JPS61154166A - 光電変換素子アレイ - Google Patents
光電変換素子アレイInfo
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- JPS61154166A JPS61154166A JP59277373A JP27737384A JPS61154166A JP S61154166 A JPS61154166 A JP S61154166A JP 59277373 A JP59277373 A JP 59277373A JP 27737384 A JP27737384 A JP 27737384A JP S61154166 A JPS61154166 A JP S61154166A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電変換素子アレイに関し、特にこの光電変換
素子を電荷蓄積盤で動作させ、原稿幅と読取り幅とが１
対１に対応する密着読取りに適した大面積の混成集積化
元センサ用光電変換素子アレイに関する。
素子を電荷蓄積盤で動作させ、原稿幅と読取り幅とが１
対１に対応する密着読取りに適した大面積の混成集積化
元センサ用光電変換素子アレイに関する。
ファクシミリ送信機等の読取りデバイスとしてＩＣセン
サと称されるＭＯＳ−？ＣＣＤの一次元アレイに代り、
原稿幅と光電変換素子アレイ幅とを１対１で対応させた
密着形イメージセンサが実用化されている。縮小結像素
の光路とその微妙な調整を必要とせず、読取り装置の小
型化、低価格化が実現されるからである。当然ＩＣセン
サと同様に、その性能は安定で全長にわたり均一で高感
度であることが要求される。
サと称されるＭＯＳ−？ＣＣＤの一次元アレイに代り、
原稿幅と光電変換素子アレイ幅とを１対１で対応させた
密着形イメージセンサが実用化されている。縮小結像素
の光路とその微妙な調整を必要とせず、読取り装置の小
型化、低価格化が実現されるからである。当然ＩＣセン
サと同様に、その性能は安定で全長にわたり均一で高感
度であることが要求される。
このような密着形イメージセンサの光電変換素子は従来
第２図に示すように、基板ｌ上に分割された複数の個別
電極２が直線状に配列され、この個別電極２を覆うよう
に光電変換材膜３が設けられ、さらにこの光電変換材膜
３上に透明共通電極層４と、開口部のある遮光性導電層
５とを備えた光電変換素子が知られている（特開昭５９
−８０８６４）このような構成の光電変換素子アレイは
直接画。
第２図に示すように、基板ｌ上に分割された複数の個別
電極２が直線状に配列され、この個別電極２を覆うよう
に光電変換材膜３が設けられ、さらにこの光電変換材膜
３上に透明共通電極層４と、開口部のある遮光性導電層
５とを備えた光電変換素子が知られている（特開昭５９
−８０８６４）このような構成の光電変換素子アレイは
直接画。
像光を入力し、その入力元に対応した電気信号を導出す
るための光電変換素子の集まりである。したがって、こ
れらの光電変換素子には当然のことながら欠陥素子の発
生は許されない。しかし、光電変換素子の基本的な性能
を確認するにはそのアレイの中から選出したどれかの素
子を使用するかない。例えば共通電極と個別電極度にＩ
ＯＶの直流電圧を印加し、暗箱中でその電流を測定す゛
る漬抵抗特性が必要とされるのでこの静特性の評価は完
成させるまでの工程中重要な作業である。
るための光電変換素子の集まりである。したがって、こ
れらの光電変換素子には当然のことながら欠陥素子の発
生は許されない。しかし、光電変換素子の基本的な性能
を確認するにはそのアレイの中から選出したどれかの素
子を使用するかない。例えば共通電極と個別電極度にＩ
ＯＶの直流電圧を印加し、暗箱中でその電流を測定す゛
る漬抵抗特性が必要とされるのでこの静特性の評価は完
成させるまでの工程中重要な作業である。
ところが、測定機の端子を直接個別電極の信号引出線に
接触して測定すると、その信号引出線を・切断したり、
線間を短縮したり、時には素子を破壊に至らしめたりす
ることがあり、欠陥素子発生の原因になる。また、全素
子を時系列に走査し、電気信号を取り出すための駆動工
Ｃｆｔ実装し、信号引出線に接続した後では駆動ＩＣ中
の回路素子が接続されたことになり正確な静特性の評価
が出来ないという欠点があった。
接触して測定すると、その信号引出線を・切断したり、
線間を短縮したり、時には素子を破壊に至らしめたりす
ることがあり、欠陥素子発生の原因になる。また、全素
子を時系列に走査し、電気信号を取り出すための駆動工
Ｃｆｔ実装し、信号引出線に接続した後では駆動ＩＣ中
の回路素子が接続されたことになり正確な静特性の評価
が出来ないという欠点があった。
本発明はこのような従来の欠点を除去せしめて主となる
光電変換素子にダメージを与えることなく、正確な静特
性が評価でき、かつ均一な感度の動作が可能な光電変換
素子アレイを提供することにある。
光電変換素子にダメージを与えることなく、正確な静特
性が評価でき、かつ均一な感度の動作が可能な光電変換
素子アレイを提供することにある。
本発明の光電変換素子アレイは、絶縁性基板の一主面上
に、帯状の共通電極と、光電変換材膜と互いに分離され
一列に並べた複数の個別電極とを少なくとも積層して形
成される光電変換素子アレイにおいて、前記個別電極に
信号を導出するための信号引出部分を設けた等間隔の主
光電変換素子列と、該主光電変換素子列に隣接し開放端
引出部分を設けた１個以上の副光電変換素子とから少な
くとも構成され、かつ前記主光電変換素子端と前記副光
電変換素子との間隔は、前記主光電変換素子列の個別電
極間の間隔より大きく配置して構成される。
に、帯状の共通電極と、光電変換材膜と互いに分離され
一列に並べた複数の個別電極とを少なくとも積層して形
成される光電変換素子アレイにおいて、前記個別電極に
信号を導出するための信号引出部分を設けた等間隔の主
光電変換素子列と、該主光電変換素子列に隣接し開放端
引出部分を設けた１個以上の副光電変換素子とから少な
くとも構成され、かつ前記主光電変換素子端と前記副光
電変換素子との間隔は、前記主光電変換素子列の個別電
極間の間隔より大きく配置して構成される。
本発明によれば、光電変換素子の基本性能の評価は、電
気信号を導出する主光電変換素子に隣接して設置した副
光電変換素子によってチェックできる。直線状に配列さ
れ、距離的にも接近しているため、主光電変換素子の性
能と副光電変換素子の性能とはほとんど差は無い。゛し
たがって主光電変換素子の信号引出線を切断したり、線
間を短縮したり、時に素子を破壊するようなことは無く
、存在する可能性があるのは直接電気信号を導出する必
要のない副光電変換素子だけである。また、駆動ＩＣを
実装した後でも、副光電変換素子には駆動ＩＣは接続さ
れず、開放端引出部分の電極があるだけなので、常に静
特性のチェックができるようになる。
気信号を導出する主光電変換素子に隣接して設置した副
光電変換素子によってチェックできる。直線状に配列さ
れ、距離的にも接近しているため、主光電変換素子の性
能と副光電変換素子の性能とはほとんど差は無い。゛し
たがって主光電変換素子の信号引出線を切断したり、線
間を短縮したり、時に素子を破壊するようなことは無く
、存在する可能性があるのは直接電気信号を導出する必
要のない副光電変換素子だけである。また、駆動ＩＣを
実装した後でも、副光電変換素子には駆動ＩＣは接続さ
れず、開放端引出部分の電極があるだけなので、常に静
特性のチェックができるようになる。
さらに、副光電変換素子に隣接した端部の主光電変換素
子は、他の生″に、電変換素子より大きな出力信号にな
り易い。それは、副光電変換素子の個別電極は開放端に
なっているため、動作中宮に共通電極の電位、例えｉｊ
：５Ｖ〜ＩＯＶに保持されている。
子は、他の生″に、電変換素子より大きな出力信号にな
り易い。それは、副光電変換素子の個別電極は開放端に
なっているため、動作中宮に共通電極の電位、例えｉｊ
：５Ｖ〜ＩＯＶに保持されている。
端部の主光電変換素子はこの影響をうけて出力信号が大
きくなるが、その隣接部分は他の個別電極距離より大き
な間隔とし、影響を減少させている。
きくなるが、その隣接部分は他の個別電極距離より大き
な間隔とし、影響を減少させている。
これによって均一な感度の動作が実現される。
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例を示す平面概略図である。ガ
ラス基板１１の上に、例えはＣｒからなる個別電極１２
ｔ−同一寸法にパターン化し直線状に設置する。次に光
電変換材膜１３例えば非晶質シクユンがこの個別′１極
１２上に覆うように１〜２μ厚設置し、さらにこの上に
共通電極となる透明共通電極層１４ｆ、設置する。必要
によって開口部のある遮光性導電層をこの透明導電層１
４の上に設置する。前記個別電極１２のうち両端の３個
別電極には開放端引出部１６を設は副光電変換素子とし
、中央部分の個別１！極には信号引出部１７を設は主光
電変換素子とする。前記主光電変換素子端と副光電変換
素子端は、個別電極１個抜けた程度の大きな間隔の分離
域１８を設置している。
ラス基板１１の上に、例えはＣｒからなる個別電極１２
ｔ−同一寸法にパターン化し直線状に設置する。次に光
電変換材膜１３例えば非晶質シクユンがこの個別′１極
１２上に覆うように１〜２μ厚設置し、さらにこの上に
共通電極となる透明共通電極層１４ｆ、設置する。必要
によって開口部のある遮光性導電層をこの透明導電層１
４の上に設置する。前記個別電極１２のうち両端の３個
別電極には開放端引出部１６を設は副光電変換素子とし
、中央部分の個別１！極には信号引出部１７を設は主光
電変換素子とする。前記主光電変換素子端と副光電変換
素子端は、個別電極１個抜けた程度の大きな間隔の分離
域１８を設置している。
このような構造の光電変換素子アレイは信号引出配線部
１７のピッチがＱ、１ｓｏａ以下となるような微細配線
の場合、この部分に静特性評価のための接触子を接触し
て摺動させて測定する必要が無く副光電変換素子の開放
端引出部１６で実施すればよい。この接触子の摺動時に
発生するキズのため配線間短絡、断線等の事が無くなり
、歩留りも向上する。
１７のピッチがＱ、１ｓｏａ以下となるような微細配線
の場合、この部分に静特性評価のための接触子を接触し
て摺動させて測定する必要が無く副光電変換素子の開放
端引出部１６で実施すればよい。この接触子の摺動時に
発生するキズのため配線間短絡、断線等の事が無くなり
、歩留りも向上する。
また、動作中の副光電変換素子の高電位による影響をう
け、主光電変換素子の端部の出力が大きくなる問題は、
隣接する副光電変換素子との間に分離域１８を設置して
低減している。すなわち、副光電変換素子が共通電極層
１４と同電位となり、はとんど接地電位である主光電変
換素子へ影響し易くなるが、充分距離を大きくとり、絶
縁性を高、めることによってこれを減少している。した
がって主光電変換素子の出力には影響せず他の素子と同
等な出力信号が得られるようになる。
け、主光電変換素子の端部の出力が大きくなる問題は、
隣接する副光電変換素子との間に分離域１８を設置して
低減している。すなわち、副光電変換素子が共通電極層
１４と同電位となり、はとんど接地電位である主光電変
換素子へ影響し易くなるが、充分距離を大きくとり、絶
縁性を高、めることによってこれを減少している。した
がって主光電変換素子の出力には影響せず他の素子と同
等な出力信号が得られるようになる。
とくに、主光電変換素子の配線間の間隔が数１０μ程度
の高密度になる程効果的で、この分離域１８が無いと約
２割程の出力増が観察されるところを平担な出力特性と
なり、均一性ある感度特性が得られるようになる。
の高密度になる程効果的で、この分離域１８が無いと約
２割程の出力増が観察されるところを平担な出力特性と
なり、均一性ある感度特性が得られるようになる。
この種の光電変換素子アレイは例えばＡ４判、Ａ３判読
取りデバイスのように全素子が数１０００ ’個
以上になっても唯−四の特質素子の存在も許されない温
域ＶＬＳ Ｉ であるが、本発明による構造は非常に
有効で、高い出力の均一性と欠陥素子の発生しない高信
頼の光電変換素子アレイを得ることができる。
取りデバイスのように全素子が数１０００ ’個
以上になっても唯−四の特質素子の存在も許されない温
域ＶＬＳ Ｉ であるが、本発明による構造は非常に
有効で、高い出力の均一性と欠陥素子の発生しない高信
頼の光電変換素子アレイを得ることができる。
尚、本実施例においては分離域１８は主光電変換素子の
個別電極の１個分の距離とし、両端に設置したが、これ
に限定されることなく２個あるいは３個分で片側だけで
も良く、少なくとも主および副光電食ＩＩ８素子の隣接
する個別１！極の間に主光電変換素子のピッチより大き
なピッチの分離域が存在すれは良い。
個別電極の１個分の距離とし、両端に設置したが、これ
に限定されることなく２個あるいは３個分で片側だけで
も良く、少なくとも主および副光電食ＩＩ８素子の隣接
する個別１！極の間に主光電変換素子のピッチより大き
なピッチの分離域が存在すれは良い。
また、不実施例でに個別′ＷＩＬ極を光電変換材膜の下
に置き透明電極層を上に設置した、基板の上方から画像
光を入射賂せる構造としたが、個別電極を上に設置し、
透明共通電極層を下に設置した、いわゆる＆＆側から受
光する型式でも、同様な性能が得られる。
に置き透明電極層を上に設置した、基板の上方から画像
光を入射賂せる構造としたが、個別電極を上に設置し、
透明共通電極層を下に設置した、いわゆる＆＆側から受
光する型式でも、同様な性能が得られる。
本発明に光電変換索子アレイ含、例えはファクシミｌＪ
装置の読み取りデバイスに用いれは、細小光学系全不要
とした畏服化した密着形イメージセンサが得られ、原稿
に忠英な画（３！号による品質の良い情報伝送達が実現
されるようになる。
装置の読み取りデバイスに用いれは、細小光学系全不要
とした畏服化した密着形イメージセンサが得られ、原稿
に忠英な画（３！号による品質の良い情報伝送達が実現
されるようになる。
第１図は本発明の一実施列を示す平面概略図、第２図は
従来の光電変換素子の平面概略図である。 図において １．１１ は基板、 ２，１２ は個別電極、 ３
，１３は光電変換材膜、 ４．１４ は透明共通電極層
、５は遮光性導電層、 １６は開放端引出部、１７は
信号引出部、 １８は分離域である。 代７人弁理士内 原 晋７・′ ２１．−１．゛
従来の光電変換素子の平面概略図である。 図において １．１１ は基板、 ２，１２ は個別電極、 ３
，１３は光電変換材膜、 ４．１４ は透明共通電極層
、５は遮光性導電層、 １６は開放端引出部、１７は
信号引出部、 １８は分離域である。 代７人弁理士内 原 晋７・′ ２１．−１．゛
Claims (1)
- 絶縁性基板の一主面上に、帯状の共通電極と光電変換
材膜と、互いに分離され一列に並べた複数の個別電極と
を少なくとも積層して形成される光電変換素子アレイに
於いて、前記個別電極に信号を導出するための信号引出
部分を設けた等間隔の主光電変換素子列と、該主光電変
換素子列に隣接し開放端引出部分を設けた１個の副光電
変換素子とから少なくとも構成され、かつ前記主光電変
換素子端と前記副光電変換素子との間隔は前記主光電変
換素子列の個別電極間の間隔より大きいことを特徴とす
る光電変換素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277373A JPS61154166A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 光電変換素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59277373A JPS61154166A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 光電変換素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154166A true JPS61154166A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17582618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59277373A Pending JPS61154166A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 光電変換素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154166A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119261A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS63133668A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59277373A patent/JPS61154166A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119261A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS63133668A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
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