JPS5858716B2 - 自己走査型光感知回路 - Google Patents

自己走査型光感知回路

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JPS5858716B2
JPS5858716B2 JP51134262A JP13426276A JPS5858716B2 JP S5858716 B2 JPS5858716 B2 JP S5858716B2 JP 51134262 A JP51134262 A JP 51134262A JP 13426276 A JP13426276 A JP 13426276A JP S5858716 B2 JPS5858716 B2 JP S5858716B2
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JP
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transistor
charge
pulse
amount
voltage
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ジエームズ・ダーレル・トンプキンス
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/701Line sensors

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は増幅手段を有する光感知素子信号転送回路に関
する。
この回路は光感動素子の直線アレイの1つおきの素子が
2つのビデオ出力線のうちの1つに結合されるようなス
キャナーの環境で使用されても良い。
このアレイは半導体基板に於ける集積回路として形成さ
れる。
半導体集積回路に於いて、例えば光ダイオードのアレイ
として形成される光感知装置のアレイはn型又はp型の
シリコン基板に於て夫々p型又はn型領域となる拡散領
域を利用し該拡散領域上又はその周囲の電磁放射によっ
て発生される正孔又は電子を集める。
そのようにして集められた電荷量は放射の強さ及び放射
に該拡散領域を露した時間によって決まる。
充電量が拡散領域の面積と正比例して変化するので拡散
領域の大きさは適当なアレイを与える際にしばしば制限
的な要素となる。
露出時間が短い場合従って蓄積時間が少ない場合、例え
ば光ダイオード上で所与の電圧振幅を維持するには拡散
領域の面積を増やさなければならない。
電荷量の変動幅は光ダイオードの容量に電圧振幅を乗じ
たものに等しく、且つ放射強度、露出時間、拡散領域の
面積及び光学的定数を掛は合わせたものに等しい。
周知の通り、光ダイオードの容量は拡散容量に従って決
まり、また実効拡散領域の面積は拡散領域の光学的な窓
の面積である。
光ダイオードからの信号を信号処理回路に転送する為に
帯電量の十分な幅の変化が発生されなければならない。
従って大きな光ダイオードと長い露出時間とが必要とさ
れた。
1967年5月1日号の「Electronics J
第75頁〜第78頁には、比較的短い時間に読出しが行
われ乍ら拡散領域又は接合部に入る光又は放射量を合計
する記憶モードで動作する装置を利用する光感知アレイ
が説明されている。
本出願人による米国特許第3770967号明細書には
適当な信号処理回路に信号を転送する為増幅回路に結合
された光感動素子が開示されている。
この回路構成は光の検知には適するが、直流結合を用い
ている為光の集積、即ち電荷量の累積を行えない。
米国特許第3814.846号明細書には光感知装置が
1行に配列され、1つおきの装置が2本のビデオ出力線
のうちの1本に直接結合され、逐次感知されるものが開
示されている。
このアレイの2本のビデオ線で発生される信号は比較的
低い信号であり、従って信号対雑音比も低い。
論理回路の為の出力装置にまたがる閾値電圧降下を補償
するブートストラップ技法を用いたトランジスタ回路は
例えば米国特許第3506851号明細書及び同第36
31267号明細書で知られているが、光感知装置と協
働されるコンデンサ及び光ダイオードのようなアナログ
信号を含む光感知アレイに於ける閾値電圧損失を除去し
又は最小にする事の出来るアナログ回路用の回路は知ら
れていない。
本発明の目的は信号電荷増幅とともに電圧転送モードを
用いる改良された自己走査型光感知回路を提供する事に
ある。
本発明の他の目的は光ダイオードのようにより小さい光
感知装置を用いる改良された光感知回路を提供する事に
ある。
本発明の他の目的は1サイクル当りに短い蓄積時間しか
与えられないが短い露出時間しか要しない改良された光
感知回路を提供する事にある。
本発明の他の目的は改良された線型の光感知装置のアレ
イを提供する事にある。
本発明の他の目的は少ない光の強さで以って動作する光
感知回路を提供する事にある。
本発明の他の目的はビデオ信号の損失をなくすか少なく
とも最小限にし、また信号の歪みが1%以下の光感知回
路を提供する事にある。
本発明の他の目的は一定の照射が各装置から実質的に同
じ出力信号を提供するように、光感知装置が改良された
高密度の長い線型アレイを提供する事にある。
本発明の技法によれば、電磁放射を表わす小さい電荷信
号はソースフォロワとして接続された他側の電界効果ト
ランジスタを介し共通母線上に見掛は上は信号損失を生
じずに増幅される。
適当な所与の電圧により逆バ哨アスされた光ダイオード
のような光感知装置はソースフォロワの制御用ゲート電
極に結合され、更に光ダイオードに印加される所与の電
圧にほぼ等しい大きさの定電圧に加えてソースフォロワ
の閾値電圧にほぼ等しい電圧を制御用ゲート電極に印加
する手段が提供される。
本発明の1実施例に於て、本発明の自己走査型光感知回
路は光信号を増幅するための光ダイオード電荷増幅回路
より成り、これは第1及び第2の電界効果トランジスタ
及びコンデンサを含み、該コンデンサは第1トランジス
タのゲート電極から第1トランジスタのソース電極を介
し第2トランジスタに結合され、また第2トランジスタ
6Jダイオードとして接続されそのゲート電極がそのド
レイン電極及び第1トランジスタのソース電極に結合さ
れる。
コンデンサを第1トランジスタ及び第2トランジスタの
ほぼ閾値電圧に予じめ充電するとともにコンデンサと第
2電界効果トランジスタとの間の共通点に所定の大きさ
の電圧を更に印加しそのトランジスタをその直線領域で
動作させる手段が設けられる。
光ダイオードのような容量性源からの光信号が第1トラ
ンジスタのゲート電極に印加される。
好適な実施例では信号源の容量が共通点と第1トランジ
スタのゲート電極との間に接続された容量に等しい。
これらの回路の好適なアレイでは、回路の光感知装置又
は光ダイオードが線型に配列され、1つおきの回路が個
々のゲート用トランジスタを介し2本の共通母線のうち
の一力に結合される。
第1図には、直線的に配列された光ダイオードPD1
、PD2 、P、D3 、PD4 、PDN、−1及び
PDNを有する本発明の自己走査型光感知アレイが詳細
に図示される。
これらの光ダイオードは夫夫光ダイオード充電量増幅回
路10,12,14゜16.18及び20のうちの1つ
に接続される。
各光ダイオードは半導体基板に拡散により形成されたp
−’−n接合から戒り、図面では普通のダイオード記
号により表わされており、電流源りとともに第1コンデ
ンサC1として働くよう逆バイアスされる。
各光ダイオード電荷増幅回路10 、12 、14゜1
6.18及び20は第1電界効果トランジスタ22を含
み、該トランジスタのゲート電極が接続点Aで光ダイオ
ードPD1の一力の端子に接続され、またPDlの他力
の端子が負の電源−■に接続されている。
第2電界効果トランジスタ24及びコンデンサC1と等
しい容量を有する事が望ましい第2コンデンサC2とは
トランジスタ22のソース電極接続点Bとそのゲート電
極接続点Aとの間に直列に接続される。
トランジスタ22のドレイン電極は正の電源+■に接続
され、そのソース電極は導線22′に接続される。
トランジスタ24はそのソース電極を接続点Cでコンデ
ンサC2に、またそのゲート電極をそのドレインに接続
点Bで接続させる事によってダイオードの形態で配列さ
れる。
第3の電界効果トランジスタ26が正の電源+■と接続
点Aとの間に接続され、第4の電界効果トランジスタ2
8が電源+■と接続点Cとの間に接続される。
増幅回路の接続点Bから引出される各出力信号は夫々電
界効果トランジスタ34,36,38゜40.42及び
44を介し共通ビデオ出力線30及び32に与えられる
トランジスタ34.38及び42は線30に、トランジ
スタ36,40及び44は線32に接続されている出力
線30及び32は共通出力端子48を有しても良い任意
の適当な増幅器46へか又は任意の所望の別の出力回路
へ接続される。
転送トランジスタ34.38及び42のゲート電極は第
1リングカウンタ50の出力端子1,3及びn−1に接
続され、転送トランジスタ36.40及び44のゲート
電極は第2リングカウンタ52の出力端子2,4及びn
に接続される。
リングカウンタ50及び52は開始パルス及び所与の周
波数の適当なりロックパルスの制御の下、異なる出力端
子のところで逐次出力パルスを発生する任意の普通のカ
ウンタ又はシフトレジスタであっても良い。
カウンタ50及び52は光感知アレイと同じ基板又はチ
ップ上に形成されるのが望ましい。
第1図のクロック54は、同じ周波数ではあるが異なる
位相の2組のクロックパルス即ちタイミング信号をリン
グカウンタ50及び52に発生する。
リングカウンタ50に与えられるクロックパルスは所与
の位相φを有していると考えても良く、この場合リング
カウンタ52に与えられるクロックパルスは該所与の位
相と180°位相がずれ、従って位相φを有していると
考えても良い。
PDlのような光ダイオードに結合される光ダイオード
電荷増幅回路は夫々下記の態様で動作する。
リングカウンタ50の端子1からの転送パルスは、前の
サイクルから接続点Bに存在する信号を共通ビデオ出力
線30に与えるためトランジスタ34のゲート電極に与
えられる。
新しいサイクルを開始する為充電開始パルスが、リング
カウンタ52の端子2からトランジスタ26のゲート電
極に導体26′を介して与えられる。
この結果、大きさ+■のパルスをトランジスタ22のゲ
ート電極に印加する。
トランジスタ22はオンになり接続点Bの電圧は+■か
らトランジスタ22の閾値電圧VT2□を減じた電圧に
等しくなる。
トランジスタ24がダイオードとして接続されているの
で、接続点Cの電圧は+■からトランジスタ22の閾値
電圧■T22とトランジスタ24の閾値電圧VT24と
を減じた電圧に等しくなる。
斯して、第2コンデンサC2に印加される電圧はトラン
ジスタ22及び24の閾値電圧の合計値、即ちV T
22+VT24に等しくなる。
コンデンサC2を充電した後、接続点Cに電圧+■を与
える為ブースト(電圧押上げ)パルスがリングカウンタ
50の端子3から導体28′を介しトランジスタ28の
ゲート電極に与えられ、これが接続点Aの電圧を+■+
■T2□+VT24の合計値まで上昇させようとする。
しかし乍ら、コンデンサC1はコンデンサC2と同じ容
量を有し、これも接続点Aに接続されているので、接続
点Aの電位は+■+ ■+■ −一つ、−一の合計値までしか上昇しない。
もしもトランジスタ22及び24の閾値電圧が等しい値
であれば、接続点Aの電位は+■+■T24の合計値に
等しくなろう。
従って、コンデンサC2に印加される電圧が光ダイオー
ドPDIによって発生される信号のための増幅装置であ
るトランジスタ22のゲートのオフセット電圧を排除す
るので、光ダイオードPD1からの信号の最小増分でも
トランジスタ22によって増幅され得る。
集積回路基板に於てトランジスタ22の近くにトランジ
スタ24を形成する事により、トランジスタ22及び2
4の閾値電圧は11等しくされるか又はもしも現在知ら
れている集積工程を利用するならば、100mVよりも
少ない差を有するようにされ得る。
この電位差は接続点Aの信号に50mV以下の誤差しか
生じないだろう。
アレイのそれぞれの増幅l・ランジスタ22の閾値電圧
の大きさは同じではないが、本発明の回路は個々のトラ
ンジスタ毎にこの相違を補償する。
何故ならばアレイに沿う各増幅トランジスタ22が夫々
ダイオード接続されたトランジスタ24をその近くに設
けているからである。
従って、例えば増幅回路10及び増幅回路20中の夫々
のトランジスタ22の閾値電位差は少なくとも250m
V位の差があるかもしれないが、それでもダイオド接続
されたトランジスタ24が、対応するトランジスタ22
と同様な閾値電圧、例えば100m’V以内の閾値電圧
を有するのでアレイ内の任意の感知点で最大でも50m
Vの誤差しか生じない。
もしも+■の供給電位が8■に等しければ、全アレイの
任意の接続点Aの誤差信号の不均一な度合は50/80
00即ち0.625%よりも少なくなるだろう。
光ダイオードでの光蓄積時間が任意の所定の期間毎にセ
ットされても良い。
この期間は、例えばリングカウンタ52の端子2からの
充電開始パルスがトランジスタ26のゲート電極に与え
られた後開始し、リングカウンタ50の端子1からの次
の転送パルスがトランジスタ34のゲート電極に与えら
れるとき終了する。
適当な蓄積時間は例えば約500乃至400μsである
転送パルスがトランジスタ34をオンに切換えた後、接
続点Bにある増幅信号が共通ビデオ線30に与えられ、
増幅器46によって更に増幅され端子48で強いビデオ
出力信号を生じる。
説明を分り易くする為に、コンデンサC1及びC2のみ
が表示されているが、良く知られているように、半導体
集積回路が例えば接続点A、B及びCとアースとの間に
図示しない多くの固有の容量を有する事は理解されたい
互いに等しい容量を有するようコンデンサC1及びC2
を設計する事が一般的には望ましいが、これらの容量を
異なる値にするのが望ましい場合もある。
一般的には、ブースト・パルスは合計値2 +■+(■T2□+VT24 ) に等しい
値まC1+C2 でトランジスタ22のゲート電極をブートストラップす
る。
+■が+8に等しく且つ転送用電圧、充電開始電圧及び
ブースト電圧が夫々9.5■に等しいと仮定すると、動
作サイクルの各時点での接続点A。
B及びCの電圧は下記の通りである。
即ち、充電開始パルスがトランジスタ26のゲート電極
に与えられ、接続点Aの電位が8■になると、VT22
が1.5■とすれば接続点Bの電位は6,5■に、また
、VT24も1.5■とすれば接続点Cの電位は5、
OVになる。
従って、コンデンサC2に印加される電圧は3■に等し
くなる。
ブースト・パルスがトランジスタ28のゲート電極に与
えられると、コンデンサC1及びC2が等しい容量値を
有すると仮定すれば第2図に示される通り接続点Aの電
圧は9.5■に増加し接続点B及びCでの電圧が8■に
なる。
接続点Aの電圧が光ダイオードPD1の電荷蓄積により
減少すると、接続点Bの電圧は接続点Aでの減少分に正
比例して減少する。
蓄積期間終了時に転送パルスは接続点Bに生じた全ビデ
オ信号を出力線30に与えるようトランジスタ34をオ
ンに切換える。
但しその信号はそのときの光ダイオードPDI上の光の
強度に従って8■よりも幾分少ない大きさを有する。
増幅回路12の接続点Bからのビデオ信号が共通ビデオ
出力線32に与えられている事を除けば、光ダイオード
電荷増幅回路12も増幅回路10に類似しており、これ
にはリングカウンタ52の端子2からトランジスタ36
に転送パルスが与えられ、更にリングカウンタ50の端
子3から充電開始パルスが与えられ、リングカウンタ5
2の端子4からブーストパルスが与えられる。
光ダイオード電荷増幅回路14及び18も転送パルス、
充電開始パルス及びブーストパルスが端子3,4及び例
えばn−1と、n−1,n及びn + 1とから夫夫与
えられる事を除けば増幅回路10と同様に配列され、ま
た光ダイオード電荷増幅回路16及び20も、転送パル
ス、充電開始パルス及びブーストパルスが端子4、例え
ばn−i及びnと、n1n + 1及びn + 2とか
ら夫々与えられる事を除けば増幅回路12と同様に配列
される。
増幅回路14及び18からのビデオ信号は夫々トランジ
スタ38及び42を介して出力線30に与えられ、増幅
回路16及び20からのビデオ信号は夫々トランジスタ
40及び44を介して出力線32に与えられる。
第2図からも判るように、端子1 、2 、3 、4゜
n1rnHn+1及びn + 2からのパルスはすング
カウンタ50及び52の上部端子から下部端子へと端子
に付けられた順番通り逐次発生される。
従って、ビデオ信号が出力線30及び出力線32から交
互に増幅器46に与えられる事が理解されよう。
もしも必要であれば、両増幅回路10及び12からのビ
デオ信号が共通増幅器に同時に与えられ、光ダイオード
PD1又はPD2のいずれかの領域の2倍の面積を有す
る実効上単一の光ダイオード又は光素子に入射する光の
表示を与えるようにしても良い。
光ダイオードPD1乃至PDnの線型アレイを含む自己
走査型光感知回路を作動する為に、クロック54はリン
グカウンタ50及び52に夫々与えられるパルスφ及び
φを発生するようオンに切換えられる。
これらのパルスは上記で表示されるように、単なる位相
ではあるが同じ周波数の2組のタイミング信号であって
も良い。
−力、同じ組の信号パルスが両リングカウンタ50及び
52に与えられても良いが、リングカウンタ50が第2
図に示されるように正のクロックパルスに応答するよう
設計され且つリングカウンタ52が負のクロックパルス
に応答するよう設計されても良い。
両リングカウンタ50及び52の動作は開始端子に適当
なパルスを与えると同時に開始する。
リングカウンタ52の端子nのパルスは必要であれば開
始端子にフィードバックされ、両リングカウンタ50及
び52の為の開始パルスとして使用されても良い。
リングカウンタ52の端子nのパルスがトランジスタ4
4の制御電極に与えられると走査は終了されるが、光ダ
イオードPDnの為の次の蓄積期間を開始させるよう増
幅回路20を働かせる為、夫々カウンタ50の端子n
+ 1及びカウンタ52の端子n + 2から充電開始
パルス及びブーストパルスが必要である。
このように特に一様性が改良され、且つ短かい蓄積時間
又は強度の弱い光で作動され得るよう改良された自己走
査型光感知回路が本発明により提供される事が理解され
よう。
文書及び光感知アレイを相対移動させる事によって、文
書上に含まれる文字又は情報を表わす信号が容易に発生
され得る。
これらの信号は原文書の位置で又は遠隔位置で文書を再
生するよう使用され得る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の回路を一部、ブ冶ツク型式で表わす回
路図であり、第2図は第1図に図示される回路の動作に
関連して使用されるパルスのプログラムである。 PD1〜PDn・・・・・・線型配列された光ダイオー
ド(光感釦装置)、10 、12 、14 、16.1
820・・・・・・光ダイオード電荷増幅回路、22・
・・・・・第1電界効果トランジスタ、24・・・・・
・第2電界効果トランジスタ、30 、32・・・・・
・共通ビデオ出力線、48・・・・・・ビデオ出力、5
0.52・・・・・・リングカウンタ、54・・・・・
・クロック。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 受光量に応じた電荷量を生じ得る複数個の光感知装
    置からなるアレイと、 このアレイの上記光感知装置にそれぜれ結合されて上記
    光感知装置に生成された電荷量に応じた電圧をそれぞれ
    ほぼ線形に増幅する複数個の増幅回路と、 上記各増幅回路に結合された共通の出力線と、上記光感
    知装置の電荷量に対応するアナログ信号を上記出力線に
    逐次生じるよう上記各増幅回路にパルスを与える手段と
    を有し、 さらに上記増幅回路は上記光感知装置の1つに制御電極
    を結合させたソース・フォロワと、このソース・フォロ
    ワをなす電界効果トランジスタの閾値電圧損失を検出し
    、この検出電圧を上記光感知装置に生成された電荷量に
    応じた電圧に重畳して上記閾値電圧損失を補償する手段
    とを含むことを特徴とする自己走査型光感知回路。
JP51134262A 1975-12-15 1976-11-10 自己走査型光感知回路 Expired JPS5858716B2 (ja)

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US05/641,193 US4023048A (en) 1975-12-15 1975-12-15 Self-scanning photo-sensitive circuits

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JPS5273636A JPS5273636A (en) 1977-06-20
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