JPS59152775A - 原稿読取装置 - Google Patents
原稿読取装置Info
- Publication number
- JPS59152775A JPS59152775A JP2564683A JP2564683A JPS59152775A JP S59152775 A JPS59152775 A JP S59152775A JP 2564683 A JP2564683 A JP 2564683A JP 2564683 A JP2564683 A JP 2564683A JP S59152775 A JPS59152775 A JP S59152775A
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- Japan
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- capacitance
- photoelectric conversion
- wiring
- stray
- switching circuit
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｊゴファクシミリ等において用いら九る原稿読取
装置に関する。
装置に関する。
一般に原稿読取装置は、絶縁性基板上に所定のパターン
金もって配列された多数の充電変換素子を備え、これら
の光電変換素子をスイッチング走査して各光電変換素子
の受光量に対応する信号を取り出すために、前記光電変
換素子と同数のスイッチ素子金偏えたスイッチング回路
全光電変換素子と同一の、基板上または外部に設けるこ
とによって構成さ扛ており、光電変換素子アレイの長さ
が読取るべ＠原稿と回−サイズとなされている。この工
うな原稿読取装置に」ｄいては、オプティカル・ファイ
バ・アレイまたはレンズ・アレイ等の光学系を用いて−
ス・１−結像にニジｉ稿全読取るため、結像光路長を短
くすることが可能であり、原稿読取装置の大幅な小型化
を達成しつるものである。
金もって配列された多数の充電変換素子を備え、これら
の光電変換素子をスイッチング走査して各光電変換素子
の受光量に対応する信号を取り出すために、前記光電変
換素子と同数のスイッチ素子金偏えたスイッチング回路
全光電変換素子と同一の、基板上または外部に設けるこ
とによって構成さ扛ており、光電変換素子アレイの長さ
が読取るべ＠原稿と回−サイズとなされている。この工
うな原稿読取装置に」ｄいては、オプティカル・ファイ
バ・アレイまたはレンズ・アレイ等の光学系を用いて−
ス・１−結像にニジｉ稿全読取るため、結像光路長を短
くすることが可能であり、原稿読取装置の大幅な小型化
を達成しつるものである。
第１ ｔｅｌは従来の原稿読取装置の回路図を示し、Ｐ
＋ 、Ｐ叩、Ｐｓ・・・ＰＮは光導電性薄膜により形成
された光電変換素子で、等測的にはフォトダイオードＰ
Ｄと容ｉｔ ＣＤ Ｋより構成される、Ｑ＋ 、 Ｑ
、−、Ｑ！ ・・・ＱＮは光電変換素子Ｐ１〜ＰＮを
それぞれスイッチングするためのＭＯＳトランジスタ、
１はＭＯＳ）ランジスタＱ。
＋ 、Ｐ叩、Ｐｓ・・・ＰＮは光導電性薄膜により形成
された光電変換素子で、等測的にはフォトダイオードＰ
Ｄと容ｉｔ ＣＤ Ｋより構成される、Ｑ＋ 、 Ｑ
、−、Ｑ！ ・・・ＱＮは光電変換素子Ｐ１〜ＰＮを
それぞれスイッチングするためのＭＯＳトランジスタ、
１はＭＯＳ）ランジスタＱ。
〜ＱＮを走査するためのシフトレジスタで、このシフト
レジスタ１とＭ ＯＳ トランジスタＱ。
レジスタ１とＭ ＯＳ トランジスタＱ。
〜ＱＮとによって構成されたスイッチング回路２け半導
体基板上に集積化されて構成されている。なお、３は信
号線、４は出方端子、５は負荷抵抗、６はバイアス電源
である。
体基板上に集積化されて構成されている。なお、３は信
号線、４は出方端子、５は負荷抵抗、６はバイアス電源
である。
第２図および第３図は、第１図に示した原稿読取装置の
具体的構造の一例を示す平面ｌ￥１およびそのＩＴＩ
−ＩＩＩ線断面図である。光電変換素子Ｐ１〜ＰＮは、
光導電性薄膜７の上下を、導電性薄膜による分割された
電極８１〜ＳＮと、透明導電性薄膜による連続した電極
８とに裏ってサンドインチ状に挾んだ態様をもって絶縁
性基板９上に形成されている。分割された電極Ｓ、〜Ｓ
Ｎは基板９上に被着され、これら電極Ｓ、〜ｓＮニジそ
れぞれ配線用導体Ｗ、〜ＷＮが基板９上に延長されて導
出されている。半導体集積回路構成のスイッチング回路
２は基板９上に固着されており、かつそのパッドが接続
ｉ１Ｂ、−ＢＮによって配線用導体Ｗ、〜ＷＮの端部に
電気的に接続されている。
具体的構造の一例を示す平面ｌ￥１およびそのＩＴＩ
−ＩＩＩ線断面図である。光電変換素子Ｐ１〜ＰＮは、
光導電性薄膜７の上下を、導電性薄膜による分割された
電極８１〜ＳＮと、透明導電性薄膜による連続した電極
８とに裏ってサンドインチ状に挾んだ態様をもって絶縁
性基板９上に形成されている。分割された電極Ｓ、〜Ｓ
Ｎは基板９上に被着され、これら電極Ｓ、〜ｓＮニジそ
れぞれ配線用導体Ｗ、〜ＷＮが基板９上に延長されて導
出されている。半導体集積回路構成のスイッチング回路
２は基板９上に固着されており、かつそのパッドが接続
ｉ１Ｂ、−ＢＮによって配線用導体Ｗ、〜ＷＮの端部に
電気的に接続されている。
以上の構成において、原稿像が光学系によって光電変換
素子Ｐ１〜ＰＮ上に結像されると、光電変換素子Ｐ、〜
ＰＮがそれぞれ受光した光の強度に対応する光電流をフ
ォトダイオードＰＤに発生し、これによυ容、＠−Ｃ’
Ｄに電荷が蓄積され、この蓄積された電荷ＦｉＭＯＳ
トランジスタＱ、〜Ｑ、１順次オンにすることによって
信号線３に伝えられ、出力端子４工９映（＆ ４Ｂ号と
して取出される。
素子Ｐ１〜ＰＮ上に結像されると、光電変換素子Ｐ、〜
ＰＮがそれぞれ受光した光の強度に対応する光電流をフ
ォトダイオードＰＤに発生し、これによυ容、＠−Ｃ’
Ｄに電荷が蓄積され、この蓄積された電荷ＦｉＭＯＳ
トランジスタＱ、〜Ｑ、１順次オンにすることによって
信号線３に伝えられ、出力端子４工９映（＆ ４Ｂ号と
して取出される。
第４図は１つの光電変換素子についての読出回路を示し
、光電変換素子Ｐ、−１）Ｎのうちの１つに相当するの
が電流＃！】１で、ＭＯＳトランジスタＱ、〜ＱＮのう
ちの１つに相当するのがスイッチ素子１２である。容量
１３は光電変換１子からＭＯＳトランジスタ寸での配線
の浮遊容量とＭＯＳ）ランジスタの入力容量との合成容
量であり１才た容量１４はＭＯＳトランジスタの出力容
附と出力配線の浮遊容量との合成容量である。光電変換
素子に光が入射されれば、電流源１１に電流が流れ、容
量１３に電荷が蓄積される。ここでスイッチ１２全閉じ
れば、容量１３に蓄積された電荷が容量１４お工び抵抗
５を通って放電し、その放電電流が出力端子４において
検出される。
、光電変換素子Ｐ、−１）Ｎのうちの１つに相当するの
が電流＃！】１で、ＭＯＳトランジスタＱ、〜ＱＮのう
ちの１つに相当するのがスイッチ素子１２である。容量
１３は光電変換１子からＭＯＳトランジスタ寸での配線
の浮遊容量とＭＯＳ）ランジスタの入力容量との合成容
量であり１才た容量１４はＭＯＳトランジスタの出力容
附と出力配線の浮遊容量との合成容量である。光電変換
素子に光が入射されれば、電流源１１に電流が流れ、容
量１３に電荷が蓄積される。ここでスイッチ１２全閉じ
れば、容量１３に蓄積された電荷が容量１４お工び抵抗
５を通って放電し、その放電電流が出力端子４において
検出される。
ところで、第２図においては、光電変換素子Ｐ、〜ＰＮ
とＭＯＳ）ランジスタＱｌ−ＱＮ間にそれぞれ接続され
ている配線用導体Ｗ １−ＷＮの長さが等しい場合を示
しており、シタがって各配線用導体Ｗ、〜ＷＮの浮遊容
量がほぼ等しいことから、第４図における容量１３がほ
ぼ一定と考えられる。
とＭＯＳ）ランジスタＱｌ−ＱＮ間にそれぞれ接続され
ている配線用導体Ｗ １−ＷＮの長さが等しい場合を示
しており、シタがって各配線用導体Ｗ、〜ＷＮの浮遊容
量がほぼ等しいことから、第４図における容量１３がほ
ぼ一定と考えられる。
しかしながら、実際の装置においては、例えば第５図に
示すように、配線用導体Ｗ１〜ＷＮは半導体集積回路に
よって構成されたスイッチング回路２の１１Ｉｉ１面に
寸で延長される場合が多く、このため配線用導体Ｗ、〜
ＷＮが互いに長さの異るものとして基板９土に形成され
る。したがって各配線用導体Ｗ１〜ＷＮの浮遊芥佇に差
異を生じ、第４１ンｌ［おける容量１３が各光電変換素
子Ｐ１〜ＰＮによって異なり、この結果読出回路におけ
るＣＲＶＦ定数で決定される出力信号の値にいわゆるバ
ラツキを生じる欠点があった、本発明は、上述した点に
郭みてなされたもので、配線用導体における浮遊容量間
の偏差を除去して光電変換素子からスイッチ素子１での
配線の浮遊容量をほぼ一定とし、上述した出力信号の値
のバラツキを皆無もしくは無視し得る桿度に小さくした
原稿読取装置を提供するＣとを目的とする。
示すように、配線用導体Ｗ１〜ＷＮは半導体集積回路に
よって構成されたスイッチング回路２の１１Ｉｉ１面に
寸で延長される場合が多く、このため配線用導体Ｗ、〜
ＷＮが互いに長さの異るものとして基板９土に形成され
る。したがって各配線用導体Ｗ１〜ＷＮの浮遊芥佇に差
異を生じ、第４１ンｌ［おける容量１３が各光電変換素
子Ｐ１〜ＰＮによって異なり、この結果読出回路におけ
るＣＲＶＦ定数で決定される出力信号の値にいわゆるバ
ラツキを生じる欠点があった、本発明は、上述した点に
郭みてなされたもので、配線用導体における浮遊容量間
の偏差を除去して光電変換素子からスイッチ素子１での
配線の浮遊容量をほぼ一定とし、上述した出力信号の値
のバラツキを皆無もしくは無視し得る桿度に小さくした
原稿読取装置を提供するＣとを目的とする。
そこで本発明は、配線用導体における浮遊容量間の偏差
を補償しつる値の容量素子を、各配線用導体についての
浮遊容量に対して並タリ接続関係をもってスイッチング
回路内に形成することにエリ上記目的全達成している。
を補償しつる値の容量素子を、各配線用導体についての
浮遊容量に対して並タリ接続関係をもってスイッチング
回路内に形成することにエリ上記目的全達成している。
以下本発明の実施例を詳細に説明する。
第６図および第７図は、本発明に係わる原稿読取装置の
一実施例を第１図および第４は１にそれぞれ対応した回
路図によって示したもので、半導体集積回路によって構
成されたスイッチング回路２内に容量素子Ｃｌ−ＣＮが
形成されている。これら容量素子０１〜ＣＮは、ＰＮ接
會による拡散容量、ＭＯ８構成による容量、または金属
薄膜間に誘電体全介在させることによって生じた容量等
をもって、スイッチング回路２内にトランジスタＱＩ−
ＱＮの形成と同時に形成することができ、配線用導体Ｗ
１〜ＷＮの浮遊容量に対して並列関係をもって接続され
ている。これら容量素子Ｃｌ−ＣＮの値は、配線用導体
Ｗ、〜ＷＮの浮遊容量に対して充分太き値、すなわち１
０〜１００ｐＦの範囲内の適当な一定の値とすることに
より、第７図における容量１３の値のバラツキ全実質的
に補償することができる。、捷た容量素子Ｃｌ−ＣＮの
値を、上述のような一定の値としないで、容量１３との
合成容量が一定となるような値を各容量素子０１〜ＣＮ
について個別に選択することにより、更に完全な補償
が可能であることは言う右でもない。なお、第７図にお
いては、この補償用容量素子を一般的にＣＫとして示し
である。また、紀６図においては、各配線用導体Ｗ１〜
ＷＮに対し、それぞれ補償用容量素子Ｃ７〜ＣＮを接続
した場合が示されているが、例えば第７図における容量
１３との合成容量が一定の値となるように各補償用容量
素子Ｃ１〜ＣＮの値を選択する場合、最大の浮遊容量を
有する最も長い配線用導体に関しては補償用容量素子を
設けなくても、それより小さい浮遊容量を有する候い導
体についてのみ補償を行うことによってもその目的を達
成することができる。
一実施例を第１図および第４は１にそれぞれ対応した回
路図によって示したもので、半導体集積回路によって構
成されたスイッチング回路２内に容量素子Ｃｌ−ＣＮが
形成されている。これら容量素子０１〜ＣＮは、ＰＮ接
會による拡散容量、ＭＯ８構成による容量、または金属
薄膜間に誘電体全介在させることによって生じた容量等
をもって、スイッチング回路２内にトランジスタＱＩ−
ＱＮの形成と同時に形成することができ、配線用導体Ｗ
１〜ＷＮの浮遊容量に対して並列関係をもって接続され
ている。これら容量素子Ｃｌ−ＣＮの値は、配線用導体
Ｗ、〜ＷＮの浮遊容量に対して充分太き値、すなわち１
０〜１００ｐＦの範囲内の適当な一定の値とすることに
より、第７図における容量１３の値のバラツキ全実質的
に補償することができる。、捷た容量素子Ｃｌ−ＣＮの
値を、上述のような一定の値としないで、容量１３との
合成容量が一定となるような値を各容量素子０１〜ＣＮ
について個別に選択することにより、更に完全な補償
が可能であることは言う右でもない。なお、第７図にお
いては、この補償用容量素子を一般的にＣＫとして示し
である。また、紀６図においては、各配線用導体Ｗ１〜
ＷＮに対し、それぞれ補償用容量素子Ｃ７〜ＣＮを接続
した場合が示されているが、例えば第７図における容量
１３との合成容量が一定の値となるように各補償用容量
素子Ｃ１〜ＣＮの値を選択する場合、最大の浮遊容量を
有する最も長い配線用導体に関しては補償用容量素子を
設けなくても、それより小さい浮遊容量を有する候い導
体についてのみ補償を行うことによってもその目的を達
成することができる。
以上説明したように、本発明によれは、配線用導体の長
さの差異にもとづく浮遊ｇ Ｎ−の偏差を補償すること
により、出力信号の値のバラツキを皆無または無視しう
る程度に／ＪＳさくすることができる、
さの差異にもとづく浮遊ｇ Ｎ−の偏差を補償すること
により、出力信号の値のバラツキを皆無または無視しう
る程度に／ＪＳさくすることができる、
ツ】図１は従来の原稿読、取装置の回路図、第２図はそ
の具体的構造の一例の平面図１１第３図は第２ジ］１−
■線における事［面し）、第４図１は読出回路の等価回
路シ１１第５図は配線用導体の配列を示す平面図、第６
図は本発明に係る原稿読取装置の回路図、第７図はその
読出回路の等仙Ｊ回路図である。 Ｐ、〜ＰＮ・−・光電変換素子、 Ｓ、〜ＳＮ・・・
分割さ′ｉ′１．た電極、Ｑ、〜Ｑ８・・・ＭＯＳ ）
ランジスタ、Ｗ、〜ＷＮ・・・配線用導体、Ｃ３〜ＣＮ
・・・補償用容量素子、１・−・シフトレジスタ、２・
・スイッチング回路、３・・・信号線、４・・・出力端
子、５・・負荷抵抗、６・−バイアス電の、７・・・元
導電性幻１１＝ｌｊ、８・・・透明導電性薄膜による連
続した電極、９・・・絶縁基板、１１・・・電流源、１
２・・・スイッチ素子、１３．１４−・容量。 第４図 第５図 ＲＰ２ Ｐ３−−−− 第６図 第７図
の具体的構造の一例の平面図１１第３図は第２ジ］１−
■線における事［面し）、第４図１は読出回路の等価回
路シ１１第５図は配線用導体の配列を示す平面図、第６
図は本発明に係る原稿読取装置の回路図、第７図はその
読出回路の等仙Ｊ回路図である。 Ｐ、〜ＰＮ・−・光電変換素子、 Ｓ、〜ＳＮ・・・
分割さ′ｉ′１．た電極、Ｑ、〜Ｑ８・・・ＭＯＳ ）
ランジスタ、Ｗ、〜ＷＮ・・・配線用導体、Ｃ３〜ＣＮ
・・・補償用容量素子、１・−・シフトレジスタ、２・
・スイッチング回路、３・・・信号線、４・・・出力端
子、５・・負荷抵抗、６・−バイアス電の、７・・・元
導電性幻１１＝ｌｊ、８・・・透明導電性薄膜による連
続した電極、９・・・絶縁基板、１１・・・電流源、１
２・・・スイッチ素子、１３．１４−・容量。 第４図 第５図 ＲＰ２ Ｐ３−−−− 第６図 第７図
Claims (1)
- 絶縁性基板上に配列された多数の光電変換素子と、これ
らの光電変換素子と同数のスイッチ素子を含むスイッチ
ング回路とを具備し、前記スイッチ素子は、前記絶縁性
基板上に延長して設けられた多数の導体を介して前記光
電変換素子にそれぞれ接続され、前記各光電変換素子の
受光量に対応する信号を前記スイッチング回路より取出
すようにした原稿読取装置において、前記多数の導体の
それぞれの浮、遊客量の偏差を補償する値の容量素子を
、前記各浮遊容量のうちの少なくとも一部分に対して並
列接続関係をもって前記スイッチング回路内に形成した
ことを特徴とする原稿読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564683A JPS59152775A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2564683A JPS59152775A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 原稿読取装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4028547A Division JP2591346B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 画像読取装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59152775A true JPS59152775A (ja) | 1984-08-31 |
| JPH0328871B2 JPH0328871B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=12171588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2564683A Granted JPS59152775A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59152775A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61111059A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Toshiba Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS61295656A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPH0563892A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-03-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPH11168223A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-06-22 | Xerox Corp | 画像センサアレイ |
| WO2016143133A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子及び超音波探触子の調整方法並びに超音波診断装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967667A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的読取り素子 |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP2564683A patent/JPS59152775A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967667A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的読取り素子 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61111059A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Toshiba Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS61295656A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | イメ−ジセンサ |
| JPH0521348B2 (ja) * | 1985-06-25 | 1993-03-24 | Toshiba Kk | |
| JPH0563892A (ja) * | 1992-02-14 | 1993-03-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPH11168223A (ja) * | 1997-09-22 | 1999-06-22 | Xerox Corp | 画像センサアレイ |
| JP4540138B2 (ja) * | 1997-09-22 | 2010-09-08 | ゼロックス コーポレイション | 画像センサアレイ |
| WO2016143133A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子及び超音波探触子の調整方法並びに超音波診断装置 |
| JPWO2016143133A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2017-04-27 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子及び超音波探触子の調整方法並びに超音波診断装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0328871B2 (ja) | 1991-04-22 |
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