JPS5861662A - イメ−ジセンサ− - Google Patents
イメ−ジセンサ−Info
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- JPS5861662A JPS5861662A JP56160543A JP16054381A JPS5861662A JP S5861662 A JPS5861662 A JP S5861662A JP 56160543 A JP56160543 A JP 56160543A JP 16054381 A JP16054381 A JP 16054381A JP S5861662 A JPS5861662 A JP S5861662A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は密着製イメージセンナに関するものである。
７アクシｉすを家庭内に普及するために装置を小型化す
ることが望まれている。この装置の小製化に最も障害と
なっているのが光電変換系である。
ることが望まれている。この装置の小製化に最も障害と
なっているのが光電変換系である。
従来の７アクシｊｊＪの光電変換デバイス（以下イメー
ジセンナと略す）よＭＵａ形あるいはＣＣＤ形りの半導
体ＩＣが用いられてきた。しかしこの半導体イメージ七
／すぜエチ、ブの大きさがｉｊｌ、ｊＩｌ！角と小さく
、例え、１２０ｃａ＠のＡ４版原稿を°電気信号に変換
するには原稿像を数ｕ幅に縮少するため光学系が必要で
その光路長（Ａ４版幅で５０〜６０１）の確保が装置小
型化のネックとされてきた。
ジセンナと略す）よＭＵａ形あるいはＣＣＤ形りの半導
体ＩＣが用いられてきた。しかしこの半導体イメージ七
／すぜエチ、ブの大きさがｉｊｌ、ｊＩｌ！角と小さく
、例え、１２０ｃａ＠のＡ４版原稿を°電気信号に変換
するには原稿像を数ｕ幅に縮少するため光学系が必要で
その光路長（Ａ４版幅で５０〜６０１）の確保が装置小
型化のネックとされてきた。
この問題解決法として密着型イメージ七／すとよばれる
イメージセンナが注目されている。これは原稿幅と同じ
寸法の光鋭に遺鎮城をもうた大型のイメージセンサでＩ
ｊｉＩ′橘に密着させて用いるので縮少するためのレン
ズ光学系を使用しなくても良いため装置の大幅Ｉヨ小型
化が達成される。このような臂着瀝イメージセンナに使
用てれる光電変換材料はすぐれた光を変換特性ｔｌ−合
し、かつ大面積に一様に形成できることが必要である。
イメージセンナが注目されている。これは原稿幅と同じ
寸法の光鋭に遺鎮城をもうた大型のイメージセンサでＩ
ｊｉＩ′橘に密着させて用いるので縮少するためのレン
ズ光学系を使用しなくても良いため装置の大幅Ｉヨ小型
化が達成される。このような臂着瀝イメージセンナに使
用てれる光電変換材料はすぐれた光を変換特性ｔｌ−合
し、かつ大面積に一様に形成できることが必要である。
このような材料として、砒素−センンーグルル系７モル
７アス半導体や硯化カドミウム、セレン化カドξクム等
を使用したものが現在研究開発中であるがこｎりの材料
は砒累、カドミタム、セレンのｊ ５ す公害物質が含
まれていたり、熱的安定性が悪いなどの１力地点があっ
た。
７アス半導体や硯化カドミウム、セレン化カドξクム等
を使用したものが現在研究開発中であるがこｎりの材料
は砒累、カドミタム、セレンのｊ ５ す公害物質が含
まれていたり、熱的安定性が悪いなどの１力地点があっ
た。
一方、低Ｉｄｉｉ格太陽電池用材料として注目さルてい
る件品質シリコンはすぐれた光導電材料であり、すでに
電子写真ＪＰ虚像用ビディコンに応用され始めている。
る件品質シリコンはすぐれた光導電材料であり、すでに
電子写真ＪＰ虚像用ビディコンに応用され始めている。
この非晶質シリコンは、通常、モノシラ／のグルー放電
分解法またはシリコンの反応性スパッタ法で形成され大
面積で均一な展全谷易（て得ゐことができ、また、構成
ｖｌＪ質は無公イアｊシリコンと水嵩であるることなど
の特長を有する。蜜Ｍ屋イメージセ／すに非晶質シリコ
ンを応用する砺合には非１ｉｉｉ！Ｉ′にシリコンの暗
時の抵抗率が五θ〜１０ ρ−α であることを利用し
１．り）つ、光導−率か―化カドミウムに比べて小さい
ことから蓄積屋で動作させる方が望ましい。この蓄積屋
の動作６−１走倉時間内に元によって発生した゛シ荷Ｖ
Ｃ工ってセンサー表面に保持された電荷ｔ−消去する方
法がとられるため、暗時には走査時間中にセ／す表面し
Ｃ与えた、電荷を保持する必嵌がある。このため、１０
〜１０ Ω−儂の抵抗率をもつ非晶質シリコンをイメー
ジセンサに使５ｖこは、１を極からの電荷の注入を阻止
したプロ、千ングイ）１造にすることが望ましい。
分解法またはシリコンの反応性スパッタ法で形成され大
面積で均一な展全谷易（て得ゐことができ、また、構成
ｖｌＪ質は無公イアｊシリコンと水嵩であるることなど
の特長を有する。蜜Ｍ屋イメージセ／すに非晶質シリコ
ンを応用する砺合には非１ｉｉｉ！Ｉ′にシリコンの暗
時の抵抗率が五θ〜１０ ρ−α であることを利用し
１．り）つ、光導−率か―化カドミウムに比べて小さい
ことから蓄積屋で動作させる方が望ましい。この蓄積屋
の動作６−１走倉時間内に元によって発生した゛シ荷Ｖ
Ｃ工ってセンサー表面に保持された電荷ｔ−消去する方
法がとられるため、暗時には走査時間中にセ／す表面し
Ｃ与えた、電荷を保持する必嵌がある。このため、１０
〜１０ Ω−儂の抵抗率をもつ非晶質シリコンをイメー
ジセンサに使５ｖこは、１を極からの電荷の注入を阻止
したプロ、千ングイ）１造にすることが望ましい。
本発明の目的は非晶質シリコンを用いたイメージセンサ
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明によれは島状の透明４電朕を含む電極が複数個並
んだ）２１ｉ明基板上に膜厚が１００Ａ以上１０００＾
以下の透明誘゛屯膜と、膜厚が０．５μｍ以上２０μｍ
以下で抵抗率がｌＯΩ−一 以上の高抵抗非晶質シリコ
ン膜および膜厚が２００Ａ以上で５ｏｏｏＸｕ下、抵Ｍ
、率カ１０ ５２−ａｎ以上１０ Ω−α以下のｐ型
非晶・碇シリコン涙とが連続して順次形成され、さらに
共通ｖＩＬ栃が形成されて″＃着壓イメージ七ンサが形
成される。この時、＝＋１述の透明誘電線は正孔に対す
るブロッキング、ＰＭ非非晶質シリコント電子に対する
プロ、キングの役割を果たしており、透明誘電線として
は、Ｓｉ、Ｎ、。
んだ）２１ｉ明基板上に膜厚が１００Ａ以上１０００＾
以下の透明誘゛屯膜と、膜厚が０．５μｍ以上２０μｍ
以下で抵抗率がｌＯΩ−一 以上の高抵抗非晶質シリコ
ン膜および膜厚が２００Ａ以上で５ｏｏｏＸｕ下、抵Ｍ
、率カ１０ ５２−ａｎ以上１０ Ω−α以下のｐ型
非晶・碇シリコン涙とが連続して順次形成され、さらに
共通ｖＩＬ栃が形成されて″＃着壓イメージ七ンサが形
成される。この時、＝＋１述の透明誘電線は正孔に対す
るブロッキング、ＰＭ非非晶質シリコント電子に対する
プロ、キングの役割を果たしており、透明誘電線として
は、Ｓｉ、Ｎ、。
８ｉ０□等が考えられる。これりの腺は、シランとディ
ポランの混合ガス、シランとアンモニア、鴛累の混合力
°ス、シランと酸素の混合ガスのグｐ・成就分解で形成
でき、錘抵抗アモルファス シリコン涙形成に対して、
ガス・Ｄ切換えだけで１！１ ＋４的に形・氏可能であ
る。また透明誘電膜の腺＋ｉは１（１０Ａ以下では正孔
のブロッキング効果が小さくなり、１０００ Ａ以上で
は電子の輸送が困難になることが実績的に確かめられて
おり、ｐ屋非晶ズシリコンについても、はぼ同様なこと
が実証されている。
ポランの混合ガス、シランとアンモニア、鴛累の混合力
°ス、シランと酸素の混合ガスのグｐ・成就分解で形成
でき、錘抵抗アモルファス シリコン涙形成に対して、
ガス・Ｄ切換えだけで１！１ ＋４的に形・氏可能であ
る。また透明誘電膜の腺＋ｉは１（１０Ａ以下では正孔
のブロッキング効果が小さくなり、１０００ Ａ以上で
は電子の輸送が困難になることが実績的に確かめられて
おり、ｐ屋非晶ズシリコンについても、はぼ同様なこと
が実証されている。
このｐ型非晶質シリコンは抵抗率が１０−１０”１′
Ω−ＣＩｒＬのａ囲でプロ、キング効果が有効でめ−こ
七も丸嘘的に確かめられている。
七も丸嘘的に確かめられている。
このように本発明によれば、無公害で元−変換符′庄／
）良い非晶質シリコンを使った密着型イメージセ／すが
連続して形成でき、実１余に試作したイメージセンサは
暗時の電荷保持特性はファクシミリの光に変換系として
十分たえうるものである。
）良い非晶質シリコンを使った密着型イメージセ／すが
連続して形成でき、実１余に試作したイメージセンサは
暗時の電荷保持特性はファクシミリの光に変換系として
十分たえうるものである。
また、光電変換効率は表面反射を除けば”はぼ１００％
に近く、光応答特性も０．５ｍＷ以下である密着型イメ
ージセンサが得られ、実用上十分な特性であることが確
認さｎている。
に近く、光応答特性も０．５ｍＷ以下である密着型イメ
ージセンサが得られ、実用上十分な特性であることが確
認さｎている。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
４１図は非晶質シリロ／を用いた密層型イメージセンサ
の断面回を、第２図は平面Ａをポすもので、透明ガラス
基板上１に４８Ａ４電映２としてｓｎｏ。
の断面回を、第２図は平面Ａをポすもので、透明ガラス
基板上１に４８Ａ４電映２としてｓｎｏ。
またはＩＴＯを遍さ６００ Ａ形成しさらに庶光欧３と
してＣｒｔ厚さ１００ＯＡ、：、ＪらにＡｕのフンタク
トパラ）４２厚さ５０００ Ａ形成する。次にこのｉ！
！Ｌ明導１！膜を含む域櫓を工、チング技術を用いて、
固別電極に分割し、セ／す基板構造にする。この固別＠
極のパターンはファクタｉりの使用により異なるが、通
常は８本／Ｕ程度である。このセンサー基板上に、Ｓ
ｉＨ，ＩＣＢ、 ）１，１ ；Ｊｉ ２５０ ｐｐｍ混
合されたガスを用いて、グロー放電分解によりｐ全力；
晶質シリ１ンＭ５を厚さ２０００＾形成し、つづ。、て
、８ ｉＨ，ｉＣｆ３． Ｈ，が２Ｑｐｐｍｍ合された
ガスを用いて、グロー放電分解により閥挺抗非晶質シリ
コン層６を厚さ２．５μｍｔｒ３成する。この時ｐｍ非
晶質シリコンの抵抗４は２×ｌＯΩ−ａ、高抵抗非晶質
シリコンノーの抵抗率は２×１０ Ω−礪 とｔる、さ
らに連親して８ｉ１（番とＮＨ，とＮ、 とをｌ：２
：２０の比で混合したガスを用いて形成した８ｉｓＮａ
Ｊｌ１７を厚さ２００人形成した後、ＡＩの共通電４８
を形成し、センナ構造にする。このようにして形成され
た、非晶質クリコノ臂着壇イメージセンナの特性は、光
電変換率７０％、光応答時間０．５ｍ１ａｌ、暗時にお
ける電荷保持時間１１Ｇであり、ファクタ１すの光電変
換系の特性を十分満足し。
してＣｒｔ厚さ１００ＯＡ、：、ＪらにＡｕのフンタク
トパラ）４２厚さ５０００ Ａ形成する。次にこのｉ！
！Ｌ明導１！膜を含む域櫓を工、チング技術を用いて、
固別電極に分割し、セ／す基板構造にする。この固別＠
極のパターンはファクタｉりの使用により異なるが、通
常は８本／Ｕ程度である。このセンサー基板上に、Ｓ
ｉＨ，ＩＣＢ、 ）１，１ ；Ｊｉ ２５０ ｐｐｍ混
合されたガスを用いて、グロー放電分解によりｐ全力；
晶質シリ１ンＭ５を厚さ２０００＾形成し、つづ。、て
、８ ｉＨ，ｉＣｆ３． Ｈ，が２Ｑｐｐｍｍ合された
ガスを用いて、グロー放電分解により閥挺抗非晶質シリ
コン層６を厚さ２．５μｍｔｒ３成する。この時ｐｍ非
晶質シリコンの抵抗４は２×ｌＯΩ−ａ、高抵抗非晶質
シリコンノーの抵抗率は２×１０ Ω−礪 とｔる、さ
らに連親して８ｉ１（番とＮＨ，とＮ、 とをｌ：２
：２０の比で混合したガスを用いて形成した８ｉｓＮａ
Ｊｌ１７を厚さ２００人形成した後、ＡＩの共通電４８
を形成し、センナ構造にする。このようにして形成され
た、非晶質クリコノ臂着壇イメージセンナの特性は、光
電変換率７０％、光応答時間０．５ｍ１ａｌ、暗時にお
ける電荷保持時間１１Ｇであり、ファクタ１すの光電変
換系の特性を十分満足し。
フッタシミリＯ小臘化に本発明が有効であることがわか
る。
る。
第１図は密着型イメージセンサーのｄ面図、第２図はモ
面図を示す１図中１はガラス基板、２１よ透明電極、３
は遍光用およびＪｇｉｌｌ、電極、４Ｆｉコンタクドパ
、ド、５は透ＷＡ１１１電体戚、６にに抵抗非晶質シＳ
ｌ：をン層、７はｐ１！１非晶質シリコン層。 ８社共通電極をそれぞれ示す。 Ｉｒ １ 記 才 ２ 起
面図を示す１図中１はガラス基板、２１よ透明電極、３
は遍光用およびＪｇｉｌｌ、電極、４Ｆｉコンタクドパ
、ド、５は透ＷＡ１１１電体戚、６にに抵抗非晶質シＳ
ｌ：をン層、７はｐ１！１非晶質シリコン層。 ８社共通電極をそれぞれ示す。 Ｉｒ １ 記 才 ２ 起
Claims (1)
- 島状の透明導′ｔｌＬｌ！を含む電極が複数４ａ並ぶ透
明基板上に、膜厚が１ｏｏＸ以上ｔｏｏｏｉ以下の透明
ｉ１’ｌｌＷＭと、膜厚が０．５μｍ以上２０μｍ以下
で、抵抗率が１０８０−一１ 以上の高抵抗非晶質シリ
コン族と、−厚が２００λ以上５ｏｏｏ Ｘ以下で抵抗
率が１０５Ω−１以上１０′１９−α以上１０１１Ω−
Ｇ以下のｐ全非晶質シリコン展とが順次積層されてしす
ることｔｌ−＃ｆ像とするイメージセンナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56160543A JPS5861662A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | イメ−ジセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56160543A JPS5861662A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | イメ−ジセンサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5861662A true JPS5861662A (ja) | 1983-04-12 |
Family
ID=15717252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56160543A Pending JPS5861662A (ja) | 1981-10-08 | 1981-10-08 | イメ−ジセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5861662A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129462A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光ラインセンサ |
| JPS59229880A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| JPS60247965A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| JPS61181158A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS625656A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | Nec Corp | Ｍｉｓ型非晶質シリコンホトダイオ−ドの駆動方法および読み取り装置 |
| JPS62159010A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 回転数検出装置 |
-
1981
- 1981-10-08 JP JP56160543A patent/JPS5861662A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59129462A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光ラインセンサ |
| JPS59229880A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 光電変換素子 |
| JPS60247965A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| JPS61181158A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Nec Corp | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS625656A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-12 | Nec Corp | Ｍｉｓ型非晶質シリコンホトダイオ−ドの駆動方法および読み取り装置 |
| JPS62159010A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | Fuji Electric Co Ltd | 回転数検出装置 |
| JPH0545123B2 (ja) * | 1986-01-07 | 1993-07-08 | Fuji Electric Co Ltd |
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