JPS63200088A - 半導体放射線位置検出装置 - Google Patents
半導体放射線位置検出装置Info
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- JPS63200088A JPS63200088A JP62034288A JP3428887A JPS63200088A JP S63200088 A JPS63200088 A JP S63200088A JP 62034288 A JP62034288 A JP 62034288A JP 3428887 A JP3428887 A JP 3428887A JP S63200088 A JPS63200088 A JP S63200088A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 14
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L mercury diiodide Chemical compound I[Hg]I YFDLHELOZYVNJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
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- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体を検出素子として用いた放射線位置検出
装置に関し、例えば核医学診断および理工学測定に利用
することができる。
装置に関し、例えば核医学診断および理工学測定に利用
することができる。
〈従来の技術〉
ＣｄＴｅやＨｇ１ｚ等の化合物半導体を用いた常温用放
射線検出素子を複数個配列した放射線二次元位置検出装
置とししては、従来、第３図および第４図に示すような
ものが知られている。
射線検出素子を複数個配列した放射線二次元位置検出装
置とししては、従来、第３図および第４図に示すような
ものが知られている。
第３図に示す従来装置は、半導体基板３１の片面にたん
ざく状の複数の抵抗層３２ａ、３２ｂ−・−を互いに平
行に形成し、その裏面にはこれと直交して同じく複数の
抵抗層３３ａ、３３ｂ−を形成し、核抵抗層３２ａ、３
２ｂ−１３３ａ、３３ｂ−の一端から取り出される電荷
を抵抗回路網３４゜３５で分割して、Ｘ方向、Ｙ方向そ
れぞれ２個のアンプに導いている。そしてＸ方向の２個
のアンプの出力の差がＸ方向位置情報を、Ｙ方向の２個
のアンプの出力の差がＹ方向の位置情報を与えるよう構
成されている。
ざく状の複数の抵抗層３２ａ、３２ｂ−・−を互いに平
行に形成し、その裏面にはこれと直交して同じく複数の
抵抗層３３ａ、３３ｂ−を形成し、核抵抗層３２ａ、３
２ｂ−１３３ａ、３３ｂ−の一端から取り出される電荷
を抵抗回路網３４゜３５で分割して、Ｘ方向、Ｙ方向そ
れぞれ２個のアンプに導いている。そしてＸ方向の２個
のアンプの出力の差がＸ方向位置情報を、Ｙ方向の２個
のアンプの出力の差がＹ方向の位置情報を与えるよう構
成されている。
第４図に示す従来装置は、特開昭６１−１４５９１号に
おいてＮＺされている装置であって、行列状に半導体検
出素子Ｄｉｊを互いに独立的に配置し、各行および各列
ごとに１個づつアンプを設けて、各検出素子の出力をそ
れぞれ該当する行と列のアンプに導いている。そして、
例えば各アンプの出力をディスクリミネータをを介して
パルス化し、Ｘ−Ｙ方向のデジタル位置情報を得るよう
構成されている。
おいてＮＺされている装置であって、行列状に半導体検
出素子Ｄｉｊを互いに独立的に配置し、各行および各列
ごとに１個づつアンプを設けて、各検出素子の出力をそ
れぞれ該当する行と列のアンプに導いている。そして、
例えば各アンプの出力をディスクリミネータをを介して
パルス化し、Ｘ−Ｙ方向のデジタル位置情報を得るよう
構成されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
一般に、この種の検出装置においては、入力段にＦＥＴ
を用いた電荷感応型アンプが使用されるが、この電荷感
応型アンプでは、アンプの入力容量を０１とすると、Ｃ
２１に比例してノイズが増大する。一般的にはＣＩ≧１
０． Ｆでこのノイズが支配的になるとみてよい。
を用いた電荷感応型アンプが使用されるが、この電荷感
応型アンプでは、アンプの入力容量を０１とすると、Ｃ
２１に比例してノイズが増大する。一般的にはＣＩ≧１
０． Ｆでこのノイズが支配的になるとみてよい。
上述した第３図および第４図に示す従来装置においては
、各アンプの入力容量Ｃ１は、検出素子１個分の容量を
Ｃとし、１個のアンプにｎ個の素子を接続した場合には
ｎ−ｃとなる。従ってそのノイズパワーは（ｎ −ｃ）
”に比例して大となり、ｎを大きくするとノイズは極め
て大となってしまう。また、高インピーダンスのアンプ
入力部を引き回すことは、誘導雑音に対しても弱く、好
ましくない。
、各アンプの入力容量Ｃ１は、検出素子１個分の容量を
Ｃとし、１個のアンプにｎ個の素子を接続した場合には
ｎ−ｃとなる。従ってそのノイズパワーは（ｎ −ｃ）
”に比例して大となり、ｎを大きくするとノイズは極め
て大となってしまう。また、高インピーダンスのアンプ
入力部を引き回すことは、誘導雑音に対しても弱く、好
ましくない。
本発明の目的は、アンプの入力容量を低くし、もって低
雑音の半導体放射線検出装置を提供することにある。
雑音の半導体放射線検出装置を提供することにある。
〈問題点を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための構成を、実施例に対応する
第１図、第２図を参照しつつ説明すると、本発明は、化
合物半導体基板１の一面に共通のバイアス電極２を設け
、その反対側の面には、各画素に対応させるべく行列状
に複数個の信号取り出し電極３８．３□、・・・３ムｊ
＋ ”−・を設けて放射線二次元検出器アレイＤを形成
する。信号取り出し電極３ｉＪの各行ごと、および各列
ごとに対応してそれぞれ１個づつアンプＡ ＸＩ 、Ａ
Ｘ！＋ ’−’−’） Ａ ＹＩ＋ Ａ ＶＺ＋ ”
’を配設する。また、各信号取り出し電極３８、には、
それぞれ２個のトランジスタ（例えばＦＥＴ）４１゜４
２のベース（ゲート）および２個の抵抗５１゜５２の一
端を接続する。このうち、一方のトランジスタ４１のコ
レクタ（ドレイン）および一方の抵抗５１の他端は該当
する行のアンプＡＸ！に、他方のトランジスタ４２のコ
レクタ（ドレイン）お−よび他方の抵抗の他端は該当す
る列のアンプＡｙ７に、それぞれ接続する。そして、各
行各列のアンプＡ Ｘｉ＋ Ａｙｊの出力から、放射線
の二次元入射位置情報を得るよう構成する。
第１図、第２図を参照しつつ説明すると、本発明は、化
合物半導体基板１の一面に共通のバイアス電極２を設け
、その反対側の面には、各画素に対応させるべく行列状
に複数個の信号取り出し電極３８．３□、・・・３ムｊ
＋ ”−・を設けて放射線二次元検出器アレイＤを形成
する。信号取り出し電極３ｉＪの各行ごと、および各列
ごとに対応してそれぞれ１個づつアンプＡ ＸＩ 、Ａ
Ｘ！＋ ’−’−’） Ａ ＹＩ＋ Ａ ＶＺ＋ ”
’を配設する。また、各信号取り出し電極３８、には、
それぞれ２個のトランジスタ（例えばＦＥＴ）４１゜４
２のベース（ゲート）および２個の抵抗５１゜５２の一
端を接続する。このうち、一方のトランジスタ４１のコ
レクタ（ドレイン）および一方の抵抗５１の他端は該当
する行のアンプＡＸ！に、他方のトランジスタ４２のコ
レクタ（ドレイン）お−よび他方の抵抗の他端は該当す
る列のアンプＡｙ７に、それぞれ接続する。そして、各
行各列のアンプＡ Ｘｉ＋ Ａｙｊの出力から、放射線
の二次元入射位置情報を得るよう構成する。
〈作用〉
化合物半導体基板１の、各信号取り出し電極３１Ｊ配設
領域はそれぞれ検出素子Ｓ ｉｊを形成し、その複数個
が１個のアンプに接続されることになるが、各アンプか
らみたとき、検出素子１個について１個づつトランジス
タ４１ （４２）が介在するから、例えばアンプ１個
にｎ個の検出素子を接続するとき、検出素子１個の容量
をＣとすると、そのノイズパワーはｎ −ｃ”に比例す
ることになり、従来の１／ｎに低減される。
領域はそれぞれ検出素子Ｓ ｉｊを形成し、その複数個
が１個のアンプに接続されることになるが、各アンプか
らみたとき、検出素子１個について１個づつトランジス
タ４１ （４２）が介在するから、例えばアンプ１個
にｎ個の検出素子を接続するとき、検出素子１個の容量
をＣとすると、そのノイズパワーはｎ −ｃ”に比例す
ることになり、従来の１／ｎに低減される。
〈実施例〉
本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説明する。
第１図は本発明実施例の構造を示す分解斜視図である。
例えばＣｄＴｅやＨｇ１．等の結晶からなる化合物半導
体基板１の一面側には、金等を一様に蒸着してなる共通
のバイアス電極２が形成されており、この電極２には高
抵抗６を介して高圧電源が接続される。
体基板１の一面側には、金等を一様に蒸着してなる共通
のバイアス電極２が形成されており、この電極２には高
抵抗６を介して高圧電源が接続される。
基板１の反対側の面には、各画素に対応させるべく、行
列状に複数個の信号取り出し電極３゜。
列状に複数個の信号取り出し電極３゜。
３．２．−・・３ｉｊ、・・・が形成されており、バイ
アス電極２側を放射線入射側とする放射線二次元検出器
アレイＤを形成している。
アス電極２側を放射線入射側とする放射線二次元検出器
アレイＤを形成している。
この検出器アレイＤの信号取り出し電極３五、側の面に
は、後述するように１個の信号取り出し電極３ｉｊにつ
いてそれぞれ２個のＦＥＴと２個の高抵抗を内蔵した基
板７が配置され、更にこの基板７を介して、信号取り出
し電極の各行および各列はそれぞれの行および列に対応
して１個づつ設けられたアンプＡｘ＋、Ａｘ□、 −−
−、Ａ ｙ １ 、 Ａ ｙ□、−に接続される。
は、後述するように１個の信号取り出し電極３ｉｊにつ
いてそれぞれ２個のＦＥＴと２個の高抵抗を内蔵した基
板７が配置され、更にこの基板７を介して、信号取り出
し電極の各行および各列はそれぞれの行および列に対応
して１個づつ設けられたアンプＡｘ＋、Ａｘ□、 −−
−、Ａ ｙ １ 、 Ａ ｙ□、−に接続される。
第２図はその具体的な回路構成を示す結線図である。
化合物半導体基板１の、各信号取り出し電極３８、配設
領域は、それぞれ１画素に対応する検出素子Ｓ ｉｊを
形成するが、この各検出素子Ｓ ｉｊの信号取り出し電
極３．ｊには、それぞれ、２個のＦＥＴ４１゜４２のゲ
ートと、２個の高抵抗５１．５２の一端が、互いに並列
に接続される。そして、一方のＦＥＴ４１のドレインは
、その検出素子Ｓｔｊが属する行のアンプＡ＞Ｈの入力
端子に接続され、一方の高抵抗５１の他端は、同じくア
ンプＡｘ＋のフィードバック出力端子に接続される。ま
た、他方のＦＥＴ４２のドレインは、その検出素子Ｓ
ｉｊが属する列のアンプＡＹｊの入力端子に接続され、
他方の高抵抗５２の他端は、同じアンプＡＹＪのフィー
ドバック出力端子に接続される。更に、ＦＥＴ４１゜４
２のソースは接地される。
領域は、それぞれ１画素に対応する検出素子Ｓ ｉｊを
形成するが、この各検出素子Ｓ ｉｊの信号取り出し電
極３．ｊには、それぞれ、２個のＦＥＴ４１゜４２のゲ
ートと、２個の高抵抗５１．５２の一端が、互いに並列
に接続される。そして、一方のＦＥＴ４１のドレインは
、その検出素子Ｓｔｊが属する行のアンプＡ＞Ｈの入力
端子に接続され、一方の高抵抗５１の他端は、同じくア
ンプＡｘ＋のフィードバック出力端子に接続される。ま
た、他方のＦＥＴ４２のドレインは、その検出素子Ｓ
ｉｊが属する列のアンプＡＹｊの入力端子に接続され、
他方の高抵抗５２の他端は、同じアンプＡＹＪのフィー
ドバック出力端子に接続される。更に、ＦＥＴ４１゜４
２のソースは接地される。
以上の本発明実施例において、放射線が検出素子Ｓ ｉ
ｊに入射すると、その表面に電荷が発生し、その信号は
信号取り出し電極３１、を介して２個のＦＥＴ４１，４
２のゲートに供給される。これにより、そのＦＥＴ４１
，４２のドレインには電圧が発生し、その電圧信号はそ
れぞれ該当する行および列のアンプＡＨおよびＡ□に入
力され、そのアンプＡ Ｘ ｉとＡｏの出力端子には、
１個の検出素子に１個のアンプを接続した場合に比して
半分の波高値のパルス状の信号が現れる。これによって
、どの検出素子に放射線が入射したか、つまり、放射線
の入射位置のＸ−Ｙ位置情報が得られ、このような出力
を例えばディスクリミネータを介して２値化し、メモリ
に書き込めば、放射線の二次元入射位置のデジタル位置
情報を集めることができる。
ｊに入射すると、その表面に電荷が発生し、その信号は
信号取り出し電極３１、を介して２個のＦＥＴ４１，４
２のゲートに供給される。これにより、そのＦＥＴ４１
，４２のドレインには電圧が発生し、その電圧信号はそ
れぞれ該当する行および列のアンプＡＨおよびＡ□に入
力され、そのアンプＡ Ｘ ｉとＡｏの出力端子には、
１個の検出素子に１個のアンプを接続した場合に比して
半分の波高値のパルス状の信号が現れる。これによって
、どの検出素子に放射線が入射したか、つまり、放射線
の入射位置のＸ−Ｙ位置情報が得られ、このような出力
を例えばディスクリミネータを介して２値化し、メモリ
に書き込めば、放射線の二次元入射位置のデジタル位置
情報を集めることができる。
ここで、各アンプ人。ｉｌ Ａ□には、例えば検出素子
をｎＸｎ個配列した場合には第４図に示す従来′装置と
同様、それぞれｎ個づつの検出素子が接続されることに
なるが、アンプＡ １Ｂ、 Ａｙｊにはその入力前段に
検出素子１個について１個づつＦＥＴが介在するから、
アンプの入力容量に起因するノイズパワーは、検出素子
１個の容量をＣとするとｎ−ｃ”に比例することになり
、第４図の装置に比して１／Ｈに低減する。ここにおい
て、１個のアンプにはｎ個のＦＥＴが接続されるが、周
知 ゛の通り、ＦＥＴの容量は検出素子に比して充分に
小さくすることが可能であって、ＦＥＴの接続個数の増
大に起因するノイズの増大は無視し得る。
をｎＸｎ個配列した場合には第４図に示す従来′装置と
同様、それぞれｎ個づつの検出素子が接続されることに
なるが、アンプＡ １Ｂ、 Ａｙｊにはその入力前段に
検出素子１個について１個づつＦＥＴが介在するから、
アンプの入力容量に起因するノイズパワーは、検出素子
１個の容量をＣとするとｎ−ｃ”に比例することになり
、第４図の装置に比して１／Ｈに低減する。ここにおい
て、１個のアンプにはｎ個のＦＥＴが接続されるが、周
知 ゛の通り、ＦＥＴの容量は検出素子に比して充分に
小さくすることが可能であって、ＦＥＴの接続個数の増
大に起因するノイズの増大は無視し得る。
なお、以上の実施例では、各検出素子にそれぞれ２個の
ＦＥＴを接続した場合について説明したが、ＦＥＴ以外
のトランジスタを用い得ることは勿論で、この場合、ゲ
ートはベースに、ドレインはコレクタに、ソースはエミ
ッタに、それぞれ置換される。ただし、使用するトラン
ジスタは入力インピーダンスが高いものほど望ましいこ
とは云うまでもない。
ＦＥＴを接続した場合について説明したが、ＦＥＴ以外
のトランジスタを用い得ることは勿論で、この場合、ゲ
ートはベースに、ドレインはコレクタに、ソースはエミ
ッタに、それぞれ置換される。ただし、使用するトラン
ジスタは入力インピーダンスが高いものほど望ましいこ
とは云うまでもない。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明によれば、行列状に配置され
た放射線検出素子の各行および各列について１個づつア
ンプを設け、各検出素子には□それぞれ２個のトランジ
スタのベースと２個の抵抗の一端を接続し、そのうち一
方のトランジスタのコレクタおよび抵抗の他端を該当す
る行のアンプに接続し、他方のトランジスタのコレクタ
および抵抗の他端を該当する列のアンプに接続したから
、１個のアンプの入力段に１個のトランジスタを設けて
そのトランジスタにｎ個の検出素子を接続する従来の装
置に比して、アンプ入力容量に起因するノイズパワーが
１／ｎに低減する。
た放射線検出素子の各行および各列について１個づつア
ンプを設け、各検出素子には□それぞれ２個のトランジ
スタのベースと２個の抵抗の一端を接続し、そのうち一
方のトランジスタのコレクタおよび抵抗の他端を該当す
る行のアンプに接続し、他方のトランジスタのコレクタ
および抵抗の他端を該当する列のアンプに接続したから
、１個のアンプの入力段に１個のトランジスタを設けて
そのトランジスタにｎ個の検出素子を接続する従来の装
置に比して、アンプ入力容量に起因するノイズパワーが
１／ｎに低減する。
また、各検出素子に対応させて２個のトランジスタを設
けて、検出素子の出力をトランジスタを通過させた後で
アンプに導くよう構成したから、トランジスタと検出素
子との間の結線を従来に比して著しく短縮化することが
可能となり、誘導雑音にも強い放射線位置検出装置が得
られる。
けて、検出素子の出力をトランジスタを通過させた後で
アンプに導くよう構成したから、トランジスタと検出素
子との間の結線を従来に比して著しく短縮化することが
可能となり、誘導雑音にも強い放射線位置検出装置が得
られる。
第１図は本発明実施例の構造を示す分解斜視図、第２図
はその回路構成を示す結線図、 第３図および第４図はそれぞれ従来の放射線位置検出装
置の説明図である。 １・・・化合物半導体基板 ２・・・バイアス電極 ３、、．３．２．−３□１，３□ｚ、−３４４・・・信
号取り出し電極 ４１．４２・・・ＦＥＴ ５１．５２・・・高抵抗 Ｓｚ、Ｓ１□、−・Ｓ２１＋ ｓ、□、 ’−’Ｓ４
４・・・検出素子 ＡＸＩ＋ＡＸ２＋’−−”＋Ａｙｌ、Ａｙ２．”’−・
・・アンプ 特許出願人 株式会社島津製作所 代 理 人 弁理士 西１）新 第１図
はその回路構成を示す結線図、 第３図および第４図はそれぞれ従来の放射線位置検出装
置の説明図である。 １・・・化合物半導体基板 ２・・・バイアス電極 ３、、．３．２．−３□１，３□ｚ、−３４４・・・信
号取り出し電極 ４１．４２・・・ＦＥＴ ５１．５２・・・高抵抗 Ｓｚ、Ｓ１□、−・Ｓ２１＋ ｓ、□、 ’−’Ｓ４
４・・・検出素子 ＡＸＩ＋ＡＸ２＋’−−”＋Ａｙｌ、Ａｙ２．”’−・
・・アンプ 特許出願人 株式会社島津製作所 代 理 人 弁理士 西１）新 第１図
Claims (1)
- 化合物半導体基板の一面に共通のバイアス電極、を設け
るとともに、その反対側の面には、各画素に対応させる
べく行列状に複数個の信号取り出し電極を設けて放射線
二次元検出器アレイを形成し、上記信号取り出し電極の
各行ごと、および各列ごとに対応してそれぞれ１個づつ
アンプを配設し、上記各信号取り出し電極には、それぞ
れ２個のトランジスタのベースおよび２個の抵抗の一端
を接続し、かつ、その一方のトランジスタのコレクタお
よび一方の抵抗の他端は該当する行のアンプに、他方の
トランジスタのコレクタおよび他方の抵抗の他端は該当
する例のアンプに、それぞれ接続し、上記各行各列のア
ンプ出力から放射線の二次元入射位置情報を得るよう構
成してなる、半導体放射線位置検出装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034288A JP2621159B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体放射線位置検出装置 |
| US07/155,363 US4804854A (en) | 1987-02-16 | 1988-02-12 | Low-noise arrayed sensor radiation image detecting system wherein each sensor connects to a buffer circuit |
| KR1019880001396A KR920001114B1 (ko) | 1987-02-16 | 1988-02-13 | 반도체 방사선 위치 검출장치 |
| CN88100848A CN1023836C (zh) | 1987-02-16 | 1988-02-15 | 低噪声射线图象探测系统 |
| DE8888301268T DE3862603D1 (de) | 1987-02-16 | 1988-02-16 | Strahlungsdarstellungsvorrichtung mit diskreter detektorenanordnung. |
| EP88301268A EP0287197B1 (en) | 1987-02-16 | 1988-02-16 | System for arrayed radiation detectors for imaging |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62034288A JP2621159B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体放射線位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63200088A true JPS63200088A (ja) | 1988-08-18 |
| JP2621159B2 JP2621159B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=12409966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62034288A Expired - Lifetime JP2621159B2 (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体放射線位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2621159B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0997952A2 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Riken | Semiconductor image position sensitive device |
| JP2004534395A (ja) * | 2001-06-15 | 2004-11-11 | フォルシュングスツェントルム ユーリッヒ ゲーエムベーハー | 微細構造を有する両面型位置検知型検出器 |
| JP2009243960A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
| CN105182401A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-23 | 沈阳东软医疗系统有限公司 | 一种核探测器晶体位置识别装置 |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62034288A patent/JP2621159B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0997952A2 (en) * | 1998-10-30 | 2000-05-03 | Riken | Semiconductor image position sensitive device |
| EP0997952A3 (en) * | 1998-10-30 | 2003-11-19 | Riken | Semiconductor image position sensitive device |
| US6847025B1 (en) | 1998-10-30 | 2005-01-25 | Riken | Semiconductor image position sensitive device |
| JP2004534395A (ja) * | 2001-06-15 | 2004-11-11 | フォルシュングスツェントルム ユーリッヒ ゲーエムベーハー | 微細構造を有する両面型位置検知型検出器 |
| JP2009243960A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
| CN105182401A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-23 | 沈阳东软医疗系统有限公司 | 一种核探测器晶体位置识别装置 |
| US9810629B2 (en) | 2015-09-30 | 2017-11-07 | Shenyang Neusoft Medical Systems Co., Ltd. | Recognition of position of crystal in nuclear detector |
| CN105182401B (zh) * | 2015-09-30 | 2019-05-21 | 东软医疗系统股份有限公司 | 一种核探测器晶体位置识别装置 |
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