JPS6223162A - 光イメ−ジ検出器の製造方法及びこの製造方法により製造される２次元マトリクス検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光イメージ検出器の製造方法、及び大規模な表
面上に薄膜の電子回路を製造するという一般的分野に属
する前記製造方法により得られる２次元マトリクス検出
器に関する。

本発明が意図するところは、２次元マトリクスイメージ
検出器の各素点の統合化された制御にある。

（従来の技術及び発明が解決しようとする問題点）現在
、アモーファスシリコンの高い光導電性が同一材料を用
いて同一基板上に電子制御回路を製造する可能性につな
がるという点に呑口した主な応用は、センサに対し相対
的に帳票を横方向に移動させることによって国際的規格
であるＡ４判に相当する帳票を読取るために必要な大型
の１次元イメージセンサ（２ＯｃｌＩｌ迄）にある。

このタイプの１次元イメージ検出器として、以下の３つ
の異なる構成が提案されている。

−光導電体、蓄積キャパシタ及びアモーファスシリコン
（ａ−５ｉ）の薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）の組合せ：
Ｍ、ＭａｔｓｕＩＩｌｕｒａ　、　”　ＩＥＥＥ　Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ　ＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ　　”　　
、　　ｖｏｌ、　　ＥＤＬ−１、Ｎ’　　　９　　、　
　Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ１９８０、ｐａｇｅｓ　１８２　
ｔｏ　１８４（エム、マツムラ、　　”ＩＥＥＥエレク
トロン　デバイス　レターズ、　ｖｏｌ、ＥＤＬ−１゜
Ｎ”　９．１９８０年９月、　９１８２−１８４　）参
照。

−アモーファスシリコンのフォトダイオード及びアモー
ファス又は多結晶質シリコンのＴＰＴの組合せ　：　　
Ｆ、０ｋｕｌＩｌｕｒａ、−Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　　八ｂ
ｓｔｒａｃｔｓ　　ｏｆ　　ｔｈｅ１５ｔｈ　　Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ　　ｏｎ　　５ｏｌｉｄ　　５ｔａｔｅ
　　Ｄｅｖｉｃｅｓ　　ａｎｄ！Ｊａｔｃｒｉａｌｓ　
　　Ｔｏｋｙｏ（＋９８３）　　　、　　ｐａｇａｓ　
　２０１　　ｔｏ　　２０４゜（エフ、オフムラ、“エ
クステンプイド　アブストラクツ　オブ　ザ　フィフテ
ィーンス　コンフ７レンス　オン　ソリッド　ステート
　デバイセズ　アンド　マテリアルズ、東京（＋９８１
）、ｐ　２０１−２０４　）参照。

一フォトダイオード及びａ−５ｉのブロッキングダイオ
ードの組合せ：　Ｙ、Ｙａｍａｍｏｔｏ、　　”　Ｅｘ
ｔｅｎｄｅｄ八ｂｓｔｒａｃへｓ　　ｏｆ　　ｔｈｅ　
　１５ｔｈ　　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　ｏｎ　　５ｏ
ｌｉｄＳｔａｔｅ　　Ｄｅｖｉｃｅｓ　　ａｎｄ　　Ｍ
ａｔｅｒｉａｌｓ　　”　　、　　Ｔｏｋｙｏ（１９８
３）。

ｐａｇｅｓ　２０５　ｔｏ　２０８　（ワイ、ヤマモト
、′エクステンプイド　アブストラクツ　オブ　ザ　）
　ィ　フティーンス　コンファレンス　オン　ソリッド
ステート　デバイセズ　アンド　マテリアルズ。

東京（１９８３）、　Ｐ　２０５−２０８　）参照。

これらの構成のうちいくつかは、次の特性を有するデバ
イスを得ることができる。

長さ　　：　５０＋ｎｍ 解像度　　　：　８〜１０ビット／ｍロピクセルのサイ
ズ＋　１００７ｍ　Ｘ７０７ｍ読出し時間　：２？Ｓ／
ビツト（多重化しない）これらの結果によれば、良好な
状態で帳票の再生を可能にする１次元イメージ検出器の
形成を予期することは妥当であるように思われる。例え
ば、速度が８ビツト／ｒＩＩｒｎでページ転送速度が５
ｍｓ／ラインで２１６　ｍｍの幅を打する帳票を再生す
ることは可能であろう。

また、マトリクスアドレシング・リーディングシステム
をもつ２次元イメージ検出器も開発されてし）る：　Ｓ
、　Ｕｙａ　、　”　Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　八ｂｓｔｒａ
ｃｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ１６ｔｈ　　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ　　ｏｎ　　５ｏｌｉｄ　　５ｔａｔｅ　　Ｄｅｖｉ
ｃｅｓ　　ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ、　Ｋｏｂｅ、（
１９８４）、ｐａｇｅｓ　３２５　ｔｏ　３２８　　（
ニス、ウヤ、“エクステンプイド　アブストラクッオブ
　ザ　シクスティーンス　コンファレンスオン　ソリッ
ド　ステート　デバイセズ　アンドマデリアルズ、神戸
、　（１９８４年）　、　ｐ　３２５−３２８）参照。

この文献に開示のイメージ検出器は、光によって形成さ
れた電荷を読出すための電荷結合素子（ｃＣＯ）の２次
元アレー上に重畳されたアモーファスシリコンのフォト
ダイオードのマトリクスで形成されている。ＣＣＤは単
結晶シリコンで形成されているので、センサのサイズは
単結晶シリコン技術に特有の要求によって制限される。

換言すれば、各側部で１ｃｍを越えないフォトタイプで
ある。

これに対し、本発明はマトリクスアドレシング・リーデ
ィングを持つ大規模２次元イメージセンサに関する。

素点は、アモーファスシリコン制御トランジスタのドレ
インに接続されるアモーファスシリコンフォトダイオー
ドによって構成されている。前記トランジスタのソース
は列方向電極によって形成され、ゲートは行方向電極に
よフて制御される。

必要であれば、すべてのダイオードに共通のフォトダイ
オードの第２の端子は、ダイオードを逆バイアスするた
めに、ゼロでない電位に設定可能である。

本発明は、フラットパネルタイプの液晶ディスプレイス
クリーンをアドレスするためのに’Ｊ　’００１−ラン
ジスタを製造する際に得られる最近の技術及び光’ｒｉ
ｌｉ、（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）ダイオードの分野
ての技術の進歩の利益を受けている。

本発明による製造方法の主な利点の１つは、本発明が３
つのマスキングレベルのみを必要とする点にある。更に
、本発明によれば、現在用いられているものにくらべ極
めて大きなサイ′ズのイメージ検出器が形成できる。

例えば、本発明によるイメージ検出器の用途の１つとし
て、Ｘ線を吸収しかつ可視光を再放出するシンチレータ
がＸ線源とイメージ検出器との間に介在する場合の２次
元Ｘ線検出器が挙げられる。これは、現在の放射線学で
用いられている光感受性プレート又はＸ線イメージ均圧
器に取って代わる１つの方法となり得る。

（問題点を解決するための手段） 本発明は以下の工程を具備する光イメージ検出器に関す
る。

（ａ）導電性物質の第１の層を基板上に付着する第１の
工程と、 （ｂ）予め決められた型（ｐ型又はｎ型）にドープされ
たアモーファス半導体の第２の層を付着する第２の工程
と、 （ｃ）　　トープされていないアモーファス半専体の層
を付着する第３の工程と、 （ｄ）第２の工程で用いた型とは逆の型にトープされた
アモーファス半導体の層を付着する第４の工程と、 （ｅ）金属性物質の第１の層を付着する第５の工程と、 （ｆ）第２ないし第５の各工程で付着した層をマスクを
介してエツチングすることにより複数のフォトダイオー
ドを形成する第６の工程と、（ｇ）フォトダイオードの
厚みに等しい厚みをもつ絶縁性物質の第１の層を付着す
る７ｆｉ７の工程と、 （ｈ）フォトダイオード間の絶縁性物質を残し、フォト
ダイオード上の絶縁性物質を除去する第８の工程と、 （ｉ）金属性物質の第２の層を付着する第９の工程と、 （ｊ）　　ｎ型にドープされた半導体の層を付着する第
１０の工程と、 （ｋ）第１０の工程で付着した半導体の層と７ｇ９の工
程で付着した金属性物質の第２の層とをマスクを介して
エツチングし、それぞれが対応する１つのフォトダイオ
ードに接触する接続エレメントと、該接続エレメントに
近接する絶縁性物質上の列を形成する第１１の工程と、 （１）ドープされていないアモーファス半導体の層を付
着する第１２の工程と、 （ｍ）絶縁性物質の第２の層を付着する第１３の工程と
、 （ｎ）金属性物質の第２の層を付着する第１４の工程と
、 （ｏ）第１２、第１３及び第１４の工程でそれぞれ付着
したアモーファス半導体、絶縁性物質の第２の層及び金
属性物質の第２の層をマスクを介してエツチングするこ
とにより、接続エレメント及び列に重なる行を形成する
第１５の工程と、 を有する。

また、本発明は以下の構成要素を具備する２次元マトリ
クス検出器に関する。

予め決められた型（ｐ型又はｎ型）にドープされたアモ
ーファス半導体の層と、ドープされていないアモーファ
ス半導体の層と、前記型とは反対の型にドープされたア
モーファス半導体の層と、導電性物質の第２の層とを具
備する枕木状のフォトダイオードを行方向及び列方向に
配列し、各フォトダイオードを絶縁性物質によって隣接
するフォトダイオードから！！ｊして形成されるフォト
ダイオードのマトリクスと、 各々が前記絶縁性物質上に設けられる金属性物質の層と
ドープされたアモーファス半導体の層によって形成され
、フォトダイオードの列に沿って配列された列エレメン
トと、 各々が金属性物質の層とドープされたアモーファス半導
体の層によって形成されるとともに、列エレメントに近
接して位置し、フォトダイオードの導電性物１τの層を
介してフォトダイオードに接続される接続エレメントと
、 各々がドープされていないアモーファス半導体の層と絶
縁層と金属性物質の層によって形成され、フォトダイオ
ードの行に沿って配列されるとともに、列エレメントと
、１つの行と１つの列との各交点にある少なくとも１つ
の接続エレメントとに重なる行エレメントとを具備する
。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。

本発明によれば、光イメージ検出器の製造方法は、第１
ステツプとして、ガラス等で形成される基板１上に導電
性物質の層２を付着させることから始まる。対象とする
利用形態に従って、導電性物質の層２は後述するように
、透過性物質による検出器とすることができる。この層
として、すすとインジウムの混合酸化物（ＩＴＯ）の薄
膜、又はこむと等価の物質（Ｉｎ２０：＋　、　５ｎＯ
３）の薄膜を付着させる。このタイプの層は、５００な
いし１５００オングストロームの厚み（例えば、１２５
０オングストローム）を有する。この層を付着した後、
酸化を行なう。

第２のステップにおいて、ｐ型にドープされたアモーフ
ァスシリコンの層３を、公知のアモーファスシリコンの
付着方法（例えば、発光放電又は反応性スパッタリング
）を用いて付着させる。

第３のステップでは、トープされていないアモーファス
シリコンの層４を、先のステップで用いた方法と同一の
付着方法で付着させる。

第４のステップでは、ｎ型にドープされたアモーファス
シリコンの層５を前記付着方法で付着させる。

第５のステップでは、真空蒸着又は真空スパッタリング
により、アルミニウムのごとき薄い金属層６を付着させ
る。

このようにして、第１図に示すような構造が形成される
。上記４つの層３，４．５及び６の厚みは約１ミクロン
である。

第６のステップでは、第２図中のフォトダイオードＥの
ようなフォトダイオードを、前記４つの層をエツチング
することによって形成する。このエツチングはフォトリ
ソグラフィで行なうことができる。この工程は、マスキ
ング−精度の高い寸法及び位置決めを要しない−を必要
とする。マスキング操作に続き、４つの層のドライエツ
チング又は化学エツチングを行なう。

以上により、第２図に示すようなｐｉｎ”２のフォトダ
イオードＥが得られる。しかしながら、アモーファスシ
リコンの層３をｎ型にドープし、かつアモーファスシリ
コンの層５をＰ型にドープすることも可能である。この
場合は、ｎｉｐ型のフォトダイオードが得られる。

第７ステツプでは、絶縁層７を付着する。この層の厚み
はフォトダイオードＥの厚みに等しい。

Ｍ！、柱層７はシリカ又は窒化シリコンを用いて形成す
る。この場合の付着技術としては、発光放電又は反応性
スパッタリングが挙げられる。この付着の際の温度は、
フォトダイオードＥの特性を決める。このようにして、
第３図に示すタイプの構成が得られる。

第８ステツプでは、フォトダイオードＥの金属層６の表
面上にある絶縁物質の層７を除去する。

このために、絶縁層７の表面をネガティブな樹脂で覆う
。そして、第３図に示すように、基板ｌ側から光源にさ
らす。フォトダイオードＥの金属層６は、フォトダイオ
ードＥ上に位置する絶縁層７に対するマスクとして機能
する。そして現像した後、この絶縁層７を除去する。こ
のようにして、第４図に示１−構成か得られる。第８図
の斜視図に示すように、電極Ｅの頂面は絶縁層７の頂面
上にある。

第９ステツプでは、クロミウム、パラジウム又はモリブ
デンの如き金属の層８を付着させる。この場合の付着方
法としては、金属層６の付着方法と同一の方法、すなわ
ち真空蒸着又は陰極スパッタリングを用いる。金属層８
の厚みは、数百オングストローム（例えば、６００オン
グストローム）でなければならない。

第１０ステツプでは、高濃度にドープされた半導体物質
のｎ型層９を、公知の付着方法、例えば発光放電又は反
応性スパッタリング等を用いて付着させる。この層９の
厚みは、４００オングストロ一ム程度（３００から５０
０オングストロームの間）である。

第１１ステツプでは、金属層８とアモーファスシリコン
層９のエツチングを行ない、第６図に示すような接続エ
レメントＣｘ及び列エレメントＣＬを形成する。接続エ
レメントＣ×は、７８５図の層８及び９のエツチングに
よる層８×及び９ｘによって形成されている。同様に、
列エレメントＣＬは、層８及び９のエツチングによる層
８Ｌ及び９Ｌによって形成されている。

第９図は、このようにして形成された構造の斜視図であ
る。接続エレメントＣｘは略り字型である。Ｌ字型のア
ームのうちの１つは電極Ｅに接触している。他方のアー
ムは列エレメントＣＬに平行である。

このエツチング工程はフォトリソグラフィによって行な
われ、トランジスタの形状（トランジスタチャネルの長
さ）を決定する。

第１２ステツプでは、ドープされてぃないアモーフ７ス
シリコンの如き半導体物質の層】０を付着させる。この
付着は、発光放電の如き公知の方法を用いて行なう。こ
のようにして形成される層１０の厚みは３０００オング
ストロ一ム程度である。

第１３ステツプでは、第１２ステツプと同様の方法によ
り、絶縁層＋１（ゲート絶縁体）を付着させる。この絶
縁層１１の厚みはほぼ１５００オングストロームである
。絶縁層！１は、例えば窒化物を用いる。

第１４ステツプでは、クロミウム、パラジウム、モリブ
デン等の如き金属物質の層１２を付着させる。この付着
は、金属層８の付着を行なう第９ステツプにて用いられ
た方法と同様の付着方法を用いて行なう。金属層１２の
厚みは、約３００オングストロームである。第１２ステ
ツプから第１４ステツプを実行した後の構造を第７図に
示す。

第１５ステツプでは、行ＬＧを形成するために、金属層
１２、絶縁層１１及びアモーファスシリコン層のエツチ
ングを行なう。

第１０図の斜視図には、列エレメントＣＬと接続エレメ
ントＣｘの一部に垂直な行ＬＧが示されている。

このエツチング操作は、フォトリソグラフィによって行
なう。

この段階の集ｈ１されたマトリクスイメージ検出器を第
１１図に示１−０基板１は行ＬＧ、列ＣＬ、行と列の各
交点における接続エレメントＣｘ、及び各接続エレメン
トに接続されるフォトダイオードＥを支持する。

更に、第１２図に示すように、各行ＬＧは外交点におい
て幅広の部分（トランジスタ）を存する。こむにより、
トランジスタと次の列との間に存在しがちな寄生トラン
ジスタ作用を減少させることができる。

前述した第１２ステツプ及び第１３ステツプで行なわれ
るアモーファスシリコン層ＩＯ及び絶縁層１１の付着は
、これらの付着層から基板１の周囲を保護するためのマ
スクを介して行なわれる。従って、各行ＬＧの周囲接点
は、付着された金属層１２によって基板上に直接形成さ
れる。

第１２ステツプでの付着操作は電気的に補償された半導
体又は（ｉかにｐ型にドープされた半導体を用い、これ
により光導電性を減少させ、トランジスタの特性に光の
Ｅ’Ｗを制限することができる。

行と列の電気的接続は添付図面に示していないか、公知
の技術に従）て確立される。

前述したマトリクス検出器は光イメージを検出すること
ができる。基板１及び層２は検出すべきイメージによっ
て生成される光ビームに対し透過であるので、この光ビ
ームは基板１及び層２を通してフォトダイオードＥを照
射する。これにより、フォトダイオードは導通する。行
と列上のマトリクス検出器を走査することにより、各フ
ォトダイオードＥによって受は取られた光束を検知する
ことができ、またポイントごと（又は電ｉＥ）のイメー
ジを読取ることができる。

これらの状況のもとでは、受は取られた光イメージは基
板１を通過する。歪を防ぐために、光イメージが基板１
を通過しないようにするためには、フォトダイオード４
の金属層６は光束に対し）３道性をもつ導電性物質の層
となるようにする。

従って、前記第１５ステツプにおける材料の付着を真空
陰極スパッタリンクで行なう。この場合、材料としてＩ
ＴＯ又はＳｎＯ２を用いることができる。このタイプの
構成において、層２は送出された光束に対し不透明であ
る。

従って、光イメージは電極Ｅ上の光透過性を持つ導電性
物質の層６を通り形成された部分の頂部に到達する。従
って、イメージはフォトダイオード上に直接形成される
。更に、各行ＬＧの金属層１２は行と列の交点にあるト
ランジスタを入射光から遮蔽する機能をもつ。

本発明は特に、放射線写真システムに好適に適用される
。従って、受光した放射線イメージを電気的にメモリに
記録することができる。透過性又は非透過性の層（基板
１、層２、金属層６）の製造に用いられる材料は、用途
に従って異なる検知すべきイメージの放射光の性質に適
したものを選択する必要がある。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、従来にくらべ簡
単な製造方法により大規模な光イメージ検出器を提供す
ることができる。本発明は２次元Ｘ線検出器として用い
て好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図及び第４図は本発明によるフォ
トダイオードＥの製造方法を示す図、第５゛図、第６図
及び第７図は本発明による検出器用ル制御トランジスタ
の製造方法を示す図、第８図は本発明によるフォトダイ
オードを示す斜視図、第９図は接続エレメントＣｘと列
エレメントＣＬとフォトダイオードＥを示す斜視図、第
１０図は本発明による検出器を示す斜視図、並びに第１
１図及び第１２図は本発明による検出器のマトリクス配
列を示す平面図である。 ｌ・・・基板、　　　　２・・・導電性物質の層、３・
・・Ｐ型にドープされたアモーファスシリコンの層、 ４・・・ドープされていないアモーファスシリコンの層
、 ５・−ｎ型にドープされたアモーファスシリコンの層、 ６・・・金属層、　　　７・・・絶縁層、８・・・金属
層、 ９・・・高濃度にドープされた半導体物質のｎ型層、１
０・・・ドープされていないアモーファスシリコンの層
、 １１・・・絶縁層、　　　１２・・・金属層。

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. （１）光ビームを発する光イメージの検出器の製造方法
   であつて、 （ａ）導電性物質の第１の層を基板上に付着する第１の
   工程と、 （ｂ）予め決められた型（ｐ型またはｎ型）にドープさ
   れたアモーファス半導体の第２の層を付着する第２の工
   程と、 （ｃ）ドープされていないアモーファス半導体の層を付
   着する第３の工程と、 （ｄ）第２の工程で用いた型とは逆の型にドープされた
   アモーファス半導体の層を付着する第４の工程と、 （ｅ）金属性物質の第１の層を付着する第５の工程と、 （ｆ）第２ないし第５の各工程で付着した層をマスクを
   介してエッチングすることにより複数のフォトダイオー
   ドを形成する第６の工程と、 （ｇ）フォトダイオードの厚みに等しい厚みをもつ絶縁
   性物質の第１の層を付着する第７の工程と、 （ｈ）フォトダイオード間の絶縁性物質を残し、フォト
   ダイオード上の絶縁性物質を除去する第８の工程と、 （ｉ）金属性物質の第２の層を付着する第９の工程と、 （ｊ）ｎ型にドープされた半導体の層を付着する第１０
   の工程と、 （ｋ）第１０の工程で付着した半導体の層と第９の工程
   で付着した金属性物質の第２の層とをマスクを介してエ
   ッチングし、それぞれが対応する１つのフォトダイオー
   ドに接触する接続エレメントと、該接続エレメントに近
   接する絶縁性物質上の列を形成する第１１の工程と、 （ｌ）ドープされていないアモーファス半導体の層を付
   着する第１２の工程と、 （ｍ）絶縁性物質の第２の層を付着する第１３の工程と
   、 （ｎ）金属性物質の第２の層を付着する第１４の工程と
   、 （ｏ）第１２、第１３及び第１４の工程でそれぞれ付着
   したアモーファス半導体、絶縁性物質の第２の層及び金
   属性物質の第２の層をマスクを介してエッチングするこ
   とにより、接続エレメント及び列に重なる行を形成する
   第１５の工程と、を有することを特徴とする光イメージ
   検出器の製造方法。
2. （２）第１の工程で付着した導電性物質の第１の層は光
   イメージからの光ビームに対し透過性をもち、第５の工
   程で付着した金属性物質の第１の層は前記光ビームに対
   し非透過性であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載の製造方法。
3. （３）導電性物質の第１の層は光イメージからの光ビー
   ムに対し非透過性で、金属性物質の第１の層は前記光ビ
   ームに対し透過性であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項に記載の製造方法。
4. （４）導電性物質の第１の層及び金属性物質の第１の層
   はいずれも、光イメージからの光ビームに対し透過性で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製
   造方法。
5. （５）基板は光イメージからの光ビームに対し透過性で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製
   造方法。
6. （６）半導体の層の付着方法はグロー放電であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。
7. （７）金属性物質の層の付着は真空蒸着により行なうこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方法
   。
8. （８）金属性物質の層の付着は真空陰極スパッタリング
   により行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
   記載の製造方法。
9. （９）エッチングを行なう第６の工程は、得るべきフォ
   トダイオードに対応した領域のマスキングを含むフォト
   リソグラフィと、第２ないし第５の各工程で付着した層
   のドライエッチング又は化学エッチングからなることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。
10. （１０）第７工程はグロー放電により実行することを特
    徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。
11. （１１）第７工程は反応性スパッタリングにより実行す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造
    方法。
12. （１２）フォトダイオード上の絶縁性物質の除去をネガ
    ティブ樹脂を用い、かつ第１５工程で付着した金属層を
    マスクとして用いて基板を通して露光することにより行
    ない、エッチング作業をドライ技術で行なうことを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。
13. （１３）第７工程で付着した絶縁性物質は光感受性ポリ
    イミドで、フォトダイオード上の当該絶縁性物質の除去
    を、フォトダイオードをマスクとして用いて基板側から
    露光した後現像して露光されなかった部分を除去し、最
    後に前記フォトダイオードに従う温度でフォトダイオー
    ド間に残るポリイミドをアニーリングすることにより行
    なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製
    造方法。
14. （１４）第２、第３、第４、第１０及び第１２の各工程
    で付着した層の半導体は、アモーファスシリコンである
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方
    法。
15. （１５）第２工程で付着した半導体の層は、シリコンと
    カーボンの合金であることを特徴とする特許請求の範囲
    第１項に記載の製造方法。
16. （１６）半導体層及び絶縁層の付着を行なう第１２及び
    第１３工程は、第１工程で付着した導電性物質の層の周
    囲を保護するマスクを介して行ない、これにより第１４
    工程以降で付着した金属層が前記導電性物質上に位置す
    る接点を形成することを特徴とする特許請求の範囲第１
    項に記載の製造方法。
17. （１７）第１２工程は電気的に補償された半導体の付着
    であり、これにより当該半導体の光導電性を減少させる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の製造方
    法。
18. （１８）第１２工程は微かにｐ型にドープされた半導体
    の付着であり、これにより当該半導体の光導電性を減少
    させることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
    製造方法。
19. （１９）導電性物質の第１の導電性物質の層で覆われた
    基板上に、予め決められた型（ｐ型又はｎ型）にドープ
    されたアモーファス半導体の層と、ドープされていない
    アモーファス半導体の層と、前記型とは反対の型にドー
    プされたアモーファス半導体の層と、導電性物質の第２
    の層とを具備する枕木状のフォトダイオードを行方向及
    び列方向に配列し、各フォトダイオードを絶縁性物質に
    よって絶縁して形成されるフォトダイオードのマトリク
    スと、 各々が前記絶縁性物質上に設けられる金属性物質の層と
    ドープされたアモーファス半導体の層によつて形成され
    、フォトダイオードの列に沿って配列された列エレメン
    トと、 各々が金属性物質の層とドープされたアモーファス半導
    体の層によって形成されるとともに、列エレメントに近
    接して位置し、フォトダイオードの導電性物質の層を介
    してフォトダイオードに接続される接続エレメントと、 各々がドープされていないアモーファス半導体の層と絶
    縁層と金属性物質の層によって形成され、フォトダイオ
    ードの行に沿って配列されるとともに、列エレメントと
    、１つの行と１つの列との各交点にある少なくとも１つ
    の接続エレメントとに重なる行エレメントと、 を具備することを特徴とする２次元マトリクス検出器。
20. （２０）導電性物質の第２の層は、光イメージからの光
    ビームに透過であることを特徴とする特許請求の範囲第
    １９項に記載の２次元マトリクス検出器。
21. （２１）導電性物質の第１の層は、光イメージからの光
    ビームに透過であることを特徴とする特許請求の範囲第
    １９項に記載の２次元マトリクス検出器。
22. （２２）導電性物質の第１の層は、光イメージからの光
    ビームに透過であることを特徴とする特許請求の範囲第
    ２０項に記載の２次元マトリクス検出器。