JPH0545123B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0545123B2 JPH0545123B2 JP61001017A JP101786A JPH0545123B2 JP H0545123 B2 JPH0545123 B2 JP H0545123B2 JP 61001017 A JP61001017 A JP 61001017A JP 101786 A JP101786 A JP 101786A JP H0545123 B2 JPH0545123 B2 JP H0545123B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- ωcm
- electrical conductivity
- sets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Transform (AREA)
Description
本発明は、電動機のような回転体の軸に直結さ
れた回転板の一方に配置された光源からの光が回
転板の光透過部を通つて反対側の基板上のそれぞ
れ２組の光検出部に属する逆並列接続された光起
電力素子を交互に照射することによつて回転体の
回転角度、回転位置、回転数などを検出する回転
数検出装置に関する。
れた回転板の一方に配置された光源からの光が回
転板の光透過部を通つて反対側の基板上のそれぞ
れ２組の光検出部に属する逆並列接続された光起
電力素子を交互に照射することによつて回転体の
回転角度、回転位置、回転数などを検出する回転
数検出装置に関する。
本出願人が特願昭58−156027号により特許出願
し、特開昭60−47916号公報により公知になつた
回転数検出装置は、複数の光透過部を設けた、軸
のまわりに回転可能な回転板と、該回転板に平行
に対向し、その対向する側に２組のそれぞれ光起
電力素子からなる複数の光検出部を逆並列接続し
て設けた光検出板と、前記回転板の反光検出板側
に配置された光源とを備えており、前記両組の一
つに属して隣接する光検出部はそれぞれ前記軸を
中心軸とする想定円筒と光検出板とが交つてなす
円を両組共通の等しい中心角をなして半径方向に
横切り、隣接する前記光透過部は各組の光検出部
に対する前記想定円筒と回転板とが交つてなす円
を前記中心角と等しいかまたはその整数倍の中心
角をなして横切り、前記光源は一つの組の光検出
部のうち二つ以上に対応する光透過部を同時に照
射でき、光透過部の同時透過数と各組の光検出部
の全数の少なくとも一方が全周にわたつて存在
し、光透過部および光検出部は回転板の回転時に
各組の光検出部が交互に光によつて照射されるよ
うに配置されている構造を有する。このような回
転数検出装置は、例えば第２図に示すように回転
数を検出すべき電動機１１の軸１２にエンコーダ
１３が連結され、複数の発光ダイオード１４から
水平方向に出た光が鏡１５によつて反射し、エン
コーダ１３の穴１６を通つて光検出板１上の受光
素子２を照射する。光検出板１の上には第３図に
示すように２組の光検出部の受光素子の上面透明
電極３１，３２が互いに噛み合う櫛の歯状に配置
されている。受光素子を通常の水素化アモルフア
スシリコン膜（以下ａ−Si：Ｈと略す）で構成す
る場合、第１図に示すように導電性基板１０上に
ｐまたはｎ型のａ−Si：Ｈ層２１、真性ｉのａ−
Si：Ｈ層２２、ｎまたはｐ型のａ−Si：Ｈ層２３
を積層し、その上に透明電極３１，３２を形成す
る。しかしこの場合透明電極３１，３２間に、光
入射側のドーピング層２３のａ−Si：Ｈ膜の電気
伝導度により導通現象が生じ、互いに電気的に絶
縁されていなければならない透明電極３１，３２
間が短絡状態となり、一方の光検出部の光起電力
信号が他方の光検出部の透明電極から出るという
基本的な欠点があつた。この傾向は透明電極３
１，３２間の間隙が狭くなればなるほど強く現
れ、間隙を50μm以下にした場合回転数検出装置
としての機能が不安定、不確実となつている。
し、特開昭60−47916号公報により公知になつた
回転数検出装置は、複数の光透過部を設けた、軸
のまわりに回転可能な回転板と、該回転板に平行
に対向し、その対向する側に２組のそれぞれ光起
電力素子からなる複数の光検出部を逆並列接続し
て設けた光検出板と、前記回転板の反光検出板側
に配置された光源とを備えており、前記両組の一
つに属して隣接する光検出部はそれぞれ前記軸を
中心軸とする想定円筒と光検出板とが交つてなす
円を両組共通の等しい中心角をなして半径方向に
横切り、隣接する前記光透過部は各組の光検出部
に対する前記想定円筒と回転板とが交つてなす円
を前記中心角と等しいかまたはその整数倍の中心
角をなして横切り、前記光源は一つの組の光検出
部のうち二つ以上に対応する光透過部を同時に照
射でき、光透過部の同時透過数と各組の光検出部
の全数の少なくとも一方が全周にわたつて存在
し、光透過部および光検出部は回転板の回転時に
各組の光検出部が交互に光によつて照射されるよ
うに配置されている構造を有する。このような回
転数検出装置は、例えば第２図に示すように回転
数を検出すべき電動機１１の軸１２にエンコーダ
１３が連結され、複数の発光ダイオード１４から
水平方向に出た光が鏡１５によつて反射し、エン
コーダ１３の穴１６を通つて光検出板１上の受光
素子２を照射する。光検出板１の上には第３図に
示すように２組の光検出部の受光素子の上面透明
電極３１，３２が互いに噛み合う櫛の歯状に配置
されている。受光素子を通常の水素化アモルフア
スシリコン膜（以下ａ−Si：Ｈと略す）で構成す
る場合、第１図に示すように導電性基板１０上に
ｐまたはｎ型のａ−Si：Ｈ層２１、真性ｉのａ−
Si：Ｈ層２２、ｎまたはｐ型のａ−Si：Ｈ層２３
を積層し、その上に透明電極３１，３２を形成す
る。しかしこの場合透明電極３１，３２間に、光
入射側のドーピング層２３のａ−Si：Ｈ膜の電気
伝導度により導通現象が生じ、互いに電気的に絶
縁されていなければならない透明電極３１，３２
間が短絡状態となり、一方の光検出部の光起電力
信号が他方の光検出部の透明電極から出るという
基本的な欠点があつた。この傾向は透明電極３
１，３２間の間隙が狭くなればなるほど強く現
れ、間隙を50μm以下にした場合回転数検出装置
としての機能が不安定、不確実となつている。
本発明は、上述の欠点を除いて同一基板上に形
成された２組の光検出部にそれぞれ属するアモル
フアスシリコン光起電力素子の光入射側の電極を
近接して配置した場合も安定性のある、高精度の
回転数検出装置を提供することを目的とする。
成された２組の光検出部にそれぞれ属するアモル
フアスシリコン光起電力素子の光入射側の電極を
近接して配置した場合も安定性のある、高精度の
回転数検出装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、pin接合を有するアモルフア
スシリコン光起電力素子の光入射側のドーピング
層の電気伝導度を10-5（Ωcm）-1以下、10-10（Ω
cm）-1以上とすることにより、電極の近接に伴う
電極間の抵抗の低下を補つて短絡状態を防止し、
上記の目的を達成することができる。
スシリコン光起電力素子の光入射側のドーピング
層の電気伝導度を10-5（Ωcm）-1以下、10-10（Ω
cm）-1以上とすることにより、電極の近接に伴う
電極間の抵抗の低下を補つて短絡状態を防止し、
上記の目的を達成することができる。
以下第１図を引用して本発明の一実施例につい
て説明する。導電性基板１０上にSiH4等シラン
系ガスをプラズマCVD法などにより、ｐ型のａ
−Si：Ｈ膜２１、真性のａ−Si：Ｈ膜２２をそれ
ぞれ所定の膜厚にて成膜する。次いでｎ型のａ−
Si：Ｈ膜２３を形成する際、その膜の電気伝導度
が10-5（Ωcm）-1以下となるように成膜する。ｎ型
の膜を高抵抗化するためには、ｎ型のａ−Si：Ｈ
膜中に炭素、窒素、酸素のいずれを添加してもよ
い。一例としてｎ型の膜を炭素によつて高抵抗化
する方法について述べると、原料ガスにはSiH4
とPH3に加え、炭素源として炭化水素系のガスを
導入し、プラズマCVD法によりグロー放電分解
することにより、炭素を含んだｎ型のアモルフア
スシリコン（ａ−Si：Ｃ：Ｈ）膜ができる。この
膜は膜中の炭素含有量により電気伝導度を広い範
囲で制御することができ、ａ−Si：Ｃ：Ｈ膜中の
炭素濃度が５％，10％，15％のとき、その電気伝
導度は10-5，10-6，10-7（Ωcm）-1となる。一方ｎ
型のａ−Si：Ｈ層の高抵抗化は無制限であるわけ
ではなく、10-10（Ωcm）-1以下の電気伝導度とす
ると、太陽電池の直列抵抗成分が増大し、充分な
出力を得ることがむづかしくなる。したがつてｎ
型膜の電気伝導度を10-5〜10-10（Ωcm）-1、好ま
しくは10-6〜10-9（Ωcm）-1の範囲となるように成
膜条件を設定してｎ型膜２３を構成し、アモルフ
アスシリコン光起電力素子を形成する。 また先に述べたように、窒素あるいは酸素をｎ
膜中に添加しても炭素の場合と同様のことが可能
で、その電気伝導度はやはり10-5〜10-10（Ωcm）-
１範囲で良好な結果を得ることができる。 ａ−Si：Ｈ層が基板側からnip構造を有する場
合にはｐ型ａ−Si：Ｈ膜の電気伝導度を同様に調
整すればよい。
て説明する。導電性基板１０上にSiH4等シラン
系ガスをプラズマCVD法などにより、ｐ型のａ
−Si：Ｈ膜２１、真性のａ−Si：Ｈ膜２２をそれ
ぞれ所定の膜厚にて成膜する。次いでｎ型のａ−
Si：Ｈ膜２３を形成する際、その膜の電気伝導度
が10-5（Ωcm）-1以下となるように成膜する。ｎ型
の膜を高抵抗化するためには、ｎ型のａ−Si：Ｈ
膜中に炭素、窒素、酸素のいずれを添加してもよ
い。一例としてｎ型の膜を炭素によつて高抵抗化
する方法について述べると、原料ガスにはSiH4
とPH3に加え、炭素源として炭化水素系のガスを
導入し、プラズマCVD法によりグロー放電分解
することにより、炭素を含んだｎ型のアモルフア
スシリコン（ａ−Si：Ｃ：Ｈ）膜ができる。この
膜は膜中の炭素含有量により電気伝導度を広い範
囲で制御することができ、ａ−Si：Ｃ：Ｈ膜中の
炭素濃度が５％，10％，15％のとき、その電気伝
導度は10-5，10-6，10-7（Ωcm）-1となる。一方ｎ
型のａ−Si：Ｈ層の高抵抗化は無制限であるわけ
ではなく、10-10（Ωcm）-1以下の電気伝導度とす
ると、太陽電池の直列抵抗成分が増大し、充分な
出力を得ることがむづかしくなる。したがつてｎ
型膜の電気伝導度を10-5〜10-10（Ωcm）-1、好ま
しくは10-6〜10-9（Ωcm）-1の範囲となるように成
膜条件を設定してｎ型膜２３を構成し、アモルフ
アスシリコン光起電力素子を形成する。 また先に述べたように、窒素あるいは酸素をｎ
膜中に添加しても炭素の場合と同様のことが可能
で、その電気伝導度はやはり10-5〜10-10（Ωcm）-
１範囲で良好な結果を得ることができる。 ａ−Si：Ｈ層が基板側からnip構造を有する場
合にはｐ型ａ−Si：Ｈ膜の電気伝導度を同様に調
整すればよい。
本発明は、エンコーダの穴を通じて交互に光が
入射する２組の光検出部に属する光起電力素子を
アモルフアスシリコン層を用いて形成する場合
に、光入射側の透明電極に接するドーピング層の
電気伝導度を従来の10-3〜10-4（Ωcm）-1から10-5
〜10-10（Ωcm）-1と高抵抗化するものである。こ
れによりドーピング層を介して透明電極間に流れ
るもれ電流を小さくし、２組の光検出部に属する
光起電力素子を絶縁状態にすることにより、透明
電極を微細な櫛歯状に近接させても、光起電力素
子に達する光の信号のオン、オフによつて生ずる
電気信号の相違が明確で、安定性、精度の向上し
た回転数検出装置を得ることができる。
入射する２組の光検出部に属する光起電力素子を
アモルフアスシリコン層を用いて形成する場合
に、光入射側の透明電極に接するドーピング層の
電気伝導度を従来の10-3〜10-4（Ωcm）-1から10-5
〜10-10（Ωcm）-1と高抵抗化するものである。こ
れによりドーピング層を介して透明電極間に流れ
るもれ電流を小さくし、２組の光検出部に属する
光起電力素子を絶縁状態にすることにより、透明
電極を微細な櫛歯状に近接させても、光起電力素
子に達する光の信号のオン、オフによつて生ずる
電気信号の相違が明確で、安定性、精度の向上し
た回転数検出装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の光起電力素子部の
構造を示す斜視図、第２図は本発明の実施の対象
となる回転数検出装置の断面図、第３図はその光
検出板の平面図である。 １０……導電性基板、２１……ｐ（ｎ）ａ−
Si：Ｈ膜、２２……ia−Si：Ｈ膜、２３……ｎ
（ｐ）ａ−Si：Ｈ膜、３１，３２……透明電極。
構造を示す斜視図、第２図は本発明の実施の対象
となる回転数検出装置の断面図、第３図はその光
検出板の平面図である。 １０……導電性基板、２１……ｐ（ｎ）ａ−
Si：Ｈ膜、２２……ia−Si：Ｈ膜、２３……ｎ
（ｐ）ａ−Si：Ｈ膜、３１，３２……透明電極。
Claims (1)
- １ 回転板の一方に配置された光源からの光が回
転板の光透過部を通つて反対側の基板上のそれぞ
れ２組の光検出部に属する逆並列接続されたアモ
ルフアスシリコンのpin接合を有する光起電力素
子を交互に照射するものにおいて、光起電力素子
の光入射側のドーピング層の電気伝導度が10-5
（Ωcm）-1以下、10-10（Ωcm）-1以上であることを
特徴とする回転数検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001017A JPS62159010A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 回転数検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001017A JPS62159010A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 回転数検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159010A JPS62159010A (ja) | 1987-07-15 |
| JPH0545123B2 true JPH0545123B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=11489799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61001017A Granted JPS62159010A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 回転数検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159010A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS6047916A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 回転数検出装置 |
-
1986
- 1986-01-07 JP JP61001017A patent/JPS62159010A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS6047916A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 回転数検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62159010A (ja) | 1987-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU8001487A (en) | Heterojunction p-i-n photovoltaic cell | |
| JPS6047917A (ja) | 回転角度検出装置 | |
| US4649409A (en) | Photoelectric transducer element | |
| GB2137810A (en) | A solar cell of amorphous silicon | |
| JPH0545123B2 (ja) | ||
| US5053844A (en) | Amorphous silicon photosensor | |
| US5035753A (en) | Photoelectric conversion device | |
| JP2566910B2 (ja) | 平面センサ− | |
| JPS6266684A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| US4734379A (en) | Method of manufacture of solar battery | |
| JP2658175B2 (ja) | 半導体位置センサ | |
| JPS6260820B2 (ja) | ||
| JPH021865Y2 (ja) | ||
| JPH021866Y2 (ja) | ||
| JPH09246578A (ja) | 光起電力素子 | |
| GB2166289A (en) | Colour sensitive photodetector | |
| JPS59212713A (ja) | 回転角度検出装置 | |
| JPH0766447A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2628034B2 (ja) | アモルファスシリコンｐｉｎダイオードの製造法 | |
| JPS62189763A (ja) | 太陽電池セル | |
| JPH0820210B2 (ja) | 光位置検出素子 | |
| JP2661689B2 (ja) | 光センサ | |
| JP2596419B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS61127167A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JPS61290778A (ja) | 光電変換素子 |