JPH0340997B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0340997B2 JPH0340997B2 JP57073066A JP7306682A JPH0340997B2 JP H0340997 B2 JPH0340997 B2 JP H0340997B2 JP 57073066 A JP57073066 A JP 57073066A JP 7306682 A JP7306682 A JP 7306682A JP H0340997 B2 JPH0340997 B2 JP H0340997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge transfer
- receiving section
- transfer paths
- output
- transfer path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14825—Linear CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/701—Line sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は固体撮像装置に係り、特にCCD等
電荷転送形素子を直線状に配列したリニアイメジ
センサに関する。
電荷転送形素子を直線状に配列したリニアイメジ
センサに関する。
直線状に配列された画素を順次読出すためのリ
ニアイメジセンサは各種のものが知られており、
例えば第１図又は第２図に示す様である。
ニアイメジセンサは各種のものが知られており、
例えば第１図又は第２図に示す様である。
すなわち、半導体基板１上に、入射する光情報
に対応した電荷を発生させる受光部４が直線状に
存在し、この受光部４で発生した電荷は受光部４
の両側に沿在する第１及び第２の電荷転送路２，
３によつて出力端側へ転送される。受光部４は複
数のセルから成り、これに対応して電荷転送路
２，３は複数の転送電極（図示せず）を有し端子
１０，１１に印加する２相の所定のシフトパルス
で前記電荷を出力端側へ転送する。受光部４及び
前記２つの電荷転送路２，３間にはシフトゲート
５，６がそれぞれ設けられており、端子９に与え
るゲートパルスによつて前記受光部４の電荷を各
セル毎に順次交互に前記２つの電荷転送路２，３
に振分け転送する。図面中の矢印はシフトゲート
５，６の作用によつて受光部４から電荷転送路
２，３へ電荷が転送されることを示している。
に対応した電荷を発生させる受光部４が直線状に
存在し、この受光部４で発生した電荷は受光部４
の両側に沿在する第１及び第２の電荷転送路２，
３によつて出力端側へ転送される。受光部４は複
数のセルから成り、これに対応して電荷転送路
２，３は複数の転送電極（図示せず）を有し端子
１０，１１に印加する２相の所定のシフトパルス
で前記電荷を出力端側へ転送する。受光部４及び
前記２つの電荷転送路２，３間にはシフトゲート
５，６がそれぞれ設けられており、端子９に与え
るゲートパルスによつて前記受光部４の電荷を各
セル毎に順次交互に前記２つの電荷転送路２，３
に振分け転送する。図面中の矢印はシフトゲート
５，６の作用によつて受光部４から電荷転送路
２，３へ電荷が転送されることを示している。
ここで、第１図によれば、各転送路２，３は折
曲部分２ａ，３ａを有し、２つの転送路２，３の
信号は１つの出力部７から読出す様になつてい
る。これに対して、第２図によれば各転送路２，
３はそれぞれ独立した出力部１３，１４を有す
る。尚、出力部とは、出力ゲート、読出し用
MOSトランジスタ、出力抵抗等各種の要素を総
称するものである。
曲部分２ａ，３ａを有し、２つの転送路２，３の
信号は１つの出力部７から読出す様になつてい
る。これに対して、第２図によれば各転送路２，
３はそれぞれ独立した出力部１３，１４を有す
る。尚、出力部とは、出力ゲート、読出し用
MOSトランジスタ、出力抵抗等各種の要素を総
称するものである。
ところで、第１図の様な装置によれば、出力信
号は出力部７の１つの出力端子８から読出すた
め、第１及び第２の電荷転送路２，３に印加され
る各信号間にオフセツト電圧のばらつきが無く操
作上望ましい。しかし、読出し信号はリセツト期
間及び出力信号期間をもつて一周期とされ、信号
電荷を消滅させるためのリセツト期間は取扱う電
荷量によつて一義的に定まつてしまう。このた
め、読出し信号の周期はリセツト期間によつて制
限されてしまい。高速動作が期待できない。例え
ば、リセツト期間が50nsであるとすると20MHz以
上では出力信号期間が無くなり動作不能となる。
号は出力部７の１つの出力端子８から読出すた
め、第１及び第２の電荷転送路２，３に印加され
る各信号間にオフセツト電圧のばらつきが無く操
作上望ましい。しかし、読出し信号はリセツト期
間及び出力信号期間をもつて一周期とされ、信号
電荷を消滅させるためのリセツト期間は取扱う電
荷量によつて一義的に定まつてしまう。このた
め、読出し信号の周期はリセツト期間によつて制
限されてしまい。高速動作が期待できない。例え
ば、リセツト期間が50nsであるとすると20MHz以
上では出力信号期間が無くなり動作不能となる。
第２図の装置によれば、２つの電荷転送路２，
３の信号は出力部１３，１４を介してそれぞれ独
立の端子１５，１６から読出す。このため、実効
的な読出し周波数は第１図の場合の1/2となり高
速動作が可能である。しかし、出力端子が２つあ
るため、各端子１５，１６からの出力信号間にオ
フセツト電圧や信号の電圧のばらつきが生じてし
まう。このばらつきを補正するためには付加回路
が必要であり装置全体の構成を複雑大型化し望ま
しくない。特に低速読出しの場合には大きな欠点
となる。
３の信号は出力部１３，１４を介してそれぞれ独
立の端子１５，１６から読出す。このため、実効
的な読出し周波数は第１図の場合の1/2となり高
速動作が可能である。しかし、出力端子が２つあ
るため、各端子１５，１６からの出力信号間にオ
フセツト電圧や信号の電圧のばらつきが生じてし
まう。このばらつきを補正するためには付加回路
が必要であり装置全体の構成を複雑大型化し望ま
しくない。特に低速読出しの場合には大きな欠点
となる。
この発明は、以上の様な従来技術の欠点を除去
しようとして成されたものであり、高速動作及び
低速動作のいずれにも対応でき、しかも低速動作
に際して付加回路を要しない簡易な構成の固体撮
像装置を提供することを目的とする。
しようとして成されたものであり、高速動作及び
低速動作のいずれにも対応でき、しかも低速動作
に際して付加回路を要しない簡易な構成の固体撮
像装置を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明によれば、
半導体基板上に直線状に存在しまた入射する光情
報に対応した電荷を発生させる受光部と、前記電
荷を捕獲転送するため前記受光部の両側にそれぞ
れ配設した第１及び第２の電荷転送路と、前記受
光部及び前記２つの電荷転送路の間に設け前記受
光部の電荷を交互に前記２つの電荷転送路に振分
け転送するためのシフトゲートとを具えた固体撮
像装置において、前記第１及び第２の電荷転送路
の出力端側にそれぞれ結合しまた独自の出力部を
有する第３の電荷転送路を設け、高速読出し時に
は前記第１及び第２の電荷転送路から別個に信号
を読出し、低速読出し時には前記第３の電荷転送
路を介して前記第１及び第２の電荷転送路からの
信号を交互に読出す様にする。
半導体基板上に直線状に存在しまた入射する光情
報に対応した電荷を発生させる受光部と、前記電
荷を捕獲転送するため前記受光部の両側にそれぞ
れ配設した第１及び第２の電荷転送路と、前記受
光部及び前記２つの電荷転送路の間に設け前記受
光部の電荷を交互に前記２つの電荷転送路に振分
け転送するためのシフトゲートとを具えた固体撮
像装置において、前記第１及び第２の電荷転送路
の出力端側にそれぞれ結合しまた独自の出力部を
有する第３の電荷転送路を設け、高速読出し時に
は前記第１及び第２の電荷転送路から別個に信号
を読出し、低速読出し時には前記第３の電荷転送
路を介して前記第１及び第２の電荷転送路からの
信号を交互に読出す様にする。
以下、添付図面に従つてこの発明の実施例を説
明する。
明する。
第３図はこの発明の実施例に係る固体撮像装置
を示す。この実施例によれば、半導体基板２０上
に受光部２５、シフトゲート２３，２４、及び第
１から第３の電荷転送路２１，２２，３０を具え
ている。
を示す。この実施例によれば、半導体基板２０上
に受光部２５、シフトゲート２３，２４、及び第
１から第３の電荷転送路２１，２２，３０を具え
ている。
受光部２５は複数のセルから成り、入射する光
情報に対応した電荷を発生させる。各セルは、例
えば半導体基板との間にpn接合を形成する拡散
半導体領域を含んで成る。
情報に対応した電荷を発生させる。各セルは、例
えば半導体基板との間にpn接合を形成する拡散
半導体領域を含んで成る。
シフトゲート２３，２４は、受光部２５で発生
した電荷を第１及び第２の電荷転送路２１，２２
に送り込むためのものであり、端子４２に印加す
るゲートパルスで駆動される。すなわち、このゲ
ートパルスによつて受光部２５の電荷は各セル毎
に順次交互に２つの電荷転送路２１，２２に振分
けられる。第１及び第２の電荷転送路２１，２２
は例えばCCDであり、これらのシフトゲート２
３，２４の外側に且つこれらのゲート２３，２４
と略平行に配列されている。この転送路２１，２
２は受光部２５の複数の転送電極（図示せず）を
有し端子３８，３９に印加する２相の所定のシフ
トパルスで前記電荷を出力端側へ転送する。転送
路２１，２２の左端にはそれぞれ出力端子３６，
３７を有する出力部３３，３４が設けられてい
る。出力部３３，３４は出力ゲート、読出し用
MOSトランジスタ、出力抵抗等各種の要素を含
んでいる。
した電荷を第１及び第２の電荷転送路２１，２２
に送り込むためのものであり、端子４２に印加す
るゲートパルスで駆動される。すなわち、このゲ
ートパルスによつて受光部２５の電荷は各セル毎
に順次交互に２つの電荷転送路２１，２２に振分
けられる。第１及び第２の電荷転送路２１，２２
は例えばCCDであり、これらのシフトゲート２
３，２４の外側に且つこれらのゲート２３，２４
と略平行に配列されている。この転送路２１，２
２は受光部２５の複数の転送電極（図示せず）を
有し端子３８，３９に印加する２相の所定のシフ
トパルスで前記電荷を出力端側へ転送する。転送
路２１，２２の左端にはそれぞれ出力端子３６，
３７を有する出力部３３，３４が設けられてい
る。出力部３３，３４は出力ゲート、読出し用
MOSトランジスタ、出力抵抗等各種の要素を含
んでいる。
この出力部３３，３４に至る転送路２１，２２
の途中に分岐電極２６，２７がそれぞれ設けられ
ており、この分岐電極２６，２７の間に第３の電
荷転送路３０が結合されている。第３の電荷転送
路３０の中央部分には端子３５を有する独自の出
力部３２が存する。
の途中に分岐電極２６，２７がそれぞれ設けられ
ており、この分岐電極２６，２７の間に第３の電
荷転送路３０が結合されている。第３の電荷転送
路３０の中央部分には端子３５を有する独自の出
力部３２が存する。
以上の様な構成において、高速動作時には２つ
の出力端３６，３７から信号を取出し、また低速
動作時には出力端３５からのみ信号を取出す様に
すれば、所望の高速読出しが達成でき、また低速
読出しにも対応できる。この様な動作の様子を次
に説明する。
の出力端３６，３７から信号を取出し、また低速
動作時には出力端３５からのみ信号を取出す様に
すれば、所望の高速読出しが達成でき、また低速
読出しにも対応できる。この様な動作の様子を次
に説明する。
例えば、電荷転送路２１，２２，３０がｎチヤ
ネルCCDを構成しているとする。ｎチヤネルの
転送路においては電圧の高い側へ電荷が移動す
る。従つて、第４図で示す様に、高速動作を必要
とする場合には、転送路３０の電極３０１に対し
て転送路２１側の電極２１３の電位を高くすれ
ば、電荷は出力部３３へ向つて移動する。すなわ
ち、電極に印加する２相シフトパルスに従つて電
荷が電極２１１，２１２に対応する各部分に移動
して来た際に、転送路３０側の電極３０１にはシ
フトパルスの低レベル電圧よりも電位の低い電圧
を印加し、電極２６，２１３，２１４へはシフト
パルスを供給し続ける。こうすることにより、電
極２１２の部分にまで到来した電荷はシフトパル
スのタイミングに従つて順次電極２６，２１３，
２１４の側に転送されて、電極３０１の側へ転換
することがない。転送路２２の側においても同様
の操作をすることにより、出力部３４側に電荷を
転送することができる。
ネルCCDを構成しているとする。ｎチヤネルの
転送路においては電圧の高い側へ電荷が移動す
る。従つて、第４図で示す様に、高速動作を必要
とする場合には、転送路３０の電極３０１に対し
て転送路２１側の電極２１３の電位を高くすれ
ば、電荷は出力部３３へ向つて移動する。すなわ
ち、電極に印加する２相シフトパルスに従つて電
荷が電極２１１，２１２に対応する各部分に移動
して来た際に、転送路３０側の電極３０１にはシ
フトパルスの低レベル電圧よりも電位の低い電圧
を印加し、電極２６，２１３，２１４へはシフト
パルスを供給し続ける。こうすることにより、電
極２１２の部分にまで到来した電荷はシフトパル
スのタイミングに従つて順次電極２６，２１３，
２１４の側に転送されて、電極３０１の側へ転換
することがない。転送路２２の側においても同様
の操作をすることにより、出力部３４側に電荷を
転送することができる。
以上の様な操作によつて、端子３６，３７から
それぞれ受光部２５の各セルの奇数番及び偶数番
に対応する情報を高速で読出すことができる。
それぞれ受光部２５の各セルの奇数番及び偶数番
に対応する情報を高速で読出すことができる。
低速動作を必要とする場合には、第４図におい
て、転送路２１側の電極２１３に対して転送路３
０側の電極３０１の電位を高くすれば、電荷は出
力部３２へ向つて移動する。すなわち、電極に印
加する２相シフトパルスに従つて電荷が電極２１
１，２１２に対応する各部分に移動して来た際
に、転送路２１側の電極２１３にはシフトパルス
の低レベル電圧よりも電位の低い電圧を印加し、
電極２６，３０１，３０２へはシフトパルスを供
給し続ける。こうすることにより、電極２１２の
部分にまで到来した電荷はシフトパルスのタイミ
ングに従つて順次電極２６，３０１，３０２の側
に転送されて、電極２１３の側へ移動することが
ない。転送路２２の側においても同様の操作をす
ることにより、出力部３２側に電荷を転送するこ
とができる。
て、転送路２１側の電極２１３に対して転送路３
０側の電極３０１の電位を高くすれば、電荷は出
力部３２へ向つて移動する。すなわち、電極に印
加する２相シフトパルスに従つて電荷が電極２１
１，２１２に対応する各部分に移動して来た際
に、転送路２１側の電極２１３にはシフトパルス
の低レベル電圧よりも電位の低い電圧を印加し、
電極２６，３０１，３０２へはシフトパルスを供
給し続ける。こうすることにより、電極２１２の
部分にまで到来した電荷はシフトパルスのタイミ
ングに従つて順次電極２６，３０１，３０２の側
に転送されて、電極２１３の側へ移動することが
ない。転送路２２の側においても同様の操作をす
ることにより、出力部３２側に電荷を転送するこ
とができる。
従つて、転送路２１から出力部３２へ向つて電
荷を移動させるシフトパルスのタイミングと、転
送路２２から出力部３２へ向つて電荷を移動させ
るシフトパルスのタイミングと180°の位相をずら
せることにより、出力部３２から受光部２５の各
セルの奇数番及び偶数番に対応する情報をシフト
パルスのタイミグに従つて交互に読出すことがで
きる。
荷を移動させるシフトパルスのタイミングと、転
送路２２から出力部３２へ向つて電荷を移動させ
るシフトパルスのタイミングと180°の位相をずら
せることにより、出力部３２から受光部２５の各
セルの奇数番及び偶数番に対応する情報をシフト
パルスのタイミグに従つて交互に読出すことがで
きる。
この発明によれば、３つの電荷転送路を設け、
それらを電位の変更によつて切換えて使用するこ
とにより、高速動作及び低速動作のいずれにも対
応でき、しかも低速動作に際して付加回路を要し
ない簡易な構成の固体撮像装置を提供するこのが
できる。
それらを電位の変更によつて切換えて使用するこ
とにより、高速動作及び低速動作のいずれにも対
応でき、しかも低速動作に際して付加回路を要し
ない簡易な構成の固体撮像装置を提供するこのが
できる。
第１図及び第２図は従来の固体撮像装置の説明
図、第３図はこの発明の実施例の説明図、第４図
は第３図の実施例の動作を説明するための要部説
明図である。 ２０……半導体基板、２１，２２，３０……第
１、第２、及び第３の電荷転送路、２３，２４…
…シフトゲート、２５……受光部、３２，３３，
３４……出力部。
図、第３図はこの発明の実施例の説明図、第４図
は第３図の実施例の動作を説明するための要部説
明図である。 ２０……半導体基板、２１，２２，３０……第
１、第２、及び第３の電荷転送路、２３，２４…
…シフトゲート、２５……受光部、３２，３３，
３４……出力部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に直線状に存在しまた入射する
光情報に対応した電荷を発生させる受光部と、前
記電荷を捕獲転送するため前記受光部の両側にそ
れぞれ配設した第１及び第２の電荷転送路と、前
記受光部及び前記２つの電荷転送路の間に設け前
記受光部の電荷を交互に前記２つの電荷転送路に
振分け転送するための２つのシフトゲートとを具
えた固体撮像装置において、 前記第１及び第２の電荷転送路の出力端側にそ
れぞれ結合しまた独自の出力部を有する第３の電
荷転送路を設け、高速読出し時には前記第１及び
第２の電荷転送路から別個に信号を読出し、低速
読出し時には前記第３の電荷転送路を介して前記
第１及び第２の電荷転送路からの信号を交互に読
出す様にして成る固体撮像装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の装置において、
前記高速読出し及び低速読出しの変更は前記第１
及び第２の電荷転送路に対する第３の電荷転送路
の電位を変更することによつて行う様にして成る
固体撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073066A JPS58190169A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 固体撮像装置 |
| US06/488,689 US4540901A (en) | 1982-04-30 | 1983-04-26 | Image-sensing charge-coupled device with both high-speed and low-speed read-outs |
| DE8383104177T DE3373165D1 (en) | 1982-04-30 | 1983-04-28 | Solid state image-sensing device |
| EP83104177A EP0093411B1 (en) | 1982-04-30 | 1983-04-28 | Solid state image-sensing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57073066A JPS58190169A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190169A JPS58190169A (ja) | 1983-11-07 |
| JPH0340997B2 true JPH0340997B2 (ja) | 1991-06-20 |
Family
ID=13507590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57073066A Granted JPS58190169A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4540901A (ja) |
| EP (1) | EP0093411B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58190169A (ja) |
| DE (1) | DE3373165D1 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58202685A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Sony Corp | 信号合成用電荷転送装置 |
| FR2548499B1 (fr) * | 1983-06-17 | 1985-10-18 | Thomson Csf | Dispositif photosensible a l'etat solide |
| US4918506A (en) * | 1985-09-13 | 1990-04-17 | Fairchild Camera & Instrument Corporation | Selectable resolution line-scan image sensor |
| JPH01106676A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | 固体イメージセンサ |
| NL8800627A (nl) * | 1988-03-15 | 1989-10-02 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde inrichting. |
| JP2712270B2 (ja) * | 1988-04-18 | 1998-02-10 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置 |
| JP2824996B2 (ja) * | 1989-09-13 | 1998-11-18 | 株式会社リコー | イメージセンサ |
| GB8926738D0 (en) * | 1989-11-27 | 1990-01-17 | Crosfield Electronics Ltd | Image scanning apparatus |
| JP2949861B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | Ｃｃｄリニアイメージセンサ |
| JPH04293359A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像読取装置 |
| JP2899486B2 (ja) * | 1992-09-11 | 1999-06-02 | 株式会社東芝 | 電荷転送装置 |
| EP0608130B1 (en) * | 1993-01-21 | 1998-03-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging device with fast clock speed for improved image quality |
| JP2968898B2 (ja) * | 1993-02-23 | 1999-11-02 | シャープ株式会社 | 読取り装置 |
| JPH06315068A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Xerox Corp | 短期および長期の積分周期を有するラスタ入力スキャナ |
| JPH11155103A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-08 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP3899627B2 (ja) * | 1998-01-06 | 2007-03-28 | 富士ゼロックス株式会社 | リニアイメージセンサおよび画像読み取り装置および電荷転送方法 |
| JP4419275B2 (ja) | 1999-06-09 | 2010-02-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法並びに画像入力装置 |
| JP3940530B2 (ja) * | 1999-08-12 | 2007-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| US6914701B2 (en) | 2002-12-06 | 2005-07-05 | Howtek Devices Corporation | Digitizer with improved dynamic range and photometric resolution |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3983573A (en) * | 1974-03-12 | 1976-09-28 | Nippon Electric Company, Ltd. | Charge-coupled linear image sensing device |
| US3940602A (en) * | 1974-09-23 | 1976-02-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Signal processing imager array using charge transfer concepts |
| JPS5536909A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-14 | Toshiba Corp | Electric charge transfer device |
| US4281254A (en) * | 1979-07-02 | 1981-07-28 | Xerox Corporation | Self scanned photosensitive array |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP57073066A patent/JPS58190169A/ja active Granted
-
1983
- 1983-04-26 US US06/488,689 patent/US4540901A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-04-28 EP EP83104177A patent/EP0093411B1/en not_active Expired
- 1983-04-28 DE DE8383104177T patent/DE3373165D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58190169A (ja) | 1983-11-07 |
| US4540901A (en) | 1985-09-10 |
| EP0093411A3 (en) | 1985-05-22 |
| EP0093411B1 (en) | 1987-08-19 |
| DE3373165D1 (en) | 1987-09-24 |
| EP0093411A2 (en) | 1983-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0340997B2 (ja) | ||
| CN102037723B (zh) | 具有减少的阱跳变的图像传感器 | |
| US5040071A (en) | Image sensor having multiple horizontal shift registers | |
| US4626916A (en) | Solid state image pickup device | |
| GB1377521A (en) | Charge coupled circuits | |
| US4443818A (en) | Solid-state imaging device | |
| KR970002122B1 (ko) | 전하전송장치 및 그 구동방법 | |
| JP6192626B2 (ja) | Ｃｃｄイメージセンサ及びその画素群の配置方法 | |
| US7872674B2 (en) | Solid-state imaging device and method of operating solid-state imaging device | |
| JP3089507B2 (ja) | 固体撮像素子および信号電荷転送方法 | |
| US4860326A (en) | Solid-state image pickup device | |
| EP0277394B1 (en) | Picture pick-up device including a solid-state sensor and operating with a signal interference reduction | |
| KR970010687B1 (ko) | 쌍방형 전하결합소자 | |
| JP3527911B2 (ja) | 光センサモニタ回路 | |
| JP2699895B2 (ja) | イメージセンサの駆動方法 | |
| JPH0584971B2 (ja) | ||
| JPH0377669B2 (ja) | ||
| JPS6337995B2 (ja) | ||
| JP4312358B2 (ja) | 撮像素子 | |
| USRE27951E (en) | Device for converting a physical pattern into an electric signal as a function of time utilizing an analog shift register | |
| JPH05191560A (ja) | 複数の電荷転送路を持つ固体撮像素子 | |
| JPH0666851B2 (ja) | 密着形イメージセンサ | |
| JPH036966A (ja) | Ｃｃｄイメージセンサ | |
| JPH0451116B2 (ja) | ||
| JPS58190170A (ja) | 固体撮像装置 |