JPS61295656A - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
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- JPS61295656A JPS61295656A JP60136991A JP13699185A JPS61295656A JP S61295656 A JPS61295656 A JP S61295656A JP 60136991 A JP60136991 A JP 60136991A JP 13699185 A JP13699185 A JP 13699185A JP S61295656 A JPS61295656 A JP S61295656A
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- Japan
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- wiring pattern
- capacitance
- photoelectric conversion
- image sensor
- wiring
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光電変換素子を用いて原稿等の画像面上の画
像を電気信号に変換するイメージセンサに係やり、特）
二電荷蓄積塵の密ｉＷ（メージセンサに関する、 〔発明の技術的背景とその問題点〕 ファクシミリ等に用いられる画像読取り装置を小型化す
るために、密着盤イメージセンサが使用されている。
像を電気信号に変換するイメージセンサに係やり、特）
二電荷蓄積塵の密ｉＷ（メージセンサに関する、 〔発明の技術的背景とその問題点〕 ファクシミリ等に用いられる画像読取り装置を小型化す
るために、密着盤イメージセンサが使用されている。
この密着型イメージセンサは、画像情報をほぼ１：１の
大きさで読取るイメージセンサであって、特に電荷蓄積
凰の密着型イメージセンサの信号読取方式は電圧読取方
式により行われている。
大きさで読取るイメージセンサであって、特に電荷蓄積
凰の密着型イメージセンサの信号読取方式は電圧読取方
式により行われている。
この種のイメージセンサは、基本的に′ｉ！１８図：＝
示すように構成されている。
示すように構成されている。
すなわち、同図（＝おいてＰは、素子容量Ｃ０と光量に
応じた電荷量を流すフォトダイオードＤかうなる電荷蓄
積凰の光電変換素子であり１通常−列に配列されている
。
応じた電荷量を流すフォトダイオードＤかうなる電荷蓄
積凰の光電変換素子であり１通常−列に配列されている
。
これらの光電変換素子Ｐの各一端は電源Ｅに接続され、
各他端は実積回路工のスイッチング素子Ｓ（二配線パタ
ーンＬを介してそれぞれ接続されている。スイッチング
素子Ｓはシフトレジスタ８Ｒ（二より須次駆動され、光
電変換素子Ｐに蓄積されている電荷信号が読出される。
各他端は実積回路工のスイッチング素子Ｓ（二配線パタ
ーンＬを介してそれぞれ接続されている。スイッチング
素子Ｓはシフトレジスタ８Ｒ（二より須次駆動され、光
電変換素子Ｐに蓄積されている電荷信号が読出される。
すなわち、スイッチング素子Ｓが屓次ＯＮ状態となり、
１ラインの読取りが終了した後、再びＯＮ状態となるま
での時間、光電変換素子Ｐの発生電荷を素子容量Ｃ０１
＝蓄積し、その蓄積電荷をスイッチング素子Ｓのうちの
対応するスイッチング素子Ｓが再度ＯＮ状態になったと
き）：読出すのである。そして、この読出し電荷が検出
回路を介して読取り出力として出力される。
１ラインの読取りが終了した後、再びＯＮ状態となるま
での時間、光電変換素子Ｐの発生電荷を素子容量Ｃ０１
＝蓄積し、その蓄積電荷をスイッチング素子Ｓのうちの
対応するスイッチング素子Ｓが再度ＯＮ状態になったと
き）：読出すのである。そして、この読出し電荷が検出
回路を介して読取り出力として出力される。
しかしながら、このような従来のイメージセンサ（二お
いては、上述したように光電変換素子Ｐと集積回路工と
は絶縁基板上に形成された配線パターンＬにより接続さ
れるが、集積回路の実装上これらの配線パターンＬは配
線長が一定とならず、各々の配線パターンＬの持つ配線
容量も不均一となるため出力信号にゆがみが生じるとい
う問題がある。
いては、上述したように光電変換素子Ｐと集積回路工と
は絶縁基板上に形成された配線パターンＬにより接続さ
れるが、集積回路の実装上これらの配線パターンＬは配
線長が一定とならず、各々の配線パターンＬの持つ配線
容量も不均一となるため出力信号にゆがみが生じるとい
う問題がある。
すなわち、配線パターンＬは対地容量Ｃ８と配線間容量
Ｃ２の２つの配線容量を持ち、集積回路Ｉ等により発生
する残りの容量をｃａｓ光電変換素子Ｐに蓄積される電
荷量をＱとすると、電圧読取方式の場合、配線パターン
端部の光電変換素子の出力信号は次の（１）式で表され
、それ以外の部分の光電変換素子の出力信号は次の（２
）式で表わされる。
Ｃ２の２つの配線容量を持ち、集積回路Ｉ等により発生
する残りの容量をｃａｓ光電変換素子Ｐに蓄積される電
荷量をＱとすると、電圧読取方式の場合、配線パターン
端部の光電変換素子の出力信号は次の（１）式で表され
、それ以外の部分の光電変換素子の出力信号は次の（２
）式で表わされる。
Ｑ／（ｃｏ ＋ ＣＩ ＋ Ｃｔ ＋ Ｃｍ ） ・
・・・・・・・・（１）Ｑ／ （ｃｏ ＋ ＣＩ＋ ２
Ｃｔ＋ Ｃｓ ） ・・・・・・・・・（２）従っ
て、配線パターンＬが長尺または高密度になると、配線
容量（（＋＋Ｃｔ）、のばらつきが大きくなって、それ
にともない出力信号のばらつきが大きくなり、例えば第
９図に示すように、マーク、例えば黒マーク１ａとこれ
よりやや淡色のマーク１ｂをイメージセンサ２（二より
読取る場合、各光電変換素子Ｐかうの出力信号が一定と
ならず、第１０図に示すよう（二、出力にゆがみが生ず
るのである。このため、一般に出力信号を１１”と０”
とで読む場合には、しきい値ＳＬをとることが行なわれ
ている。しかしながら、例えはカラーセンサ等の場合に
は、第１１図に示すように、２つのしきい値ＳＬ、、Ｓ
Ｌ、を必要とするため、出力補正回路を用いて出力信号
を一旦、第１２図に示すように補正する必要が生じる。
・・・・・・・・（１）Ｑ／ （ｃｏ ＋ ＣＩ＋ ２
Ｃｔ＋ Ｃｓ ） ・・・・・・・・・（２）従っ
て、配線パターンＬが長尺または高密度になると、配線
容量（（＋＋Ｃｔ）、のばらつきが大きくなって、それ
にともない出力信号のばらつきが大きくなり、例えば第
９図に示すように、マーク、例えば黒マーク１ａとこれ
よりやや淡色のマーク１ｂをイメージセンサ２（二より
読取る場合、各光電変換素子Ｐかうの出力信号が一定と
ならず、第１０図に示すよう（二、出力にゆがみが生ず
るのである。このため、一般に出力信号を１１”と０”
とで読む場合には、しきい値ＳＬをとることが行なわれ
ている。しかしながら、例えはカラーセンサ等の場合に
は、第１１図に示すように、２つのしきい値ＳＬ、、Ｓ
Ｌ、を必要とするため、出力補正回路を用いて出力信号
を一旦、第１２図に示すように補正する必要が生じる。
しかしながら、このように補正回路を付加することは、
イメージセンサの構成を複雑にし、製品コストを・高く
するという問題がある。
イメージセンサの構成を複雑にし、製品コストを・高く
するという問題がある。
また、このような出力のばらつきを補正する手段として
、第１３図に示すように、集積回路工の配線パターン乙
の配線幅を配線長の長いものほど細くなるよづに変化さ
せ、対地容量Ｃ１を調整して。
、第１３図に示すように、集積回路工の配線パターン乙
の配線幅を配線長の長いものほど細くなるよづに変化さ
せ、対地容量Ｃ１を調整して。
配線容量（ｃｔ＋ｃｔ）のばらつきを均一にする方法も
提案されている。なお同図（＝おいてＴは光電変換素子
の接続端子、Ｗはボンディングワイヤである。
提案されている。なお同図（＝おいてＴは光電変換素子
の接続端子、Ｗはボンディングワイヤである。
しかしこの方法は通常光電変換素子の配列ピッチが等し
くなっていることから配線パターンの対地容量Ｃ１の補
正はできても、浮遊容量のひとつである配線間容量Ｃ３
は隣接配線パターン間の間隔が一定とならないため（＝
その不均一となる問題がある。また、図示していないが
光電変換素子Ｐの素子容量Ｃ０を変えて、配線長の差（
＝よって生じる配線パターンＬｉ−生じる浮遊容量の不
均一を補正する方法も本発明者らは考慮してみた。しか
し、配線パターンＬの浮遊容量Ｃ，、Ｃ，Ｉ；比較し、
素子容量ｃｏは１〜４ｄｏｔｓ／■のような低密度のイ
メージセンサの場合、大きいためその補正値はフォトエ
ツチング工程の変動すなわちフォトエツチングの条件等
が変ることにより大きく変化するため配線パターンの浮
遊容量との和も一定化されずイメージセンチの出力電圧
の均一化の改善度合が少なく実用に供しないといつ問題
がある。また、８ｄｏｔｓ／Ｉｌ１以上のような高密度
イメージセンサについて言えは、配線パターンＬの浮遊
容量ｃｌ ＊ ｃ＊が素子容量Ｃ０より大きくなること
によりその補正効果は少ないと同時（二、逆に光電変換
素子の素子容量Ｃ６を決定する電極の長さく副走査方向
をさす）を大きく変えてＣ０を大きくすると副走査方向
の読取り位置が各々の光電変換素子間で異なってくるた
め、その読取精度の面で実用上問題がある。さらに、配
線容量の補正に伴い配線パターンが長大なものとなり、
イメージセンサが大型化するという問題があった。
くなっていることから配線パターンの対地容量Ｃ１の補
正はできても、浮遊容量のひとつである配線間容量Ｃ３
は隣接配線パターン間の間隔が一定とならないため（＝
その不均一となる問題がある。また、図示していないが
光電変換素子Ｐの素子容量Ｃ０を変えて、配線長の差（
＝よって生じる配線パターンＬｉ−生じる浮遊容量の不
均一を補正する方法も本発明者らは考慮してみた。しか
し、配線パターンＬの浮遊容量Ｃ，、Ｃ，Ｉ；比較し、
素子容量ｃｏは１〜４ｄｏｔｓ／■のような低密度のイ
メージセンサの場合、大きいためその補正値はフォトエ
ツチング工程の変動すなわちフォトエツチングの条件等
が変ることにより大きく変化するため配線パターンの浮
遊容量との和も一定化されずイメージセンチの出力電圧
の均一化の改善度合が少なく実用に供しないといつ問題
がある。また、８ｄｏｔｓ／Ｉｌ１以上のような高密度
イメージセンサについて言えは、配線パターンＬの浮遊
容量ｃｌ ＊ ｃ＊が素子容量Ｃ０より大きくなること
によりその補正効果は少ないと同時（二、逆に光電変換
素子の素子容量Ｃ６を決定する電極の長さく副走査方向
をさす）を大きく変えてＣ０を大きくすると副走査方向
の読取り位置が各々の光電変換素子間で異なってくるた
め、その読取精度の面で実用上問題がある。さらに、配
線容量の補正に伴い配線パターンが長大なものとなり、
イメージセンサが大型化するという問題があった。
本発明はこのような従来の難点を解消すべくなされたも
ので、生産性が良好で、しかも大型化することなく配線
パターン等の容量歪み（二より発生する出力信号のμら
つきを補正できるイメージセンサを提供することを目的
とする。
ので、生産性が良好で、しかも大型化することなく配線
パターン等の容量歪み（二より発生する出力信号のμら
つきを補正できるイメージセンサを提供することを目的
とする。
上述の目的を達成するため、本発明のイメージセンサの
概要を簡潔に述べるならば、絶縁基板上に形成された配
線長が少なくとも一部で均一でない接続用配線パターン
の不均一を補正する容量調整用配線パターンを光電変換
部の下部またはその近傍の少なくとも一万：二絶縁層を
介して配置したことを特徴とし、これにより各々の配線
パターンの浮遊容量を実質的に同一とすることができる
。
概要を簡潔に述べるならば、絶縁基板上に形成された配
線長が少なくとも一部で均一でない接続用配線パターン
の不均一を補正する容量調整用配線パターンを光電変換
部の下部またはその近傍の少なくとも一万：二絶縁層を
介して配置したことを特徴とし、これにより各々の配線
パターンの浮遊容量を実質的に同一とすることができる
。
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図はその
配線パターンを示す部分断面図モある。
配線パターンを示す部分断面図モある。
この実施例のイメージセンチは、駆動回路部人と光導電
変換部Ｂ（二より構成されている。
変換部Ｂ（二より構成されている。
駆動回路部人は、セラミック基板３と、この上に形成さ
れたアルミニウムまたは金等の薄膜よりなる配線パター
ン４と、この配線パターン４上に導電性エポキシ樹脂５
により固着されたアナログスイッチ機能を有する集積回
路６とからその主要部分が構成されている。
れたアルミニウムまたは金等の薄膜よりなる配線パター
ン４と、この配線パターン４上に導電性エポキシ樹脂５
により固着されたアナログスイッチ機能を有する集積回
路６とからその主要部分が構成されている。
配線パターン４は、接続用配線パターン４ａと容量調整
用配線パターン４ｂとからなっている。
用配線パターン４ｂとからなっている。
この接続用配線パターン４１は従来の配線パターンと同
様に両端のものほど配線長が長くなる配線長の不均等な
同一線幅の配線パターンからなり。
様に両端のものほど配線長が長くなる配線長の不均等な
同一線幅の配線パターンからなり。
またこの容を調整用配線パターン４ｂは、これらの接続
用配線パターン４ａにそれぞれ接続され、かつ配線長の
長い接続用配線パターン４ａｌ：接桝されたものほど面
積が小さくなるように形成されて、接続用配線パターン
４ａと容量調整用配線パターン４ｂの面積の和がほぼ等
しくなるように調整され、接続用配線パターンよりも配
線の福が広い配線パターンから構成されている。
用配線パターン４ａにそれぞれ接続され、かつ配線長の
長い接続用配線パターン４ａｌ：接桝されたものほど面
積が小さくなるように形成されて、接続用配線パターン
４ａと容量調整用配線パターン４ｂの面積の和がほぼ等
しくなるように調整され、接続用配線パターンよりも配
線の福が広い配線パターンから構成されている。
集積回路６は、金あるいはアルミニクムワイヤ７により
接続用配線パターン４ｍと電気的に接続され、また容量
調整用配線パターン４ｂ上には、光電変換部Ｂの絶縁層
１０（例えばポリイミド樹脂。
接続用配線パターン４ｍと電気的に接続され、また容量
調整用配線パターン４ｂ上には、光電変換部Ｂの絶縁層
１０（例えばポリイミド樹脂。
ガラス系無機物等）がスピンコードあるいはスクリーン
印刷法等により形成され、その上部；二膜技術により光
電変換部Ｂが構成されている。なお。
印刷法等により形成され、その上部；二膜技術により光
電変換部Ｂが構成されている。なお。
集積回路６から接続用配線パターン４ａの接続端子にか
けて絶縁性樹脂８がボッティングされ、その外周は保護
キャップ９で覆われている。
けて絶縁性樹脂８がボッティングされ、その外周は保護
キャップ９で覆われている。
一方、光電変換部Ｂは、絶縁層１０と、この絶縁層ｌＯ
上にクロムまたはアルミ薄膜を用いて形成された個別電
極１１ａ、この個別電極１１麿上に順（二着膜されたα
−８Ｉ：Ｈ等からなる高抵抗光導電膜１１ｂ、５ｎ０２
．ＩＴＯ膜等の透明導電膜１１ｃからなる光電変換素子
１１とから構成されており、光電変換素子１１の各個別
電極１１ａ Ｅは金あるいはアルミニウム薄膜の着膜に
よりボンディングバットが形成サレ、金あるいはアルミ
ニウムワイヤ１２により接続用配線ハターン４ｍに接続
されている。
上にクロムまたはアルミ薄膜を用いて形成された個別電
極１１ａ、この個別電極１１麿上に順（二着膜されたα
−８Ｉ：Ｈ等からなる高抵抗光導電膜１１ｂ、５ｎ０２
．ＩＴＯ膜等の透明導電膜１１ｃからなる光電変換素子
１１とから構成されており、光電変換素子１１の各個別
電極１１ａ Ｅは金あるいはアルミニウム薄膜の着膜に
よりボンディングバットが形成サレ、金あるいはアルミ
ニウムワイヤ１２により接続用配線ハターン４ｍに接続
されている。
また、ｌｉｄは光電変換素子Ｐの個別電極１１ａに対向
する透明導電膜１１Ｃを導出し電源Ｆｉｔ二電気的導通
をとるための共通電極である。
する透明導電膜１１Ｃを導出し電源Ｆｉｔ二電気的導通
をとるための共通電極である。
さら（二、光電変換素子１１上（＝は保護ガラス板１３
が透明絶縁樹脂１４着二より固着され、かつ保護ガラス
板１３の周囲から保護キャップ９にかけて同一樹脂がボ
ッティングされている。
が透明絶縁樹脂１４着二より固着され、かつ保護ガラス
板１３の周囲から保護キャップ９にかけて同一樹脂がボ
ッティングされている。
この実施例のイメージセンサでは、光電変換素子の出力
信号は、金あるいはアルミニウムワイヤｎ、接続用配線
パターン４ａおよび金あるいはアルミニウムワイヤ７を
介して集積回路６に導通される。
信号は、金あるいはアルミニウムワイヤｎ、接続用配線
パターン４ａおよび金あるいはアルミニウムワイヤ７を
介して集積回路６に導通される。
一実施例のイメージセンサでは、配線パターン４を光電
変換部Ｂの下部およびその近傍に延長してその面積が等
しくなるようにしたので、全体を大型化することなく配
線容量の補正を完全に行なうことができる。なお、配線
パターン４は光電変換部Ｂの下部またはその近傍の一方
に延長するだけでも良いことは言うまでもない。
変換部Ｂの下部およびその近傍に延長してその面積が等
しくなるようにしたので、全体を大型化することなく配
線容量の補正を完全に行なうことができる。なお、配線
パターン４は光電変換部Ｂの下部またはその近傍の一方
に延長するだけでも良いことは言うまでもない。
第３図は他の実施例を示す断面図である。なお、以下の
説明において、第１図と共通する部分（；は同一符号を
付して重複する説明を省略する。
説明において、第１図と共通する部分（；は同一符号を
付して重複する説明を省略する。
この実施例では１個々の光電変換素子（＝対応する各接
続用配線パターン４ａをＬ字状に形成するととも書＝、
これらに接続された容量調整用配線パターン４ｂを、そ
れらの延長上（一点対称となるように形成して、隣接配
線間隔の同一な部分の配線長さの和を全配線パターン４
を通じて同一長さとし、これ（二よって各配線パターン
４の対地容量Ｃ１と配線間容量Ｃ！とをそれぞれほぼ等
しくなるよう（＝調整している。
続用配線パターン４ａをＬ字状に形成するととも書＝、
これらに接続された容量調整用配線パターン４ｂを、そ
れらの延長上（一点対称となるように形成して、隣接配
線間隔の同一な部分の配線長さの和を全配線パターン４
を通じて同一長さとし、これ（二よって各配線パターン
４の対地容量Ｃ１と配線間容量Ｃ！とをそれぞれほぼ等
しくなるよう（＝調整している。
第４図はさらに他の実施例の要部を示す断面図である。
この実施例；二おいては、配線パターン形成時にプロセ
ス変動や、絶縁基板表面の仕上り差等によって生じる対
地容量Ｃ８の均一性を向上さすべく、対地容量補正パタ
ーン４ｄを付加したもので、各々配線パターンの対地容
量の変動比率を減少させ配線間容量をほぼ均一？＝構成
したものである゛。
ス変動や、絶縁基板表面の仕上り差等によって生じる対
地容量Ｃ８の均一性を向上さすべく、対地容量補正パタ
ーン４ｄを付加したもので、各々配線パターンの対地容
量の変動比率を減少させ配線間容量をほぼ均一？＝構成
したものである゛。
第５図は第１図）二示した本発明の他の実施例を示し、
光電変換素子Ｐの個別電極１１ａと接続用配線パターン
４１とを絶縁層１０の一部１１ Ｊｌ−１にスルホール
を設け、スルホールな用いて電気的接続を行なって構成
したイメージセンサの例である。（第１図のものはワイ
ヤボンディング接続である。）第６図は本発明の他の実
施例である。
光電変換素子Ｐの個別電極１１ａと接続用配線パターン
４１とを絶縁層１０の一部１１ Ｊｌ−１にスルホール
を設け、スルホールな用いて電気的接続を行なって構成
したイメージセンサの例である。（第１図のものはワイ
ヤボンディング接続である。）第６図は本発明の他の実
施例である。
この実施例のイメージ七？すは絶縁層１０の光電変換素
子１１の構成部にスルホールを設けて、容量調整用配線
パターン４ｂの一部な光電変換素子１１の個別電極１１
麿としたもので、やはり配線パターンの浮遊容量歪補正
は一実施例（第１図に示したもの）と同様に実施し各々
の配線容量をほぼ均−縁層１０の上部に構成したもので
ある。
子１１の構成部にスルホールを設けて、容量調整用配線
パターン４ｂの一部な光電変換素子１１の個別電極１１
麿としたもので、やはり配線パターンの浮遊容量歪補正
は一実施例（第１図に示したもの）と同様に実施し各々
の配線容量をほぼ均−縁層１０の上部に構成したもので
ある。
以上説明したようにこの発明のイメージセンサは、光電
変換素子と集積回路とを結ぶ接続用配線パターンにそれ
ぞれ接続させて光電変換部の下部あるいはその近傍に絶
縁層を介して容量調整用配線パターンを形成したから大
型化することなく、配線パターン等の容量歪みにより発
生する出力信号のばらつきを完全（＝補正することがで
きる。さらに配線パターンの容量調整用配線パターンの
一部を用い光電変換素子の一部を構成したこと；；より
光電変換部と駆動回路部の接続点が大幅（二減少し、生
産性が向上するとともに信頼性の高いイメージセンサが
得られる。
変換素子と集積回路とを結ぶ接続用配線パターンにそれ
ぞれ接続させて光電変換部の下部あるいはその近傍に絶
縁層を介して容量調整用配線パターンを形成したから大
型化することなく、配線パターン等の容量歪みにより発
生する出力信号のばらつきを完全（＝補正することがで
きる。さらに配線パターンの容量調整用配線パターンの
一部を用い光電変換素子の一部を構成したこと；；より
光電変換部と駆動回路部の接続点が大幅（二減少し、生
産性が向上するとともに信頼性の高いイメージセンサが
得られる。
Ｗ！Ｉ１図は本発明のイメージセンサの一実施例を示す
断面図、第２図ないし第４図はそれぞれ本発明の他の実
施例の要部を示す平面図、第５図は本発明の他の実施例
を示す断面図、第６図ないし第７図は本発明の他の実施
例を示す断面図、第８図はイメージセンサの等価回路図
、第９図ないし第１２図は従来イメージセンチにおいて
出力信号にバラツキを解消する方法を説明するための模
式図、第１３図は従来の出力信号のバラツキを解消した
イメージセンサの要部を示す平面図である。 ３・・・絶縁基板 ４・・・配線パターン４ａ・・
・接続用配線パターン ４ｂ・・・容量ｍ整用配線パターン ５・・・導電性エポキシ樹脂 ６・・・集積回路７．１
２・・・ワイヤ ８・・・絶縁樹脂９・・・保護キャ
ップ １０・・・絶縁層１１・・・光電変換素子 １１
ａ・・・個別電極１１ｂ・・・高抵抗光導膜 １１ｃ・
・・透明性導電膜１３・・・保護ガラス板 人・・・駆
動回路部Ｂ・・・光電変換部 Ｃ０・・・素子容量Ｃ
１・・・対地容量Ｃ１・・・配線間容量Ｄ・・・フォト
ダイオード Ｂ・・・電源Ｌ・・・配線パターン Ｐ・
・・光電変換素子Ｓ・・・スイッチ ８Ｒ・・・シ
フトレジスタ代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか
１名）第 ２ 図 第 ３ 図 第４図 第 ５ 図 第９図 第 １０ １３ｉｉ！ 第１１図 第１２図 第゛１３図
断面図、第２図ないし第４図はそれぞれ本発明の他の実
施例の要部を示す平面図、第５図は本発明の他の実施例
を示す断面図、第６図ないし第７図は本発明の他の実施
例を示す断面図、第８図はイメージセンサの等価回路図
、第９図ないし第１２図は従来イメージセンチにおいて
出力信号にバラツキを解消する方法を説明するための模
式図、第１３図は従来の出力信号のバラツキを解消した
イメージセンサの要部を示す平面図である。 ３・・・絶縁基板 ４・・・配線パターン４ａ・・
・接続用配線パターン ４ｂ・・・容量ｍ整用配線パターン ５・・・導電性エポキシ樹脂 ６・・・集積回路７．１
２・・・ワイヤ ８・・・絶縁樹脂９・・・保護キャ
ップ １０・・・絶縁層１１・・・光電変換素子 １１
ａ・・・個別電極１１ｂ・・・高抵抗光導膜 １１ｃ・
・・透明性導電膜１３・・・保護ガラス板 人・・・駆
動回路部Ｂ・・・光電変換部 Ｃ０・・・素子容量Ｃ
１・・・対地容量Ｃ１・・・配線間容量Ｄ・・・フォト
ダイオード Ｂ・・・電源Ｌ・・・配線パターン Ｐ・
・・光電変換素子Ｓ・・・スイッチ ８Ｒ・・・シ
フトレジスタ代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか
１名）第 ２ 図 第 ３ 図 第４図 第 ５ 図 第９図 第 １０ １３ｉｉ！ 第１１図 第１２図 第゛１３図
Claims (7)
- （１）絶縁基板上に形成された複数個の光電変換素子を
配列してなる光電変換部と、これらの光電変換素子から
の出力信号を順次読出す駆動回路部とを有し、前記光電
変換部と前記駆動回路部とが、前記絶縁基板上に形成さ
れた配線長が少なくとも１本異なる接続用配線パターン
により接続されたイメージセンサにおいて、前記接続用
配線パターンの少なくとも１本の配線長を補正する容量
調整用配線パターンを前記光電変換部の下部またはその
近傍のうち少なくとも一方に絶縁層を介して配置し、か
つ各々の前記接続用配線パターンの浮遊容量を実質的に
均一にしたことを特徴とするイメージセンサ。 - （２）前記容量調整用配線パターンの少なくとも一部は
、前記光電変換素子の一部を構成していることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のイメージセンサ。 - （３）前記光電変換素子は、電荷蓄積塵の光電変換素子
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項記載のイメージセンサ。 - （４）各々の前記接続用配線パターンの浮遊容量を実質
的に均一にすることは、前記容量調整用配線パターンの
各々の面積が前記接続用配線パターンの各々の長さに比
例して小さくすることにより行われることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載のイメージセン
サ。 - （５）各々の前記接続用配線パターンの浮遊容量を実質
的に均一にすることは、前記容量調整用配線パターンの
相互に隣接する配線間容量が、前記容量調整用配線パタ
ーンの各々に接続する前記接続用配線パターンの長さに
比例して小さくするように前記容量調整用配線パターン
の長さまたは配線間隔の少なくとも一方を調整している
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載のイメージセンサ。 - （６）各々の前記接続用配線パターンの浮遊容量を実質
的に均一にすることは、前記容量調整用配線パターンの
相互に隣接する配線間容量が、前記容量調整用配線パタ
ーンの各々に接続する前記接続用配線パターンの各配線
長に比例して小さくなるように前記容量調整用パターン
の各配線長または配線間隔の少なくとも一方を調整し、
かつ前記容量調整用配線パターンの少なくとも一部に一
定の対地容量補正手段を配置したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載のイメージセンサ。 - （７）前記対地容量補正手段は、対地容量補正用の配線
パターンであることを特徴とする特許請求の範囲第６項
記載のイメージセンサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136991A JPS61295656A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | イメ−ジセンサ |
| KR1019850008472A KR900003772B1 (ko) | 1984-11-28 | 1985-11-13 | 이미지 센서(image sensor) |
| US06/802,160 US4679088A (en) | 1984-11-28 | 1985-11-25 | Image sensor with means to adjust capacitance of signal leads |
| DE8585308577T DE3579890D1 (de) | 1984-11-28 | 1985-11-26 | Bildsensor. |
| EP85308577A EP0183525B1 (en) | 1984-11-28 | 1985-11-26 | Image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60136991A JPS61295656A (ja) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61295656A true JPS61295656A (ja) | 1986-12-26 |
| JPH0521348B2 JPH0521348B2 (ja) | 1993-03-24 |
Family
ID=15188226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60136991A Granted JPS61295656A (ja) | 1984-11-28 | 1985-06-25 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61295656A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6429826U (ja) * | 1987-08-13 | 1989-02-22 | ||
| WO2005038924A1 (ja) * | 2003-10-21 | 2005-04-28 | National University Corporation Shizuoka University | 超解像画素電極の配置構造及び信号処理方法 |
| JP2011177976A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Kyocera Corp | 光プリントヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
| WO2022113830A1 (ja) * | 2020-11-25 | 2022-06-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
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| JPS579776A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Microbial Chem Res Found | Production of anthracycline |
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| JPS617767A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
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-
1985
- 1985-06-25 JP JP60136991A patent/JPS61295656A/ja active Granted
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| US7402811B2 (en) | 2003-10-21 | 2008-07-22 | National University Corporation Shizuoka University | Ultra-high resolution pixel electrode arrangement structure and signal processing method |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521348B2 (ja) | 1993-03-24 |
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