JPS6245061A - 画像読取センサ基板 - Google Patents
画像読取センサ基板Info
- Publication number
- JPS6245061A JPS6245061A JP60182952A JP18295285A JPS6245061A JP S6245061 A JPS6245061 A JP S6245061A JP 60182952 A JP60182952 A JP 60182952A JP 18295285 A JP18295285 A JP 18295285A JP S6245061 A JPS6245061 A JP S6245061A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reading sensor
- drive
- photoelectric conversion
- wiring
- image reading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ファクシミリやＯＣＲなどに用いられ、画像
や文字、記号などを電気信号に変換するだめの画像読取
センサ基板に係り、特にセンサ出力特性が均一化される
ように構成された画像読取センサ用半導体集積回路に関
するものである。
や文字、記号などを電気信号に変換するだめの画像読取
センサ基板に係り、特にセンサ出力特性が均一化される
ように構成された画像読取センサ用半導体集積回路に関
するものである。
これまでの画像読取センサには同一基板上に駆動回路と
してのＩＣチップが搭載されたものが知られている。特
に、センサ用光電変換素子としてアモルファスシリコン
（以下ａ−８ｉと称す）をライン状に配置し、このａ−
８ｉでの画像情報による蓄積電荷を直接電圧値として読
み取る電圧読取方式の画像読取センサにおいては、光電
変換素子と駆動ＩＣ間での配線長によるクロストークと
その配線長の差による出力信号バラツキが問題となって
いる。
してのＩＣチップが搭載されたものが知られている。特
に、センサ用光電変換素子としてアモルファスシリコン
（以下ａ−８ｉと称す）をライン状に配置し、このａ−
８ｉでの画像情報による蓄積電荷を直接電圧値として読
み取る電圧読取方式の画像読取センサにおいては、光電
変換素子と駆動ＩＣ間での配線長によるクロストークと
その配線長の差による出力信号バラツキが問題となって
いる。
ここで、これまでの前記画像読取センサの実装の一例に
ついて第２図により説明すれば以下のようである。
ついて第２図により説明すれば以下のようである。
即ち、これまでのものはガラス基板１上には光電変換素
子であるａ−８１２が一定ピッチでライン状に配列され
るが、このａ−８１２群に沿っては所定に駆動用ＩＣ３
’が配置され１両者は股プロセスで形成された配線層４
、ワイヤボンディング５により接続されるようになって
いる。図示の如く駆動ＩＣ３’の入力端子３１はそのＩ
Ｃの３辺に沿って設けられており、これがためにａ−８
ｉ２対応の配線層４の長さを一定にし得ないというもの
である。ａ−８ｉ２対応の配線層４はその長さが一定で
、しかも短いことが望ましいわけである。
子であるａ−８１２が一定ピッチでライン状に配列され
るが、このａ−８１２群に沿っては所定に駆動用ＩＣ３
’が配置され１両者は股プロセスで形成された配線層４
、ワイヤボンディング５により接続されるようになって
いる。図示の如く駆動ＩＣ３’の入力端子３１はそのＩ
Ｃの３辺に沿って設けられており、これがためにａ−８
ｉ２対応の配線層４の長さを一定にし得ないというもの
である。ａ−８ｉ２対応の配線層４はその長さが一定で
、しかも短いことが望ましいわけである。
ところで、第３図は複数の画素より１画素分を取出しそ
の電気的等価回路を示したものである。
の電気的等価回路を示したものである。
図示の如＜ａ−８ｉ２各々は電圧Ｅでバイアスされ。
その他端は駆動ＩＣ３’の入力端子３１に接続されるよ
うになっている。この状態で駆動ＩＣ３’内でリセット
スイッチＳＲｉを一時的に閉じてａ・Ｓｉ２の等価容量
ＣａおよびＩＣの入力端子容量Ｃｉｎをバイアス電圧Ｅ
により充電した後、この電荷を光情報ｈνによって光電
流ｉｐｈとして放出せしめることで情報を蓄積するもの
である。この情報は駆動ＩＣ３’の等値入力容量Ｃｉｎ
に保持され、画素対応の情報は一定のタイミングで順次
画素対応の走査スイッチＳＳｉを閉じることによって、
電圧バッファーＡ Ｍ Ｐ ｉを通して出力端子ＯＵＴ
に読取信号電圧Ｖ ’ＯＵ Ｔとして取り出されるもの
である。なお、リセットスイッチＳＲｉはａ−８ｉが次
の情報を正確に蓄積すべく容量Ｃａ、Ｃｉｎでの充電状
態を初期状態におくためのものである。また、電圧バッ
ファーＡ Ｍ Ｐ ｉの負電源電圧−ＶＥＥはバイアス
電圧Ｅと同一となっている。
うになっている。この状態で駆動ＩＣ３’内でリセット
スイッチＳＲｉを一時的に閉じてａ・Ｓｉ２の等価容量
ＣａおよびＩＣの入力端子容量Ｃｉｎをバイアス電圧Ｅ
により充電した後、この電荷を光情報ｈνによって光電
流ｉｐｈとして放出せしめることで情報を蓄積するもの
である。この情報は駆動ＩＣ３’の等値入力容量Ｃｉｎ
に保持され、画素対応の情報は一定のタイミングで順次
画素対応の走査スイッチＳＳｉを閉じることによって、
電圧バッファーＡ Ｍ Ｐ ｉを通して出力端子ＯＵＴ
に読取信号電圧Ｖ ’ＯＵ Ｔとして取り出されるもの
である。なお、リセットスイッチＳＲｉはａ−８ｉが次
の情報を正確に蓄積すべく容量Ｃａ、Ｃｉｎでの充電状
態を初期状態におくためのものである。また、電圧バッ
ファーＡ Ｍ Ｐ ｉの負電源電圧−ＶＥＥはバイアス
電圧Ｅと同一となっている。
さて、読取信号電圧Ｖ ＯＵＴは光情報が一定時間でＳ
与えられると、およそ式（１）で与えられるようになっ
ている。
与えられると、およそ式（１）で与えられるようになっ
ている。
ＶＯＵＴ＝ ”” ” ” ・−・・（１）Ｃａ＋
Ｃｉｎ しかし、実際には各画素間での配線間に線間容量として
容量値ｃＬが存在することから、このような場合での読
取信号電圧ＶＯＵＴはおよそ式（２）で与えられる。
Ｃｉｎ しかし、実際には各画素間での配線間に線間容量として
容量値ｃＬが存在することから、このような場合での読
取信号電圧ＶＯＵＴはおよそ式（２）で与えられる。
ＶＯＵＴ” ”’″１ ・・・・・・（２
）Ｃａ＋Ｃｉｎ＋ｃＬ 即ち、光電変換素子と駆動ＩＣを結ぶ配線間に容量が存
在する場合は出力値が変化するものであり、実際大きな
影響を与える。よって、第２図に示すような実装では配
線長が異なっていることから、各画素の出力値が一定の
光情報の下でも変動するという不具合を生じることにな
る。
）Ｃａ＋Ｃｉｎ＋ｃＬ 即ち、光電変換素子と駆動ＩＣを結ぶ配線間に容量が存
在する場合は出力値が変化するものであり、実際大きな
影響を与える。よって、第２図に示すような実装では配
線長が異なっていることから、各画素の出力値が一定の
光情報の下でも変動するという不具合を生じることにな
る。
更にこの種のセンサにおいては読取信号に重畳される雑
音が問題となっている。特にａ−８ｉ２をバイアス電圧
Ｅで共通にバイアスするための配線Ｎ６はａ−８１２群
に沿ってライン状に読取寸法全長に沿って存在すること
から、雑音が誘遵を受は易い。このため配線Ｍ６は可能
な限り低インピーダンスで基板外に引き出されたうえバ
イアス電圧Ｅでバイアスされることが望ましい。
音が問題となっている。特にａ−８ｉ２をバイアス電圧
Ｅで共通にバイアスするための配線Ｎ６はａ−８１２群
に沿ってライン状に読取寸法全長に沿って存在すること
から、雑音が誘遵を受は易い。このため配線Ｍ６は可能
な限り低インピーダンスで基板外に引き出されたうえバ
イアス電圧Ｅでバイアスされることが望ましい。
第２図において駆動ＩＣ３’間に配線層６が存在するよ
うにして配線層６が複数基板外に引き出されているのは
その理由によるものである。しかしながら、第２図に示
すようにして単に引き出す場合には他の信号配線層とク
ロスすることになり好ましくない。ａ−８ｉ基板内での
クロスを減少させることは、歩留まりの向上やプロセス
の簡素化につながるからである。なお、この種センサに
っいての公知文献としては「アモルファスシリコンイメ
ージセンサ」 （東芝レビュー３９巻第１１号（昭和５
９年））に挙げら九る。
うにして配線層６が複数基板外に引き出されているのは
その理由によるものである。しかしながら、第２図に示
すようにして単に引き出す場合には他の信号配線層とク
ロスすることになり好ましくない。ａ−８ｉ基板内での
クロスを減少させることは、歩留まりの向上やプロセス
の簡素化につながるからである。なお、この種センサに
っいての公知文献としては「アモルファスシリコンイメ
ージセンサ」 （東芝レビュー３９巻第１１号（昭和５
９年））に挙げら九る。
本発明の目的は、クロストーク量を最小にして均一なセ
ンサ出力が得られる画像読取センサ用半導体集積回路を
供するにある。
ンサ出力が得られる画像読取センサ用半導体集積回路を
供するにある。
この目的のため本発明は、ａ−５ｉと接続される入力端
子が一辺に沿って設けられた駆動ＩＣにより接続配線長
均一にして、且つ可及的に短くした状態でのａ−８ｉ近
傍にして実装するようにしたものである。また、クロス
する多層配線部と雑音を低減すべくａ−８ｉの共通配線
を集積回路内に導きその回路内部を介し基板外部に引き
出されるように端子を配置したものである。
子が一辺に沿って設けられた駆動ＩＣにより接続配線長
均一にして、且つ可及的に短くした状態でのａ−８ｉ近
傍にして実装するようにしたものである。また、クロス
する多層配線部と雑音を低減すべくａ−８ｉの共通配線
を集積回路内に導きその回路内部を介し基板外部に引き
出されるように端子を配置したものである。
以下１本発明を第１図により説明する。
第１図は本発明による画像読取センサの構成例を示した
ものである。図示の如く駆動ＩＣ３の入刃端子３１は駆
動ＩＣ３の１辺にのみ列状に設けられていることにより
駆動ＩＣ３はａ−５ｉ２とは配線長均一にして、しかも
その配線長が可及的に短くなるべくａ−８１２に沿って
実装されたものとなっている。これによりクロストーク
の低減とセンサ出力の均一化が図れるものである。また
、ａ・Ｓｉ２群を共通に接続している配線層６からの共
通電極端子３２は駆動ＩＣ３の入力端子３１群とほぼ同
一の辺に配置され更に対向する辺の側に駆動■Ｃ３内部
を介し引出端子３２′に結線されたうえ外部に引き出さ
れるようになっている。ところで、本例では駆動ＩＣ３
の入力端子３１群は一列とされているが、入力端子３１
の配置密度は一般にはａ・Ｓｉ２群の画素密度より低い
ことから、駆動ＩＣ３の一辺に千鳥配置することなどが
必要である。
ものである。図示の如く駆動ＩＣ３の入刃端子３１は駆
動ＩＣ３の１辺にのみ列状に設けられていることにより
駆動ＩＣ３はａ−５ｉ２とは配線長均一にして、しかも
その配線長が可及的に短くなるべくａ−８１２に沿って
実装されたものとなっている。これによりクロストーク
の低減とセンサ出力の均一化が図れるものである。また
、ａ・Ｓｉ２群を共通に接続している配線層６からの共
通電極端子３２は駆動ＩＣ３の入力端子３１群とほぼ同
一の辺に配置され更に対向する辺の側に駆動■Ｃ３内部
を介し引出端子３２′に結線されたうえ外部に引き出さ
れるようになっている。ところで、本例では駆動ＩＣ３
の入力端子３１群は一列とされているが、入力端子３１
の配置密度は一般にはａ・Ｓｉ２群の画素密度より低い
ことから、駆動ＩＣ３の一辺に千鳥配置することなどが
必要である。
また、共通電極端子３２に対向して設けられている引出
端子３２′は、例えば駆動工Ｃ３をカスケード接続して
駆動するシフト信号などの入出力信号端子３３．３３’
には図示の如く関係で配置されることにより特性や実装
上での効果が大きくなる。これは全てのａ−３ｉ２に共
通に接続されている配線層６がシフト信号などの配線層
とクロスしなくなることから、プロセスの簡素化がはか
られるからである。また、配線層６とこれに同電位の駆
動ＩＣ３内配線層３４とを極近傍で接続していることか
ら。
端子３２′は、例えば駆動工Ｃ３をカスケード接続して
駆動するシフト信号などの入出力信号端子３３．３３’
には図示の如く関係で配置されることにより特性や実装
上での効果が大きくなる。これは全てのａ−３ｉ２に共
通に接続されている配線層６がシフト信号などの配線層
とクロスしなくなることから、プロセスの簡素化がはか
られるからである。また、配線層６とこれに同電位の駆
動ＩＣ３内配線層３４とを極近傍で接続していることか
ら。
両配線層に生じた雑音とともに出力信号が現われ雑音成
分の除去が容易となる結果、耐雑音特性を有することに
なるからである。
分の除去が容易となる結果、耐雑音特性を有することに
なるからである。
以上、詳細に説明したように本発明による場合は、光電
変換素子と駆動ＩＣを結線する配線長が均一化され、し
かも配線の絶対寸法が短くなり配線間容量値が小さくな
ることから、クロストーク小にしてセンサ出力信号電圧
が大きく得られるという効果がある。
変換素子と駆動ＩＣを結線する配線長が均一化され、し
かも配線の絶対寸法が短くなり配線間容量値が小さくな
ることから、クロストーク小にしてセンサ出力信号電圧
が大きく得られるという効果がある。
第１図は、本発明による画像読取センサの一例での構成
を示す図、第２図、第３図は、これまでの画像読取セン
サの構成とその電気的等価回路を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・ａ−８ｉ（光電変換素子
）３・・・駆動ＩＣ１３１・・・入力端子、３２・・・
共通端子、３２′・・・引出端子、４，６・・・配線層
。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第３図
を示す図、第２図、第３図は、これまでの画像読取セン
サの構成とその電気的等価回路を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・ａ−８ｉ（光電変換素子
）３・・・駆動ＩＣ１３１・・・入力端子、３２・・・
共通端子、３２′・・・引出端子、４，６・・・配線層
。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に配置された光電変換素子群と、該素子近傍
に実装された、アナログマルチプレクサ機能を有する駆
動ＩＣとを用いてなる画像読取センサにおいて、光電変
換素子に接続される上記駆動ＩＣ入力端子が一辺に沿っ
て設けられ、接続配線の長さ均一にして、且つ可及的に
短くした状態で光電変換素子近傍に実装してなる構成を
特徴とする画像読取センサ用半導体集積回路。 ２、光電変換素子各々の共通に接続された他端の共通電
極を入力端子群の近傍で接続し、且つ対向する辺に設け
られた端子に内部で接続されている画像読取センサ用半
導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182952A JPS6245061A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 画像読取センサ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182952A JPS6245061A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 画像読取センサ基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245061A true JPS6245061A (ja) | 1987-02-27 |
| JPH0588552B2 JPH0588552B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=16127217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182952A Granted JPS6245061A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 画像読取センサ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6245061A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157072A (en) * | 1991-04-27 | 2000-12-05 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Image sensor |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6641591B1 (en) | 1999-08-26 | 2003-11-04 | John H. Shadduck | Instruments and techniques for controlled removal of epidermal layers |
| US8048089B2 (en) | 2005-12-30 | 2011-11-01 | Edge Systems Corporation | Apparatus and methods for treating the skin |
| US8343116B2 (en) | 2008-01-04 | 2013-01-01 | Edge Systems Corporation | Apparatus and method for treating the skin |
| US9566088B2 (en) | 2006-03-29 | 2017-02-14 | Edge Systems Llc | Devices, systems and methods for treating the skin |
| US9056193B2 (en) | 2008-01-29 | 2015-06-16 | Edge Systems Llc | Apparatus and method for treating the skin |
| EP3237055B1 (en) | 2014-12-23 | 2020-08-12 | Edge Systems LLC | Devices and methods for treating the skin using a rollerball or a wicking member |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168379A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Toshiba Corp | 画像読取り装置 |
| JPS5963869A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-11 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS59143465A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60182952A patent/JPS6245061A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58168379A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Toshiba Corp | 画像読取り装置 |
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| JPS59143465A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
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| US6157072A (en) * | 1991-04-27 | 2000-12-05 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Image sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0588552B2 (ja) | 1993-12-22 |
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