JPS61156868A - 光電変換素子アレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ファクシミリの送信機等において画像の読取
りに用いられる光電変換素子アレイに関し、特に光電変
換素子を電荷蓄積型で動作させ、゛原稿幅と読取り幅と
が１対１に対応する密！Ｉ読取りに適した大面積の混成
集積化光センサ用光電変換素子アレイに関する。

（従来の技術） ファクシミリ送信機等の読取りデバイスとしてＩＣセン
サと称されるＭＯ５＋ＣＣＤの一次元アレイに代り、原
稿幅と光電変換素子アレイとを１対１で対応許せた密着
形イメージセンサが実用化きれている。密着形イメージ
センサは、縮小結像系の光路とその微妙な調整を必要と
せず、読み取り装置の一小型化、低価格化に適している
から、一層広く用いられる傾向にある。当然ながら密着
形イメージセンサもＩＣセンサと同様に、その性能が安
定で全長にわたり均一で、高感度であることが要求きれ
る。

このような密着形イメージセンサの光電変換素子アレイ
としては、従来第２図に示すように、基板１上に分割き
れた複数の個別電極２が直線状に配列きれ、この個別電
極２を覆うように光電変換材膜３が設けられ、きらにこ
の光電変換材膜３上に透明共通電極層４と、開口部のあ
る遮光性導電層５とを備える方式が知られている（特開
昭５９−８０９６４　）。

このような構成の光電変換素子アレイは、直接画像光を
入力し、その入力光に対応した電気信号を導出するため
の光電変換素子の集まりである。

したがって、これらの光電変換素子には当然のことなが
ら欠陥素子の発生は許されない。それら光電変換素子の
基本的な性能を確認するにはそのプレイの中から選出し
たどれかの素子を使用するしかない。例えば共通電極４
と個別電極２との間に１０Ｖの直流電圧を印加し、暗箱
中でその電流を測定する０通常１０−’Ａ以下で、電荷
蓄積型の素子の場合には１０−　’　”Ａ以下の高抵抗
特性が必要とされるので、この静特性の評価は完成させ
るまでの製造工程中重要な作業である。

（発明が解決しようとする問題点） ところが、測定機の端子を直接個別電極２の信号引出線
７に接触して測定すると、その信号引出線７を切断した
り、線７相互間を短絡したり、時には素子を破壊に至ら
しめたりすることがあり、欠陥素子発生の原因になる。

また、全素子を時系列に走査し電気信号を取り出すため
の駆動ＩＣを実装し、この駆動ＩＣを信号引出線７に接
続する製造工程の後では、駆動ＩＣの回路素子が光電変
換素子に接続されているから、光電変換素子の正確な静
特性の評価が出来ない。

そこで、本発明の目的は、画像信号を外部に出力するの
に用いる光電変換素子を毀損することなく、正確な静特
性が評価出来る光電変換素子アレイの提供にある。

（問題点を解決するための手段） 前述の問題点を解決するために本発明が提供する光電変
換素子アレイは、主光電変換素子列と、この主光電変換
素子列に近接する少なくとも１つの副光電変換素子と、
前記主光電変換素子列と前記副光電変換素子との間に配
置してある接地電極とからなり、前記主光電変換素子列
は帯状の共通電極と光電変換材膜と個別電極とを絶縁基
板上に積層してなり、前記個別電極は一列に配列してあ
り、前記個別電極には信号引出線がそれぞれ接続してあ
り、前記副光電変換素子は前記共通電極と前記光電変換
材膜と個別電極とを前記絶縁基板上に積層してなり、前
記副光電変換素子の前記個別電極には開放端引出線が接
続してあり、前記副光電変換素子の前記個別電極は前記
主光電変換素子列の前記個別電極の前記列の端に配置し
てあることを特徴とする。

（作用） 本発明の光電変換素子アレイには、信号引出線の付して
ある光電変換素子（主光電変換素子）からなる主光電変
換素子列と解放端引出線が接続してある副光電変換素子
とがある。この主光電変換素子の基本性能は隣接して設
置した副光電変換素子によって評価できる。両光電変換
素子は、直線状に配列され距離的にも接近しているから
、主光電変換素子の性能と副光電変換素子の性能とはほ
とんど差がない。したがって、主光電変換素子の信号引
出線を切断したり、線間を短絡したり、時に素子を破壊
するような信号引出線に接触する測定は必要でなく、直
接電気信号を導出する必要のない副光電変換素子の解放
端引出線にだけ接触すれば特性評価ができる。また、駆
動ＩＣを実装した後でも、副光電変換素子には駆動ＩＣ
は接続きれず、解放端引出線があるだけなので、駆動Ｉ
Ｃが接続きれた後の工程でも静特性の評価ができる。

副光電変換素子に隣接した端部の主光電変換素子は、他
の主光電変換素子より大きな出力信号になり易い。従来
と同様の構造で単に副光電変換素子を付加しただけでは
副光電変換素子の個別電極は解放端になっていて動作中
宮に共通電極の電位、例えば５ｖ〜ＩＯＶに保持きれる
から、端部の主光電変換素子はこの影響をうけて出力信
号が大きくなる。そこで、本発明ではその隣接部分には
接地電位を与えた電極を介在きせている。この接地電極
が電気シールドをするから、主光電変換素子の感度′の
均一性が実現される。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。

第１図は本発明の一実施例を示す模式的な平面図であり
、本図では実施例は中央部で破断して示してある。ガラ
ス基板１１の上に、例えばＣｒからなる個別電極１２を
同一パターン化し直線的に設置する。次に光電変換材膜
１３例えば非晶質シリコンをこの個別電極１２上を覆う
ように１〜２−の厚きに設け、さらにこの上に共通電極
１４となるＩ’Ｉ’Ｏの透明導電層を設置する。必要に
よって開口部のあるＣｒの遮光性導電層をこの透明導電
層の上に設置する。個別電極１２のうち、両端の３個の
個別電極１２には解放端引出線１６を設け、これら合計
６個の個別電極を要素とする光電変換素子を副光電変換
素子とする。また、中央部分の個別電極１２には信号引
出線１７を設け、これら多数の光電変換素子を主光電変
換素子とする。きらにこの主光電変換素子の個別電極と
、副光電変換素子の個別電極との間の個別電極には接地
配線１８を接続し、接地配線１８が接続きれている個別
電極を接地電極とする。

例えば、８素子／ｍｌの分解能のＡ４判−次元光電変換
素子アレイであれば、主光電変換素子の数は１７２８個
、接地電極がその両端に２個、きらに副光電変換素子が
その両端に３個ずつ、合計１７３６個の０．１１１１１
角の個別電極が形成される。

このような構造の光電変換素子アレイでは、信号引出１
１１７のピッチが０．１１１１以下の微細配線となる。

しかし、この実施例では、信号引出線１７に静特性評価
のための探触子を接触移せて測定する必要が無く、副光
電変換素子の解放端引出線１６に探触子を接触きせれば
、所定の測定ができる。そこでこの探触子によるキズに
起因する信号引出ｌ１１７相互間の短絡、断線等が起ら
ないから、製造歩留りが向上する。また、この副光電変
換素子の高電位の影響は、接地電極によりシールドきれ
、主光電変換素子列端部の主光電変換素子への影響は無
くなる。とくに配線間の間隔が１ｈｌｎ程度の狭い寸法
になると効果が顕著になりこの接地電極が無い場合には
、約２側径の出力増が観察きれるところを、はぼ他と同
様に押さえることができる。したがって、主光電変換素
子列において、均一性ある感度特性が得られる。

光電変換素子アレイでは例えばＡ４判、Ａ３判長色なり
全素子が数１０００個以上となっても、唯一個の゛特異
素子も許容きれない。このような混成ＶＬＳＩにおいて
、第１図実施例の構造は非常に有効で、高い感度均一性
が得られ、欠陥素子の無い高侶頼の光電変換素子アレイ
を得ることができる。

尚、本実施例においては接地電極は主および副光電変換
素子を構成する個別電極と同一寸法で両端に設置したが
、本発明の構造はこれに限定きれることなく他の寸法で
片側だけでも良く、少なくとも主および副光電変換素子
の隣接する個別電極の間に一箇以上存在すれば良い。

また、本実施例では個別電極１２を光電変換材膜１３の
下に置き透明共通電極層１４を上に設置した基板１１の
上方から画像光を入射きせる構造としたが個別電極を上
に設置し、透明共通電極層を下に設置した、いわゆる基
板側から受光する形式に本発明を実施しても同様な性能
が得られる。

（発明の効果） 本発明によれば、以上に説明したように、画像信号を外
部に出力するのに用いる光電変換素子（主光電変換素子
）を毀損することなく、正確な静特性が評価できる光電
変換素子アレイが提供できる。このような本発明の光電
変換素子アレイを、例えばファクシミリ装置の読み取り
デバイスに用いれば、縮小光学系を不要とし長尺化した
密着形イメージセンサが得られ、原稿に忠実な画信号に
よる品質の良い情報伝達が実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す模式的な平面図、第２
図は従来の光電変換素子を示す模式的な平面図である。 １．１１・・・基板、２．１２・・・個別電極、３．１
３・・・光電変換材膜、４．１４・・・透明共通電極層
、５・・・遮光性導電着、１６・・・解放端引出線、１
７・・・信号引出線、１８・・・接地配線。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 主光電変換素子列と、この主光電変換素子列に近接する
   少なくとも１つの副光電変換素子と、前記主光電変換素
   子列と前記側光電変換素子との間に配置してある接地電
   極とからなり、前記主光電変換素子列は帯状の共通電極
   と光電変換材膜と個別電極とを絶縁基板上に積層してな
   り、前記個別電極は一列に配列してあり、前記個別電極
   には信号引出線がそれぞれ接続してあり、前記副光電変
   換素子は前記共通電極と前記光電変換材膜と個別電極と
   を前記絶縁基板上に積層してなり、前記副光電変換素子
   の前記個別電極には開放端引出線が接続してあり、前記
   副光電変換素子の前記個別電極は前記主光電変換素子列
   の前記個別電極の前記列の端に配置してあることを特徴
   とする光電変換素子アレイ。