JP2596419B2 - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
- Publication number
- JP2596419B2 JP2596419B2 JP61284993A JP28499386A JP2596419B2 JP 2596419 B2 JP2596419 B2 JP 2596419B2 JP 61284993 A JP61284993 A JP 61284993A JP 28499386 A JP28499386 A JP 28499386A JP 2596419 B2 JP2596419 B2 JP 2596419B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- conductive layer
- amorphous semiconductor
- output terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はアモルファス半導体層の光起電力効果を利用
した位置検出装置に関する。
した位置検出装置に関する。
（発明の背景） 現在、アモルファス半導体が有する優れた物性的、工
業的特徴を生かし、これらを光センサーに応用すること
が活発に行われている。
業的特徴を生かし、これらを光センサーに応用すること
が活発に行われている。
アモルファス半導体の光起電力効果を利用する光セン
サーにはフォトダイオードやカラーセンサー等があり、
光導電効果を利用する光センサーにはフォトコンセル、
一次元光センサーアレイや感光体ドラム等がある。
サーにはフォトダイオードやカラーセンサー等があり、
光導電効果を利用する光センサーにはフォトコンセル、
一次元光センサーアレイや感光体ドラム等がある。
このうち光起電力効果を利用したフォトダイオード
は、第４図に示すように、ガラス基板91上に透明導電膜
92、Ｐ−Ｉ−Ｎ接合したアモルファス半導体層93、裏面
電極94が順次被着形成されている。
は、第４図に示すように、ガラス基板91上に透明導電膜
92、Ｐ−Ｉ−Ｎ接合したアモルファス半導体層93、裏面
電極94が順次被着形成されている。
そして、今、アモルファス半導体層93の禁制帯幅εｇ
よりも大きなエネルギーをもつ光がガラス基板91側より
入射されると、価電子帯の電子が伝導帯に上げられ、Ｐ
−Ｉ、Ｉ−Ｎの接合部の電界によって電子はｎ層へ、正
孔はＰ層へ運ばれる。
よりも大きなエネルギーをもつ光がガラス基板91側より
入射されると、価電子帯の電子が伝導帯に上げられ、Ｐ
−Ｉ、Ｉ−Ｎの接合部の電界によって電子はｎ層へ、正
孔はＰ層へ運ばれる。
この場合、透明導電膜92と裏面電極94が開放状態であ
れば、フェルミ準位の差により開放電圧VOCを得ること
ができる。
れば、フェルミ準位の差により開放電圧VOCを得ること
ができる。
また透明導電膜92と裏面電極94とが短絡状態であれば
フェルミ準位は一致し短絡電流ISCが両電極92,94間に流
れる。
フェルミ準位は一致し短絡電流ISCが両電極92,94間に流
れる。
この短絡電流は入射光量と受光面積とに比例する。そ
こでＰ−Ｉ−Ｎ接合したフォトダイオードはその両電極
92,94に小さい負荷抵抗を接続して、そこに流れる短絡
電流ISCを測定する。
こでＰ−Ｉ−Ｎ接合したフォトダイオードはその両電極
92,94に小さい負荷抵抗を接続して、そこに流れる短絡
電流ISCを測定する。
従来の光起電力効果を利用した光センサーは光の強度
や特定の波長光の光強度を検出するものであり、アモル
ファス半導体層93上の任意の点に光照射された位置を検
出する光センサーが達成されるに至らなかった。
や特定の波長光の光強度を検出するものであり、アモル
ファス半導体層93上の任意の点に光照射された位置を検
出する光センサーが達成されるに至らなかった。
（本発明の目的） 本発明の目的は、アモルファス半導体層の任意点に照
射される光の位置検出を感度良好に行うとともに、生産
性にも優れた位置検出装置を提供することにある。
射される光の位置検出を感度良好に行うとともに、生産
性にも優れた位置検出装置を提供することにある。
（目的を達成するための具体的な手段） 上述の目的を達成するために、本発明の位置検出装置
は、受光面電極層と、光の入射側よりアモルファスシリ
コンカーバイドから成るＰ層，厚さが7000〜10000Åの
Ｉ層，及びＮ層の順でＰ−Ｉ−Ｎ接合されたアモルファ
ス半導体層と、シート抵抗値が50〜200Ω／□の裏面電
極層とを順次積層して光電変換領域を構成し、該光電変
換領域に照射される光の照射位置を検出するように成し
た。
は、受光面電極層と、光の入射側よりアモルファスシリ
コンカーバイドから成るＰ層，厚さが7000〜10000Åの
Ｉ層，及びＮ層の順でＰ−Ｉ−Ｎ接合されたアモルファ
ス半導体層と、シート抵抗値が50〜200Ω／□の裏面電
極層とを順次積層して光電変換領域を構成し、該光電変
換領域に照射される光の照射位置を検出するように成し
た。
（実施例） 以下、本発明の位置検出装置を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明の位置検出装置の基本構造及び動作を
説明する概略図である。
説明する概略図である。
本発明の位置検出装置は、第１の導電層（受光面電極
層）２と、光の入射側よりアモルファスシリコンカーバ
イドから成るＰ層3p,I層3i,及びＮ層3nの順でＰ−Ｉ−
Ｎ接合されたアモルファス半導体層３と、第２の導電層
（裏面電極層）４とを順次積層して光電変換領域を構成
し、この光電変換領域に照射される光の照射位置を検出
するように成したものである。ここで、第１の導電層２
に流れる電流（実線矢印）を特定方向（Ｘ方向）に分離
して導出するために、第１の導電層２の端部に第１及び
第２の出力端子21,22を設け、さらに、第２の導電層４
に流れる電流（破線矢印）を前記特定方向と直交する方
向（Ｙ方向）に分離して導出するために、第２の導電層
４の端部に第３及び第４の出力端子41,42を設けてい
る。
層）２と、光の入射側よりアモルファスシリコンカーバ
イドから成るＰ層3p,I層3i,及びＮ層3nの順でＰ−Ｉ−
Ｎ接合されたアモルファス半導体層３と、第２の導電層
（裏面電極層）４とを順次積層して光電変換領域を構成
し、この光電変換領域に照射される光の照射位置を検出
するように成したものである。ここで、第１の導電層２
に流れる電流（実線矢印）を特定方向（Ｘ方向）に分離
して導出するために、第１の導電層２の端部に第１及び
第２の出力端子21,22を設け、さらに、第２の導電層４
に流れる電流（破線矢印）を前記特定方向と直交する方
向（Ｙ方向）に分離して導出するために、第２の導電層
４の端部に第３及び第４の出力端子41,42を設けてい
る。
今、ライトペンなどの光照射入力手段５によりアモル
ファス半導体層３の任意点に光照射されると、アモルフ
ァス半導体層３のＩ層3iで正孔及び電子が発生する。そ
して正孔はＰ層3pに、電子はＮ層3nに夫々運ばれ、第２
の導電層４、第１の導電層２間に短絡電流が流れる。
ファス半導体層３の任意点に光照射されると、アモルフ
ァス半導体層３のＩ層3iで正孔及び電子が発生する。そ
して正孔はＰ層3pに、電子はＮ層3nに夫々運ばれ、第２
の導電層４、第１の導電層２間に短絡電流が流れる。
この時、第１の導電層２に流れる電流はその導電層２
の両端部に設けた第１及び第２の出力端子21,22から導
出される。第１及び第２の出力端子21,22から導出され
る電流値Ix1,Ix2は光照射が行われた点０から両出力端
子21,22までの抵抗の比によって決定される。即ち、第
１の導電層２のシート抵抗が均一であれば、電流検出手
段71,72で検出される第１の出力端子21の電流値Ix1及び
第２の出力端子22の電流値Ix2を比較すれば光照射され
た点０のｘ方向の座標が求まる。
の両端部に設けた第１及び第２の出力端子21,22から導
出される。第１及び第２の出力端子21,22から導出され
る電流値Ix1,Ix2は光照射が行われた点０から両出力端
子21,22までの抵抗の比によって決定される。即ち、第
１の導電層２のシート抵抗が均一であれば、電流検出手
段71,72で検出される第１の出力端子21の電流値Ix1及び
第２の出力端子22の電流値Ix2を比較すれば光照射され
た点０のｘ方向の座標が求まる。
計算の一例を示す。
Ix1,Ix2の比を求め、これを位置信号P1とすれば、 （ただしＬ＝x1＋x2:Lは位置検出装置の大きさにより決
定される。） となり、光照射点０から第１の出力端子21までの距離x1
が求まる。
定される。） となり、光照射点０から第１の出力端子21までの距離x1
が求まる。
また、別の計算例を示す。
Ix1とIx2の差及び和をとり、この比を位置信号P2とす
れば （ただしＬ＝x1＋x2） が得られ、光照射点０から第１の出力端子21までの距離
x1が求まる。
れば （ただしＬ＝x1＋x2） が得られ、光照射点０から第１の出力端子21までの距離
x1が求まる。
同様に電流検出手段73,74で検出される第２の導電層
４の第３の出力端子41の電流値Iy1と、第４の出力端子4
2の電流値Iy2との比をとることにより、光照射された点
０のＹ方向の座標が求まる。即ち、前記２座標より、光
照射された点Ｏを検出できる。
４の第３の出力端子41の電流値Iy1と、第４の出力端子4
2の電流値Iy2との比をとることにより、光照射された点
０のＹ方向の座標が求まる。即ち、前記２座標より、光
照射された点Ｏを検出できる。
次に第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を用いて本発明の
位置検出装置の構造を説明する。
位置検出装置の構造を説明する。
位置検出装置は、透光性基板１と、該透光性基板１上
に被着形成した第１の導電層２と、第１の導電層２の所
定位置に被着形成したＰ−Ｉ−Ｎ接合したアモルファス
半導体層３と、該アモルファス半導体層３の所定位置に
被着形成した第２の導電層４と、該第２の導電層４上に
被着形成した裏面保護層６とから構成されている。尚、
第１及び第２の出力端子21,22は、第１の導電層２の両
端部から延出した出力端子パッド（以下単にパッドと記
す。）23,24上に被着形成されている。第３及び第４の
出力端子41,42は第１の導電層２を被着形成する際に第
１の導電層２と独立して形成されたパッド25,26部分に
まで延出した第２の導電層４上に被着形成されている。
に被着形成した第１の導電層２と、第１の導電層２の所
定位置に被着形成したＰ−Ｉ−Ｎ接合したアモルファス
半導体層３と、該アモルファス半導体層３の所定位置に
被着形成した第２の導電層４と、該第２の導電層４上に
被着形成した裏面保護層６とから構成されている。尚、
第１及び第２の出力端子21,22は、第１の導電層２の両
端部から延出した出力端子パッド（以下単にパッドと記
す。）23,24上に被着形成されている。第３及び第４の
出力端子41,42は第１の導電層２を被着形成する際に第
１の導電層２と独立して形成されたパッド25,26部分に
まで延出した第２の導電層４上に被着形成されている。
透光性基板１はガラス、耐熱性樹脂等で形成され、そ
の形状は矩形状を成している。
の形状は矩形状を成している。
第１の導電層２は金属酸化物、例えば酸化錫、酸化イ
ンジウム又はその合金等で形成され、位置検出エリアＥ
に相当する部分及び第１乃至第４の出力端子21,22,41,4
2が形成されるパッド23,24,25,26として被着形成されて
いる。第１及び第２の出力端子21,22が形成されるパッ
ド23,24は位置検出エリアＥ部分の第１の導電層２に延
出され、他のパッド25,26はレーザー照射、エッチン
グ、マスク操作により形成された第１及び第２の分離溝
81,82を介して独立して形成されている。第１の導電層
２は所定シート抵抗、例えば50〜200Ω／□となるよう
に、その材料、酸素の含有量及び膜厚が設定される。
ンジウム又はその合金等で形成され、位置検出エリアＥ
に相当する部分及び第１乃至第４の出力端子21,22,41,4
2が形成されるパッド23,24,25,26として被着形成されて
いる。第１及び第２の出力端子21,22が形成されるパッ
ド23,24は位置検出エリアＥ部分の第１の導電層２に延
出され、他のパッド25,26はレーザー照射、エッチン
グ、マスク操作により形成された第１及び第２の分離溝
81,82を介して独立して形成されている。第１の導電層
２は所定シート抵抗、例えば50〜200Ω／□となるよう
に、その材料、酸素の含有量及び膜厚が設定される。
アモルファス半導体層３は少なくとも第１の導電層２
から延出したパッド23,24を露出するように、第１の導
電層２上に被着形成される。アモルファス半導体層３は
光が入射する側からＰ層3p、Ｉ層3i、Ｎ層3nが重畳した
Ｐ−Ｉ−Ｎ接合が施されており、シリコンを主成分とし
Ｐ層3pにはドープ剤としてボロン等が、Ｎ層3nにはドー
プ剤としてリン等が混入されている。また特にｐ層3pに
アモルファスシリコンカーバイドを用いてＰ層3p中での
光吸収を小さくし、短絡電流を大幅に増加させ光照射に
よる感度を向上させている。さらに、入射される光の波
長が特定されていれば、該波長に応じた感度分布にする
ためにシリコン中にゲルマニウム、炭素、窒素、錫等を
所定量混入してもよい。アモルファス半導体層３はグロ
ー放電分解法、熱CVD法、スパッタリング法、光CVD法等
により形成され、Ｐ層3pの膜厚は50〜300Å、Ｉ層3iの
膜厚は5000〜15000Å、Ｎ層3nの膜厚は300〜700Åであ
る。
から延出したパッド23,24を露出するように、第１の導
電層２上に被着形成される。アモルファス半導体層３は
光が入射する側からＰ層3p、Ｉ層3i、Ｎ層3nが重畳した
Ｐ−Ｉ−Ｎ接合が施されており、シリコンを主成分とし
Ｐ層3pにはドープ剤としてボロン等が、Ｎ層3nにはドー
プ剤としてリン等が混入されている。また特にｐ層3pに
アモルファスシリコンカーバイドを用いてＰ層3p中での
光吸収を小さくし、短絡電流を大幅に増加させ光照射に
よる感度を向上させている。さらに、入射される光の波
長が特定されていれば、該波長に応じた感度分布にする
ためにシリコン中にゲルマニウム、炭素、窒素、錫等を
所定量混入してもよい。アモルファス半導体層３はグロ
ー放電分解法、熱CVD法、スパッタリング法、光CVD法等
により形成され、Ｐ層3pの膜厚は50〜300Å、Ｉ層3iの
膜厚は5000〜15000Å、Ｎ層3nの膜厚は300〜700Åであ
る。
第２の導電層４は金属又は金属酸化物等で形成され、
位置検出エリアＥに相当する部分及びそのエリアＥから
第３及び第４の出力端子41,42が形成されるパッド25,26
部分にまで延出する延出部43,44が形成されている。
位置検出エリアＥに相当する部分及びそのエリアＥから
第３及び第４の出力端子41,42が形成されるパッド25,26
部分にまで延出する延出部43,44が形成されている。
上記金属又は金属酸化物はアモルファス半導体層３、
特に接合するＮ層3nとオーミックコンタクトが可能であ
ること、シート抵抗値が均一でその値が50〜200Ω／□
の範囲で制御が容易であることが要求される。これを満
足するために、クロム、ニッケル、チタン又はその合金
や酸化錫、酸化インジウム又はその合金、例えば酸化イ
ンジウム・錫などが用いられ、そのシート抵抗値が50〜
200Ω／□となるように、所定厚さ200〜4000Åに設定さ
れる。
特に接合するＮ層3nとオーミックコンタクトが可能であ
ること、シート抵抗値が均一でその値が50〜200Ω／□
の範囲で制御が容易であることが要求される。これを満
足するために、クロム、ニッケル、チタン又はその合金
や酸化錫、酸化インジウム又はその合金、例えば酸化イ
ンジウム・錫などが用いられ、そのシート抵抗値が50〜
200Ω／□となるように、所定厚さ200〜4000Åに設定さ
れる。
第１乃至第４の出力端子21,22,41,42は夫々パッド23,
24,25,26上に位置されている。第１及び第２の出力端子
21,22は第１の導電層２から延出したパッド23,24上に形
成され、第１の導電層２に流れる電流をｘ方向に分離し
て導出するものである。第３及び第４の出力端子41,42
はパッド25,26上に延出した第２導電層４の延出部43,44
上に形成され、第２の導電層４に流れる電流をｙ方向に
分離して導出するものである。ここで、該出力端子21,2
2,41,42はその抵抗により導出する電流値が低下しない
ようにアルミニウム、ニッケル、チタン、クロム等の金
属材料を5000Å以上の膜厚に設定することが望ましい。
24,25,26上に位置されている。第１及び第２の出力端子
21,22は第１の導電層２から延出したパッド23,24上に形
成され、第１の導電層２に流れる電流をｘ方向に分離し
て導出するものである。第３及び第４の出力端子41,42
はパッド25,26上に延出した第２導電層４の延出部43,44
上に形成され、第２の導電層４に流れる電流をｙ方向に
分離して導出するものである。ここで、該出力端子21,2
2,41,42はその抵抗により導出する電流値が低下しない
ようにアルミニウム、ニッケル、チタン、クロム等の金
属材料を5000Å以上の膜厚に設定することが望ましい。
裏面保護層６は前記出力端子21,22,41,42を露出し
て、少なくとも位置検出エリアＥの第２導電層４上に被
着形成されている。裏面保護層６は裏面方向からの衝
撃、湿気等から前記構造体を保護すると同時に裏面側か
らの光を完全に遮断するために設けられている。例えば
裏面側に金属から成る第２の導電層を形成しても、その
膜が2000Å程度以下であれば光の入射は可能であり，ア
モルファス半導体層３に位置検出に誤差を与える電力が
発生してしまうのである。
て、少なくとも位置検出エリアＥの第２導電層４上に被
着形成されている。裏面保護層６は裏面方向からの衝
撃、湿気等から前記構造体を保護すると同時に裏面側か
らの光を完全に遮断するために設けられている。例えば
裏面側に金属から成る第２の導電層を形成しても、その
膜が2000Å程度以下であれば光の入射は可能であり，ア
モルファス半導体層３に位置検出に誤差を与える電力が
発生してしまうのである。
裏面保護層６はエポキシ樹脂等の絶縁樹脂に所定の顔
料を添加して被着形成されている。
料を添加して被着形成されている。
尚、７は出力端子21,22,41,42上に形成した半田層で
ある。半田層７は、出力端子21,22,41,42から導出され
るリード線（図示せず）が一箇所で半田接合されるた
め、出力端子21,22,41,42の長さによる抵抗をなくし、
半田接合を容易にするため半田浴中に浸漬することによ
って形成され、その厚みは0.5mm以上である。
ある。半田層７は、出力端子21,22,41,42から導出され
るリード線（図示せず）が一箇所で半田接合されるた
め、出力端子21,22,41,42の長さによる抵抗をなくし、
半田接合を容易にするため半田浴中に浸漬することによ
って形成され、その厚みは0.5mm以上である。
以上のような構成をした位置検出装置にライトペン等
の光照射入力手段５を用いて、光照射を行うと、第１乃
至第４の出力端子21,22,41,42に電流が流れ、それぞれ
の電流値Ix1,Ix2及びIy1,Iy2の比から光照射点０が検出
される。
の光照射入力手段５を用いて、光照射を行うと、第１乃
至第４の出力端子21,22,41,42に電流が流れ、それぞれ
の電流値Ix1,Ix2及びIy1,Iy2の比から光照射点０が検出
される。
ここで、光照射点０を検出するためには1mWの光強度
の光照射により、２出力端子の電流値、例えばIx1,Ix2
の和が0.07mA以上の出力が必要である。即ち、光強度に
対する出力電流値（以下光感度電流値と記す）が0.07A/
W以上である。
の光照射により、２出力端子の電流値、例えばIx1,Ix2
の和が0.07mA以上の出力が必要である。即ち、光強度に
対する出力電流値（以下光感度電流値と記す）が0.07A/
W以上である。
本発明のようにＩ層の厚みを7000〜10000Åに設定す
れば、光照射入力手段５の光照射点０を感度よく、かつ
生産性のよい位置検出装置が得られる。
れば、光照射入力手段５の光照射点０を感度よく、かつ
生産性のよい位置検出装置が得られる。
Ｉ層の膜厚は、他のアモルファス半導体層３のＰ層3
p、Ｎ層3nの10倍以上あるため、Ｉ層3iでの成膜時間に
よって位置検出装置の生産性を大きく左右する。
p、Ｎ層3nの10倍以上あるため、Ｉ層3iでの成膜時間に
よって位置検出装置の生産性を大きく左右する。
また光感度電流値はＩ層の厚さに比例して増加し、一
定厚さをピークとしてまた減少する。
定厚さをピークとしてまた減少する。
具体的には、光感度電流値を0.1A/W以上とするため
に、Ｉ層3iでの厚みを7000〜10000Åとしている。
に、Ｉ層3iでの厚みを7000〜10000Åとしている。
第３図は本発明の位置検出装置をコンピュータの入力
タブレットとして使用した状態の外観図である。
タブレットとして使用した状態の外観図である。
図において10は本発明の位置検出装置を組み込んだ入
力タブレットであり、５は光照射入力手段であり、11は
コンピュータ本体であり、12はコンピュータの出力表示
装置である。
力タブレットであり、５は光照射入力手段であり、11は
コンピュータ本体であり、12はコンピュータの出力表示
装置である。
入力タブレット10の位置検出エリアＥは出力表示装置
12のディスプレイの画面Ｄに対応させれば図案等のグラ
フィック入力が極めて容易となる。
12のディスプレイの画面Ｄに対応させれば図案等のグラ
フィック入力が極めて容易となる。
例えば、画面Ｄのｘ方向の画素が640画素、ｙ方向の
画素が400画素であれば、位置検出装置でｘ軸方向に分
離して検出された電流値Ix1,Ix2の比較値を640分するよ
うに量子化すればよい。またｙ軸方向に関しても同様で
ある。
画素が400画素であれば、位置検出装置でｘ軸方向に分
離して検出された電流値Ix1,Ix2の比較値を640分するよ
うに量子化すればよい。またｙ軸方向に関しても同様で
ある。
このようにして光照射入力手段５で位置検出エリアＥ
上をなぞるようにして光照射を行うだけでコンピュータ
に所定情報が入力される。
上をなぞるようにして光照射を行うだけでコンピュータ
に所定情報が入力される。
本発明の位置検出装置によれば、特にアモルファス半
導体層のＮ層に接する裏面電極層のシート抵抗値を50〜
200Ω／□の最適範囲としたので、裏面電極層とアモル
ファス半導体層のＮ層とがオーミックコンタクトとな
り、これにより位置検出を精度よく良好に行うことがで
きる。
導体層のＮ層に接する裏面電極層のシート抵抗値を50〜
200Ω／□の最適範囲としたので、裏面電極層とアモル
ファス半導体層のＮ層とがオーミックコンタクトとな
り、これにより位置検出を精度よく良好に行うことがで
きる。
また、Ｐ層がアモルファスシリコンカーバイドから成
るので、Ｐ層中の光吸収を小さくすることができ、短絡
電流を大幅に増加させて光感度を向上させることができ
る。
るので、Ｐ層中の光吸収を小さくすることができ、短絡
電流を大幅に増加させて光感度を向上させることができ
る。
さらに、Ｉ層の厚みを7000〜10000Åの最適範囲とし
たので、光感度電流を0.1A/W以上にすることができるだ
けでなく、生産性を大きく左右するＩ層の成膜を迅速に
行うことができ、光感度や生産性が向上した優れた位置
検出装置を提供することができる。
たので、光感度電流を0.1A/W以上にすることができるだ
けでなく、生産性を大きく左右するＩ層の成膜を迅速に
行うことができ、光感度や生産性が向上した優れた位置
検出装置を提供することができる。
第１図は本発明の位置検出装置の基本構造及び動作を説
明するための概念図であり、第２図（ａ）は本発明の位
置検出装置の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ
−Ａ′線断面図であり、第２図（ｃ）は第２図（ａ）の
Ｂ−Ｂ′線断面図である。 第３図は本発明の位置検出装置をコンピュータの入力タ
ブレットとして使用した状態の外観図である。 第４図は従来の光起電力効果の光センサーであるフォト
ダイオードの断面図である。 １……透光性基板 ２……第１の導電層 ３……アモルファス半導体層 ４……第２の導電層 ６……裏面保護層 21……第１の出力端子 22……第２の出力端子 41……第３の出力端子 42……第４の出力端子
明するための概念図であり、第２図（ａ）は本発明の位
置検出装置の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ
−Ａ′線断面図であり、第２図（ｃ）は第２図（ａ）の
Ｂ−Ｂ′線断面図である。 第３図は本発明の位置検出装置をコンピュータの入力タ
ブレットとして使用した状態の外観図である。 第４図は従来の光起電力効果の光センサーであるフォト
ダイオードの断面図である。 １……透光性基板 ２……第１の導電層 ３……アモルファス半導体層 ４……第２の導電層 ６……裏面保護層 21……第１の出力端子 22……第２の出力端子 41……第３の出力端子 42……第４の出力端子
Claims (1)
- 【請求項１】受光面電極層と、光の入射側よりアモルフ
ァスシリコンカーバイドから成るＰ層，厚さが7000〜10
000ÅのＩ層，及びＮ層の順でＰ−Ｉ−Ｎ接合されたア
モルファス半導体層と、シート抵抗値が50〜200Ω／□
の裏面電極層とを順次積層して光電変換領域を構成し、
該光電変換領域に照射される光の照射位置を検出するよ
うに成した位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284993A JP2596419B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284993A JP2596419B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137321A JPS63137321A (ja) | 1988-06-09 |
| JP2596419B2 true JP2596419B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=17685752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284993A Expired - Fee Related JP2596419B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2596419B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599781A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Komatsu Ltd | 光位置検出装置 |
| JPS61196570A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Hitachi Zosen Corp | アモルフアスシリコンｘ線センサ |
| JPH0760368B2 (ja) * | 1985-06-06 | 1995-06-28 | 株式会社小松製作所 | 情報入力装置 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61284993A patent/JP2596419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63137321A (ja) | 1988-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04395B2 (ja) | ||
| US5130775A (en) | Amorphous photo-detecting element with spatial filter | |
| US4698658A (en) | Amorphous semiconductor device | |
| JP2596419B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2931122B2 (ja) | 一次元光位置検出素子 | |
| JPS63137319A (ja) | 位置検出装置 | |
| GB2241605A (en) | Infrared photodiodes, arrays and their manufacture | |
| JPS63137320A (ja) | 位置検出装置 | |
| GB2238165A (en) | A photodetector device | |
| JPS63164281A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS63164280A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP7163307B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換装置 | |
| JP2770810B2 (ja) | 受光素子 | |
| JP3469061B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH0548142A (ja) | 電界効果型フオトトランジスタ | |
| JP3407917B2 (ja) | 光センサ | |
| JPH0770754B2 (ja) | 半導体光位置検出器における抵抗層の形成方法 | |
| JPH04241458A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JPH0766447A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP3123172B2 (ja) | 光の位置と強さを検出する装置 | |
| JPH081961B2 (ja) | ビーム位置検出器 | |
| JPH04343276A (ja) | 光位置検出装置 | |
| JPH021866Y2 (ja) | ||
| JPH0691276B2 (ja) | 半導体光位置検出器における集電電極の形成方法 | |
| JPH01191086A (ja) | 多素子放射線検出器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |