JPS61187462A - 光電変換素子アレイ - Google Patents
光電変換素子アレイInfo
- Publication number
- JPS61187462A JPS61187462A JP60027110A JP2711085A JPS61187462A JP S61187462 A JPS61187462 A JP S61187462A JP 60027110 A JP60027110 A JP 60027110A JP 2711085 A JP2711085 A JP 2711085A JP S61187462 A JPS61187462 A JP S61187462A
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- conversion element
- converting element
- photoelectric converting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電変換素子アレイに関し、特にこの光電変換
素子を電荷蓄積型で動作させ、原稿幅と銃砲シ幅とが１
対ｌに対応する密着銃砲りに適した大面積の混成集積化
光センサ用光電変換素子アレイに関する。
素子を電荷蓄積型で動作させ、原稿幅と銃砲シ幅とが１
対ｌに対応する密着銃砲りに適した大面積の混成集積化
光センサ用光電変換素子アレイに関する。
ファクシミリ送信機等の読取りデバイスとしてＩＣセン
ナと称されるＭＯａやＣＯＤの一次元プレイに代り、原
稿幅と光電変換素子アレイ幅とを１対１で対応させた密
着形イメージセンサが実用化されている。縮小結像系の
光路とその微妙な調整を必要とせず、読み砲り装置の小
型化、低価格化が実現されるからである。当然ＩＣセン
サと同様に１その性能は安定で全長にわたり均一で高感
度であることが要求される。
ナと称されるＭＯａやＣＯＤの一次元プレイに代り、原
稿幅と光電変換素子アレイ幅とを１対１で対応させた密
着形イメージセンサが実用化されている。縮小結像系の
光路とその微妙な調整を必要とせず、読み砲り装置の小
型化、低価格化が実現されるからである。当然ＩＣセン
サと同様に１その性能は安定で全長にわたり均一で高感
度であることが要求される。
このよう力密着形イメージセンナの光電変換素子は、従
来第２図に示すように、基板１上に分割された複数の個
別電極２が直線状に配列され、この個別電極２′ｔ−覆
うよう和光電変換材膜３が設けられ、さらにこの光電変
換材膜３上罠透明共通電極層４と、開口部のある遮光性
導電層５とを備えた光電変換素子が知られている（特開
昭５９−８０９６４）。
来第２図に示すように、基板１上に分割された複数の個
別電極２が直線状に配列され、この個別電極２′ｔ−覆
うよう和光電変換材膜３が設けられ、さらにこの光電変
換材膜３上罠透明共通電極層４と、開口部のある遮光性
導電層５とを備えた光電変換素子が知られている（特開
昭５９−８０９６４）。
このよう々構成の光電変換素子アレイは、直接画像光を
入力し、その入力光に対応した電気信号を導出するため
の光電変換素子の集まりである。
入力し、その入力光に対応した電気信号を導出するため
の光電変換素子の集まりである。
したがって、これらの光電変換素子Ｋａ当然のこと力か
ら欠陥素子の発生は許されない。しかし、光電変換素子
の基本的々性能を確認する罠はそのプレイの中がら選出
したどれかの素子を使用するしかない。例えば共通電極
と個別電極間にＩＯＶの直流電圧を印加し暗箱中でその
電流を測定する。
ら欠陥素子の発生は許されない。しかし、光電変換素子
の基本的々性能を確認する罠はそのプレイの中がら選出
したどれかの素子を使用するしかない。例えば共通電極
と個別電極間にＩＯＶの直流電圧を印加し暗箱中でその
電流を測定する。
電荷蓄積型の素子の場合には１０”Ａ以下の高抵抗特性
が必要とされるのでこの静特性の評価は完成させるまで
の工種中重要が作業である。
が必要とされるのでこの静特性の評価は完成させるまで
の工種中重要が作業である。
ところが、測定機の端子を直接個別電極の信号引出線に
接触して測定すると、その信号引出線を切断し定り、線
間を短絡したり、時には素子を破壊に至らしめたシする
ことがあり、欠陥素子発生の原因になる。また、全素子
を時系列に走査し、電気信号を取り出すための駆動ＩＣ
を実装し、信号引出線に接続した後では駆動ＩＣ中の回
路素子が接続されたことにカリ正確が静特性の評価が出
来ないという欠点があった。
接触して測定すると、その信号引出線を切断し定り、線
間を短絡したり、時には素子を破壊に至らしめたシする
ことがあり、欠陥素子発生の原因になる。また、全素子
を時系列に走査し、電気信号を取り出すための駆動ＩＣ
を実装し、信号引出線に接続した後では駆動ＩＣ中の回
路素子が接続されたことにカリ正確が静特性の評価が出
来ないという欠点があった。
本発明はこのような従来の欠点を除去せしめて、主とな
る光電変換素子にダメージを与えることなく、正確な静
特性が評価でき、かつ均一な感度の動作が可能な光電変
換素子プレイを提供することにある。
る光電変換素子にダメージを与えることなく、正確な静
特性が評価でき、かつ均一な感度の動作が可能な光電変
換素子プレイを提供することにある。
本発明の光電変換素子アレイは、絶縁性基板の一主面上
に１帯状の共通電極と、光電変換材膜と、互いに分離さ
れ一列に並べた複数の個別電極とを少々くとも積層して
形□成される光電変換素子アレイにおいて、前記個別電
極に信号を導出するための信号引出部分を設けた主光電
変換素子列と、該主光電変換素子列に隣接し開放端引出
部分を設けた１個以上の副光電変換素子と、該副光電変
換素子および前記主光電変換素子上に覆うように設置し
た透明カバー板とから少なくとも構成され、かつ、前記
透明カバー板に遮光層が設置され、該遮光層部分が前記
副光電変換素子上に配置して構成される。
に１帯状の共通電極と、光電変換材膜と、互いに分離さ
れ一列に並べた複数の個別電極とを少々くとも積層して
形□成される光電変換素子アレイにおいて、前記個別電
極に信号を導出するための信号引出部分を設けた主光電
変換素子列と、該主光電変換素子列に隣接し開放端引出
部分を設けた１個以上の副光電変換素子と、該副光電変
換素子および前記主光電変換素子上に覆うように設置し
た透明カバー板とから少なくとも構成され、かつ、前記
透明カバー板に遮光層が設置され、該遮光層部分が前記
副光電変換素子上に配置して構成される。
本発明によれば、光電変換素子の基本性能の評価は、電
気信号を導出する主光電変換素子に隣接して設置した副
光電変換素子によってチーツクできる。直線状に配列さ
れ、距離的にも接近しているため、主光電変換素子の性
能と副光電変換素子の性能とはほとんど差は無い。し次
がって、主光電変換素子の信号引出線を切断したり線間
を短絡し友り、時に素子を破壊するようなことは無く、
素子欠陥の存在する可能性があるのは直接電気信号を導
出する必要のない副光電変換素子だけである。また、駆
動ＩＣを実装した後でも、副光電変換素子には駆動ＩＣ
は接続されず、開放端引出部分の電極があるだけなので
、常に静特性のチーツクができるようになる。
気信号を導出する主光電変換素子に隣接して設置した副
光電変換素子によってチーツクできる。直線状に配列さ
れ、距離的にも接近しているため、主光電変換素子の性
能と副光電変換素子の性能とはほとんど差は無い。し次
がって、主光電変換素子の信号引出線を切断したり線間
を短絡し友り、時に素子を破壊するようなことは無く、
素子欠陥の存在する可能性があるのは直接電気信号を導
出する必要のない副光電変換素子だけである。また、駆
動ＩＣを実装した後でも、副光電変換素子には駆動ＩＣ
は接続されず、開放端引出部分の電極があるだけなので
、常に静特性のチーツクができるようになる。
さらに１副光電変換素子に隣接した端部の主光電変換素
子は、他の主光電変換素子より大きな出力信号に一＆り
易い。それは、副光電変換素子の個別電極は開放端にな
っているため、動作中原稿からの画像光を受け、低抵抗
となり常に共通電極の電位、例えば５ｖ〜ＩＯＶに保持
されるからである。端部の主光電変換素子はこの影響を
うけて出力信号が大きくなるが、その隣接し之副光電変
換素子には透明カバー板に設置した遮光層が相対し配置
されている。これによって光電変換材膜は常に高抵抗化
が保たれ共通電極の電位になりにくいため均一な感度の
動作が実現される。
子は、他の主光電変換素子より大きな出力信号に一＆り
易い。それは、副光電変換素子の個別電極は開放端にな
っているため、動作中原稿からの画像光を受け、低抵抗
となり常に共通電極の電位、例えば５ｖ〜ＩＯＶに保持
されるからである。端部の主光電変換素子はこの影響を
うけて出力信号が大きくなるが、その隣接し之副光電変
換素子には透明カバー板に設置した遮光層が相対し配置
されている。これによって光電変換材膜は常に高抵抗化
が保たれ共通電極の電位になりにくいため均一な感度の
動作が実現される。
以下、本発明の実施例について図面を参照しである。ガ
ラス基板１１の上に、例えばＣｒから彦る個別電極１２
１に同一寸法にパターン化し直線状に設置する。次に光
電変換材膜１３例えば非晶質シリコンがこの個別電極１
２上に覆うように１〜２μ厚設置し、さらにこの上に共
通電極となる透明共通電極層１４を設置する。必要によ
って開口部のある遮光性導電層をこの透明導電層１４の
上に設置する。前記個別電極１２のうち両端の３個の個
別電極には開放端引出部１６を設は副光電変換素子とし
、中央部分の個別電極には信号引出部１７を設は主光電
変換素子とする。前記副光電変換素子の３個の個別電極
のうち、主光電変換素子と隣接している両側１個の個別
電極上には常に光が当たらないように遮光層１８が配置
されている。透明ガラス板１９に例えばＣｒを蒸着し、
これを両側のちょう度前記副光電変換素子の１個分に対
応するようにパターン化したもので、例えば透明シリコ
ーン樹脂のような接着剤２０を充填して基板１１上に設
置している。
ラス基板１１の上に、例えばＣｒから彦る個別電極１２
１に同一寸法にパターン化し直線状に設置する。次に光
電変換材膜１３例えば非晶質シリコンがこの個別電極１
２上に覆うように１〜２μ厚設置し、さらにこの上に共
通電極となる透明共通電極層１４を設置する。必要によ
って開口部のある遮光性導電層をこの透明導電層１４の
上に設置する。前記個別電極１２のうち両端の３個の個
別電極には開放端引出部１６を設は副光電変換素子とし
、中央部分の個別電極には信号引出部１７を設は主光電
変換素子とする。前記副光電変換素子の３個の個別電極
のうち、主光電変換素子と隣接している両側１個の個別
電極上には常に光が当たらないように遮光層１８が配置
されている。透明ガラス板１９に例えばＣｒを蒸着し、
これを両側のちょう度前記副光電変換素子の１個分に対
応するようにパターン化したもので、例えば透明シリコ
ーン樹脂のような接着剤２０を充填して基板１１上に設
置している。
このような構造の光電変換素子アレイは信号引出配線部
１７のピッチが０．１１１１１以下となるような微細配
線の場合、この部分に静特性評価のための探触子を接触
して摺動させて測定する必要が無く、副光電変換素子の
開放端引出部１６で実施すればよい。この探触子の摺動
時に発生するキズのため配線間短絡、断線等の事故が無
く々す、歩留りも向上する。
１７のピッチが０．１１１１１以下となるような微細配
線の場合、この部分に静特性評価のための探触子を接触
して摺動させて測定する必要が無く、副光電変換素子の
開放端引出部１６で実施すればよい。この探触子の摺動
時に発生するキズのため配線間短絡、断線等の事故が無
く々す、歩留りも向上する。
また、動作中の副光電変換素子の高電位による影響を゛
うけ、主光電変換素子の端部の出力が太きくなる問題は
、隣接する副光電変換素子上に遮光層１８を設置して低
減している。すなわち、光電変換材膜１３の抵抗は遮光
することによｐ高化し、 ゛はとんど基板１１と同
等の絶縁性を示し、一端開放の個別電極であっても共通
電極の電位にはなりにくい。したがって、主光電変換素
子の出力には影響せず他の素子と同等な出力信号が得ら
れるようになる。
うけ、主光電変換素子の端部の出力が太きくなる問題は
、隣接する副光電変換素子上に遮光層１８を設置して低
減している。すなわち、光電変換材膜１３の抵抗は遮光
することによｐ高化し、 ゛はとんど基板１１と同
等の絶縁性を示し、一端開放の個別電極であっても共通
電極の電位にはなりにくい。したがって、主光電変換素
子の出力には影響せず他の素子と同等な出力信号が得ら
れるようになる。
と〈Ｋ配線間の間隔が数１０μ程度の狭い寸法になる程
効果的で、この遮光層が無いと約２側根の出力増が観察
されるところを平坦な出力特性となり、均一性ある感度
特性が得られるようになる。
効果的で、この遮光層が無いと約２側根の出力増が観察
されるところを平坦な出力特性となり、均一性ある感度
特性が得られるようになる。
この種の光電変換素子アレイは、例えばＡ４判、Ａ３判
読銃砲デバイスのように１全素子が数１０００個以上に
なっても唯一個の特異素子の存在も許されない温域ＶＬ
８Ｉであるが、本発明による構造は非常に有効で、高い
出力の均一性と、欠陥素子の発生しない高信頼の光電変
換素子アレイを得ることができる。
読銃砲デバイスのように１全素子が数１０００個以上に
なっても唯一個の特異素子の存在も許されない温域ＶＬ
８Ｉであるが、本発明による構造は非常に有効で、高い
出力の均一性と、欠陥素子の発生しない高信頼の光電変
換素子アレイを得ることができる。
尚、本実施例においては副光電変換素子を両端に設け、
それぞれに遮光層を配置させたが、これに限定されるこ
となく副光電変換素子は片側だけでも良い。ま九、遮光
層が配置される領域もそれぞれ１個ずつで々ぐ、全部の
副光電変換素子を覆うようにガラス板上に遮光層をパタ
ーン化しても良い。ｔ−ｆｉ：、、主光電変換素子部の
透明共通電極層上に、必要に応じて設置していた開口部
のある遮光性導電層は、このガラス板の上に、前記遮光
層１８と同時にパターン化したものを載置固定すれば良
く、直接光電変換素子上に設置し々くとも良くなる。
それぞれに遮光層を配置させたが、これに限定されるこ
となく副光電変換素子は片側だけでも良い。ま九、遮光
層が配置される領域もそれぞれ１個ずつで々ぐ、全部の
副光電変換素子を覆うようにガラス板上に遮光層をパタ
ーン化しても良い。ｔ−ｆｉ：、、主光電変換素子部の
透明共通電極層上に、必要に応じて設置していた開口部
のある遮光性導電層は、このガラス板の上に、前記遮光
層１８と同時にパターン化したものを載置固定すれば良
く、直接光電変換素子上に設置し々くとも良くなる。
本発明に光電変換素子アレイを、例えばファクシミリ装
置の読み取りデバイスに用いれば、縮小光学系を不要と
した長尺化した密着形イメージセンサが得られ、原稿に
忠実な画信号による品質の良い情報伝達が実現されるよ
うに々る。
置の読み取りデバイスに用いれば、縮小光学系を不要と
した長尺化した密着形イメージセンサが得られ、原稿に
忠実な画信号による品質の良い情報伝達が実現されるよ
うに々る。
第１図（ａｌ（ｂ）は本発明の一実施例を示す平面概略
図および断面概略図、第２図は従来の光電変換素子の平
面概略図である。 図において、 １．１１は基板、２，１２は個別電極、３，１３は光電
変換材膜、４，１４は透明共通電極層、５は遮光性導電
層、１６ｔ′ｉ開放端引出部、１７は信号引出部、１８
Ｆｉ遮光層、１９は透明ガラス板、２０Ｉｆｉ接着剤で
ある。 ゛〉、 代理人弁理士内 原 晋 − ′＼−１ ；Ｉｖｌ 図 （ａ） （ｂ） ７２ 図
図および断面概略図、第２図は従来の光電変換素子の平
面概略図である。 図において、 １．１１は基板、２，１２は個別電極、３，１３は光電
変換材膜、４，１４は透明共通電極層、５は遮光性導電
層、１６ｔ′ｉ開放端引出部、１７は信号引出部、１８
Ｆｉ遮光層、１９は透明ガラス板、２０Ｉｆｉ接着剤で
ある。 ゛〉、 代理人弁理士内 原 晋 − ′＼−１ ；Ｉｖｌ 図 （ａ） （ｂ） ７２ 図
Claims (1)
- 絶縁性基板の一主面上に、帯状の共通電極と、光電変
換材膜と、互いに分離され一列に並べた複数の個別電極
とを少なくとも積層して形成される光電変換素子アレイ
に於いて前記個別電極に信号を導出するための信号引出
部分を設けた主光電変換素子列と、該主光電変換素子列
に隣接し開放端引出部分を設けた１個以上の副光電変換
素子と、該副光電変換素子および前記主光電変換素子上
に覆うように設置した透明カバー板とから少なくとも構
成され、かつ前記透明カバー板に遮光層が設置され、該
遮光層部分が前記副光電変換素子上に配置されたことを
特徴とする光電変換素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027110A JPS61187462A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 光電変換素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027110A JPS61187462A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 光電変換素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187462A true JPS61187462A (ja) | 1986-08-21 |
Family
ID=12211935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60027110A Pending JPS61187462A (ja) | 1985-02-14 | 1985-02-14 | 光電変換素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61187462A (ja) |
-
1985
- 1985-02-14 JP JP60027110A patent/JPS61187462A/ja active Pending
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