JP5677671B2 - 表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、動画及び静止画の表示が可能な表示装置及び該表示装置の駆動方法について説明する。
本実施の形態では、静止画表示のとき、画素への画像信号の供給を選択的に停止させることが可能な表示装置及び該表示装置の駆動方法の一例として、液晶表示装置及び該液晶表示装置の駆動方法について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示す表示装置における走査信号線駆動回路及び画像信号線駆動回路に適用可能なシフトレジスタの一例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示す表示装置に適用可能なトランジスタの例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態に示す表示装置の構造例について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態における表示装置を備えた電子機器について説明する。
32 トランジスタ
33 トランジスタ
34 トランジスタ
35 トランジスタ
36 トランジスタ
37 トランジスタ
38 トランジスタ
39 トランジスタ
40 トランジスタ
41 トランジスタ
101 駆動回路部
101a 第1駆動回路
101b 第2駆動回路
102 画素部
102_K 画素
201 駆動回路部
201a CPU
201b 表示制御回路
201c 走査信号線駆動回路
201d 画像信号線駆動回路
202 画素部
202_K 画素
203 走査信号線
204 画像信号線
205 トランジスタ
206 光源部
211a インターフェース
211b 基準クロック信号生成回路
211c 計数回路
211d ラッチ回路
211e 記憶回路
211f 演算回路
211g 出力回路
221 トランジスタ
222 液晶素子
223 容量素子
311 期間
312 期間
400a 基板
400b 基板
400c 基板
400d 基板
401a 導電層
401b 導電層
401c 導電層
401d 導電層
402a 絶縁層
402b 絶縁層
402c 絶縁層
402d 絶縁層
403a 酸化物半導体層
403b 酸化物半導体層
403c 酸化物半導体層
403d 酸化物半導体層
405a 導電層
405b 導電層
405c 導電層
405d 導電層
406a 導電層
406b 導電層
406c 導電層
406d 導電層
407a 酸化物絶縁層
407c 酸化物絶縁層
409a 保護絶縁層
409b 保護絶縁層
409c 保護絶縁層
427 絶縁層
447 絶縁層
530 酸化物半導体膜
1001 表示部
1002 操作部
1101 表示部
1102 操作ボタン
1103 外部入力端子
1201 筐体
1202 表示部
1203 スピーカ
1204 LEDランプ
1205 ポインティングデバイス
1206 接続端子
1207 キーボード
1301 表示部
1302 表示部
1303 スピーカ
1304 接続端子
1305 LEDランプ
1306 マイクロフォン
1307 記録媒体読込部
1308 操作ボタン
1309 センサ
1401 筐体
1403 筐体
1405 表示部
1407 表示部
1411 軸部
1421 電源ボタン
1423 操作キー
1425 スピーカ
1501 筐体
1502 表示部
1503 スピーカ
1504 LEDランプ
1505 操作ボタン
1506 接続端子
1507 センサ
1508 マイクロフォン
1509 支持台
4001 基板
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4012 トランジスタ
4014 トランジスタ
4015 導電層
4016 導電層
4017 液晶素子
4018 FPC
4019 異方性導電層
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4024 絶縁層
4025 平坦化層
4030 導電層
4031 導電層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4035 絶縁層
Claims (5)
- 駆動回路部及び画素部を具備し、
前記駆動回路部は、
走査信号を出力する第1の駆動回路と、
画像信号を出力する第2の駆動回路と、を備え、
前記画素部は、前記走査信号が入力され、前記走査信号に応じて前記画像信号が入力されることにより表示状態が制御されるn個の画素(nは自然数)を備え、
前記画素部により動画を表示する動画表示モード及び前記画素部により静止画を表示する静止画表示モードを有する表示装置の駆動方法であって、
前記静止画表示モードのとき、前記第1の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力並びに前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を開始することにより、前記n個の画素に前記画像信号が入力され、その後、前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を停止し、入力された前記画像信号に基づく前記画素部の画像を静止画として保持する動作を行い、
前記静止画表示モードのとき、前記動作をN回(Nは自然数)行い、
Nが2以上である場合、K回目(Kは2以上N以下の自然数)における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間の長さを、K−1回目における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間より長くし、
Nが2以上である場合、K回目とK−1回目において、前記n個の画素に前記画像信号が入力される期間の長さは同じであることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 駆動回路部及び画素部を具備し、
前記駆動回路部は、
走査信号を出力する第1の駆動回路と、
画像信号を出力する第2の駆動回路と、を備え、
前記画素部は、前記走査信号が入力され、前記走査信号に応じて前記画像信号が入力されることにより表示状態が制御されるn個の画素(nは自然数)を備え、
前記画素部により動画を表示する動画表示モード及び前記画素部により静止画を表示する静止画表示モードを有する表示装置の駆動方法であって、
前記静止画表示モードのとき、前記第1の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力並びに前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を開始することにより、前記n個の画素には前記画像信号が入力され、その後、前記第1の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力並びに前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を停止し、入力された前記画像信号に基づく前記画素部の画像を静止画として保持する動作を行い、
前記静止画表示モードのとき、前記動作をN回(Nは自然数)行い、
Nが2以上である場合、K回目(Kは2以上N以下の自然数)における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間の長さを、K−1回目における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間より長くし、
Nが2以上である場合、K回目とK−1回目において、前記n個の画素に前記画像信号が入力される期間の長さは同じであることを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 走査信号を出力する第1の駆動回路と、
画像信号を出力する第2の駆動回路と、
画素部と、を有し、
前記画素部は、前記走査信号及び前記画像信号が入力されることにより表示状態が制御されるn個の画素(nは自然数)を有し、
前記画素部により動画を表示する動画表示モードと、前記画素部により静止画を表示する静止画表示モードとを有し、
前記静止画表示モードのとき、前記第1の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力並びに前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を開始することにより、前記n個の画素に前記画像信号が入力され、その後、前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を停止し、入力された前記画像信号に基づく前記画素部の画像を静止画として保持する動作を行い、
前記静止画表示モードのとき、前記動作をN回(Nは自然数)行い、
Nが2以上である場合、K回目(Kは2以上N以下の自然数)における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間の長さを、K−1回目における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間より長くし、
Nが2以上である場合、K回目とK−1回目において、前記n個の画素に前記画像信号が入力される期間の長さは同じであることを特徴とする表示装置。 - 走査信号を出力する第1の駆動回路と、
画像信号を出力する第2の駆動回路と、
画素部と、を有し、
前記画素部は、前記走査信号及び前記画像信号が入力されることにより表示状態が制御されるn個の画素(nは自然数)を有し、
前記画素部により動画を表示する動画表示モードと、前記画素部により静止画を表示する静止画表示モードとを有し、
前記静止画表示モードのとき、前記第1の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力並びに前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を開始することにより、前記n個の画素に前記画像信号が入力され、その後、前記第1の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力並びに前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力を停止し、入力された前記画像信号に基づく前記画素部の画像を静止画として保持する動作を行い、
前記静止画表示モードのとき、前記動作をN回(Nは自然数)行い、
Nが2以上である場合、K回目(Kは2以上N以下の自然数)における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間の長さを、K−1回目における前記第2の駆動回路への駆動用信号及び電源電圧の出力停止期間より長くし、
Nが2以上である場合、K回目とK−1回目において、前記n個の画素に前記画像信号が入力される期間の長さは同じであることを特徴とする表示装置。 - 請求項3または請求項4において、
前記駆動用信号は、スタート信号及びクロック信号であることを特徴とする表示装置。
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KR20130007597A (ko) * | 2010-03-08 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치를 제작하는 방법 |
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CN103368750B (zh) * | 2013-06-24 | 2016-08-10 | 华为技术有限公司 | 一种电源时序电路及供电方法 |
US9626046B2 (en) * | 2013-09-24 | 2017-04-18 | Apple Inc. | Devices and methods for reduction of display to touch crosstalk |
JP2015102596A (ja) * | 2013-11-21 | 2015-06-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 表示デバイスの駆動装置 |
KR102203447B1 (ko) * | 2014-05-27 | 2021-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 및 그 제조방법 |
JP2016066065A (ja) | 2014-09-05 | 2016-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、および電子機器 |
KR20170091139A (ko) | 2014-12-01 | 2017-08-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 상기 표시 장치를 갖는 표시 모듈, 및 상기 표시 장치 또는 상기 표시 모듈을 갖는 전자 기기 |
CN105182589A (zh) * | 2015-10-09 | 2015-12-23 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 触控显示装置及其制作方法 |
KR102470656B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2022-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
KR102657045B1 (ko) * | 2018-07-17 | 2024-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
KR20210080869A (ko) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 주식회사 실리콘웍스 | 드라이버 ic 및 이를 포함하는 표시장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR940008180B1 (ko) | 1990-12-27 | 1994-09-07 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 | 액정 전기 광학 장치 및 그 구동 방법 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
US20020024496A1 (en) | 1998-03-20 | 2002-02-28 | Hajime Akimoto | Image display device |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3883641B2 (ja) | 1997-03-27 | 2007-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP3919766B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4137394B2 (ja) | 2000-10-05 | 2008-08-20 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器 |
CN100507646C (zh) * | 2000-04-28 | 2009-07-01 | 夏普株式会社 | 显示器件、显示器件驱动方法和装有显示器件的电子设备 |
WO2001084226A1 (fr) | 2000-04-28 | 2001-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Unite d'affichage, procede d'excitation pour unite d'affichage, et appareil electronique de montage d'une unite d'affichage |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
JP2008233925A (ja) * | 2000-10-05 | 2008-10-02 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法、それを用いた表示装置、およびその表示装置を搭載した携帯機器 |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US6639246B2 (en) * | 2001-07-27 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4159820B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2008-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US20060082536A1 (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Jun Koyama | Display device and driving method |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
RU2358355C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
BRPI0517568B8 (pt) | 2004-11-10 | 2022-03-03 | Canon Kk | Transistor de efeito de campo |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1998373A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577281B (zh) | 2005-11-15 | 2012-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US8692822B2 (en) * | 2006-07-31 | 2014-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display controller, display device, display system, and method for controlling display device |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
CN101872585B (zh) * | 2007-01-22 | 2013-07-17 | 株式会社日立显示器 | 显示装置 |
JP5395328B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2014-01-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JP2009003437A (ja) | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその作製方法 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR101415561B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
CN101436385B (zh) * | 2007-11-14 | 2010-08-25 | 联咏科技股份有限公司 | 显示器节省电源机构与控制方法 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP2009229961A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示制御装置及び電子機器 |
JP5325446B2 (ja) | 2008-04-16 | 2013-10-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101496148B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-02-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
TWI834207B (zh) * | 2008-07-31 | 2024-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
JP5608347B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2014-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
CN101478005B (zh) * | 2009-02-13 | 2010-06-09 | 北京大学深圳研究生院 | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 |
CN101599437B (zh) * | 2009-07-23 | 2011-07-27 | 复旦大学 | 薄膜晶体管的制备方法 |
-
2011
- 2011-02-01 CN CN201180010880.5A patent/CN102770902B/zh active Active
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