JPH055722Y2

JPH055722Y2 -

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Publication number: JPH055722Y2
Application number: JP167787U
Authority: JP
Priority date: 1987-01-09
Filing date: 1987-01-09
Publication date: 1993-02-15
Anticipated expiration: 2002-01-09
Also published as: JPS63111063U

Description

【考案の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本考案は、密着型イメージセンサに関し、さら
に詳しくは密着型イメージセンサの出力ばらつき
を小さくすることにより読み取り性能を高めるこ
とができる密着型イメージセンサに関する。

〔従来の技術〕

密着型イメージセンサは、素子の大きさが原稿
と同一サイズであり、原稿に密着させるか又はオ
プチカルフアイバレンズ若しくはレンズアレイ等
の光学系を用い、一対一結像により例えばFAX
やOCR等において原稿像を読み取るのに使用さ
れている。

第３図は密着型イメージセンサを使用した読み
取り装置の構成例を示す図、第４図は従来の密着
型イメージセンサの構成を示す図、第５図は密着
型イメージセンサの出力感度のばらつき例を示す
図である。

密着型イメージセンサを使用した読み取り装置
は、例えば第３図ａの側面図及びｂの正面図に示
すようにプラテンガラス１２の下にレンズアレイ
１３と光源１５が配設され、レンズアレイ１３の
出力部にイメージセンサ１４が位置するようにな
つている。そして、読み取られる原稿等の紙片１
１は、プラテンガラス１２の上に置かれ、この紙
片１１の反射光をレンズアレイ１３によつてイメ
ージセンサ１４上に結像させ、原稿等の情報を読
み取る。従つて、レンズアレイ１３及びイメージ
センサ１４は、第３図ｂに示すように紙片１１の
幅に対応して配列される。このように密着型イメ
ージセンサは、短い結像光路長が得られるため、
従来の縮小光学系を用いるMOS型或いはCCDイ
メージセンサと比べて読み取り装置などの大幅な
小型化を達成出来る点に特徴がある。

従来使用されている密着型イメージセンサの構
成を示したのが第４図であり、ａは平面図、ｂは
断面図である。

第４図に示す密着型イメージセンサは、基板４
の上に複数の下層電極（個別電極）１を設け、そ
の上に逐次光導電体３及び透明導電性上層電極２
を設けたものであり、下層電極１と透明導電性上
層電極２より光導電体３に電界をかけておくこと
によつて、光量の変化に応じた電気信号を取り出
す。従つて、下層電極１と透明導電性上層電極２
とのオーバーラツプしている領域がイメージセン
サの画素となる部分である。なお、読み取り信号
は、例えば図示のように下層電極１のスイツチ
SWを順次切り替えることによつて端子TMから
シリアル信号として取り出される。

〔考案が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記のような密着型イメージセ
ンサは、原稿幅に対応した長さが必要であるた
め、大面積にわたり微細加工が必要となり、IC，
LSIなどと違つた製造上の難しさが存在する。す
なわち、縮小光学系を用いるCCDの場合には、
イメージセンサそのものが非常に小型になり、
ICと同じプロセスで製造することができる。そ
のため、出力レベルも±５％程度のばらつき精度
のよいものができる。しかし、密着型イメージセ
ンサの場合には、大型となり構造的にもセンサ部
と別に接続パターンを介して信号処理のICを配
置しているので、ものによつてはばらつきが±35
％にもなつてしまう。

例えばB4サイズ幅に８画素／mmでセンサを形
成すると、256mmにわたつて2048画素のセンサ
が配列されることになる。このセンサの形成中に
微細な異物、例えばゴミやシリコン粒、樹脂粒な
どの付着、或いは成膜条件のバラツキ等により光
導電体の局部的な膜質の変化などがあると、１ビ
ツトないし数ビツトで感度が著しく異なつた突出
ビツトが現れる。そのためにイメージセンサとし
ての性能を著しく低下させ、或いはその感度差が
甚だしい場合、例えば第５図Ａ，Ｂに示すように
所定の感度範囲の幅Ｗを飛び抜けた突出ビツトが
ある場合には不良品となりイメージセンサの製造
歩留まりを低下させる一因となる。

本考案は、上記した従来技術に於ける欠点を解
消し、感度差を小さくすると共にイメージセンサ
の製造歩留まりを向上させる密着型イメージセン
サを提供することを目的とするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

そのために本考案の密着型イメージセンサは、
基板上に複数の下層電極を設けこの上に逐次光導
電体及び透明導電性上層電極を設けてなる密着型
イメージセンサに於いて、上記下層電極の一部を
分割状に構成し、該分割状の部分を分離すること
により感度調整を可能にしたことを特徴とするも
のである。

〔作用〕本考案の密着型イメージセンサでは、下層電極
の一部を分割状に構成し、その部分をカツトして
出力を調整できるようにするもので、所定の感度
範囲の幅を飛び抜けたビツトについてこのカツト
処理により調整することによつて、所定の感度範
囲の特性を得ることができ不良品とすることなく
使用することができる。

〔実施例〕

以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。

第１図は本考案に係る密着型イメージセンサの
下層電極の１実施例を示す図、第２図は本考案の
他の実施例を示す図である。図中、１は下層電
極、２は透明導電性上層電極、３は光導電体を示
す。

本考案に係る密着型イメージセンサは、第１図
に示すように下層電極１の一部を櫛歯状に分割し
ておき、更にこの分割部を光導電体３により被覆
されない領域、すなわち、図示光導電体３の端部
より下まで引き延ばして形成する。このようにし
て形成したイメージセンサにおいて、或る画素の
感度が甚だしく高いような場合には、第１図矢印
Ａに示すようにレーザー等に手段により分割電極
のうち１本又は数本をカツトする。このカツト処
理により実質的なセンサ部の領域が減少するの
で、その画素の感度を減ずることが出来、イメー
ジセンサとして感度のばらつきを小さくすること
が出来る。従つて、従来不良品として製造歩留ま
りを低下させていたものも良品として救済するこ
とが出来、製造の歩留まりの向上を図ることがで
きる。

しかし、感度異常が極端なものは信頼性に問題
のあるような画素であり、感度の修正にも限界が
ある。そこで、第１図に示した実施例では、下層
電極１を多数の櫛歯状に分割しているが、第２図
ａ，ｂに示すように感度調整用の櫛歯状の副電極
として１乃至２個に限つて設けるようにしてもよ
い。このようにすると、下層電極１の微細加工を
軽減することができる。

なお、本考案は、上記の実施例に限定されるも
のではなく、種々の変形が可能である。例えば上
記の実施例に於いては、電極の分割或いは副電極
の配置を下層電極に適用したが、イメージセンサ
の構成により個別電極が光導電体の上部に来る場
合もあり、その場合でも分割調整出来ることが勿
論である。

〔考案の効果〕

以上の説明から明らかなように、本考案によれ
ば、個別電極を櫛歯状に分割し又は個別電極に１
乃至複数個の副電極を設けるので、イメージセン
サ形成後、必要に応じて個別電極の一部をカツト
することができ、部分的に感度を低下させること
が出来る。その結果、感度異常によるイメージセ
ンサの性能の低下又は製造歩留まりの低下を防止
することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る密着型イメージセンサの
下層電極の１実施例を示す図、第２図は本考案の
他の実施例を示す図、第３図は密着型イメージセ
ンサを使用した読み取り装置の構成例を示す図、
第４図は従来の密着型イメージセンサの構成を示
す図、第５図は密着型イメージセンサの出力感度
のばらつき例を示す図である。１……下層電極、２……透明導電性上層電極、
３……光導電体、４……基板、１１……紙片、１
２……プラテンガラス、１３……レンズアレイ、
１４……イメージセンサ、１５……光源。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

基板上に複数の下層電極を設け、該下層電極の
上に逐次光導電体及び透明導電性上層電極を設け
てなる密着型イメージセンサに於いて、上記下層
電極の一部を分割状に構成し、該分割状の部分を
分離することにより感度調整を可能にしたことを
特徴とする密着型イメージセンサ。