JPH0352273A - 放射線検出素子アレイの実装構造 - Google Patents
放射線検出素子アレイの実装構造Info
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、医療用、分析用、材料もしくは装置等の検査
用等の、二次元放射線画像を得るための放射線検出装置
に使用される、放射線検出素子アレイの実装構造に関す
る。
用等の、二次元放射線画像を得るための放射線検出装置
に使用される、放射線検出素子アレイの実装構造に関す
る。
く従来の技術〉
放射線線量の測定方法の一つに、フォトン計数法がある
。フォトン計数法は、放射線フォトンを電流パルスに変
換し、そのパルス数を計数することによって線量を求め
る測定法であって、線量の少ない領域においても高精度
の測定が可能である。
。フォトン計数法は、放射線フォトンを電流パルスに変
換し、そのパルス数を計数することによって線量を求め
る測定法であって、線量の少ない領域においても高精度
の測定が可能である。
このようなフォトン計数法を用いて、医療やその他の分
野で放射線画像を得るべく装置化することを考えると、
通常、半導体放射線検出素子を一次元に配列し、その一
次元検出素子アレイを走査することによって二次元放射
線画像を得ることになる。
野で放射線画像を得るべく装置化することを考えると、
通常、半導体放射線検出素子を一次元に配列し、その一
次元検出素子アレイを走査することによって二次元放射
線画像を得ることになる。
この種の装置に用いられる検出素子アレイの基板への実
装構造の一例を第６図に概念的に示す。
装構造の一例を第６図に概念的に示す。
この例においては、ＣｄＴｅ等の検出器母材２０の片面
に一次元状に複数の信号取り出し電極２１を設け、その
裏面には共通のバイアス電極２２を設けて全体として検
出素子アレイＡ１を形成し、この検出素子アレイＡ１を
、基板１０上に一次元状に交互に実装している。また、
基板１０には、各信号取り出し電極２１に対応させてア
ナログ検出回路３０とカウンタ４０を形成し、各信号取
り出し電極２１とアナログ検出回路３０の入カバッド６
０とをボンディングワイヤ５０により接続している。
に一次元状に複数の信号取り出し電極２１を設け、その
裏面には共通のバイアス電極２２を設けて全体として検
出素子アレイＡ１を形成し、この検出素子アレイＡ１を
、基板１０上に一次元状に交互に実装している。また、
基板１０には、各信号取り出し電極２１に対応させてア
ナログ検出回路３０とカウンタ４０を形成し、各信号取
り出し電極２１とアナログ検出回路３０の入カバッド６
０とをボンディングワイヤ５０により接続している。
なお、アナログ検出回路３０は、電荷増幅器、波形整形
回路および比較回路からなり、信号取り出し電極２１か
らの電流パルス信号を電圧に変換した後、波形整形をし
て所要の波高を持つ電圧パルスを出力し、その出力が後
段のカウンタ４０により計数される。
回路および比較回路からなり、信号取り出し電極２１か
らの電流パルス信号を電圧に変換した後、波形整形をし
て所要の波高を持つ電圧パルスを出力し、その出力が後
段のカウンタ４０により計数される。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、以上の実装構造によると、多数の信号取り出
し電極それぞれについてワイヤリングを行わなければな
らず、その作業に非常に多くの時間を要し、製造コスト
が高くつくという問題があった。また、検出素子アレイ
Ａ１およびボンディングワイヤ５０が基板１０上に突出
しているため外力を受け易く、特に、微細なボンディン
グヮイヤ５０は、振動、衝撃等の外力により、断線等を
生じ易いという問題がある。
し電極それぞれについてワイヤリングを行わなければな
らず、その作業に非常に多くの時間を要し、製造コスト
が高くつくという問題があった。また、検出素子アレイ
Ａ１およびボンディングワイヤ５０が基板１０上に突出
しているため外力を受け易く、特に、微細なボンディン
グヮイヤ５０は、振動、衝撃等の外力により、断線等を
生じ易いという問題がある。
く諜題を解決するための手段〉
本発明は、上記の諸問題点を一挙に解決すべくなされた
もので、その構戒を実施例に対応する第１図、第２図を
参照しつつ説明すると、本発明は、基板１の所定位置に
複数本の溝１ａ・・・１ａを形成し、その各溝１ａ内に
放射線検出素子アレイＡを一枚づつ配設するとともに、
その各放射線検出素子アレイＡの信号処理回路５を、そ
れぞれが配設された溝１ａに隣接する基板１中に形成し
、かつ、基板１表面上に絶縁層６を一様に積層して、こ
の絶縁Ｎ６上に、各放射線検出素子アレイＡと、その信
号処理回路とを電気的に接続するための配線パターン７
を形成したことによって特徴づけられる。
もので、その構戒を実施例に対応する第１図、第２図を
参照しつつ説明すると、本発明は、基板１の所定位置に
複数本の溝１ａ・・・１ａを形成し、その各溝１ａ内に
放射線検出素子アレイＡを一枚づつ配設するとともに、
その各放射線検出素子アレイＡの信号処理回路５を、そ
れぞれが配設された溝１ａに隣接する基板１中に形成し
、かつ、基板１表面上に絶縁層６を一様に積層して、こ
の絶縁Ｎ６上に、各放射線検出素子アレイＡと、その信
号処理回路とを電気的に接続するための配線パターン７
を形成したことによって特徴づけられる。
〈作用〉
全ての放射線検出アレイＡを基板１の溝１ａ内に埋め込
むことにより、基板１の表面が平滑となり、これにより
、放射線検出素子アレイＡと、その信号処理回路とを接
続するための配線パターン７を、例えばフォトリソグラ
フィ法等によって形或することが可能になる。
むことにより、基板１の表面が平滑となり、これにより
、放射線検出素子アレイＡと、その信号処理回路とを接
続するための配線パターン７を、例えばフォトリソグラ
フィ法等によって形或することが可能になる。
〈実施例〉
まず、第４図により、本発明実施例で使用する放射線検
出素子アレイＡの構造を説明する。
出素子アレイＡの構造を説明する。
ＣｄＴｅ等の検出器母材２表面に、一次元状に配列され
た二列の信号取り出し電極群３・・・３が形成されてお
り、その一方の列の電極は他方の列に対して電極配列ピ
ッチＰの１／２だけシフトして配列されている。また、
その反対側面には共通のバイアス電極４（第２図参照）
が形成されている。
た二列の信号取り出し電極群３・・・３が形成されてお
り、その一方の列の電極は他方の列に対して電極配列ピ
ッチＰの１／２だけシフトして配列されている。また、
その反対側面には共通のバイアス電極４（第２図参照）
が形成されている。
このような構造とすることにより、検出器母材２が二列
複数行の検出素子に分割される。なお、この検出素子ア
レイは、素子の劣化を防ぐために、ある程度の切りしろ
ｄを残してウエハから切り出されている。
複数行の検出素子に分割される。なお、この検出素子ア
レイは、素子の劣化を防ぐために、ある程度の切りしろ
ｄを残してウエハから切り出されている。
第１図は本発明実施例の構造を示す部分平面図で、第２
図および第３図は、それぞれ、第１図のＩ−１および■
−■断面図である。
図および第３図は、それぞれ、第１図のＩ−１および■
−■断面図である。
Ｓｉ基板１に、第４図に示した放射線検出素子アレイＡ
が、一次元状に交互に配列されており、その各素子アレ
イＡは、各端部の信号取り出し電極３が、配列方向と直
交する同一の直線上に位置するように互いに重なりあっ
ている。
が、一次元状に交互に配列されており、その各素子アレ
イＡは、各端部の信号取り出し電極３が、配列方向と直
交する同一の直線上に位置するように互いに重なりあっ
ている。
この各素子アレイＡは、基板１に形成された■字形状の
溝１ａ内に配設されており、その各バイアス電極４は電
圧印加用の配線パターン８に、はんだ等により接続され
ている。また、各溝１ａ両側の基板１中には、ＭＯＳＦ
ＥＴによる信号処理回路５が形成されている。なお、信
号処理回路５には、従来と同様に各信号取り出し電極３
に対応してアナログ検出回路およびカウンタが設けられ
ている。
溝１ａ内に配設されており、その各バイアス電極４は電
圧印加用の配線パターン８に、はんだ等により接続され
ている。また、各溝１ａ両側の基板１中には、ＭＯＳＦ
ＥＴによる信号処理回路５が形成されている。なお、信
号処理回路５には、従来と同様に各信号取り出し電極３
に対応してアナログ検出回路およびカウンタが設けられ
ている。
基板１上には、Ｓ Ｏ Ｇ （Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａ
ｓ）法によりＳ ｉ Ｏ ｚ層６が一様に積層されてお
り、さらにこのＳ ｉ Ｏ ｚ層６に、各信号取り出し
電極３と、その各電極に対応する信号処理回路５人力端
のＭＯＳＦＥＴのソース５ａとを接続する配線パターン
７および、電圧印加用の配線パターン８に導通するバイ
アス印加端子９が、フォトリソグラフイ法によりそれぞ
れ形成されている。
ｓ）法によりＳ ｉ Ｏ ｚ層６が一様に積層されてお
り、さらにこのＳ ｉ Ｏ ｚ層６に、各信号取り出し
電極３と、その各電極に対応する信号処理回路５人力端
のＭＯＳＦＥＴのソース５ａとを接続する配線パターン
７および、電圧印加用の配線パターン８に導通するバイ
アス印加端子９が、フォトリソグラフイ法によりそれぞ
れ形成されている。
なお、バイアス印加端子９，！：電源との接続は、第３
図に示すにように、基板１の上方に、電源に接続された
配線基板１１を配置し、この基板の配線１１ａとバイア
ス印加端子９と間をワイヤボンディングにより接続する
ここにより行う。
図に示すにように、基板１の上方に、電源に接続された
配線基板１１を配置し、この基板の配線１１ａとバイア
ス印加端子９と間をワイヤボンディングにより接続する
ここにより行う。
また、基板ＩＮ二に積層する絶縁層６と（７ては、Ｓｉ
Ｏアに限らｈるこ乙な←、例えば感光性ポリイミド等、
フォト１Ｔノグラフィ法を適用できる他の絶縁性材料で
あ−ｙ３ Ｔ Ｇよい。
Ｏアに限らｈるこ乙な←、例えば感光性ポリイミド等、
フォト１Ｔノグラフィ法を適用できる他の絶縁性材料で
あ−ｙ３ Ｔ Ｇよい。
以上の本発明実施例による２ヒ、例えば第５図に示すよ
うに、基仮１を．．放射線源１０１と被写体１０２の間
に介在させたスリット１０３と連動させて、放射線検出
素子アレ−（．Ａ・・・Ａの配列方向と直交する方向に
走査することにより、二次元放射線画像を得ることがで
きる。二二こて、、各検出素子アレ−ｉ Ａは、．１列
の検出素子群を互いにその素子寸法の１７／２づ・フシ
フトして配列した構造と，なっているので−、走査によ
り各素子面積の２倍の分解能を有する画像を得ることが
できる。
うに、基仮１を．．放射線源１０１と被写体１０２の間
に介在させたスリット１０３と連動させて、放射線検出
素子アレ−（．Ａ・・・Ａの配列方向と直交する方向に
走査することにより、二次元放射線画像を得ることがで
きる。二二こて、、各検出素子アレ−ｉ Ａは、．１列
の検出素子群を互いにその素子寸法の１７／２づ・フシ
フトして配列した構造と，なっているので−、走査によ
り各素子面積の２倍の分解能を有する画像を得ることが
できる。
く発明の効果〉
本発明によれば、複数枚の放射線検出アレイを基板に形
或した溝内に配設したから、放射線検出素子アレイと、
その信号処理回路との接続を、例えばフォトリソグラフ
ィ法等による配線パターンにより接続することが可能と
なり、その接続の信頼性が向上するとともに、製造時間
の短縮化、ひいては製造コストの大幅な低減をはかるこ
とができる。
或した溝内に配設したから、放射線検出素子アレイと、
その信号処理回路との接続を、例えばフォトリソグラフ
ィ法等による配線パターンにより接続することが可能と
なり、その接続の信頼性が向上するとともに、製造時間
の短縮化、ひいては製造コストの大幅な低減をはかるこ
とができる。
第１図は本発明実施例の構造を示す部分平面図で、第２
図および第３図は、それぞれ、第１図のＩ−１およびＩ
Ｉ−ＩＩ断面図である７第４図は、本発明実施例に使用
する放射線検出素子アレイＡの構造を示す平面図である
。 第５図は本発明実施例の使用方法の説明図である。 第６図は、従来の放射線検出素子アレイの実装構造を示
す図である。 基板 検出器母材 信号取り出し電極 バイアス電極 信号処理回路 Ｓ ｉ Ｏ ｚ層（絶縁層） 配線パターン 放射線検出素子アレイ
図および第３図は、それぞれ、第１図のＩ−１およびＩ
Ｉ−ＩＩ断面図である７第４図は、本発明実施例に使用
する放射線検出素子アレイＡの構造を示す平面図である
。 第５図は本発明実施例の使用方法の説明図である。 第６図は、従来の放射線検出素子アレイの実装構造を示
す図である。 基板 検出器母材 信号取り出し電極 バイアス電極 信号処理回路 Ｓ ｉ Ｏ ｚ層（絶縁層） 配線パターン 放射線検出素子アレイ
Claims (1)
- 複数枚の放射線検出素子アレイを一枚の基板に実装する
構造であって、上記基板に複数本の溝を形成し、その各
溝内に上記放射線検出素子アレイを一枚づつ配設すると
ともに、その各放射線検出素子アレイの信号処理回路を
、それぞれが配設された溝に隣接する上記基板中に形成
し、かつ、上記基板表面上に絶縁層を一様に積層して、
この絶縁層上に、上記各放射線検出素子アレイと、その
信号処理回路とを電気的に接続するための配線パターン
を形成したことを特徴とする、放射線検出素子アレイの
実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188550A JPH0352273A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 放射線検出素子アレイの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1188550A JPH0352273A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 放射線検出素子アレイの実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0352273A true JPH0352273A (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=16225660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1188550A Pending JPH0352273A (ja) | 1989-07-19 | 1989-07-19 | 放射線検出素子アレイの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0352273A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169989A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-07-04 | Japan Energy Corp | 半導体放射線検出器およびその製造方法 |
| JP2002257936A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器モジュール |
| US7301214B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-11-27 | Nihon Kessho Kogaku Co., Ltd. | Component of a radiation detector comprising a substrate with positioning structure for a photoelectric element array |
| JP2009041942A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| JP2011020236A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Daito Seiki Kk | 長尺材搬送位置決め装置 |
| JP2016186502A (ja) * | 2016-07-12 | 2016-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| DE102013108987B4 (de) | 2012-08-21 | 2018-07-05 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtung |
-
1989
- 1989-07-19 JP JP1188550A patent/JPH0352273A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169989A (ja) * | 1993-10-20 | 1995-07-04 | Japan Energy Corp | 半導体放射線検出器およびその製造方法 |
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| JP2016186502A (ja) * | 2016-07-12 | 2016-10-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
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