JPH0977U - 放射線検出器 - Google Patents

放射線検出器

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JPH0977U
JPH0977U JP006156U JP615696U JPH0977U JP H0977 U JPH0977 U JP H0977U JP 006156 U JP006156 U JP 006156U JP 615696 U JP615696 U JP 615696U JP H0977 U JPH0977 U JP H0977U
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chip
radiation
substrate
signal processing
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晋 足立
尚明 井上
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上の配線パターンの密集度および処理回
路チップ内の信号処理回路の集積度を高くすることな
く、検出素子チップに配列する放射線検出素子の個数の
増加を図る。 【解決手段】 基板31上に放射線検出素子が複数個配
列された一枚の検出素子チップD1 を配設するととも
に、複数個の信号処理回路が形成された少なくとも二枚
の処理回路チップC11およびC12を基板31の両面に配
設する。そして、検出素子チップD1 の各放射線検出素
子からの複数の配線を、所定本数ごとに各処理回路チッ
プC11、C12に振り分けて、それぞれの処理回路チップ
11、C12の信号処理回路に接続する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【考案の属する技術分野】
本考案は、例えばX線撮影装置等、二次元放射線画像を得るための装置に利用 することのできる、放射線検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、上述の放射線検出器においては、複数個の放射線検出素子、およびそ の各検出素子からの信号を処理するための信号処理回路を、例えば基板等にどの ように実装するかが一つの課題となっている。
【0003】 従来、その実装は、例えば図4に示すように、複数個の放射線検出素子、およ びその検出素子の個数に応じた信号処理回路を、それぞれ一枚のチップ内に設け て検出素子チップD4 および処理回路チップC4 を形成し、この検出素子チップ D4 および処理回路チップC4 を、基板41の一面上に搭載するとともに、基板 41の表面上に形成された配線パターンによって検出素子チップD4 の各検出素 子と処理回路チップC4 の信号処理回路とを接続する方法が採られている。そし て、このように構成された放射線検出器B4 を、図5に示すように、順次積層す ることによって、大面積を有する二次元放射線検出器アレイを形成していた。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、上述の実装方法によれば、一枚の検出素子チップD4 に形成する放 射線検出素子の個数が多くなるにつれ、基板41の配線パターンの密集度が高く なり、各放射線検出素子および各信号処理回路を、それぞれ該当する配線パター ンに接続することが困難になるばかりでなく、処理回路チップC4 内の信号処理 回路の集積度も高くなり、処理回路チップC4 の製造も困難になるとともに、処 理回路チップC4 内の各信号処理回路の信頼性も低下する等の理由から、一枚の 検出素子チップD4 にあまり多くの放射線検出素子を設けることができないとい う問題があった。
【0005】 本考案の目的は、基板上の配線パターンの密集度および処理回路チップ内の信 号処理回路の集積度を高くすることなく、検出素子チップに配列する放射線検出 素子の個数の増加を図ることのできる、放射線検出器を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための構成を、実施例に対応する図1を参照しつつ説明 すると、本考案は、基板31上に放射線検出素子が複数個配列された一枚の検出 素子チップD1 を配設するとともに、複数個の信号処理回路が形成された少なく とも二枚の処理回路チップC11およびC12を基板31の両面に配設する。そして 、検出素子チップD1 の各放射線検出素子からの複数の配線を、所定本数ごとに 各処理回路チップC11、C12に振り分けて、それぞれの処理回路チップC11、C12 の信号処理回路に接続する。
【0007】 本考案の放射線検出器は上述のように構成され、一枚の検出素子チップD1 に 対して例えば二枚の処理回路チップC11およびC12を基板の両面に設けることに より、各処理回路チップC11、C12内の信号処理回路の集積度を、一枚の処理回 路チップを設けた場合に対して低くすることが可能になるとともに、検出素子チ ップD1 の各放射線検出素子からの複数の配線を二方向に分散することができ、 その配線の密集度を緩和することも可能になる。また、処理回路チップC11が放 射線の放射線の影響を受ける虞れもない。
【0008】
【考案の実施の形態】
図2は本考案の放射線検出器の前提となる放射線検出器の側面図であり、基板 1上に、複数個の放射線検出素子(図示せず)が配列された検出素子チップD1 が配設されており、検出素子チップD1 の側方両側近傍の基板1上には、それぞ れ処理回路チップC11およびC12が配設されている。
【0009】 各処理回路チップC11、C12内には、それぞれ検出素子チップD1 の放射線検 出素子の半数に相当する個数の信号処理回路(図示せず)が一列に互いに隣接し て形成されている。
【0010】 検出素子チップD1 の複数個の放射線検出素子のうち半数は、処理回路チップ C11内の該当する信号処理回路に、また、他の半数は処理回路チップC12内の該 当する信号処理回路に、それぞれ基板1表面上に形成された配線パターンおよび 接続ワイヤ(共に図示せず)等によって電気的に接続されており、検出素子チッ プD1 の各放射線検出素子からの信号は、図中二点鎖で示すように、処理回路チ ップC11またはC12内の信号処理回路を経て出力される。
【0011】 以上のように構成された放射線検出器B1 複数個を順次積層して、図3に示す ような大面積を有する二次元放射線検出器アレイを形成することができる。なお 、各検出素子チップD1 は、それそれ処理回路チップC11および基板1によって 覆われているが、X線等の放射線は処理回路チップC11および基板1上を通過し て検出素子チップD1 に入射する。
【0012】 この放射線検出器においては、一つの検出素子チップD1 に対して二枚の処理 回路チップC11およびC12を設けたので、例えば従来と同じ面積を有する検出素 子チップD1 に、従来と同じ個数の放射線検出素子を形成した場合には、各処理 回路チップC11、C12それぞれの信号処理回路の集積度を、従来のように、一枚 の検出素子チップに一枚の処理回路チップを設けた場合に対し、半分にすること が可能になり、各処理回路チップC11、C12内の信号処理回路の信頼性の向上を 図ることができるとともに、基板1上の配線パターンのピッチも従来に比して広 くすることができる。また、検出素子チップD1 の放射線検出素子の個数を例え ば従来の2倍にした場合でも、各処理回路チップC11、C12の信号処理回路の集 積度および配線パターンの密集度を従来と同じ程度に止留めることができる。
【0013】 しかしながら、図2の放射線検出器では、図3に示すような放射線検出器アレ イを形成した際に、X線等の放射線が処理回路チップC11を通過するので、処理 回路チップC11が放射線による悪影響を受ける虞れがあった。
【0014】 図1は本考案の放射線検出器の一実施例を示す図であり、二枚の処理回路チッ プC11およびC12のうちの一方の処理回路チップC12を、基板31の反対側の面 に配設している。そして、検出素子チップD1 の各放射線検出素子からの複数の 配線を、所定本数ごとに各処理回路チップC11、C12に振り分けて、それぞれの 処理回路チップC11、C12の信号処理回路に接続する。この場合、図3に示すよ うな放射線検出器アレイを形成した際に、X線等の放射線が処理回路チップC11 を通過することなく検出素子チップD1 に入射するので、処理回路チップC11が 放射線による悪影響を受ける虞れがなくなる。
【0015】 なお、上述の実施例では、一枚の検出素子チップD1 に対して二枚の処理回路 チップC11およびC12を設けた場合について説明したが、一枚の検出素子チップ D1 に対して三枚以上の処理回路チップを設けてもよい。
【0016】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案によれば、放射線検出素子が複数個配列された一 枚の検出素子チップに対して、その放射線検出素子からの信号を処理するための 信号処理回路が形成された少なくとも二枚の処理回路チップを基板の両面に設け たから、各処理回路チップ内での信号処理回路の集積度、および検出素子チップ の各放射線検出素子からの配線の密集度を、従来に比して低くすることが可能に なり、各処理回路チップの製造、および検出素子チップと処理回路チップとのコ ンタクトが従来よりも容易になり、各処理回路チップ内の信号処理回路の信頼性 も高くなるとともに、処理回路チップが放射線検出器による悪影響を受けること もない。
【0017】 また、検出素子チップの放射線検出素子の個数を多くした場合でも、処理回路 チップの個数を多くすることにより、処理回路チップ内での信号処理回路の集積 度が高くなることを抑えることができる。従って、一枚の検出素子チップにおけ る単位面積当りの画素数の増加を図ることができ、解像力が従来に比して高い二 次元放射線検出器アレイを形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の放射線検出器の一実施例の側面図であ
る。
【図2】本考案の放射線検出器の前提となる放射線検出
器の側面図である。
【図3】図2の放射線検出器を複数個積層して形成した
二次元放射線検出器アレイの側面図である。
【図4】従来の放射線検出器の側面図である。
【図5】従来の放射線検出器アレイの側面図である。
【符号の説明】
1 基板 C11、C12 処理回路チップ D1 検出素子チップ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に放射線検出素子が複数個配列さ
    れた一枚の検出素子チップを配設するとともに、信号処
    理回路が複数個形成された少なくとも二枚の処理回路チ
    ップを基板の両面に配設し、上記各放射線検出素子から
    の複数の配線を、所定本数ごとに上記各処理回路チップ
    に振り分けて、それぞれの処理回路チップの信号処理回
    路に接続してなる、放射線検出器。
JP1996006156U 1996-06-28 1996-06-28 放射線検出器 Expired - Lifetime JP2558403Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP1996006156U JP2558403Y2 (ja) 1996-06-28 1996-06-28 放射線検出器

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JP1996006156U JP2558403Y2 (ja) 1996-06-28 1996-06-28 放射線検出器

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Publication Number Publication Date
JPH0977U true JPH0977U (ja) 1997-02-07
JP2558403Y2 JP2558403Y2 (ja) 1997-12-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001527295A (ja) * 1997-12-18 2001-12-25 シメージ オーワイ モジュール構造のイメージング装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6086481A (ja) * 1983-09-02 1985-05-16 デイジタル・イメ−ジング・カンパニ−・オブ・アメリカ・インコ−ポレ−テツド 固体x線レセプタとその製造方法
JPS61196570A (ja) * 1985-02-25 1986-08-30 Hitachi Zosen Corp アモルフアスシリコンx線センサ
JPS6229162A (ja) * 1985-07-29 1987-02-07 Toshiba Corp イメ−ジセンサ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6086481A (ja) * 1983-09-02 1985-05-16 デイジタル・イメ−ジング・カンパニ−・オブ・アメリカ・インコ−ポレ−テツド 固体x線レセプタとその製造方法
JPS61196570A (ja) * 1985-02-25 1986-08-30 Hitachi Zosen Corp アモルフアスシリコンx線センサ
JPS6229162A (ja) * 1985-07-29 1987-02-07 Toshiba Corp イメ−ジセンサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001527295A (ja) * 1997-12-18 2001-12-25 シメージ オーワイ モジュール構造のイメージング装置

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