JP2012113292A - 表示装置の駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のフレーム期間により画像表示を行う表示装置の駆動方法において、各フレーム期間における複数の走査線のうち、いずれか一の走査線を選択する期間で駆動用素子であるトランジスタに対し、ゲートに20V以上の電圧を1m秒以上印加できるよう駆動する。そして複数のフレーム期間にわたって、各行を選択していくことで全ての駆動用素子であるトランジスタに対し、ゲートに20V以上の電圧を1m秒以上印加できるようにしてトランジスタの特性劣化を回復するものである。
【選択図】図1
Description
まず、表示装置における表示部(または画素部ともいう)の簡単な回路構成について図1(A)に示す。
本実施の形態では上記実施の形態1で説明した表示素子として液晶素子を具備する液晶表示装置の構成例を示し、液晶表示装置における反転駆動を行う際の駆動方法について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した駆動方法を実現しうる表示装置のブロック図について説明する。
本実施の形態では、液晶素子を有する素子基板について説明する。なお本実施の形態で説明する液晶素子を有する素子基板を液晶表示装置という。
本実施の形態では実施の形態4でも説明したトランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体膜の作製方法の具体例について説明する。
本実施の形態では、液晶表示装置の画素の平面図及び断面図の一例について図面を用いて説明する。
本実施の形態においては、電子機器の例について説明する。
T2 期間
51 期間
52 期間
53 期間
54 期間
100 表示部
101 走査線
101_j 走査線
102 信号線
102_k 信号線
103 画素
103_j 画素
104 トランジスタ
105 表示素子
301 走査線駆動回路
302 信号線駆動回路
311 液晶素子
312 容量素子
313 配線
314 配線
500 素子基板
501 表示制御回路
502 クロック生成回路
503 パルス幅制御回路
800 ガラス基板
801 ゲート電極層
802 ゲート絶縁層
803 酸化物半導体層
805a ソース電極層
805b ドレイン電極層
807 絶縁層
810 トランジスタ
811 下地膜
1201a ソース電極層
1201b ドレイン電極層
1202 ゲート電極層
1203 ゲート電極層
1204 容量配線層
1206 トランジスタ
1207 絶縁膜
1208 絶縁膜
1209 層間膜
1210 透明電極層
1211 透明電極層
1212 ゲート絶縁層
1213 半導体層
1215 容量素子
1217 液晶層
1218 基板
1219 基板
1700 筐体
1701 筐体
1702 表示部
1703 表示部
1704 蝶番
1711 筐体
1712 表示部
1721 筐体
1722 表示部
1723 スタンド
1731 筐体
1732 表示部
1733 操作ボタン
1734 外部接続ポート
1735 スピーカ
1736 マイク
1737 操作ボタン
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4003a 信号線駆動回路
4003b 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4030 画素電極層
4031 共通電極層
4035 スペーサ
Claims (4)
- 複数のフレーム期間において複数の走査線及び信号線により、複数の画素に供給する画像信号を制御して画像表示を行う表示装置の駆動方法において、
第1のフレーム期間では、第1の走査線を第1の選択期間で選択し、前記第1の走査線以外の第2の走査線を含む走査線を第2の選択期間で選択し、
第2のフレーム期間では、前記第2の走査線を前記第1の選択期間で選択し、前記第2の走査線以外の前記第1の走査線を含む走査線を前記第2の選択期間で選択し、
前記第1の選択期間及び前記第2の選択期間は、前記画素に設けられる酸化物半導体を有するトランジスタのゲートにハイレベルの電位を印加する期間であり、
前記第1の選択期間は、前記第2の選択期間より長い期間であることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 複数のフレーム期間において複数の走査線及び信号線により、複数の画素に供給する画像信号を制御して画像表示を行う表示装置の駆動方法において、
第1のフレーム期間では、第1の走査線を第1の選択期間で選択し、前記第1の走査線以外の第2の走査線を含む走査線を第2の選択期間で選択し、
第2のフレーム期間では、前記第2の走査線を前記第1の選択期間で選択し、前記第2の走査線以外の前記第1の走査線を含む走査線を前記第2の選択期間で選択し、
前記第1の選択期間及び前記第2の選択期間は、前記画素に設けられる酸化物半導体を有するトランジスタのゲートにハイレベルの電位を印加する期間であり、
前記第1の選択期間において、前記トランジスタに電気的に接続される前記信号線には、ローレベルの電位の画像信号が供給され、
前記第1の選択期間は、前記第2の選択期間より長い期間であることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 請求項1または請求項2において、前記トランジスタに電気的に接続される表示素子は、液晶素子であることを特徴とする表示装置の駆動方法。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記第1の選択期間で選択する走査線は、複数であることを特徴とする表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011238196A JP6010291B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-10-31 | 表示装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010248017 | 2010-11-05 | ||
JP2010248017 | 2010-11-05 | ||
JP2011238196A JP6010291B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-10-31 | 表示装置の駆動方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016113721A Division JP6122533B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-06-07 | 表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012113292A true JP2012113292A (ja) | 2012-06-14 |
JP6010291B2 JP6010291B2 (ja) | 2016-10-19 |
Family
ID=46019186
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011238196A Active JP6010291B2 (ja) | 2010-11-05 | 2011-10-31 | 表示装置の駆動方法 |
JP2016113721A Active JP6122533B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-06-07 | 表示装置の駆動方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016113721A Active JP6122533B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-06-07 | 表示装置の駆動方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8754839B2 (ja) |
JP (2) | JP6010291B2 (ja) |
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JP6010291B2 (ja) | 2016-10-19 |
JP6122533B2 (ja) | 2017-04-26 |
JP2016167096A (ja) | 2016-09-15 |
US9070329B2 (en) | 2015-06-30 |
US8754839B2 (en) | 2014-06-17 |
US20120113086A1 (en) | 2012-05-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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