JP2502129B2 - イメ―ジセンサ - Google Patents
イメ―ジセンサInfo
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- JP2502129B2 JP2502129B2 JP63207222A JP20722288A JP2502129B2 JP 2502129 B2 JP2502129 B2 JP 2502129B2 JP 63207222 A JP63207222 A JP 63207222A JP 20722288 A JP20722288 A JP 20722288A JP 2502129 B2 JP2502129 B2 JP 2502129B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばファクシミリ用送信原稿と同一サ
イズに単一または複数個のセンサを配列し、原稿上の画
像情報を読取るイメージセンサに関するものである。
イズに単一または複数個のセンサを配列し、原稿上の画
像情報を読取るイメージセンサに関するものである。
近年、ファクシミリ、OCR等の光電変換装置の技術的
進歩は著しく、その中で、ファクシミリ、OCR等の小形
化を目指し、原稿密着形のイメージセンサが開発され専
用化されている。
進歩は著しく、その中で、ファクシミリ、OCR等の小形
化を目指し、原稿密着形のイメージセンサが開発され専
用化されている。
第４図に示すのは、従来のこの種のイメージセンサを
モデル的に示す側断面図、第５図は第４図のものの一部
平面図、第６図はICチップの位置ずれを説明するための
部分拡大平面図であり、図において、フレーム１に凹部
２が設けられている。例えばLEDでなる発光素子３が略
一列に配列されている発光素子基板４は凹部２の所定位
置に固定されている。複数の受光素子５は略一列に所定
のピッチでICチップ６に配列されている。受光素子基板
７には、受光素子５が略一列となるように複数のICチッ
プ６が配列されている。受光素子基板７には導体パター
ン８が設けられている。ICチップ６は熱硬化性の接着剤
９で受光素子基板７に接着・固定されている。ICチップ
６と導体パターン８とは金ワイヤ10で電気的に互いに接
続されている。受光素子基板７はフレーム１に設けられ
た凹部２の所定位置に固定されている。凹部２の所定位
置に固定されているロッドレンズ11は、ICチップ６の受
光素子５上に１対１の正立等倍像を結像させるものであ
る。フレーム１には、凹部２を閉塞するように第２の光
透過板12が設けられている。第２の光透過板12とプラテ
ンローラ13間を原稿14が移動する。Ｌは読取りセンター
ライン、Ｍは副走査方向の読取り幅を示す。
モデル的に示す側断面図、第５図は第４図のものの一部
平面図、第６図はICチップの位置ずれを説明するための
部分拡大平面図であり、図において、フレーム１に凹部
２が設けられている。例えばLEDでなる発光素子３が略
一列に配列されている発光素子基板４は凹部２の所定位
置に固定されている。複数の受光素子５は略一列に所定
のピッチでICチップ６に配列されている。受光素子基板
７には、受光素子５が略一列となるように複数のICチッ
プ６が配列されている。受光素子基板７には導体パター
ン８が設けられている。ICチップ６は熱硬化性の接着剤
９で受光素子基板７に接着・固定されている。ICチップ
６と導体パターン８とは金ワイヤ10で電気的に互いに接
続されている。受光素子基板７はフレーム１に設けられ
た凹部２の所定位置に固定されている。凹部２の所定位
置に固定されているロッドレンズ11は、ICチップ６の受
光素子５上に１対１の正立等倍像を結像させるものであ
る。フレーム１には、凹部２を閉塞するように第２の光
透過板12が設けられている。第２の光透過板12とプラテ
ンローラ13間を原稿14が移動する。Ｌは読取りセンター
ライン、Ｍは副走査方向の読取り幅を示す。
次に、動作およびICチップ６の受光素子基板７への固
定方法について説明する。
定方法について説明する。
プラテンローラ13によって搬送される原稿14は光透過
板12とプラテンローラ13との間を通過し、このとき発光
素子３の発光によって原稿14に反射光を生じさせ、その
像はロッドレンズ11でICチップ６の各受光素子５に正立
等倍像として受光される。そしてICチップ６を駆動する
ことにより、受光素子５への光信号を電気信号に変換し
た画像情報は金ワイヤ10を介して導体パターン８へ出力
される。
板12とプラテンローラ13との間を通過し、このとき発光
素子３の発光によって原稿14に反射光を生じさせ、その
像はロッドレンズ11でICチップ６の各受光素子５に正立
等倍像として受光される。そしてICチップ６を駆動する
ことにより、受光素子５への光信号を電気信号に変換し
た画像情報は金ワイヤ10を介して導体パターン８へ出力
される。
このように原稿14の搬送および各受光素子５での受光
を連続して行うことにより、原稿14の情報を読取ること
ができる。
を連続して行うことにより、原稿14の情報を読取ること
ができる。
ところで、例えばイメージセンサをB4版8dot/mmサイ
ズとすると、単体のICチップ６でB4版の幅である256mm
の長さのものを作成するのは現状では不可能である。そ
のため、第６図に示すように、受光素子基板７に印刷等
の方法で塗布したペースト状の接着剤９の上に、受光素
子５が略一列となるように複数個のICチップ６を配列し
た後、150℃程度に加熱することによって接着剤９を硬
化させ、ICチップ６を受光素子基板７に接着・固定させ
てイメージセンサを製造している。
ズとすると、単体のICチップ６でB4版の幅である256mm
の長さのものを作成するのは現状では不可能である。そ
のため、第６図に示すように、受光素子基板７に印刷等
の方法で塗布したペースト状の接着剤９の上に、受光素
子５が略一列となるように複数個のICチップ６を配列し
た後、150℃程度に加熱することによって接着剤９を硬
化させ、ICチップ６を受光素子基板７に接着・固定させ
てイメージセンサを製造している。
なお、受光素子５の配列ピッチは略125μｍとし、IC
チップ６の受光素子５の数を64個とすると、受光素子基
板７上に、略一列に27個のICチップ６を配列することに
なる。前述のようにICチップ６は、受光素子５の配列方
向（主走査方向）の外形が7.95mmであり、ICチップ６の
配列間隔を50μｍとしているが、ICチップ６の配設時に
発生するICチップ６の個々の位置ずれが第６図に示すよ
うに大きくなると、原稿14の読取り解像度が低下する。
そのため、副走査方向の許容ズレ範囲は、副走査方向の
読取り軸Ｗ以内にすることが必要であり、そのようにIC
チップ６が配置される。
チップ６の受光素子５の数を64個とすると、受光素子基
板７上に、略一列に27個のICチップ６を配列することに
なる。前述のようにICチップ６は、受光素子５の配列方
向（主走査方向）の外形が7.95mmであり、ICチップ６の
配列間隔を50μｍとしているが、ICチップ６の配設時に
発生するICチップ６の個々の位置ずれが第６図に示すよ
うに大きくなると、原稿14の読取り解像度が低下する。
そのため、副走査方向の許容ズレ範囲は、副走査方向の
読取り軸Ｗ以内にすることが必要であり、そのようにIC
チップ６が配置される。
従来のイメージセンサは以上のように構成されている
ので、ICチップ６がペースト状の接着剤９上で動き易
く、受光素子基板７に対してICチップ６の位置決め固定
が難しい。また、副走査読取り幅に副走査方向の受光素
子サイズがより近いことが、受光量がより増大し、受光
度が上がるが、ICチップ６の配置ズレを考慮した副走査
方向の受光素子サイズとなってしまい、受光感度の低下
につながるなどの問題点があった。
ので、ICチップ６がペースト状の接着剤９上で動き易
く、受光素子基板７に対してICチップ６の位置決め固定
が難しい。また、副走査読取り幅に副走査方向の受光素
子サイズがより近いことが、受光量がより増大し、受光
度が上がるが、ICチップ６の配置ズレを考慮した副走査
方向の受光素子サイズとなってしまい、受光感度の低下
につながるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、ICチップ６の固定に対する許容ズレを多
くなしうるとともに、副走査読取り方向の受光素子サイ
ズを、読取サイズに合わせ、受光感度をより高めること
ができるイメージセンサを得ることを目的とする。
されたもので、ICチップ６の固定に対する許容ズレを多
くなしうるとともに、副走査読取り方向の受光素子サイ
ズを、読取サイズに合わせ、受光感度をより高めること
ができるイメージセンサを得ることを目的とする。
この発明に係るイメージセンサは、直線状に配設され
た複数個の発光素子と、これら発光素子からの光が原稿
によって反射されその反射光をロッドレンズを介して受
光する受光素子を有するICチップと、このICチップを基
板上に複数個固着し上記原稿の原稿像を所定の読取り幅
で読取るICチップ群と、このICチップ群上に設けられ上
記ICチップと外気とを遮断する第１の光透過板と、上記
第１の光透過板上に位置する第２の光透過板を備え、第
２の光透過板上の原稿を読み取るイメージセンサにおい
て、第１の光透過板の面に、所定の読取り幅を定める光
透過用のスリットを形成するとともに、受光素子の幅を
上記読取り幅よりも大きくしたものである。
た複数個の発光素子と、これら発光素子からの光が原稿
によって反射されその反射光をロッドレンズを介して受
光する受光素子を有するICチップと、このICチップを基
板上に複数個固着し上記原稿の原稿像を所定の読取り幅
で読取るICチップ群と、このICチップ群上に設けられ上
記ICチップと外気とを遮断する第１の光透過板と、上記
第１の光透過板上に位置する第２の光透過板を備え、第
２の光透過板上の原稿を読み取るイメージセンサにおい
て、第１の光透過板の面に、所定の読取り幅を定める光
透過用のスリットを形成するとともに、受光素子の幅を
上記読取り幅よりも大きくしたものである。
この発明におけるイメージセンサは、第１の光透過板
の面に、所定の読取り幅を定める光透過用のスリットを
形成するとともに、受光素子の幅を上記読取り幅よりも
大きくしたので、ICチップの固定に対する許容ずれを多
くなし得るとともに、第１の光透過板とスリットとの間
の光透過間隔をゼロにすることができる。また、外気か
らのごみの侵入を第１の光透過板と第２の光透過板とに
より二重に保護できる。さらに、屈折率を有する第１の
光透過板がロッドレンズと受光素子との間に介在してお
り、ロッドレンズと受光素子との間の距離を短くするこ
とができる。
の面に、所定の読取り幅を定める光透過用のスリットを
形成するとともに、受光素子の幅を上記読取り幅よりも
大きくしたので、ICチップの固定に対する許容ずれを多
くなし得るとともに、第１の光透過板とスリットとの間
の光透過間隔をゼロにすることができる。また、外気か
らのごみの侵入を第１の光透過板と第２の光透過板とに
より二重に保護できる。さらに、屈折率を有する第１の
光透過板がロッドレンズと受光素子との間に介在してお
り、ロッドレンズと受光素子との間の距離を短くするこ
とができる。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例をモデル的に示す側断面
図、第２図は第１図の一部を示す平面図、第３図は副走
査幅のスリットとICチップの位置ずれを説明するための
部分拡大平面図であり、第４図〜第６図と同一部分には
同一符号が付してある。図において、15は副走査読取り
幅Ｗのスリット15aが形成された第１の光透過板で、受
光素子５が複数個略一列に所定のピッチで配列されたIC
チップ６が略一列に複数個配列された受光素子基板７
と、ロッドレンズ11との間に設けられている。また、副
走査方向の受光素子５のサイズは第３図に示すごとく、
副走査読取り用のスリット15aよりも大きくしている。
第１図はこの発明の一実施例をモデル的に示す側断面
図、第２図は第１図の一部を示す平面図、第３図は副走
査幅のスリットとICチップの位置ずれを説明するための
部分拡大平面図であり、第４図〜第６図と同一部分には
同一符号が付してある。図において、15は副走査読取り
幅Ｗのスリット15aが形成された第１の光透過板で、受
光素子５が複数個略一列に所定のピッチで配列されたIC
チップ６が略一列に複数個配列された受光素子基板７
と、ロッドレンズ11との間に設けられている。また、副
走査方向の受光素子５のサイズは第３図に示すごとく、
副走査読取り用のスリット15aよりも大きくしている。
次に動作について説明する。イメージセンサの基本的
動作については従来と同様であるので説明を省略する。
さて、副走査方向の受光素子サイズを大きくしたので、
副走査読取り幅Ｗ内にはICチップ６が少々ずれたとして
も入ることは明らかで、ICチップ６の配設が容易になる
ことは言うまでもない。ところで、このままでは、副走
査方向の読取りサイズが大きくなり、読取り解像度の低
下になることは明らかであるが、この防止策として前述
した受光素子５上に副走査読取り用のスリット15aを配
置したことにより、副走査読取り幅Ｗと各受光素子５の
副走査方向の受光素子サイズを合わせることができ、副
走査方向の受光感度は最大となし得る。
動作については従来と同様であるので説明を省略する。
さて、副走査方向の受光素子サイズを大きくしたので、
副走査読取り幅Ｗ内にはICチップ６が少々ずれたとして
も入ることは明らかで、ICチップ６の配設が容易になる
ことは言うまでもない。ところで、このままでは、副走
査方向の読取りサイズが大きくなり、読取り解像度の低
下になることは明らかであるが、この防止策として前述
した受光素子５上に副走査読取り用のスリット15aを配
置したことにより、副走査読取り幅Ｗと各受光素子５の
副走査方向の受光素子サイズを合わせることができ、副
走査方向の受光感度は最大となし得る。
このときの第１の光透過板15のスリット15aは、ガラ
ス板にクロムをスパッタあるいは蒸着させた後、副走査
読取り幅Ｗのパターンを除去することにより形成したも
のであり、また第１の光透過板15はフレーム１内の凹部
２の内のロッドレンズ11と受光素子５との間の所定位置
に配置される。
ス板にクロムをスパッタあるいは蒸着させた後、副走査
読取り幅Ｗのパターンを除去することにより形成したも
のであり、また第１の光透過板15はフレーム１内の凹部
２の内のロッドレンズ11と受光素子５との間の所定位置
に配置される。
以上説明したように、この発明のイメージセンサによ
れば、受光素子の幅を読取り幅よりも大きくし、かつ第
１の光透過板のスリット幅を所定の読取り幅となるよう
にしたので、ICチップの固定に対する許容ずれを多くな
しうるとともに、副走査読取り方向の受光素子サイズを
読取りサイズに合わせ、受光感度を高めることができる
効果がある。
れば、受光素子の幅を読取り幅よりも大きくし、かつ第
１の光透過板のスリット幅を所定の読取り幅となるよう
にしたので、ICチップの固定に対する許容ずれを多くな
しうるとともに、副走査読取り方向の受光素子サイズを
読取りサイズに合わせ、受光感度を高めることができる
効果がある。
また、受光素子は第１の光透過板と第２の光透過板と
の二重保護により外気と遮断されており、外気からのご
みが受光素子に付着するようなことを防止できる効果も
ある。
の二重保護により外気と遮断されており、外気からのご
みが受光素子に付着するようなことを防止できる効果も
ある。
さらに、反射光はロッドレンズ、第１の光透過板を通
して受光素子で受光され、屈折率を有する第１の光透過
板がロッドレンズと受光素子との間に介在しているの
で、ロッドレンズと受光素子との間の距離を短くするこ
とができ、小形化が可能となる。
して受光素子で受光され、屈折率を有する第１の光透過
板がロッドレンズと受光素子との間に介在しているの
で、ロッドレンズと受光素子との間の距離を短くするこ
とができ、小形化が可能となる。
さらにまた、第１の光透過板の面に、所定の読取り幅
を定める光透過用のスリットを形成したので、第１の光
透過板とスリットとの間の光透過間隔をゼロにすること
ができ、より小形化が可能になるとともに、わざわざス
リット用の部材を揃える必要がなく、また組立が容易と
なる。
を定める光透過用のスリットを形成したので、第１の光
透過板とスリットとの間の光透過間隔をゼロにすること
ができ、より小形化が可能になるとともに、わざわざス
リット用の部材を揃える必要がなく、また組立が容易と
なる。
第１図はこの発明の一実施例の側断面図、第２図は第１
図のものの一部平面図、第３図は第１図のものの副走査
幅のスリットとICチップの位置ずれを説明するための部
分拡大平面図、第４図は従来のイメージセンサの側断面
図、第５図は第４図のものの一部平面図、第６図は第４
図のもののICチップの位置ずれを説明するための部分拡
大平面図である。 １……フレーム、３……発光素子、５……受光素子、６
……ICチップ、11……ロッドレンズ、12……第２の光透
過板、14……原稿、15……第１の光透過板、15a……ス
リット。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
図のものの一部平面図、第３図は第１図のものの副走査
幅のスリットとICチップの位置ずれを説明するための部
分拡大平面図、第４図は従来のイメージセンサの側断面
図、第５図は第４図のものの一部平面図、第６図は第４
図のもののICチップの位置ずれを説明するための部分拡
大平面図である。 １……フレーム、３……発光素子、５……受光素子、６
……ICチップ、11……ロッドレンズ、12……第２の光透
過板、14……原稿、15……第１の光透過板、15a……ス
リット。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】直線状に配設された複数個の発光素子と、
これら発光素子からの光が原稿によって反射されその反
射光をロッドレンズを介して受光する受光素子を有する
ICチップと、このICチップを基板上に複数個固着し上記
原稿の原稿像を所定の読取り幅で読取るICチップ群と、
このICチップ群上に設けられ上記ICチップと外気とを遮
断する第１の光透過板と、上記第１の光透過板上に位置
する第２の光透過板を備え、第２の光透過板上の原稿を
読み取るイメージセンサにおいて、上記第１の光透過板
の面に、上記所定の読取り幅を定める光透過用のスリッ
トを形成するとともに、上記受光素子の幅を上記読取り
幅よりも大きくしたことを特徴とするイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207222A JP2502129B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | イメ―ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207222A JP2502129B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | イメ―ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0257057A JPH0257057A (ja) | 1990-02-26 |
| JP2502129B2 true JP2502129B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16536267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207222A Expired - Fee Related JP2502129B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | イメ―ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502129B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11145945A (ja) | 1997-11-12 | 1999-05-28 | Fujitsu Ltd | 符号化フレーム同期方法及び符号化フレーム同期回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057767A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Toshiba Corp | 画像読取装置 |
| JPS62248365A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
| JP2573184B2 (ja) * | 1986-05-20 | 1997-01-22 | シャープ株式会社 | 画像読取装置 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63207222A patent/JP2502129B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0257057A (ja) | 1990-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |