JPS6126365A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
- Publication number
- JPS6126365A JPS6126365A JP14696584A JP14696584A JPS6126365A JP S6126365 A JPS6126365 A JP S6126365A JP 14696584 A JP14696584 A JP 14696584A JP 14696584 A JP14696584 A JP 14696584A JP S6126365 A JPS6126365 A JP S6126365A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitors
- block
- electric charges
- shift register
- switching transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は画像読取装置に係り、特に入射した光の情報を
蓄積する手段を有する画像読取装置に関する。
蓄積する手段を有する画像読取装置に関する。
本発明はファクシミリ等の画像読取部に適用される。
[従来技術]
第3図は従来の画像読取装置の回路図である。
ただし、ここでは9(Igの光センサを有する光センサ
アレイの場合を一例として取り上げる。
アレイの場合を一例として取り上げる。
同図において、光センサE1〜E9は、3個で1ブロツ
クを構成し、3ブロツクで光センサアレイを構成してい
る。光センサE1〜E9に各々対応しているコンデンサ
C1〜C9、スイッチングトランジスタT1〜T9も同
様である。
クを構成し、3ブロツクで光センサアレイを構成してい
る。光センサE1〜E9に各々対応しているコンデンサ
C1〜C9、スイッチングトランジスタT1〜T9も同
様である。
各光センサE1〜E9の一方の電極(共通電極)は電源
101に接続され、他方の電極(個別電極)は各々コン
デンサ01〜C9を介して接地されている。
101に接続され、他方の電極(個別電極)は各々コン
デンサ01〜C9を介して接地されている。
また、光センサE1〜E9の各ブロック内で同一順番を
有する個別電極は、各々スイッチングトランジスタT1
〜T9を介して、共通線102〜104のひとつに接続
されている。
有する個別電極は、各々スイッチングトランジスタT1
〜T9を介して、共通線102〜104のひとつに接続
されている。
詳細に言えば、各ブロックの第1のスイッチングトラン
ジスタT1.T4、T7が共通線102に、各ブロック
の第2のスイッチングトランジスタT2、T5、T8が
共通線103に、そして各ブロックの第3のスイッチン
グトランジスタT3、T6、T9が共通線104に、そ
れぞれ接続されている。
ジスタT1.T4、T7が共通線102に、各ブロック
の第2のスイッチングトランジスタT2、T5、T8が
共通線103に、そして各ブロックの第3のスイッチン
グトランジスタT3、T6、T9が共通線104に、そ
れぞれ接続されている。
共通線102〜104は、各々スイッチングトランジス
タTIO〜T12を介して、アンプ105に接続されて
いる。
タTIO〜T12を介して、アンプ105に接続されて
いる。
またスイッチングトランジスタTl−T9のゲート電極
はブロック毎に共通に接続され、それぞれシフトレジス
タ106の並列出力端子に接続されている。シフトレジ
スタ106の並列出力−子からは所定のタイミングで順
次ハイレベルが出力されるから、スイッチングトランジ
スタT1〜T9はブロック毎に順次オン状態となる。
はブロック毎に共通に接続され、それぞれシフトレジス
タ106の並列出力端子に接続されている。シフトレジ
スタ106の並列出力−子からは所定のタイミングで順
次ハイレベルが出力されるから、スイッチングトランジ
スタT1〜T9はブロック毎に順次オン状態となる。
また、スイッチングトランジスタTIO〜T12の各ゲ
ート電極はシフトレジスタ107の並列出力端子に接続
され、この並列出力端子からハイレベルが所定のタイミ
ングで順次出力されることで、スイッチングトランジス
タTIO〜T12が順次オン状態となる。
ート電極はシフトレジスタ107の並列出力端子に接続
され、この並列出力端子からハイレベルが所定のタイミ
ングで順次出力されることで、スイッチングトランジス
タTIO〜T12が順次オン状態となる。
さらに、スイッチングトランジスタTloNT12の共
通に接続された端子は放電用のスイッチングトランジス
タT13を介して接地され、スイッチングトランジスタ
T13のゲート電極は端子108に接続されている。
通に接続された端子は放電用のスイッチングトランジス
タT13を介して接地され、スイッチングトランジスタ
T13のゲート電極は端子108に接続されている。
このような構成を有する従来の画像読取装置の動作を簡
単に説明する。
単に説明する。
光センサEl−E9に光が入射すると、その強度に応じ
て電源lotからコンデンサCl−C9に電荷が蓄積さ
れる。
て電源lotからコンデンサCl−C9に電荷が蓄積さ
れる。
続いて、シフトレジスタ106およびlo7からそれぞ
れのタイミングで順次ハイレベルが出力されるが、いま
両レジスタの第1の並列出方端子からハイレベルが出力
されたとする。
れのタイミングで順次ハイレベルが出力されるが、いま
両レジスタの第1の並列出方端子からハイレベルが出力
されたとする。
すると、第1のブロックのスイッチングトランジスタT
1〜T3と共通線102に接続されたスイッチングトラ
ンジスタTIOがオン状態となり、コンデンサC1に蓄
積されている電荷が、スイッチングトランジスタT1、
共通線102、そしてスイッチングトランジスタTIO
を通って、アンプ105へ久方し、画像情報として出力
される。
1〜T3と共通線102に接続されたスイッチングトラ
ンジスタTIOがオン状態となり、コンデンサC1に蓄
積されている電荷が、スイッチングトランジスタT1、
共通線102、そしてスイッチングトランジスタTIO
を通って、アンプ105へ久方し、画像情報として出力
される。
コンデンサCIに蓄積されている電荷が読み出されると
、端子108にハイレベルが印加され、 ゛スイッチン
グトランジスタT13がオン状態となる。これによって
、コンデンサc1の残留電荷は、スイッチングトランジ
スタTI、共通線102、スイッチングトランジスタT
l01そしてスイッチングトランジスタT13を通じて
完全に放電される。
、端子108にハイレベルが印加され、 ゛スイッチン
グトランジスタT13がオン状態となる。これによって
、コンデンサc1の残留電荷は、スイッチングトランジ
スタTI、共通線102、スイッチングトランジスタT
l01そしてスイッチングトランジスタT13を通じて
完全に放電される。
続いて、シフトレジスタ106の第1の並列出力をハイ
レベルにしたままで、シフトレジスタ107を順次シフ
トさせスイッチングトランジスタTll、T12を順に
オン状態とする。これによって、コンデンサC2および
C3に関して上記の読み出しおよび放電動作を行ない、
それらに蓄積されている情報を順次読み出す。
レベルにしたままで、シフトレジスタ107を順次シフ
トさせスイッチングトランジスタTll、T12を順に
オン状態とする。これによって、コンデンサC2および
C3に関して上記の読み出しおよび放電動作を行ない、
それらに蓄積されている情報を順次読み出す。
こうして、第1ブロツクの情報の読み出しが終了すると
、シフトレジスタ106を順次シフトさせ、第2そして
第3ブロツクの情報の読み出しを上記と同様に行なう。
、シフトレジスタ106を順次シフトさせ、第2そして
第3ブロツクの情報の読み出しを上記と同様に行なう。
このように、コンデンサCl−C9に蓄積された情報は
シリアルに読み出され、アンプ105から画像情報とし
て出力される。
シリアルに読み出され、アンプ105から画像情報とし
て出力される。
第3図に示される従来の画像読取装置は、電荷蓄積用の
コンデンサを有しているために、出力信号を大きくする
ことができる。
コンデンサを有しているために、出力信号を大きくする
ことができる。
また、光センサE1〜E9、コンデンサC1〜C9およ
びスイッチングトランジスタTl−T9を、薄膜半導体
によって同一基板上に形成した場合、外部回路との接続
点の数を少なくすることができる等の利点を有している
。
びスイッチングトランジスタTl−T9を、薄膜半導体
によって同一基板上に形成した場合、外部回路との接続
点の数を少なくすることができる等の利点を有している
。
しかしながら、薄月莫トランジスタ(TPT)はオン状
態での抵抗が高い、という特性を有している。そのため
に、コンデンサC1−C9の容量とそれに対応するスイ
ッチングトランジスタT1〜T9の抵抗値によって決定
される時定数が大きくなり、さらに共通線102〜10
4およびスイッチングトランジスタTIO〜T13の寄
生容量や抵抗等によって、コンデンサ01〜C9の放電
時間がながくなる。したがって、このような従来の画像
読取装置では、情報の読み取り動作に時間がかかる、い
う問題点を有していた。
態での抵抗が高い、という特性を有している。そのため
に、コンデンサC1−C9の容量とそれに対応するスイ
ッチングトランジスタT1〜T9の抵抗値によって決定
される時定数が大きくなり、さらに共通線102〜10
4およびスイッチングトランジスタTIO〜T13の寄
生容量や抵抗等によって、コンデンサ01〜C9の放電
時間がながくなる。したがって、このような従来の画像
読取装置では、情報の読み取り動作に時間がかかる、い
う問題点を有していた。
さらに、従来の画像読取装置は、コンデンサ01〜C9
の各々について、その都度、読み取り後の放電動作を必
要とするために、十分な高速動作が行なえないという問
題点も有していた。
の各々について、その都度、読み取り後の放電動作を必
要とするために、十分な高速動作が行なえないという問
題点も有していた。
[発明の目的]
本発明は上記従来の問題点に鑑み成されたものであり、
その目的は高速で動作させることができ、且つ外部回路
との接続点の少ない画像読取装置を提供することにある
。
その目的は高速で動作させることができ、且つ外部回路
との接続点の少ない画像読取装置を提供することにある
。
[発明の概要]
上記目的を達成するために、本発明は第1のコンデンサ
に蓄積された光情報をブロック毎に一旦別個のコンデン
サに転送し、それらのコンデンサから順次読み出した後
、第1のコンデンサおよび別個のコンデンサを各々独立
に□放電することを特徴とする。
に蓄積された光情報をブロック毎に一旦別個のコンデン
サに転送し、それらのコンデンサから順次読み出した後
、第1のコンデンサおよび別個のコンデンサを各々独立
に□放電することを特徴とする。
[発明の実施例コ
以下9本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は、木発期による画像読取装置の一実施例の回路
図である。
図である。
ただし、本実施例では、光センサE1〜E9、コンデン
サC1〜C9、スイッチングトランジスタT1〜T12
、およびシフトレジスタ106゜107等の構成は、第
3図に示される従来例と同様であるから、その説明は省
略する。
サC1〜C9、スイッチングトランジスタT1〜T12
、およびシフトレジスタ106゜107等の構成は、第
3図に示される従来例と同様であるから、その説明は省
略する。
第1図において、光センサEl−E9の個別電極は各々
スイッチングトランジスタ5TI−3T9を介して接地
されている。すなわち、スイッチングトランジスタ5T
I−3T9の各々は、コンデンサC1〜C9と並列に接
続される。
スイッチングトランジスタ5TI−3T9を介して接地
されている。すなわち、スイッチングトランジスタ5T
I−3T9の各々は、コンデンサC1〜C9と並列に接
続される。
スイッチングトランジスタ5TI−3T9(7)ゲート
電極は、スイッチングトランジスタTl〜T9のゲート
電極と同様に、ブロック毎に共通接続され、ブロック毎
にシフトレジスタ201の並列出力端子に接続されてい
る。
電極は、スイッチングトランジスタTl〜T9のゲート
電極と同様に、ブロック毎に共通接続され、ブロック毎
にシフトレジスタ201の並列出力端子に接続されてい
る。
したがって、シフトレジスタ201のシフトタイミング
によって、スイッチングトランジスタT1〜T9はブロ
ック毎に順次オン状態となる。
によって、スイッチングトランジスタT1〜T9はブロ
ック毎に順次オン状態となる。
また、第1図において、共通線102〜104は、それ
ぞれコンデンサCl0−C12を介して接地され、且つ
スイッチングトランジスタCTI〜CT3を介して接地
されている。
ぞれコンデンサCl0−C12を介して接地され、且つ
スイッチングトランジスタCTI〜CT3を介して接地
されている。
コンデンサ010〜C12の容量はコンデンサ01〜C
9のそれよりも十分大きくとっておく。
9のそれよりも十分大きくとっておく。
スイッチングトランジスタCTI〜CT3の各ゲート電
極は共通に接続され、端子108に接続されている。す
なわち、端子108にハイレベルが印加されることで、
スイッチングトランジスタCTI−CT3は同時にオン
状態となり、共通線102〜104が接地されることに
なる。
極は共通に接続され、端子108に接続されている。す
なわち、端子108にハイレベルが印加されることで、
スイッチングトランジスタCTI−CT3は同時にオン
状態となり、共通線102〜104が接地されることに
なる。
次に、このような構成を有する本実施例の動作を、第2
図に示すスイッチングトランジスタT’1〜T12.C
TI〜CT3および5TI−3T9のタイミングチャー
トを用いて説明する。ただし、第2図では、各スイッチ
ングトランジスタがオン状態となるタイミングを示して
いるが、むろんこのタイミングはシフトレジスタ10B
、107および201から出力されるハイレベルのタイ
ミングでもある。
図に示すスイッチングトランジスタT’1〜T12.C
TI〜CT3および5TI−3T9のタイミングチャー
トを用いて説明する。ただし、第2図では、各スイッチ
ングトランジスタがオン状態となるタイミングを示して
いるが、むろんこのタイミングはシフトレジスタ10B
、107および201から出力されるハイレベルのタイ
ミングでもある。
まず、光センサE1〜E9に光が入射すると、その強度
に応じて電源101からコンデンサC1〜C9に電荷が
蓄積される。
に応じて電源101からコンデンサC1〜C9に電荷が
蓄積される。
そして、まずシフトレジスタ10Bの第1の並列端子か
らハイレベルが出力され、スイッチングトランジスタT
l−T3がオン状態になる[第2図 (a) コ 。
らハイレベルが出力され、スイッチングトランジスタT
l−T3がオン状態になる[第2図 (a) コ 。
スイッチングトランジスタTl−T3がオン状態となる
ことで、コンデンサC1−C5に蓄積されていた電荷が
、それぞれコンデンサCIO〜C12へ転送される。
ことで、コンデンサC1−C5に蓄積されていた電荷が
、それぞれコンデンサCIO〜C12へ転送される。
続いて、シフトレジスタ107から出力されるハイレベ
ルがシフトして、スイッチングトランジスタTIO〜T
I2が順次オン状態となる[第2図(d)〜(f)]。
ルがシフトして、スイッチングトランジスタTIO〜T
I2が順次オン状態となる[第2図(d)〜(f)]。
これによって、コンデンサ010〜CI2に転送され蓄
積された第1ブロツクの光情報がアンプ105を通って
順次読み出される。
積された第1ブロツクの光情報がアンプ105を通って
順次読み出される。
第1ブロツクの情報が読み出されると、端子108にハ
イレベルが印加され、スイッチングトランジスタCTI
〜CT3は同峙にオン状態となる[第2図(g)]。
イレベルが印加され、スイッチングトランジスタCTI
〜CT3は同峙にオン状態となる[第2図(g)]。
これによって、コンデンサCl0−C12の残留電荷が
完全に放電される。
完全に放電される。
コンデンサ010〜C12の残留電荷が完全に放電され
た時点で、シフトレジスタ106がシフトし、第2の並
列端子からハイレベルが出力される。これによって、ス
イッチングトランジスタT4〜T6がオン状態になり[
第2図(b)] 、第2ブロックのコンデンサ04〜C
6に蓄積されている電荷がコンデンサCl0−C12へ
転送される。
た時点で、シフトレジスタ106がシフトし、第2の並
列端子からハイレベルが出力される。これによって、ス
イッチングトランジスタT4〜T6がオン状態になり[
第2図(b)] 、第2ブロックのコンデンサ04〜C
6に蓄積されている電荷がコンデンサCl0−C12へ
転送される。
同時点において、シフトレジスタ201の第1の並列端
子からハイレベルが出力され、スイッチングトランジス
タ5TI−3T3がオン状態となり[第2図(h)]、
コンデンサ01〜C3の残留電荷が完全に放電される。
子からハイレベルが出力され、スイッチングトランジス
タ5TI−3T3がオン状態となり[第2図(h)]、
コンデンサ01〜C3の残留電荷が完全に放電される。
このように、第1ブロツクのコンデンサ01〜C3の放
電動作と、第2ブロツクのコンデンサ04〜C6に蓄積
されている電荷がコンデンサCIO〜C12へ転送され
る転送動作とが並行して行なわれる。
電動作と、第2ブロツクのコンデンサ04〜C6に蓄積
されている電荷がコンデンサCIO〜C12へ転送され
る転送動作とが並行して行なわれる。
そして、第1ブロツクの場合と同様に、シフトレジスタ
107のシフトにより、スイッチングトランジスタTI
O〜T12が順次オン状態となり、コンデンサCIO〜
C12に蓄積されている第2ブロツクの光情報が順次読
み出される[第2図(d)〜(f)]。
107のシフトにより、スイッチングトランジスタTI
O〜T12が順次オン状態となり、コンデンサCIO〜
C12に蓄積されている第2ブロツクの光情報が順次読
み出される[第2図(d)〜(f)]。
第3ブロツクの場合も同様に、転送動作[第2図(C)
]と並行して、第2ブロツクのコンデンサ04〜C6の
放電動作が行なわれ[第2図(1)1、以下同様に、上
記動作がブロック毎に繰返される。
]と並行して、第2ブロツクのコンデンサ04〜C6の
放電動作が行なわれ[第2図(1)1、以下同様に、上
記動作がブロック毎に繰返される。
このように、コンデンサ01〜C9に蓄積された情報の
転送をブロック毎に行なうことで、従来は各々について
9回必要であった転送および放電動作を、本実施例では
、3回に削減することができ、全体として読み取り時間
を短縮することができる。
転送をブロック毎に行なうことで、従来は各々について
9回必要であった転送および放電動作を、本実施例では
、3回に削減することができ、全体として読み取り時間
を短縮することができる。
また、次のブロックの情報をコンデンサCIO〜C12
へ転送する動作と並行して、読み出しが終了したブロッ
クのコンデンサを放電させることができ、全体として動
作時間をさらに短縮することができる。
へ転送する動作と並行して、読み出しが終了したブロッ
クのコンデンサを放電させることができ、全体として動
作時間をさらに短縮することができる。
なお、本実施例では、9個の光センサを3つのブロック
に分けて説明したが、これに限定されるものではない。
に分けて説明したが、これに限定されるものではない。
所望の個数の光センサを所望の数のブロックに分けて構
成することは、本実施例から容易に行なうことができる
。
成することは、本実施例から容易に行なうことができる
。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように、本発明による画像読取装置
は、 電荷蓄積用の第1の蓄積手段と並列に第1の放電用スイ
ッチ手段と、さらに第1の蓄積手段から転送されてきた
情報を蓄積する転送電荷蓄積用の第2の蓄積手段と、そ
の蓄積手段に並列に第2の放電用スイッチ手段とを有す
るために、放電動作と転送動作とを並行して行なうこと
ができ、全体として動作速度を向上させることができる
。
は、 電荷蓄積用の第1の蓄積手段と並列に第1の放電用スイ
ッチ手段と、さらに第1の蓄積手段から転送されてきた
情報を蓄積する転送電荷蓄積用の第2の蓄積手段と、そ
の蓄積手段に並列に第2の放電用スイッチ手段とを有す
るために、放電動作と転送動作とを並行して行なうこと
ができ、全体として動作速度を向上させることができる
。
また、放電用スイッチ手段を有するために、第1および
第2の蓄積手段をその都度完全放電させることができ、
蓄積、読み出し、そして放電の各動作が確実となって、
画像読み取りの信頼性が向上する。
第2の蓄積手段をその都度完全放電させることができ、
蓄積、読み出し、そして放電の各動作が確実となって、
画像読み取りの信頼性が向上する。
さらに、第1の蓄積手段から第2の蓄積手段への情報の
転送をブロック毎に行なうために、転送に要する時間を
短縮することができ、全体として動作速度を向上させる
ことができる。
転送をブロック毎に行なうために、転送に要する時間を
短縮することができ、全体として動作速度を向上させる
ことができる。
第1図は本発明による画像読取装置の一実施例の回路図
、 第2図は木実雄側の動作を説明する4ためのタイミング
チャート、 第3図は従来の画像読取装置の一例を示す回路図である
。 E1〜E9・・・光センサ、 01〜C12・・・コンデンサ、
、 第2図は木実雄側の動作を説明する4ためのタイミング
チャート、 第3図は従来の画像読取装置の一例を示す回路図である
。 E1〜E9・・・光センサ、 01〜C12・・・コンデンサ、
Claims (1)
- (1)複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子の
各々に対応して設けられ前記光電変換素子の各出力信号
を蓄積する第1の蓄積手段と、該第1の蓄積手段に蓄積
された信号を一定数ずつ順次取り出す第1のスイッチ手
段と、該第1のスイッチ手段によって取り出された前記
一定数の信号を時系列的に取り出す第2のスイッチ手段
とを有する画像読取装置において、 前記第1の蓄積手段の各々と並列に接続 された第1の放電用スイッチ手段と、 前記第1のスイッチ手段によって取り出 された前記一定数の信号を各々蓄積する第2の蓄積手段
と、 該第2の蓄積手段の各々と並列に接続さ れた第2の放電用スイッチ手段と、 を設けたことを特徴とする画像読取装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14696584A JPS6126365A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 画像読取装置 |
FR858510881A FR2568077B1 (fr) | 1984-07-17 | 1985-07-16 | Appareil de lecture d'image. |
DE19853525395 DE3525395A1 (de) | 1984-07-17 | 1985-07-16 | Bildlesevorrichtung |
GB08518018A GB2163316B (en) | 1984-07-17 | 1985-07-17 | Image readout apparatus |
US07/073,309 US4827345A (en) | 1984-07-17 | 1987-07-13 | Image readout apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14696584A JPS6126365A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 画像読取装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6126365A true JPS6126365A (ja) | 1986-02-05 |
JPH0358228B2 JPH0358228B2 (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=15419583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14696584A Granted JPS6126365A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6126365A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5184200A (en) * | 1991-03-27 | 1993-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film semiconductor device with particular grain size |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5797776A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Fuji Xerox Co Ltd | Image pickup device for reading original |
JPS58191565A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Nec Corp | 固体光電変換装置 |
JPS58195373A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-14 | Nec Corp | 固体光電変換装置 |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14696584A patent/JPS6126365A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS58191565A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Nec Corp | 固体光電変換装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5184200A (en) * | 1991-03-27 | 1993-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film semiconductor device with particular grain size |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0358228B2 (ja) | 1991-09-04 |
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