JPH0820210B2 - 光位置検出素子 - Google Patents
光位置検出素子Info
- Publication number
- JPH0820210B2 JPH0820210B2 JP17510886A JP17510886A JPH0820210B2 JP H0820210 B2 JPH0820210 B2 JP H0820210B2 JP 17510886 A JP17510886 A JP 17510886A JP 17510886 A JP17510886 A JP 17510886A JP H0820210 B2 JPH0820210 B2 JP H0820210B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance layer
- optical position
- detecting element
- position detecting
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光位置検出素子に関するものである。
（従来の技術） 従来入力される光位置検出素子としては例えば第４図
に示すようなものがある。同図に示されるようにこの光
位置検出素子はガラスから成る基板１の上に透明抵抗層
３を形成し、その上にpin形太陽電池５を形成し、その
上に透明抵抗層７を形成し、さらにアルミニウムから成
る金属電極9,11を透明抵抗層3,7上に形成する。
に示すようなものがある。同図に示されるようにこの光
位置検出素子はガラスから成る基板１の上に透明抵抗層
３を形成し、その上にpin形太陽電池５を形成し、その
上に透明抵抗層７を形成し、さらにアルミニウムから成
る金属電極9,11を透明抵抗層3,7上に形成する。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらこのような光位置検出素子ではpin型太
陽電池５を有しておりこのpin型太陽電池５は内部にｐ
層とｎ層を有する３層構造であるので構造が複雑であり
又、製造にも時間を要するという問題があった。
陽電池５を有しておりこのpin型太陽電池５は内部にｐ
層とｎ層を有する３層構造であるので構造が複雑であり
又、製造にも時間を要するという問題があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものでそ
の目的とするところは構造が簡単な光位置検出素子を提
供することにある。
の目的とするところは構造が簡単な光位置検出素子を提
供することにある。
（問題点を解決するための手段） 前記目的を達成するために本発明はアモルファスシリ
コン真性半導体膜の上下面に少なくとも一方が透明抵抗
層からなる抵抗層をそれぞれ形成し、前記２つの抵抗層
に夫々電極を設けることを特徴とする。
コン真性半導体膜の上下面に少なくとも一方が透明抵抗
層からなる抵抗層をそれぞれ形成し、前記２つの抵抗層
に夫々電極を設けることを特徴とする。
すなわち本発明では、アモルファスシリコン真性半導
体膜と、前記アモルファスシリコン真性半導体膜の両面
に形成された抵抗層と、前記抵抗層の１方の両端に相対
向するように形成された第１の電極対と、前記抵抗層の
他の１方の両端に前記第１の電極対と直交するとともに
相対向するように形成された第２の電極対とを具備し、
前記第１および第２の電極対の間に電圧を印加し、前記
第１および第２の電極対の各電極に流れる電流の比から
各抵抗層上の位置を検出するようにしたことを特徴とす
る （作用） 本発明は、ｉ層のみで光電変換層が構成されており、
絶縁性を具備し、光が照射されたときのみその点でｉ層
両面に形成された抵抗層が導通状態になって、各抵抗層
を介して電流が流れることに着目し、各抵抗層に互いに
直交する方向に電極対を配設し、両電極対の各電極を流
れる電流の比によって光照射点の２次元位置を検出する
ことができるものである。
体膜と、前記アモルファスシリコン真性半導体膜の両面
に形成された抵抗層と、前記抵抗層の１方の両端に相対
向するように形成された第１の電極対と、前記抵抗層の
他の１方の両端に前記第１の電極対と直交するとともに
相対向するように形成された第２の電極対とを具備し、
前記第１および第２の電極対の間に電圧を印加し、前記
第１および第２の電極対の各電極に流れる電流の比から
各抵抗層上の位置を検出するようにしたことを特徴とす
る （作用） 本発明は、ｉ層のみで光電変換層が構成されており、
絶縁性を具備し、光が照射されたときのみその点でｉ層
両面に形成された抵抗層が導通状態になって、各抵抗層
を介して電流が流れることに着目し、各抵抗層に互いに
直交する方向に電極対を配設し、両電極対の各電極を流
れる電流の比によって光照射点の２次元位置を検出する
ことができるものである。
かかる構成によれば、構成が簡単でかつ容易に１個の
検出素子で２次元の位置検出が可能となる。
検出素子で２次元の位置検出が可能となる。
すなわち、この光位置検出素子は２つの抵抗層の間に
アモルファスシリコン真性半導体膜を形成しておりこの
アモルファスシリコン真性半導体膜は一層であるので、
この光位置検出素子の構造が簡単となる。
アモルファスシリコン真性半導体膜を形成しておりこの
アモルファスシリコン真性半導体膜は一層であるので、
この光位置検出素子の構造が簡単となる。
（実施例） 以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明す
る。第１図は本実施例に係る光位置検出素子の形成過程
を示すもので形成中の光位置検出素子の平面図を示して
いる。第１図（ａ）に示すようにガラスから成る基板１
上に下面透明抵抗層３を形成する。次に第１図（ｂ）に
示すようにこの上にアモルファスシリコン真性半導体膜
13を形成する。次に第１図（ｃ）に示すように上面透明
抵抗層７を形成する。さらに第１図（ｄ）に示すように
上面透明抵抗層７及び下面透明抵抗層３に夫々電極11a,
11b,9a,9bを形成する。
る。第１図は本実施例に係る光位置検出素子の形成過程
を示すもので形成中の光位置検出素子の平面図を示して
いる。第１図（ａ）に示すようにガラスから成る基板１
上に下面透明抵抗層３を形成する。次に第１図（ｂ）に
示すようにこの上にアモルファスシリコン真性半導体膜
13を形成する。次に第１図（ｃ）に示すように上面透明
抵抗層７を形成する。さらに第１図（ｄ）に示すように
上面透明抵抗層７及び下面透明抵抗層３に夫々電極11a,
11b,9a,9bを形成する。
第２図はこの光位置検出素子の第１図（ｄ）のＡ−Ａ
による断面図である。このようにして本実施例に係る光
位置検出素子が形成される。
による断面図である。このようにして本実施例に係る光
位置検出素子が形成される。
従って本実施例によれば下面透明抵抗層３を上面透明
抵抗層７の間には一層のアモルファスシリコン真性半導
体膜13を形成するだけでよく、従来のように三層のpin
型太陽電池を用いることがなくなったので光位置検出素
子の構成を簡単にすることができ製造時間等の短縮を図
ることができる。
抵抗層７の間には一層のアモルファスシリコン真性半導
体膜13を形成するだけでよく、従来のように三層のpin
型太陽電池を用いることがなくなったので光位置検出素
子の構成を簡単にすることができ製造時間等の短縮を図
ることができる。
第３図はこの光位置検出素子による光点検出の原理を
示すものである。簡単のために同図においては上面透明
抵抗層7,アモルファスシリコン真性半導体膜13,下面透
明抵抗層３は一体化してある。上面透明抵抗層７の電極
11a,11bには等しい正の電圧が加えられ下面透明抵抗層
３の電極9a,9bには等しい負の電圧が加えられるか、あ
るいはアースされる。
示すものである。簡単のために同図においては上面透明
抵抗層7,アモルファスシリコン真性半導体膜13,下面透
明抵抗層３は一体化してある。上面透明抵抗層７の電極
11a,11bには等しい正の電圧が加えられ下面透明抵抗層
３の電極9a,9bには等しい負の電圧が加えられるか、あ
るいはアースされる。
上面透明抵抗層７の点Ｂにスポット光が入射するとア
モルファスシリコン真性半導体膜13の電気抵抗が下がり
電気伝導度が上がるので上面抵抗層７と下面透明抵抗層
３とが点Ｂを含む鉛直軸上でショート状態になる。この
鉛直軸が下面透明抵抗層を貫く点Ｃとする。
モルファスシリコン真性半導体膜13の電気抵抗が下がり
電気伝導度が上がるので上面抵抗層７と下面透明抵抗層
３とが点Ｂを含む鉛直軸上でショート状態になる。この
鉛直軸が下面透明抵抗層を貫く点Ｃとする。
この結果電極11a,11bから上面透明抵抗層７上で点Ａ
に向かって電極Ix1,Ix2が流れ込み下面透明抵抗層３上
で点Ｃから電極9a,9bに向けて電極Iy1,Iy2が流れ出す。
に向かって電極Ix1,Ix2が流れ込み下面透明抵抗層３上
で点Ｃから電極9a,9bに向けて電極Iy1,Iy2が流れ出す。
電流Ix1,Ix2の比は電極11a,11bから点Ｂに到るまでの
抵抗値の逆比であるので次式が成立する。
抵抗値の逆比であるので次式が成立する。
Ix1／Ix2＝l/k ……（１） 但しk,lは電極11a,11bから点Ｂに到るまでの距離を表
わす。同様に下面透明抵抗層３上で次式が成立する。
わす。同様に下面透明抵抗層３上で次式が成立する。
Iy1／Iy2＝n/m ……（２） 但しm,nは電極9a,9bから点Ｃに到るまでの距離表わ
す。
す。
従って第（１）式及び第（２）式により電流値Ix1,I
x2，Iy1,Iy2を測定することにより点Ｂのｘ座標及びｙ
座標が検出される。なぜならｋ＋ｌは既知でありｍ＋ｎ
も既知であるからである。
x2，Iy1,Iy2を測定することにより点Ｂのｘ座標及びｙ
座標が検出される。なぜならｋ＋ｌは既知でありｍ＋ｎ
も既知であるからである。
なお入射光を透過させる必要がない場合は、入射表面
となる抵抗層のみを透明抵抗層とすればよい。
となる抵抗層のみを透明抵抗層とすればよい。
以上詳細に説明したように本発明によれば光位置検出
素子の構造を簡単にすることができ製造時間の短縮及び
製造コストの低減を図ることができる。
素子の構造を簡単にすることができ製造時間の短縮及び
製造コストの低減を図ることができる。
第１図は本実施例に係る光位置検出素子の製造過程を示
す図であり、各過程における光位置検出素子の平面図で
ある。第２図はこの光位置検出素子の断面図、第３図は
光点検出の原理図、第４図は従来の光位置検出素子の断
面図である。 ３……下面透明抵抗層、７……上面透明抵抗層、9a,9b,
11a,11b……電極、13……アモルファスシリコン真性半
導体膜。
す図であり、各過程における光位置検出素子の平面図で
ある。第２図はこの光位置検出素子の断面図、第３図は
光点検出の原理図、第４図は従来の光位置検出素子の断
面図である。 ３……下面透明抵抗層、７……上面透明抵抗層、9a,9b,
11a,11b……電極、13……アモルファスシリコン真性半
導体膜。
Claims (1)
- 【請求項１】アモルファスシリコン真性半導体膜と、 前記アモルファスシリコン真性半導体膜の両面に形成さ
れた抵抗層と、 前記抵抗層の１方の両端に相対向するように形成された
第１の電極対と、 前記抵抗層の他の１方の両端に前記第１の電極対と直交
するとともに相対向するように形成された第２の電極対
とを具備し、 前記第１および第２の電極対の間に電圧を印加し、前記
第１および第２の電極対の各電極に流れる電極の比から
各抵抗層上の位置を検出するようにしたことを特徴とす
る光位置検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17510886A JPH0820210B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光位置検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17510886A JPH0820210B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光位置検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6332305A JPS6332305A (ja) | 1988-02-12 |
| JPH0820210B2 true JPH0820210B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15990402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17510886A Expired - Lifetime JPH0820210B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光位置検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820210B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0691568B2 (ja) * | 1988-07-07 | 1994-11-14 | シャープ株式会社 | 自動ダイヤル装置 |
| JPH02135851A (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電話装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61132812A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-20 | Nippon Denso Co Ltd | 変位検出装置 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP17510886A patent/JPH0820210B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6332305A (ja) | 1988-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5950579A (ja) | 半導体光位置検出器 | |
| CN104282771B (zh) | 背面接触型太阳能电池 | |
| JPH0820210B2 (ja) | 光位置検出素子 | |
| JPH05335618A (ja) | 光位置検出半導体装置 | |
| US5035753A (en) | Photoelectric conversion device | |
| JP2514924B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JP2545144Y2 (ja) | 半導体光位置検出器 | |
| JP2869133B2 (ja) | 光電変換素子及び光起電力装置 | |
| JPH0328522Y2 (ja) | ||
| JP3469061B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH0536283Y2 (ja) | ||
| JPS63222469A (ja) | 積層型光起電力素子 | |
| JP2596419B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH01289178A (ja) | 半導体位置センサ | |
| JPH03132080A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0770754B2 (ja) | 半導体光位置検出器における抵抗層の形成方法 | |
| JPH021866Y2 (ja) | ||
| JP2572389B2 (ja) | 高速応答光位置検出器 | |
| JPH04241458A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPS63164281A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS5923572A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS61129509A (ja) | 半導体光位置検出器 | |
| JPS63226077A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS63164280A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH0555010U (ja) | 半導体光位置検出器 |