JP2558403Y2 - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JP2558403Y2 JP2558403Y2 JP1996006156U JP615696U JP2558403Y2 JP 2558403 Y2 JP2558403 Y2 JP 2558403Y2 JP 1996006156 U JP1996006156 U JP 1996006156U JP 615696 U JP615696 U JP 615696U JP 2558403 Y2 JP2558403 Y2 JP 2558403Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing circuit
- chip
- radiation
- radiation detector
- substrate
- Prior art date
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【０００１】
【考案の属する技術分野】本考案は、例えばＸ線撮影装
置等、二次元放射線画像を得るための装置に利用するこ
とのできる、放射線検出器に関する。
置等、二次元放射線画像を得るための装置に利用するこ
とのできる、放射線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、上述の放射線検出器において
は、複数個の放射線検出素子、およびその各検出素子か
らの信号を処理するための信号処理回路を、例えば基板
等にどのように実装するかが一つの課題となっている。
は、複数個の放射線検出素子、およびその各検出素子か
らの信号を処理するための信号処理回路を、例えば基板
等にどのように実装するかが一つの課題となっている。
【０００３】従来、その実装は、例えば図４に示すよう
に、複数個の放射線検出素子、およびその検出素子の個
数に応じた信号処理回路を、それぞれ一枚のチップ内に
設けて検出素子チップＤ4 および処理回路チップＣ4 を
形成し、この検出素子チップＤ4 および処理回路チップ
Ｃ4 を、基板４１の一面上に搭載するとともに、基板４
１の表面上に形成された配線パターンによって検出素子
チップＤ4 の各検出素子と処理回路チップＣ4 の信号処
理回路とを接続する方法が採られている。そして、この
ように構成された放射線検出器Ｂ4 を、図５に示すよう
に、順次積層することによって、大面積を有する二次元
放射線検出器アレイを形成していた。
に、複数個の放射線検出素子、およびその検出素子の個
数に応じた信号処理回路を、それぞれ一枚のチップ内に
設けて検出素子チップＤ4 および処理回路チップＣ4 を
形成し、この検出素子チップＤ4 および処理回路チップ
Ｃ4 を、基板４１の一面上に搭載するとともに、基板４
１の表面上に形成された配線パターンによって検出素子
チップＤ4 の各検出素子と処理回路チップＣ4 の信号処
理回路とを接続する方法が採られている。そして、この
ように構成された放射線検出器Ｂ4 を、図５に示すよう
に、順次積層することによって、大面積を有する二次元
放射線検出器アレイを形成していた。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】ところで、上述の実装
方法によれば、一枚の検出素子チップＤ4 に形成する放
射線検出素子の個数が多くなるにつれ、基板４１の配線
パターンの密集度が高くなり、各放射線検出素子および
各信号処理回路を、それぞれ該当する配線パターンに接
続することが困難になるばかりでなく、処理回路チップ
Ｃ4 内の信号処理回路の集積度も高くなり、処理回路チ
ップＣ4 の製造も困難になるとともに、処理回路チップ
Ｃ4 内の各信号処理回路の信頼性も低下する等の理由か
ら、一枚の検出素子チップＤ4 にあまり多くの放射線検
出素子を設けることができないという問題があった。
方法によれば、一枚の検出素子チップＤ4 に形成する放
射線検出素子の個数が多くなるにつれ、基板４１の配線
パターンの密集度が高くなり、各放射線検出素子および
各信号処理回路を、それぞれ該当する配線パターンに接
続することが困難になるばかりでなく、処理回路チップ
Ｃ4 内の信号処理回路の集積度も高くなり、処理回路チ
ップＣ4 の製造も困難になるとともに、処理回路チップ
Ｃ4 内の各信号処理回路の信頼性も低下する等の理由か
ら、一枚の検出素子チップＤ4 にあまり多くの放射線検
出素子を設けることができないという問題があった。
【０００５】本考案の目的は、基板上の配線パターンの
密集度および処理回路チップ内の信号処理回路の集積度
を高くすることなく、検出素子チップに配列する放射線
検出素子の個数の増加を図ることのできる、放射線検出
器を提供することにある。
密集度および処理回路チップ内の信号処理回路の集積度
を高くすることなく、検出素子チップに配列する放射線
検出素子の個数の増加を図ることのできる、放射線検出
器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの構成を、実施例に対応する図１を参照しつつ説明す
ると、本考案は、基板３１上に放射線検出素子が複数個
配列された一枚の検出素子チップＤ1 を配設するととも
に、複数個の信号処理回路が形成された少なくとも二枚
の処理回路チップＣ11およびＣ12を基板３１の両面に配
設する。そして、検出素子チップＤ1 の各放射線検出素
子からの複数の配線を、所定本数ごとに各処理回路チッ
プＣ11、Ｃ12に振り分けて、それぞれの処理回路チップ
Ｃ11、Ｃ12の信号処理回路に接続する。
めの構成を、実施例に対応する図１を参照しつつ説明す
ると、本考案は、基板３１上に放射線検出素子が複数個
配列された一枚の検出素子チップＤ1 を配設するととも
に、複数個の信号処理回路が形成された少なくとも二枚
の処理回路チップＣ11およびＣ12を基板３１の両面に配
設する。そして、検出素子チップＤ1 の各放射線検出素
子からの複数の配線を、所定本数ごとに各処理回路チッ
プＣ11、Ｃ12に振り分けて、それぞれの処理回路チップ
Ｃ11、Ｃ12の信号処理回路に接続する。
【０００７】本考案の放射線検出器は上述のように構成
され、一枚の検出素子チップＤ1 に対して例えば二枚の
処理回路チップＣ11およびＣ12を基板の両面に設けるこ
とにより、各処理回路チップＣ11、Ｃ12内の信号処理回
路の集積度を、一枚の処理回路チップを設けた場合に対
して低くすることが可能になるとともに、検出素子チッ
プＤ1 の各放射線検出素子からの複数の配線を二方向に
分散することができ、その配線の密集度を緩和すること
も可能になる。また、処理回路チップＣ11が放射線の放
射線の影響を受ける虞れもない。
され、一枚の検出素子チップＤ1 に対して例えば二枚の
処理回路チップＣ11およびＣ12を基板の両面に設けるこ
とにより、各処理回路チップＣ11、Ｃ12内の信号処理回
路の集積度を、一枚の処理回路チップを設けた場合に対
して低くすることが可能になるとともに、検出素子チッ
プＤ1 の各放射線検出素子からの複数の配線を二方向に
分散することができ、その配線の密集度を緩和すること
も可能になる。また、処理回路チップＣ11が放射線の放
射線の影響を受ける虞れもない。
【０００８】
【考案の実施の形態】図２は本考案の放射線検出器の前
提となる放射線検出器の側面図であり、基板１上に、複
数個の放射線検出素子（図示せず）が配列された検出素
子チップＤ1が配設されており、検出素子チップＤ1 の
側方両側近傍の基板１上には、それぞれ処理回路チップ
Ｃ11およびＣ12が配設されている。
提となる放射線検出器の側面図であり、基板１上に、複
数個の放射線検出素子（図示せず）が配列された検出素
子チップＤ1が配設されており、検出素子チップＤ1 の
側方両側近傍の基板１上には、それぞれ処理回路チップ
Ｃ11およびＣ12が配設されている。
【０００９】各処理回路チップＣ11、Ｃ12内には、それ
ぞれ検出素子チップＤ1 の放射線検出素子の半数に相当
する個数の信号処理回路（図示せず）が一列に互いに隣
接して形成されている。
ぞれ検出素子チップＤ1 の放射線検出素子の半数に相当
する個数の信号処理回路（図示せず）が一列に互いに隣
接して形成されている。
【００１０】検出素子チップＤ1 の複数個の放射線検出
素子のうち半数は、処理回路チップＣ11内の該当する信
号処理回路に、また、他の半数は処理回路チップＣ12内
の該当する信号処理回路に、それぞれ基板１表面上に形
成された配線パターンおよび接続ワイヤ（共に図示せ
ず）等によって電気的に接続されており、検出素子チッ
プＤ1 の各放射線検出素子からの信号は、図中二点鎖で
示すように、処理回路チップＣ11またはＣ12内の信号処
理回路を経て出力される。
素子のうち半数は、処理回路チップＣ11内の該当する信
号処理回路に、また、他の半数は処理回路チップＣ12内
の該当する信号処理回路に、それぞれ基板１表面上に形
成された配線パターンおよび接続ワイヤ（共に図示せ
ず）等によって電気的に接続されており、検出素子チッ
プＤ1 の各放射線検出素子からの信号は、図中二点鎖で
示すように、処理回路チップＣ11またはＣ12内の信号処
理回路を経て出力される。
【００１１】以上のように構成された放射線検出器Ｂ1
複数個を順次積層して、図３に示すような大面積を有す
る二次元放射線検出器アレイを形成することができる。
なお、各検出素子チップＤ1 は、それそれ処理回路チッ
プＣ11および基板１によって覆われているが、Ｘ線等の
放射線は処理回路チップＣ11および基板１上を通過して
検出素子チップＤ1 に入射する。
複数個を順次積層して、図３に示すような大面積を有す
る二次元放射線検出器アレイを形成することができる。
なお、各検出素子チップＤ1 は、それそれ処理回路チッ
プＣ11および基板１によって覆われているが、Ｘ線等の
放射線は処理回路チップＣ11および基板１上を通過して
検出素子チップＤ1 に入射する。
【００１２】この放射線検出器においては、一つの検出
素子チップＤ1 に対して二枚の処理回路チップＣ11およ
びＣ12を設けたので、例えば従来と同じ面積を有する検
出素子チップＤ1 に、従来と同じ個数の放射線検出素子
を形成した場合には、各処理回路チップＣ11、Ｃ12それ
ぞれの信号処理回路の集積度を、従来のように、一枚の
検出素子チップに一枚の処理回路チップを設けた場合に
対し、半分にすることが可能になり、各処理回路チップ
Ｃ11、Ｃ12内の信号処理回路の信頼性の向上を図ること
ができるとともに、基板１上の配線パターンのピッチも
従来に比して広くすることができる。また、検出素子チ
ップＤ1 の放射線検出素子の個数を例えば従来の２倍に
した場合でも、各処理回路チップＣ11、Ｃ12の信号処理
回路の集積度および配線パターンの密集度を従来と同じ
程度に止留めることができる。
素子チップＤ1 に対して二枚の処理回路チップＣ11およ
びＣ12を設けたので、例えば従来と同じ面積を有する検
出素子チップＤ1 に、従来と同じ個数の放射線検出素子
を形成した場合には、各処理回路チップＣ11、Ｃ12それ
ぞれの信号処理回路の集積度を、従来のように、一枚の
検出素子チップに一枚の処理回路チップを設けた場合に
対し、半分にすることが可能になり、各処理回路チップ
Ｃ11、Ｃ12内の信号処理回路の信頼性の向上を図ること
ができるとともに、基板１上の配線パターンのピッチも
従来に比して広くすることができる。また、検出素子チ
ップＤ1 の放射線検出素子の個数を例えば従来の２倍に
した場合でも、各処理回路チップＣ11、Ｃ12の信号処理
回路の集積度および配線パターンの密集度を従来と同じ
程度に止留めることができる。
【００１３】しかしながら、図２の放射線検出器では、
図３に示すような放射線検出器アレイを形成した際に、
Ｘ線等の放射線が処理回路チップＣ11を通過するので、
処理回路チップＣ11が放射線による悪影響を受ける虞れ
があった。
図３に示すような放射線検出器アレイを形成した際に、
Ｘ線等の放射線が処理回路チップＣ11を通過するので、
処理回路チップＣ11が放射線による悪影響を受ける虞れ
があった。
【００１４】図１は本考案の放射線検出器の一実施例を
示す図であり、二枚の処理回路チップＣ11およびＣ12の
うちの一方の処理回路チップＣ12を、基板３１の反対側
の面に配設している。そして、検出素子チップＤ1 の各
放射線検出素子からの複数の配線を、所定本数ごとに各
処理回路チップＣ11、Ｃ12に振り分けて、それぞれの処
理回路チップＣ11、Ｃ12の信号処理回路に接続する。こ
の場合、図３に示すような放射線検出器アレイを形成し
た際に、Ｘ線等の放射線が処理回路チップＣ11を通過す
ることなく検出素子チップＤ1 に入射するので、処理回
路チップＣ11が放射線による悪影響を受ける虞れがなく
なる。
示す図であり、二枚の処理回路チップＣ11およびＣ12の
うちの一方の処理回路チップＣ12を、基板３１の反対側
の面に配設している。そして、検出素子チップＤ1 の各
放射線検出素子からの複数の配線を、所定本数ごとに各
処理回路チップＣ11、Ｃ12に振り分けて、それぞれの処
理回路チップＣ11、Ｃ12の信号処理回路に接続する。こ
の場合、図３に示すような放射線検出器アレイを形成し
た際に、Ｘ線等の放射線が処理回路チップＣ11を通過す
ることなく検出素子チップＤ1 に入射するので、処理回
路チップＣ11が放射線による悪影響を受ける虞れがなく
なる。
【００１５】なお、上述の実施例では、一枚の検出素子
チップＤ1 に対して二枚の処理回路チップＣ11およびＣ
12を設けた場合について説明したが、一枚の検出素子チ
ップＤ1 に対して三枚以上の処理回路チップを設けても
よい。
チップＤ1 に対して二枚の処理回路チップＣ11およびＣ
12を設けた場合について説明したが、一枚の検出素子チ
ップＤ1 に対して三枚以上の処理回路チップを設けても
よい。
【００１６】
【考案の効果】以上説明したように、本考案によれば、
放射線検出素子が複数個配列された一枚の検出素子チッ
プに対して、その放射線検出素子からの信号を処理する
ための信号処理回路が形成された少なくとも二枚の処理
回路チップを基板の両面に設けたから、各処理回路チッ
プ内での信号処理回路の集積度、および検出素子チップ
の各放射線検出素子からの配線の密集度を、従来に比し
て低くすることが可能になり、各処理回路チップの製
造、および検出素子チップと処理回路チップとのコンタ
クトが従来よりも容易になり、各処理回路チップ内の信
号処理回路の信頼性も高くなるとともに、処理回路チッ
プが放射線検出器による悪影響を受けることもない。
放射線検出素子が複数個配列された一枚の検出素子チッ
プに対して、その放射線検出素子からの信号を処理する
ための信号処理回路が形成された少なくとも二枚の処理
回路チップを基板の両面に設けたから、各処理回路チッ
プ内での信号処理回路の集積度、および検出素子チップ
の各放射線検出素子からの配線の密集度を、従来に比し
て低くすることが可能になり、各処理回路チップの製
造、および検出素子チップと処理回路チップとのコンタ
クトが従来よりも容易になり、各処理回路チップ内の信
号処理回路の信頼性も高くなるとともに、処理回路チッ
プが放射線検出器による悪影響を受けることもない。
【００１７】また、検出素子チップの放射線検出素子の
個数を多くした場合でも、処理回路チップの個数を多く
することにより、処理回路チップ内での信号処理回路の
集積度が高くなることを抑えることができる。従って、
一枚の検出素子チップにおける単位面積当りの画素数の
増加を図ることができ、解像力が従来に比して高い二次
元放射線検出器アレイを形成することが可能になる。
個数を多くした場合でも、処理回路チップの個数を多く
することにより、処理回路チップ内での信号処理回路の
集積度が高くなることを抑えることができる。従って、
一枚の検出素子チップにおける単位面積当りの画素数の
増加を図ることができ、解像力が従来に比して高い二次
元放射線検出器アレイを形成することが可能になる。
【図１】本考案の放射線検出器の一実施例の側面図であ
る。
る。
【図２】本考案の放射線検出器の前提となる放射線検出
器の側面図である。
器の側面図である。
【図３】図２の放射線検出器を複数個積層して形成した
二次元放射線検出器アレイの側面図である。
二次元放射線検出器アレイの側面図である。
【図４】従来の放射線検出器の側面図である。
【図５】従来の放射線検出器アレイの側面図である。
１ 基板 Ｃ11、Ｃ12 処理回路チップ Ｄ1 検出素子チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に放射線検出素子が複数個配列さ
れた一枚の検出素子チップを配設するとともに、信号処
理回路が複数個形成された少なくとも二枚の処理回路チ
ップを基板の両面に配設し、上記各放射線検出素子から
の複数の配線を、所定本数ごとに上記各処理回路チップ
に振り分けて、それぞれの処理回路チップの信号処理回
路に接続してなる、放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1996006156U JP2558403Y2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1996006156U JP2558403Y2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0977U JPH0977U (ja) | 1997-02-07 |
| JP2558403Y2 true JP2558403Y2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=18527879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1996006156U Expired - Lifetime JP2558403Y2 (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558403Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2332608B (en) * | 1997-12-18 | 2000-09-06 | Simage Oy | Modular imaging apparatus |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4700076A (en) * | 1983-09-02 | 1987-10-13 | Digital Imaging Company Of America, Inc. | Solid-state X-ray receptor and method of making same |
| JPS61196570A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Hitachi Zosen Corp | アモルフアスシリコンｘ線センサ |
| JPS6229162A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP1996006156U patent/JP2558403Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0977U (ja) | 1997-02-07 |
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