、実装部分に保護カバーを設ける必要もない。この結果、画像読み取り装置５０の原稿密着面を完全にフラットにすることが可能になり、原稿Ｐのサイズが画像読み取り装置５０の撮像面より大きい場合でも、原稿Ｐを読み取る際に画像がボケる現象を回避することが可能になる。
【０１２０】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置５０では、光電変換素子形成基板４の周辺部における情報読取面の裏面には、複数の光電変換素子２の駆動に必要なＦＰＣ又はＴＣＰ５１が実装されている。
【０１２１】
したがって、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＦＰＣ又はＴＣＰ５１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１２２】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置５０を提供することができる。
【０１２３】
また、本実施の形態の画像読み取り装置５０の製造方法では、第１基板２１における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２及び該複数の光電変換素子２を駆動するのに必要なＦＰＣ又はＴＣＰ５１を実装する実装工程と、第１基板２１における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子２を覆うように接着樹脂５を用いて第２基板３１を貼り合せる貼合工程と、第１基板２１における情報読取面をエッチング又は研磨して第１基板２１の厚みを薄く加工する加工工程とを含んでいる。
【０１２４】
このため、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る画像読み取り装置５０の製造方法を提供することができる。
【０１２５】
また、本実施の形態では、実装工程においては、第１基板２１における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子２及び該複数の光電変換素子２を駆動するのに必要なＦＰＣ又はＴＣＰ５１まで実装される。
【０１２６】
このため、ＦＰＣ又はＴＣＰ５１が情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板４の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＦＰＣ又はＴＣＰ５１等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１２７】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る画像読み取り装置５０の製造方法を提供することができる。
【０１２８】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能である。例えば、上述の実施の形態１〜３では、光電変換装置の画素に、光電変換素子２とスイッチング素子３とが別々に形成された構成について説明してきた。しかし、必ずしもこれに限らず、例えば、図８に示すように、光電変換素子２としてのフォトトランジスタと、スイッチング素子３としてのトランジスタとを、１つのＴＦＴにて兼用したタイプの光電変換装置にも適用可能である。
【０１２９】
また、本実施の形態の光電変換装置は、例えば、図９に示すように、保護基板の外側面に、Ｘ線を光に変換する「Ｘ線−光変換膜」（シンチレーター、増感紙と呼ぶこともある）を形成することによって、いわゆる間接変換方式のＸ線の撮像装置としても使用することができる。
【０１３０】
この場合、「Ｘ線−光変換膜」の材料としては、ＣｓＩ：ＴｌやＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ等を用いると良い。人体や披検体を透過したＸ線は、上述の「Ｘ線−光変換膜」にて可視光像に変換される。その可視光像を光電変換装置で受像することによって、Ｘ線の画像を得ることができる。
【０１３１】
〔実施の形態４〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１０ないし図１２に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし実施の形態３の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１３２】
前記実施の形態１〜実施の形態３では、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合わせるプロセスを無くするとともに、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置とその製造方法について説明してきたが、本発明の構造は、表示機能を備えた光電変換装置についても適用することが可能である。以下、表示機能一体型の光電変換装置について詳しく説明する。
【０１３３】
本実施の形態の画像読み取り装置６０は、図１０に示すように、表示媒体として液晶を用いた表示機能一体型の光電変換装置である。
【０１３４】
上記画像読み取り装置６０は、光電変換素子形成基板としての第１基板２１上には、実施の形態１と同様に、画素毎に、光電変換素子２が形成されている。また、これら光電変換素子２の形成面と同じ面に、後述する表示媒体（液晶７）を駆動するための表示用画素電極８が画素毎に形成されている。また、上記光電変換素子２や表示用画素電極８への信号のやり取りを制御するアクティブ素子としてのスイッチング素子３が設けられている。このスイッチング素子３にはＴＦＴが好適に用いられる。このＴＦＴは、光電変換素子２と表示用画素電極８とに対し、別々に、すなわち、各画素に複数個設けても良いし、１個のＴＦＴで、光電変換素子２と表示用画素電極８との両方の駆動用に兼用しても良い。
【０１３５】
一方、支持基板及びＣＦ基板としての第２基板３１上には、カラーフィルター（ＣＦ）１１や表示用共通電極（ＩＴＯ等）９が形成されている。そして、これら両基板はシール部材によって接着固定されており、これら両基板の間には液晶７が封入されている。
【０１３６】
光源６であるバックライトは、画像読み取りの際は、被写体を照射するための光源として作用し、表示の際には液晶表示用の背面光源として作用する。
【０１３７】
ここで、実施の形態１でも説明したように、被写体の読み取り像がボケないように、第１基板２１はできるだけ薄く加工する必要がある。一方、液晶層を介して対向する第２基板３１は、本パネルの機械的強度を向上させるために、第１基板２１よりも厚くなるように設定している。
【０１３８】
この結果、画像のボケを最小限に抑えながら、パネルの機械的強度を確保することが可能になる。もちろん、実施の形態１と同様に、光電変換素子２の駆動に必要な電気部材（ＩＣ、ＴＣＰ、ＦＰＣ等）の実装部分が情報読み取り面に出っ張ることもなく、被写体と情報読み取り面との密着性を向上させることも可能である。
【０１３９】
なお、図１１に示す画像読み取り装置６１のように、第１基板２１とその対向基板としてカラーフィルター（ＣＦ）１１を備えたカラーフィルター（ＣＦ）基板１２を、第１基板２１を薄板化するプロセスで同時に薄板化しておき、別途、支持基板としての第２基板３１を準備し、それをカラーフィルター（ＣＦ）基板１２の外側に設置しても良い。
【０１４０】
この場合、偏光板１３はカラーフィルター（ＣＦ）基板１２と第２基板３１との間に配置しても良いし、図１０に示すように、第２基板３１のさらに外側つまり光源６側に配置しても良い。
【０１４１】
通常、同じ材質（例えばガラス）からなる第１基板２１とカラーフィルター（ＣＦ）基板１２とを互いに貼り合せた後、そのパネルを化学エッチング液に浸漬すと、両基板が同じようにエッチングされ、両基板が同時に薄型化されてしまう。このため、カラーフィルター（ＣＦ）基板１２に支持基板としての機能を持たせることが困難になる場合がある。このため、別途、第２基板３１を準備し、図１５に示す画像読み取り装置６１のような構成にすることが望ましい。
【０１４２】
ところで、液晶７の表示モードが、ＴＮモードのように偏光子を必要とする場合、図１０に示すように、光電変換素子形成面から読み取り対象物（原稿Ｐ等）の間に偏光子としての偏光板１４を挿入する必要がある。偏光板１４の厚みが厚くなると、これも読み取り画像のボケを助長する原因になるため、偏光板１４はできるだけ薄く形成する必要がある。
【０１４３】
一方、液晶７の表示モードが、ゲストホストモードのように偏光板１２を必要としない場合には、図１２に示す画像読み取り装置６２のように、光電変換素子形成面から読み取り対象物（原稿Ｐ等）の間に偏光板１４を設置する必要はない。したがって、光電変換素子形成面と読み取り対象物（原稿Ｐ等）との間を最小限に薄くでき、画像のボケを小さくすることができるので有用である。なお、上記偏光子を使用しない液晶表示モードとして、上記のゲストホスト（ＧＨ）モードの他、例えば、動的散乱（ＤＳ）モード、相転移（ＰＣ）モード、及び高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）モード等が有る。
【０１４４】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置６０・６１・６２は、第１基板２１と第２基板３１との間に液晶７を備えるとともに、この液晶７をスイッチング素子３にて駆動するので、一つの画面で画像の読み取り（入力）と表示（出力）を行なうことができる画像読み取り装置６０・６１・６２を実現することができる。
【０１４５】
また、本実施の形態の画像読み取り装置６０・６１・６２では、液晶７を第１基板２１と第２基板３１との間に封入することが可能であり、第２基板３１を、液晶７を駆動するための表示用共通電極９を備えた対向基板として有効に利用することができる。
【０１４６】
また、本実施の形態の画像読み取り装置６２では、液晶７の表示モードは、偏光子不要の表示モードである。したがって、第１基板２１から原稿Ｐまでの間に偏光板１４の設置が必要ないので、光電変換素子２と原稿Ｐとの隙間を最小限に短くすることができ、画像のボケの少ない画像読み取り装置６２を実現することができる。
【０１４７】
また、本実施の形態の画像読み取り装置６０・６１・６２では、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用される光源６を設けることによって、バックライトとしての光源６が一組しか必要なく、部材コストを削減することが可能になる。
【０１４８】
〔実施の形態５〕
本発明のさらに他の実施の形態について図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし実施の形態４の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１４９】
前記実施の形態４では、表示媒体としての液晶７を備えた光電変換装置について説明したが、液晶７の代わりにＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を適用することもできる。以下、ＥＬ表示機能付きの光電変換装置について詳しく説明する。
【０１５０】
本実施の形態の画像読み取り装置７０は、図１３に示すように、表示媒体として有機ＥＬを用いた表示機能一体型の光電変換装置である。
【０１５１】
上記画像読み取り装置７０では、光電変換素子形成基板としての第１基板２１上には、実施の形態１と同様に、画素毎に、光電変換素子２が形成されている。また、これら光電変換素子２の形成面と同じ面に、表示媒体としてＥＬ素子１５が画素毎に形成されている。さらに、光電変換素子２やＥＬ素子１５への信号のやり取りを制御するスイッチング素子３が設けられている。このスイッチング素子３にはＴＦＴが好適に用いられる。このＴＦＴは、光電変換素子２とＥＬ素子１５とに対し、別々に、すなわち、各画素に複数個設けても良いし、１個のＴＦＴにて光電変換素子２とＥＬ素子１５との両方の駆動用に兼用しても良い。
【０１５２】
一方、支持基板としての第２基板３１は、機械的な補強効果だけでなく、ＥＬ層のバリア膜、つまりＥＬ素子１５の信頼性に悪影響を与える外気や水分の流入を遮断する層（膜）としても利用することができ、これら両基板はシール部材としてのモールド材１６によって接着固定されている。
【０１５３】
ここで、実施の形態１でも説明したように、被写体の読み取り像がボケないように、第１基板２１はできるだけ薄く加工する必要がある。一方、ＥＬ素子１５層を介して対向する支持基板及びバリア基板としての第２基板３１は、本パネルの機械的強度を向上させるために、第１基板２１よりも厚くなるように設定している。
【０１５４】
この結果、画像のボケを最小限に抑えながら、パネルの機械的強度を確保することが可能になる。もちろん、実施の形態１と同様に、光電変換素子２の駆動に必要な電気部材（ＩＣ、ＴＣＰ、ＦＰＣ等）の実装部分が情報読み取り面に出っ張ることもなく、被写体と情報読み取り面との密着性を向上させることも可能である。
【０１５５】
なお、前記実施の形態４の図１１に示す画像読み取り装置６１と同様の考えにより、光電変換素子形成基板としての第１基板２１とその対向基板であるバリア基板とを、第１基板２１を薄板化するプロセスで同時に薄板化しておき、別途、支持基板としての第２基板３１を準備し、それをバリア基板の外側に設置しても良い。また、バリア基板としてバリアシート（金属箔）などを用い、別途、支持基板としての第２基板３１を準備し、それをバリア基板の外側に設置しても良い。
【０１５６】
このように、本実施の形態の画像読み取り装置７０は、表示媒体が、ＥＬ素子１５である。このため、ＥＬ素子１５を用いた表示（出力）を行なうことができる。また、ＥＬ素子１５が第１基板２１と第２基板３１との間に封入される構造になるため、第２基板３１をＥＬ素子１５のバリア層として有効に利用することが可能になる。
【０１５７】
また、本実施の形態の画像読み取り装置７０では、ＥＬ素子１５は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用される。このため、別途に光源６を設ける必要がなく、これによって、部材コストを削減することが可能になる。
【０１５８】
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的手段に含まれる。
【０１５９】
【発明の効果】
本発明の光電変換装置は、以上のように、情報読取面の裏面に複数の光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板と、上記光電変換素子形成基板の複数の光電変換素子に対向して接着部材にて一体化するように貼り合わされた支持基板とを備えたものである。
【０１６０】
それゆえ、この構成では、光電変換素子を形成するための光電変換素子形成基板の裏面が情報読取面となっており、光電変換素子形成基板が原稿画像への接触に対する保護基板の役割を兼用している。
【０１６１】
このため、従来のように保護作用をもたらすマイクロガラスシートを別途準備して、光電変換素子形成基板に貼り合わせる必要がなくなる。
【０１６２】
この結果、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし得る光電変換装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１６３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板は、前記光電変換素子形成基板よりも厚いものである。
【０１６４】
それゆえ、光電変換素子形成基板の厚みが薄い場合であっても、支持基板によって構造的に補強することが可能となるという効果を奏する。
【０１６５】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要な半導体集積回路（ＩＣ）が、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されているものである。
【０１６６】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子の駆動に必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣが、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されているものである。
【０１６７】
それゆえ、半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。このため、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１６８】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置を提供することができるという効果を奏する。
【０１６９】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記複数の光電変換素子は半導体層を含み、前記光電変換素子形成基板と前記半導体層との間に透光部が存在するものである。
【０１７０】
それゆえ、原稿画像の読み取りに際して、金属電極が読み取りの障害とならないという効果を奏する。
【０１７１】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板の情報読取面に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜が設けられているものである。
【０１７２】
それゆえ、光電変換装置をいわゆる間接変換方式のＸ線の撮像装置として使用することができるという効果を奏する。
【０１７３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記光電変換素子形成基板と前記支持基板との間に表示媒体を備えるとともに、上記光電変換素子形成基板の光電変換素子形成面に、上記表示媒体を駆動するためのアクティブ素子を備えているものである。
【０１７４】
それゆえ、一つの画面で画像の読み取り（入力）と表示（出力）を行なうことができる光電変換装置を実現することができるという効果を奏する。
【０１７５】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、液晶である。
【０１７６】
それゆえ、液晶を光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入することが可能であり、支持基板を、液晶を駆動するための共通電極を備えた対向基板として有効に利用することができるという効果を奏する。
【０１７７】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体である液晶の表示モードは、偏光子不要の表示モードである。
【０１７８】
それゆえ、光電変換素子形成面から原稿等の読み取り対象物までの間に偏光子の設置が必要ないので、光電変換素子と読み取り対象物との隙間を最小限に短くすることができ、画像のボケの少ない光電変換装置を実現することができるという効果を奏する。
【０１７９】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記支持基板の、光電変換素子形成基板とは反対側に光源を備えるとともに、上記光源は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用されるものである。
【０１８０】
それゆえ、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用される光源を設けることによって、バックライトとしての光源が一組しか必要なく、部材コストを削減することが可能になるという効果を奏する。
【０１８１】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記表示媒体は、ＥＬ素子である。
【０１８２】
それゆえ、ＥＬ素子を用いた表示（出力）を行なうことができる。また、ＥＬ素子が光電変換素子形成基板と支持基板との間に封入される構造になるため、支持基板をＥＬ素子のバリア層として有効に利用することが可能になるという効果を奏する。
【０１８３】
また、本発明の光電変換装置は、上記記載の光電変換装置において、前記ＥＬ素子は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用されるものである。
【０１８４】
それゆえ、別途に光源を設ける必要がなく、これによって、部材コストを削減することが可能になるという効果を奏する。
【０１８５】
また、本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）を実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含む方法である。
【０１８６】
それゆえ、従来存在した、保護基板としてマイクロガラスシートの貼り合せせるプロセスを無くすことができるので、光電変換装置を簡単に製造することができる。
【０１８７】
また、本発明では、先に光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板の裏面を削って薄くするので、光電変換素子形成基板の破損が防止される。したがって、製品の歩留まりの低減を防止することができる。
【０１８８】
したがって、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１８９】
また、本発明では、実装工程において、複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）までも実装する。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面への半導体集積回路（ＩＣ）、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１９０】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１９１】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記課題を解決するために、第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣを実装する実装工程と、上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含む方法である。
【０１９２】
それゆえ、保護基板としてのマイクロガラスシートを貼り合せるプロセスを無くし、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１９３】
また、本発明では、ＴＣＰ及び／又はＦＰＣが情報読取面の裏面側に形成されることになる。したがって、情報読取面は光電変換素子形成基板の平滑面となっており、従来存在した、原稿撮像面へのＴＣＰ及び／又はＦＰＣ等の実装部分の出っ張りが無くなっている。
【０１９４】
この結果、原稿画像の撮像面への実装部分の出っ張りを無くし得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【０１９５】
本発明の光電変換装置の製造方法は、上記記載の光電変換装置の製造方法において、前記第１基板がガラス材からなり、前記加工工程における第１基板の研磨工程が、化学研磨加工である方法である。
【０１９６】
それゆえ、物理的な研磨等に比べて、加工時の製品の破損が少ない。この結果、製品の歩留まりの低減を防止し得る光電変換装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における画像読み取り装置の実施の一形態を示す断面図である。
【図２】（ａ）は上記画像読み取り装置においてガラス基板（第１基板）上にスイッチング素子及び光電変換素子のアレイを形成する工程を示す断面図、（ｂ）は接着剤で対向支持基板（第２基板）を貼り付ける工程を示す断面図、（ｃ）はガラス基板（第１基板）をエッチバックしてマイクロガラスシート保護膜に仕上げる工程を示す断面図、（ｄ）は光源を取り付けて原稿を読み取る状態を示す断面図である。
【図３】上記光電変換素子の第１基板への取り付け状態を示す断面図である。
【図４】トップゲート構造のＴＦＴからなる光電変換素子を示す断面図である。
【図５】本発明における画像読み取り装置の他の実施の形態を示す断面図である。
【図６】（ａ）は上記画像読み取り装置においてガラス基板（第１基板）上にスイッチング素子及び光電変換素子のアレイを形成し、さらにＩＣを基板の端部に取り付ける工程を示す断面図、（ｂ）は接着剤で対向支持基板（第２基板）を貼り付ける工程を示す断面図、（ｃ）はガラス基板（第１基板）をエッチバックしてマイクロガラスシート保護膜に仕上げる工程を示す断面図、（ｄ）は光源を取り付ける工程を示す断面図である。
【図７】本発明における画像読み取り装置の他の実施の形態を示すものであり、（ａ）は上記画像読み取り装置においてガラス基板（第１基板）上にスイッチング素子及び光電変換素子のアレイを形成し、さらにＦＰＣ又はＴＣＰを基板の端部に取り付ける工程を示す断面図、（ｂ）は接着剤で対向支持基板（第２基板）を貼り付ける工程を示す断面図、（ｃ）はガラス基板（第１基板）をエッチバックしてマイクロガラスシート保護膜に仕上げる工程を示す断面図、（ｄ）は光源を取り付ける工程及び完成品を示す断面図である。
【図８】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、光電変換素子としてのフォトトランジスタとスイッチング素子としてのトランジスタとを、１つのＴＦＴにて兼用したタイプの画像読み取り装置を示す平面図である。
【図９】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、間接変換方式のＸ線の撮像装置として使用する場合の画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、液晶による表示機能を備えた画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１１】上記画像読み取り装置の変形例の構成を示すものであり、カラーフィルター（ＣＦ）基板を第２基板と別体に形成した画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１２】上記画像読み取り装置の他の変形例の構成を示すものであり、偏光子不要の表示モードを採用した画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明における画像読み取り装置のさらに他の実施の形態を示すものであり、ＥＬ素子による表示機能を備えた画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【図１４】従来の画像読み取り装置の構成を示す平面図である。
【図１５】上記画像読み取り装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 支持基板
２ 光電変換素子
３ スイッチング素子（アクティブ素子）
４ 光電変換素子形成基板
５ 接着樹脂（接着部材）
６ 光源
７ 液晶
８ 表示用画素電極
９ 表示用共通電極
１０ 画像読み取り装置（光電変換装置）
１１ カラーフィルター
１２ カラーフィルター（ＣＦ）基板
１３ 偏光板（偏光子）
１４ 偏光板（偏光子）
２１ 第１基板
３１ 第２基板
４０ 画像読み取り装置（光電変換装置）
４１ ＩＣ（半導体集積回路）
５０ 画像読み取り装置（光電変換装置）
５１ ＦＰＣ又はＴＣＰ
６０・６１・６２ 画像読み取り装置
７０ 画像読み取り装置
Ｐ 原稿
Claims (15)
- 情報読取面の裏面に複数の光電変換素子を形成した光電変換素子形成基板と、
上記光電変換素子形成基板の複数の光電変換素子に対向して接着部材にて一体化するように貼り合わされた支持基板とを備えたことを特徴とする光電変換装置。 - 前記支持基板は、前記光電変換素子形成基板よりも厚いことを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
- 前記複数の光電変換素子の駆動に必要な半導体集積回路（ＩＣ）が、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されていることを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。
- 前記複数の光電変換素子の駆動に必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣが、前記光電変換素子形成基板の周辺部における情報読取面の裏面に実装されていることを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。
- 前記複数の光電変換素子は半導体層を含み、前記光電変換素子形成基板と前記半導体層との間に透光部が存在することを特徴とする請求項１又は２記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子形成基板の情報読取面に、Ｘ線を光に変換するＸ線光変換膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換素子形成基板と前記支持基板との間に表示媒体を備えるとともに、
上記光電変換素子形成基板の光電変換素子形成面に、上記表示媒体を駆動するためのアクティブ素子を備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。 - 前記表示媒体は、液晶であることを特徴とする請求項７記載の光電変換装置。
- 前記表示媒体である液晶の表示モードは、偏光子不要の表示モードであることを特徴とする請求項８記載の光電変換装置。
- 前記支持基板の、光電変換素子形成基板とは反対側に光源を備えるとともに、上記光源は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の表示用光源との両用途に兼用されることを特徴とする請求項８記載の光電変換装置。
- 前記表示媒体は、ＥＬ素子であることを特徴とする請求項７記載の光電変換装置。
- 前記ＥＬ素子は、情報読取時の被写体照射光源と情報表示時の発光素子との両用途に兼用されることを特徴とする請求項１１記載の光電変換装置。
- 情報を読み取る光電変換装置の製造方法において、
第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要な半導体集積回路（ＩＣ）を実装する実装工程と、
上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、
上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 情報を読み取る光電変換装置の製造方法において、
第１基板における情報読取面の裏面に複数の光電変換素子及び該複数の光電変換素子を駆動するのに必要なＴＣＰ及び／又はＦＰＣを実装する実装工程と、
上記第１基板における情報読取面の裏面に実装された該複数の光電変換素子を覆うように接着部材を用いて第２基板を貼り合せる貼合工程と、
上記第１基板における情報読取面をエッチング又は研磨して上記第１基板の厚みを薄く加工する加工工程とを含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 前記第１基板がガラス材からなり、前記加工工程における第１基板の研磨工程が、化学研磨加工であることを特徴とする請求項１３又は１４記載の光電変換装置の製造方法。
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