JP2803825B2 - イメージセンサの駆動方法 - Google Patents

イメージセンサの駆動方法

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JP2803825B2 JP1009143A JP914389A JP2803825B2 JP 2803825 B2 JP2803825 B2 JP 2803825B2 JP 1009143 A JP1009143 A JP 1009143A JP 914389 A JP914389 A JP 914389A JP 2803825 B2 JP2803825 B2 JP 2803825B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は画像読取り用のイメージセンサの駆動方法に
関する。
(発明の背景) ファクシミリやイメージスキャナ等の画像読取装置に
フォトダイオードアレイからなるイメージセンサが使用
されている。
また、光電変換材料としてのアモルファスシリコンは
優れた特性を有しており、フォトダイオードの材料とし
て使用されている。
ところで、イメージセンサの駆動方法として、画素数
の割に駆動IC数が少ないマトリクス駆動がよく使用され
る。このマトリクス駆動は、フォトダイオードアレイを
複数のブロックに分割しておき、読取り時は、各ブロッ
クを順次切り換えながら各ブロック毎にフォトダイオー
ドに当たった光量に応じた信号を順次読出すようにした
ものである。
(発明が解決しようとする課題) しかし、以上のような画像情報を電流値として読出す
マトリクス駆動では、フォトダイオードに接続された配
線のインダクタンスや配線間の浮遊容量にばらつきがあ
るため信号レベルに影響を与え、正確な画像情報が得ら
れないといった問題がある。
そこで、第3図のような読取り回路が提案されてい
る。
この図において、m個の光電変換素子(等価回路で示
した)を有するブロックがn個接続されている。Bは各
ブロックの共通接続端子であり、スイッチSBを介してバ
イアス電圧−V(ブロック選択時)若しくはアース(非
選択時)に接続される。尚、Biはi(1<i<n)番目
のブロックの共通電極であり、SBiはi(1<i<n)
番目のブロックのスイッチである。各光電変換素子は、
ブロッキングダイオードBDと、フォトダイオードPDと、
フォトダイオードPDと並列に接続されると考えられる蓄
積用コンデンサCPと、ブロッキングダイオードBDと並列
に接続されると考えられるコンデンサCBとでなる等価回
路で示される。尚、BDij,PDijはi(1<i<n)ブロ
ックのj(1<j<m)番目の素子であることを表して
いる。破線で囲まれた部分Mはマトリクス配線部であ
る。CRは各光電変換素子に接続された読取り用コンデン
サで、その容量値は蓄積用コンデンサCPより充分大きく
選ばれている。Sは読取り用コンデンサCRをリセットす
るためのリセットスイッチ、Aは読取り用コンデンサCR
の両端電圧を受けるバッファアンプ、SRは該バッファア
ンプAの出力を読出し時に選択するスイッチである。
尚、CRj,Sj,Aj,SRjはそれぞれj(1<j<m)番目の
素子であることを表している。
第4図は上述の読取り回路を駆動する際の共通電極Bi
に供給される電圧のタイミングを示したタイミング図で
ある。共通電極Bi(1<i<n)には順次−Vなる電圧
が与えられる。そして、1ラインの読取り周期で一巡す
る。
第5図は共通電極B1に−Vなる電圧が与えられている
ときのブロック内の読出しを行う際のスイッチS,SRのオ
ン/オフのタイミングを示すタイミング図である。この
図に示すように、共通電極B1に−Vが印加されている期
間にSR1→S1→SR2→S2→…→SRm→Smの順にオンされ
る。すなわち、SRのオンは読出しのためであり、Sのオ
ンは各ブロックの読出し(第5図(リ))終了後にコン
デンサCRをリセットするためである。
このような読取り回路を用いれば、ブロック選択時に
フォトダイオードPDに入射した光量に応じた電流がコン
デンサCRに充電されるので、光信号をコンデンサCRの両
端電圧として順次取り出すことができる。
第6図は上述の第3図を実際に基板に配置した場合の
概略構成を示す説明図である。図において、1はガラス
やセラミックで構成された基板、2はフォトダイオード
PD,ブロッキングダイオードDが配置されるダイオード
部、Lは下部電極(信号線)であり、L11〜Lnmはそれぞ
れダイオード部2の各フォトダイオードPDijの出力を導
く下部電極である。Uは上部電極(信号線)であり、U1
〜U6は下部電極L11〜Lnmからの出力を読取用IC4に導く
上部電極である。尚、下部電極L,上部電極Uは、Al,Cr,
Ti,Mo等の金属で構成されている。3は下部電極Lと上
部電極Uとの間に絶縁のためにSiO2,SiN,ポリイミド等
が塗布された絶縁膜である。尚、下部電極Lと上部電極
Uとの接続箇所はコンタクトホールによる。
このように上部電極Uと下部電極Lとは絶縁膜3によ
り絶縁されており、必要な接続箇所はコンタクトホール
により接続されている。
しかし、マトリクス配線部Mは信号線が長くかつ多層
に配線されているため、信号線間(上部電極間若しくは
下部電極間)に無視できない線間容量を有し、信号線間
で容量結合を生じている。そしてこの線間容量が隣接素
子間,ブロック間のクロストークの原因になっている。
一例として、読取り長216mm(A4サイズ),画素密度8
dot/mm,ブロック数27,64素子/ブロックのラインセンサ
の場合、上部電極の1ラインペア間の線間容量は約120p
Fにもなる。このため、光電変換出力によってある信号
線に電圧変動が生じると、隣接する信号線にも線間容量
を介して電圧が誘起される。例えば、第6図において上
部電極U2に電圧変動が生じると、隣接する上部電極U1,U
3にも電圧が誘起される。このようにしてクロストーク
が生じる。従ってMTFが低下するので実用にたえない。
また、上部電極1本につき複数本(複数ブロック)の
下部電極が接続されているため、下部電極間の線間容量
によりブロック間のクロストークも発生する。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであ
って、その目的は、クロストークを生じないイメージセ
ンサの駆動方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 前記した課題を解決する本発明の駆動方法は、イメー
ジセンサ内のアレイ状に配置されたm×n個の光電変換
素子を、m個の光電変換素子からなるn個のブロックに
分け、各ブロック内の光電変換素子の出力信号を、マト
リクス配線部のm本の信号線を介して、これら信号線に
それぞれ接続された読取り用コンデンサに導くと共に、
この読取り用コンデンサに、各読取り用コンデンサの両
端電圧を受けるバッファアンプをそれぞれ接続し、各ブ
ロックを順次切り換えながら前記バッファアンプの各出
力信号を取得することにより、全ブロック内の光電変換
素子の出力信号を得るようにし、且つ、前記読取り用コ
ンデンサに並列接続されたリセットスイッチを用いて、
信号読出し後の前記読取り用コンデンサをリセットする
ようにしたイメージセンサの駆動方法であって、前記ブ
ロックの切り換え毎に、前記リセットスイッチを用い
て、前記読取り用コンデンサを同時にリセットし、この
リセット後に、前記バッファアンプの各出力信号を取得
することにより、切り換え後のブロック内の光電変換素
子の出力信号を得るようにしたことを特徴とするもので
ある。
(作用) 本発明のイメージセンサの駆動方法においては、ブロ
ックの切り換え毎に、リセットスイッチを用いて、読取
り用コンデンサを同時にリセットし、マトリクス配線部
の電極(信号線)間の容量に蓄積した電荷を放電してい
る。従って、クロストークを生じないイメージセンサの
駆動方法を実現できる。
(実施例) 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
第1図は本発明の駆動方法によりイメージセンサを駆
動した場合の各部の動作を示すタイムチャートである。
ここでは、m個のブロックのタイミングの一部分のみを
示した。この図で(イ)B1,(ロ)B2は電源−V若しく
はグラウンドに選択的に切り替えられる。まず、B1が電
源−Vに接続される以前にS1〜Smを同時にオン状態にし
て接地する(読出し前リセット)。それからB1を電源−
Vに接続して、SR1,S1,…,SRm,Smを順次オンにして第1
ブロックの読出しを行う。そして、B1をグラウンドに接
続してからB2が−Vに接続されるまでの間にS1〜Smを同
時にオン状態にして接地する(読出し前リセット)。そ
れからB2を電源−Vに接続して、SR1,S1〜SRm,Smを順次
オンにして第2ブロックの読出しを行う。以後、これを
繰り返す。このように、各ブロック毎に読出し前リセッ
トを実行してから信号の読出し(第1図(リ))を行う
ことにより、電極間の静電容量にたまった電荷は放電さ
れる。このため、クロストークの発生もほとんどない。
第2図は上述の読出し前リセットを実行したときの等
価回路を示す回路図である。第3図と同一物には同一番
号を付し説明は省略する。ここでは第1ブロックの第1
画素及び第2画素の部分を示す。この図で、C′は第1
画素と第2画素の間に生じる線間容量を表している。
尚、このC′は、マトリクス配線の下部電極で発生する
線間容量及び上部電極で発生する線間容量の和に相当す
る。この図のように、SB1がアース側に接続され、S1,S2
が同時にオン状態になると、線間容量C′,コンデンサ
CR1,CR2はそれぞれショートされた状態になる。従っ
て、線間容量C′に蓄えられた電荷は放電する。また、
フォトダイオードPD11,PD12に接続されたコンデンサCP
に蓄積された電荷は保存されたままになっている。
従って、SBi(1<i<n)がアース側に接続され、S
j(1<j<m)全てが同時にリセットされると、フォ
トダイオードPD11,PD12に接続された蓄積用コンデンサC
P以外の容量の電荷は全て放電されるので、ブロック間
のクロストークが減少する。
すなわち、本発明の駆動方法によれば、マトリクス配
線部Mの線間容量は依然存在するが、読出し前リセット
による線間容量の放電でブロック間のクロストークを減
少させることができる。
尚、上記の実施例では各ブロック毎の読出し前リセッ
トの後に順次読出しを行うように構成したものについて
説明したが、これに限定されものではない。すなわち、
各ブロックの読出し前リセットの後に各ブロック内の画
素を同時に読出すようにすることも可能である。この場
合、読出しアンプAの出力にメモリなどを接続すればよ
い。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明では、各ブロック
の読出しを行う前にリセットを行い、マトリクス配線部
の電極間の容量に蓄積した電荷を放電するようにした。
従って、クロストークを生じないイメージセンサの駆動
方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の駆動方法により駆動した場合の信号波
形を示すタイミング図、第2図は本発明の駆動方法によ
る読出し前リセットを実行したときの等価回路を示す回
路図、第3図はイメージセンサの回路例を示す回路図、
第4図はブロック選択信号のタイミングを示すタイミン
グ図、第5図は従来の駆動方法により駆動したときの信
号波形を示すタイミング図、第6図はイメージセンサの
基板上の回路パターン例を示すパターン図である。 1……基板、2……ダイオード部 3……絶縁膜、4……読取用IC 5……グラウンド線 L……下部電極、U……上部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H04N 5/30 - 5/335 H04N 1/028

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】イメージセンサ内のアレイ状に配置された
    m×n個(m,n;整数)の光電変換素子を、m個の光電変
    換素子からなるn個のブロックに分け、各ブロック内の
    光電変換素子の出力信号を、マトリクス配線部のm本の
    信号線を介して、これら信号線にそれぞれ接続された読
    取り用コンデンサに導くと共に、この読取り用コンデン
    サに、各読取り用コンデンサの両端電圧を受けるバッフ
    ァアンプをそれぞれ接続し、各ブロックを順次切り換え
    ながら前記バッファアンプの各出力信号を取得すること
    により、全ブロック内の光電変換素子の出力信号を得る
    ようにし、且つ、前記読取り用コンデンサに並列接続さ
    れたリセットスイッチを用いて、信号読出し後の前記読
    取り用コンデンサをリセットするようにしたイメージセ
    ンサの駆動方法であって、 前記ブロックの切り換え毎に、前記リセットスイッチを
    用いて、前記読取り用コンデンサを同時にリセットし、
    このリセット後に、前記バッファアンプの各出力信号を
    取得することにより、切り換え後のブロック内の光電変
    換素子の出力信号を得るようにしたことを特徴とするイ
    メージセンサの駆動方法。
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