JPS6278874A - 画像読取センサ - Google Patents
画像読取センサInfo
- Publication number
- JPS6278874A JPS6278874A JP60217853A JP21785385A JPS6278874A JP S6278874 A JPS6278874 A JP S6278874A JP 60217853 A JP60217853 A JP 60217853A JP 21785385 A JP21785385 A JP 21785385A JP S6278874 A JPS6278874 A JP S6278874A
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- JP
- Japan
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- film
- light
- photoelectric conversion
- picture elements
- metal electrode
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はファクシミリおよびＯＣＲなどの画像読取装置
に用いられるセンサ、特に画素間（個別電極間）のクロ
ストークを改善するに好適な画像読取センサに関するも
のである。
に用いられるセンサ、特に画素間（個別電極間）のクロ
ストークを改善するに好適な画像読取センサに関するも
のである。
（発明の背景）
従来のこの種センサは、ガラス基板上にＣ「などの金属
膜を個別電極として配置し、該電極上に光電変換層およ
び上部電極すなわち透明導電膜を帯状に配置した構造か
らなり、前記個別電極からの配線の引出し部間および隣
接画素間に光が照射されると、該照射部分にも光電変換
層が存在するため、キャリヤが発生して画素間のクロス
トークを生ずる。この影響は、画素間隔の狭い個別電極
間において特に大である。
膜を個別電極として配置し、該電極上に光電変換層およ
び上部電極すなわち透明導電膜を帯状に配置した構造か
らなり、前記個別電極からの配線の引出し部間および隣
接画素間に光が照射されると、該照射部分にも光電変換
層が存在するため、キャリヤが発生して画素間のクロス
トークを生ずる。この影響は、画素間隔の狭い個別電極
間において特に大である。
上記光電変換層の構成は、文献“アモルファスシリコン
密着イメージセンサ”、東芝レビュー 、 １９８４．
５９巻、１１号および“アモルファスシリコンイメージ
センナ“、エレクトロニクス、Ｓ、５７．１２月号に記
載されているように、個別電極となるクロム（Ｃル）な
どの金属膜を画素として分割し、該金属層上に形成され
る光電変換層、例エバアモルファスシリコン層Ｃ以下、
α、ＳＬ層と称す）および透明導電膜、例えばＬＴＯ層
は帯状に形成され、かつ分割されていない。
密着イメージセンサ”、東芝レビュー 、 １９８４．
５９巻、１１号および“アモルファスシリコンイメージ
センナ“、エレクトロニクス、Ｓ、５７．１２月号に記
載されているように、個別電極となるクロム（Ｃル）な
どの金属膜を画素として分割し、該金属層上に形成され
る光電変換層、例エバアモルファスシリコン層Ｃ以下、
α、ＳＬ層と称す）および透明導電膜、例えばＬＴＯ層
は帯状に形成され、かつ分割されていない。
したがって、上記画素間に光が照射されると、両画素間
にもキャリヤが発生し、両画素間の情報を変化させる、
いわゆるクロストークが発生して解像度を劣化させる。
にもキャリヤが発生し、両画素間の情報を変化させる、
いわゆるクロストークが発生して解像度を劣化させる。
この影響を避けるために％開昭５７−１７２７８０号公
報に記載さ１ているようにａ 、５Ｌ層を分割して配置
する方法がある。ところが、この方法は画素密度が高く
なると、高度の加工精度を必要とするから、歩留りの低
下が問題となる。
報に記載さ１ているようにａ 、５Ｌ層を分割して配置
する方法がある。ところが、この方法は画素密度が高く
なると、高度の加工精度を必要とするから、歩留りの低
下が問題となる。
一方、上記ａ 、Ｓｉｒ層を分割せずに帯状に配置する
場合には、前記透明導電膜上に解像度および読取速度の
低下を防止するために、遮光性の導電膜を配置すること
が前記文献に記載されている。このような手段は、個別
電極からの引出しリード線間の影響により、解像度が低
下するのを防止するだけであって、狭い隣接画素間のク
ロストークにおける解像度の低下についてはなんら考慮
されていないばかりでなく、引出しリード線間のクロス
トークについても改善が不十分であるから問題である。
場合には、前記透明導電膜上に解像度および読取速度の
低下を防止するために、遮光性の導電膜を配置すること
が前記文献に記載されている。このような手段は、個別
電極からの引出しリード線間の影響により、解像度が低
下するのを防止するだけであって、狭い隣接画素間のク
ロストークにおける解像度の低下についてはなんら考慮
されていないばかりでなく、引出しリード線間のクロス
トークについても改善が不十分であるから問題である。
（発明の目的）
本発明は上記のような従来技術の問題点を解消し、画素
間のクロストークを改善した解倫度ノ高い画像読取セン
サを提供することを目的とするものである。
間のクロストークを改善した解倫度ノ高い画像読取セン
サを提供することを目的とするものである。
（発明の概要）
本発明は上記目的を達成するために、基板上に個別電極
用の金属電極膜、光電変換層および透明導電膜を帯状に
順次に設けてなる画像読取センサにおいて、前記帯状に
配置された透明導電膜上に、前記金属電極膜間な覆い、
かつ任意数の開口部を有する遮光膜を設けたことを特徴
とする。
用の金属電極膜、光電変換層および透明導電膜を帯状に
順次に設けてなる画像読取センサにおいて、前記帯状に
配置された透明導電膜上に、前記金属電極膜間な覆い、
かつ任意数の開口部を有する遮光膜を設けたことを特徴
とする。
（発明の実施例）
以下、本発明の一実施例を図面について説明する。
第１図は本発明の対象となる画像読取センサの一部をモ
デル的に示したものである。同図において、光電変換素
子、例えばホトダイオード８はライン状に一定の密度で
配置されると共にリート線９を介して該各党電変換素子
８の情報を読取る駆動回路ＣＩＣ）６に接続されている
。該各党電変換素子８は一定のバイパスを与えるために
、共通電適７に接続されている。
デル的に示したものである。同図において、光電変換素
子、例えばホトダイオード８はライン状に一定の密度で
配置されると共にリート線９を介して該各党電変換素子
８の情報を読取る駆動回路ＣＩＣ）６に接続されている
。該各党電変換素子８は一定のバイパスを与えるために
、共通電適７に接続されている。
第２図は上述した第１図の回路を、光電変換素子として
ａ、５Ｌを用いて実現する層構成を示した本実施例の平
面図であり、第３図は第２図のＡ−Ａ断面図である。
ａ、５Ｌを用いて実現する層構成を示した本実施例の平
面図であり、第３図は第２図のＡ−Ａ断面図である。
第第２図および第３図において、１はガラス基板、２は
ガラス基板１上に形成された光電変換素子の個別電極と
なるＯｒなどの金属電極膜で、該金属電極膜２は画素を
規定する寸法で配置され、同時に読取回路に接続するた
めのリード部が形成されている。
ガラス基板１上に形成された光電変換素子の個別電極と
なるＯｒなどの金属電極膜で、該金属電極膜２は画素を
規定する寸法で配置され、同時に読取回路に接続するた
めのリード部が形成されている。
また、前記共通電極７を低い抵抗配線層とするために、
予め共通電極膜２′がガラス基板１上に配置されている
。ついで、光電変換層である４、５１層３が金属電極膜
２上に形成された後、上部電極となるＬＴＯなどによる
透明導電膜４が、光電変換層３および共通電極膜２′上
に形成される。該透明導電膜４上には、画素間（透明導
電膜２．２間）を覆いかつ任意数の開口部５ａを有する
遮光膜５が形成され、該遮光膜５は（、ｌｒなどの金属
からなり、画素間および個別電極の引出しリード間に光
が照射さｎても、光電変声層５の一部が遮光されるよう
に構成さｔている。
予め共通電極膜２′がガラス基板１上に配置されている
。ついで、光電変換層である４、５１層３が金属電極膜
２上に形成された後、上部電極となるＬＴＯなどによる
透明導電膜４が、光電変換層３および共通電極膜２′上
に形成される。該透明導電膜４上には、画素間（透明導
電膜２．２間）を覆いかつ任意数の開口部５ａを有する
遮光膜５が形成され、該遮光膜５は（、ｌｒなどの金属
からなり、画素間および個別電極の引出しリード間に光
が照射さｎても、光電変声層５の一部が遮光されるよう
に構成さｔている。
さらに、上記遮光膜５を個別電極用金属電極膜２．２間
に配設してもｔｗ＋様な効果をうろことができる。
に配設してもｔｗ＋様な効果をうろことができる。
次に上記のような構成からなる本実施の特性を第４図に
ついて説明する。
ついて説明する。
第４図における曲線Ａは、Ｃ「の電極２をある距離、す
なわちギャップ間隔だけ離して配置し、該雷、極２上１
ｃ ａ−５Ｌ１ｉ３を帯状に配置した状態において、該
ａ、５Ｌ層３上から光を照射し、Ｃｒ１ｉ極間に流れる
電流値を、該電極２のギャップ間隔を劣化して得られた
値を相対値として示した特性である。
なわちギャップ間隔だけ離して配置し、該雷、極２上１
ｃ ａ−５Ｌ１ｉ３を帯状に配置した状態において、該
ａ、５Ｌ層３上から光を照射し、Ｃｒ１ｉ極間に流れる
電流値を、該電極２のギャップ間隔を劣化して得られた
値を相対値として示した特性である。
曲線Ｂは、前記遮光膜５配置して電極２．２間を遮光し
た場合の特性であり、また直線Ｃは、本来正規の画素を
形成した場合に得られる光重流のレベルを表わしたもの
である。
た場合の特性であり、また直線Ｃは、本来正規の画素を
形成した場合に得られる光重流のレベルを表わしたもの
である。
すなわち、曲線Ａは、両電極間に光が当ると両電極間に
光１流が発生し、この状態では電極間の距離を広くして
も減少せず、クロストークとして影響のあることを示し
ており、その値も非常に太きいと見られる。また電極の
ギャップ間隔が狭小（５０μ以下）になると、電極間を
流れる電流は急に増加する。
光１流が発生し、この状態では電極間の距離を広くして
も減少せず、クロストークとして影響のあることを示し
ており、その値も非常に太きいと見られる。また電極の
ギャップ間隔が狭小（５０μ以下）になると、電極間を
流れる電流は急に増加する。
これらは、実際に第２図および第３図に示すようなパタ
ーンのセンサを構成した場合、画素間の広いところが個
別電極の引出しリード部に相当し、画素間の狭いところ
が、実際に画素を構成する場合の画素間に相当すると考
えられる。
ーンのセンサを構成した場合、画素間の広いところが個
別電極の引出しリード部に相当し、画素間の狭いところ
が、実際に画素を構成する場合の画素間に相当すると考
えられる。
特に後者は８画素／ｍｍの画素密度のセンサでは一般に
３０μｍ程度となり、大きな影響を与えると見られろ。
３０μｍ程度となり、大きな影響を与えると見られろ。
また、曲線Ｂは、本来の画素間に光が当らない時の電流
値（暗電流）に殆んど等しく、クロストークが大幅に改
善されていることを示す。
値（暗電流）に殆んど等しく、クロストークが大幅に改
善されていることを示す。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、透明導電膜上に
画素間を覆い、かつ任意数の開口部を有する遮光膜を設
けることにより、画素間のクロストークを改善し、解像
度を向上させることができる。
画素間を覆い、かつ任意数の開口部を有する遮光膜を設
けることにより、画素間のクロストークを改善し、解像
度を向上させることができる。
第１図は本発明の対象となる画像読取センサの一部をモ
デル的に示した図、第２図は本発明の画像読取センサの
一実施例を示す断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面図
、第４図は本実施例の特性を示す説明図である、 １・・・・・・基板、 ２・・−・・金属型
極膜、６・・・・・・光電変換層、 ４・・−・・
透明導電膜、５・・・・・・遮光膜、 ５４・
・・・・・開口部。 代理人弁理士 小 川 勝 男−１ 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第４図
デル的に示した図、第２図は本発明の画像読取センサの
一実施例を示す断面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面図
、第４図は本実施例の特性を示す説明図である、 １・・・・・・基板、 ２・・−・・金属型
極膜、６・・・・・・光電変換層、 ４・・−・・
透明導電膜、５・・・・・・遮光膜、 ５４・
・・・・・開口部。 代理人弁理士 小 川 勝 男−１ 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に個別電極用金属電極膜、光電変換層および
透明導電膜を帯状に順次設けてなる画像読取センサにお
いて、該透明導電膜上に前記金属電極膜間を覆い、かつ
任意数の開口部を有する遮光膜を設けたことを特徴とす
る画像読取センサ。 ２、上記遮光膜を個別電極用金属電極膜間に配設したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像読取セ
ンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217853A JPS6278874A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 画像読取センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217853A JPS6278874A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 画像読取センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278874A true JPS6278874A (ja) | 1987-04-11 |
Family
ID=16710790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217853A Pending JPS6278874A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 画像読取センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278874A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257335A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 受光素子アレイ |
| WO2019013018A1 (ja) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | パイオニア株式会社 | 電磁波検出装置 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60217853A patent/JPS6278874A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257335A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 受光素子アレイ |
| WO2019013018A1 (ja) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | パイオニア株式会社 | 電磁波検出装置 |
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