JPS63119261A - イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、イメージセンサに係り、特にアモルファスＳ
ｔにより構成される受光素子を有するイメージセンサに
関する。

（従来の技術） 近年、複数個の受光素子を読取るべき原稿面の幅と同程
度の長さに列設したいわゆる密着型イメージセンサか、
ファクシミリ、電子黒板、イメージスキャナ等のための
画像読取り手段として開発されている。このようなイメ
ージセンサの中で受光素子がアモルファスＳＬにより構
成されるイメージセンサは大面積化か容易ななめ注目さ
れている。第５図および第６図はこのように受光素子が
アモルファスＳＬにより構成されるものであって、マト
リックス駆動方式のイメージセンサを示す図である。

図中、符号１は透光性基板であり、この基板１上には真
性アモルファスＳｔからなる光導電膜２が形成されてい
る。この光導電膜２上にはオーミック接続層３ａ、３ｂ
が所定の間隙を持って対向するように形成されている。

そして、これらオーミック接続Ｍ　３　ａ、３ｂ上には
それぞれ共通電極４、個別電極５が列設されることによ
り、上記した間隙に複数の受光素子６・・・が配列され
る。

また、共通電極４は複数に群分けされ各群内の共通電極
４は基板１の周縁部に向けて外部接続配線４ａが突出し
ており、一方個別電極５上には透光性の絶縁Ｒ７が形成
されている。さらに、この絶縁！７上には個別電極５と
直交する行配線８が形成され、絶縁Ｒ７に形成されたス
ルポール９を介して対応する個別電極５に接続されてい
る。

そして、画像読取り時には、たとえば共通電極４の外部
接続配線４ａに順次駆動電圧が印加され、行配線８から
受光索子６を流れる光電流に基づく画像信号を取出して
なる。

（発明が解決しようとする問題点） ところで上記したようなイメージセンサを製造する場合
において、光導電膜２、オーミック接続層３ａ、３ｂ、
共通電極４、個別電極５等を形成するときは、通電、反
応性イオンエツチング、化学ドライエツナンク等のエツ
チング加工により行なわれている。そして、上記したオ
ーミック接続Ｒ３ａ、３１〕、共通型′＋ｆ！４および
個別電極５を工・ソチングにより形成する場合、エンチ
ング中にその終了時期を知るために受光素子６の明電流
等の電気的な値を測定することが必要とされる。すなわ
ちこの場合、共通電極４と個別電極５とにそれぞれプロ
ーブピンを当接させて測定するのであるか、受光素子６
の素子密度が８木／ｒｎｒｎとされた場合には個別電極
５のビッヂは１２５μｍとなり、個別電極５に上記プロ
ーブピンを正確に当接することは困難を極め作業性を低
下させる原因となる。

さらにこの場合、同じ受光素子６を再度測定することは
困難でありずなわち測定の再現性が非常に悪いという問
題がある。また個別電極４は上記したようにそのピッチ
が微細になるにしたがいその線幅も微細となるため、上
記したようにプローブピンが当接されることにより傷、
断線等の不良が発生することがあり、生産性の低下の原
因となる。

本発明はこのような事情に基づいてなされたもので、製
造の際、受光素子の電気的な値の測定が容易であり、し
かもその測定の際、不良を発生させることがなく生産性
を向上させることができるイメージセンサを提供するこ
とを目的としている。

［発明の構成コ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明のイメージセンサは、絶縁基板と、この
基板上に列設された複数の受光素子と、これら受光素子
の一方側に配置され各受光素子に接続された共通電極と
、前記受光素子の他方側に配置され各受光素子に接続さ
れた個別電極とを有するイメージセンサにおいて、前記
基板上に、−端が前記共通電極に接続された少なくとも
一組のテスト用受光素子と、このテスト用受光素子の他
端に接続された引出し配線とが配設されていることを特
徴としている。

（作　用） 本発明のイメージセンサにおいて、基板上に、一端が共
通電極に接続された少なくとも一組のテスト用受光素子
と、このテスト用受光素子の他端に接続された引出し配
線とが配設されているので、製造の際、受光素子の電気
的な値の測定が容易であり、しかもその測定の際、不良
を発生させることがなく生産性を向上させることができ
るようになる。

（実施例） 以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づい　　′て説
明する。

第１図は本発明の一実施例に係る受光素子がアモルファ
スＳｔにより構成されるイメージセンサの構成を示す平
面図であり、第２図は第１図のＩ−Ｉ矢視断面図である
。

第１図および第２図において、基板１１は透光性ガラス
あるいは石英等からなる透光性基板であリ、この基板１
１上全面に透光性の接着層１２を介して光導電膜１３が
形成されている。接着層１２はたとえばＳｉＮｘ膜であ
り、また光導電膜１３はたとえば真性アモルファスＳｉ
膜である。ＳｉＮｘ膜は５ｉＨＪとＮｌｅとの混合ガス
を用いてＣＶＤ法により形成され、また真性アモルファ
スＳｔ膜は５ｉＨＪガスを用いて同じ＜ＣＶＤ法により
形成される。

光導電膜１３上にはオーミック接続層１４ａ、１４ｂが
所定の間隙を持って対向するように形成されている。そ
して、これらオーミック接続層１４ａ、１４ｂ上にはそ
れぞれ共通型ｆ！１５、個別電極１６か列設されること
により、上記した間隙に複数の受光索子１７・・・が配
列される。また、共通電極１５は複数に群分けされ各群
内の共通電極１５は基板１１の共通電極１５側周縁部に
向けて外部接続配線１５ａが突出しており、一方個別電
極１６には基板１１の個別電極１６側周縁部に向けて列
配線１６ａが突出している。

また上記した各群の共通電極１５には少なくとも一組の
テスト用受光索子１８が基板１１の共通電極１５側周縁
部に向けて配設されている。これらテスト用受光索子１
８は上記した受光素子１７の光導電膜１３を延在させて
なる光導電膜１３上に、これら受光素子１７と同一のも
のとなるように、オーミｌり接続Ｊ？Ｊ　１　ｊｌ　ａ
を延在させ、このオーミック接続層１４ａに上記したオ
ーミック接続層１．４．　ａ、１４ｂ間の間隙と同一の
間隙をもたせ、共通電極１５と対向するようにこのオー
ミック接続層１４ａｌ−の一方側に引出し配線１９を形
成してなるものである。

これらのオーミック接続層１４ａ、１４ｂ、共通電極１
５、個別電極１６およびテスト用受光素子１８の引出し
配ｖＡ１９は、たとえばｎ型アモルファス５ｉＪＪｑ、
この上に形成されたＴｉ薄膜のような金属薄膜との二層
ＷＩ造からなる。ｎ型アモルファスＳｉ膜はたとえばＰ
Ｈ”とＳ　ｉ　Ｈ＠との混合カスを用いてＣＶＤ法によ
り成膜され、Ｔｉ薄膜等の金属薄膜は真空蒸着法により
成膜される。

そして、これらｎ型アモルファスＳｉ膜および金属薄膜
は光導電Ｍ１３上全面に成膜された後、反応性イオンエ
ツチングまたは化学ドライエツチングにより所望のパタ
ーンにエツチングされる。

また、オーミック接続層１４ｂと個別電極１６か形成さ
れた層の上方全面に、たとえばポリイミド、ポリカーボ
ネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタ
クリレート等の樹脂を薄く塗布・形成してなる透光性絶
縁体腔２０が形成されている。そしてこの上の７トリツ
クス配線領域Ｍ上に行配線２１が形成されている。行配
線２１は個別電′！ｆ１１６の列配線１６ａと直交する
ように形成され、透光性絶縁体膜２０に穿設されたスル
ホール２２を通して対応する列配線１６ａと接続されて
いる。行配線２１は、たとえばＴｉ、Ｃｒ、ＭＯｌＡＩ
、Ｖ、Ｗ、Ａｇ等の金属ＮＭからなり、蒸着法またはス
パッタリング法により成膜され、エツチングにより所望
のパターンに形成される。

しかして、このように構成されたイメージセンサの製造
工程において、オーミック接続層１４ａ、１４ｂ、共通
電極１５、個別電極１６は成膜後、反応性イオンエツチ
ングまたは化学ドライエツチングにより所望のパターン
にエツチングされるが、その際、エツチングの終了時点
を検出するために受光素子１７の明電流等の電気的な値
の測定を行なうことが必要とされる。この時、測定用の
プローブピンを共通電極１５と引出し配線１９とに当接
し、テスト用受光素子１８の測定を行なうことによりそ
の測定値を受光素子１７の測定値とみなし行なうことが
てきる。このため従来の測定のように、個別電極１６に
プローブピンを当接して行なう必要がなくなる。これに
より、個別電極１６のピッチが非常に幅狭の場合におい
てもその測定を容易に行なうことができ作業性の向上を
図ることができ、また測定の再現性を確保することがで
きる。さらに個別電極１６に傷、断線等の不良が発生ず
ることは皆無となり、生産性の向上を図ることができる
ようになる。

なお本発明は上記した実施例に限定されることなく種々
の変形が可能である。

たとえば第３図に示すように、光導電膜１３が基板１１
上の全面に形成されず、受光素子１７の近傍付近にしか
形成されていないものであっても、テスト用受光素子１
８の位置まで光導電膜１３を延在させることにより同様
に行なうことができる。

また第４図に示すように、共通電極１５、個別電極１６
が基板１１上の最下層に形成され、その上にオーミック
接続層１４ａ、１４ｂ、光導電膜１３が順次形成された
ものである場合においても同様に実施することができる
。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明のイメージセンサによれば、
製造の際、受光素子の電気的な値の測定が容易であり、
しかもその測定の際、不良を発生させることがなく生産
性を向上させることかできるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るイメージセンサの平面
図、第２図は第１図のＩ−Ｉ矢視断面図、第３図および
第４図は本発明の変形例を示すイメージセンサの断面図
、第５図は従来のイメージセンザの平面図、第６図は第
５図のＩ−Ｉ矢視断面図である。 １１・・・・・・・・・透光性基板 １２・・・・・・・・・接着層 １３・・・・・・・・・光導電膜 １／１ａ、１．４　ｂ・・・・・・オーミック接続層】
５・・・・・・・・・共通電極 １６・・・・・・・・・個別電極 １７・・・・・・・・・受光素子 １８・・・・・・・・・デスト用受光素子１９・・・・
・・・・・引出し配線 出願人　　　　　　株式会社　東芝 代理人　弁理士　　須　由　佐　− δ 第３図 ？ 第４図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板と、この基板上に列設された複数の受光
   素子と、これら受光素子の一方側に配置され各受光素子
   に接続された共通電極と、前記受光素子の他方側に配置
   され各受光素子に接続された個別電極とを有するイメー
   ジセンサにおいて、前記基板上に、一端が前記共通電極
   に接続された少なくとも一組のテスト用受光素子と、こ
   のテスト用受光素子の他端に接続された引出し配線とが
   配設されていることを特徴とするイメージセンサ。
2. （２）テスト用受光素子が、受光素子と同一のものであ
   る特許請求の範囲第１項記載のイメージセンサ。
3. （３）引出し配線が、共通電極の外部接続配線側に配設
   されていることを特徴とすることを特許請求の範囲第１
   項または第２項記載のイメージセンサ。
4. （４）テスト用受光素子の素子層が、受光素子の素子層
   を延在させてなるものである特許請求の範囲第１項ない
   し第３項のいずれか１項記載のイメージセンサ。