JPS63137321A

JPS63137321A - 位置検出装置

Info

Publication number: JPS63137321A
Application number: JP61284993A
Authority: JP
Inventors: Hiroaki Kubo; 裕明久保; Yasuyuki Minamino; 南野　康幸
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1986-11-28
Filing date: 1986-11-28
Publication date: 1988-06-09
Anticipated expiration: 2012-04-02
Also published as: JP2596419B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明はアモルファス半導体層の光起電力効果を利用し
た位置検出装置に関する。

（発明の背景）現在、アモルファス半導体が有する優れた物性的、工業
的特徴を生かし、これらを光センサーに応用することが
活発に行われている。

アモルファス半導体の光起電力効果を利用する光センサ
ーにはフォトダイオードやカラーセンサー等があり、光
導電効果を利用する光センサーにはフォトコンセル、−
次元光センサ−アレイや感光体ドラム等がある。

このうち光起電力効果を利用したフォトダイオードは、
第４図に示すように、ガラス基板９１上に透明導電膜９
２、Ｐ−１−Ｎ接合したアモルファス半導体層９３、裏
面電極９４が順次被着形成されている。

そして、今、アモルファス半導体層９３の禁制帯幅ε、
よりも大きなエネルギーをもつ光がガラス基板９１側よ
り入射されると、価電子帯の電子が伝導帯に上げられ、
Ｐ−１、Ｉ−Ｎの接合部の電界によって電子はｎ層へ、
正孔はＰ層へ運ばれる。

この場合、透明導電膜９２と裏面電極９４が開放状態で
あれば、フェルミ準位の差により開放電圧ｖ０６．を得
ることができる。

また透明導電膜９２と裏面電極９４とが短絡状態であれ
ばフェルミ準位は一致し短絡電流ｒ　ｓｃが両電極９２
．９４間に流れる。

この短絡電流は入射光量と受光面積とに比例する。そこ
でＰ−Ｉ−Ｎ接合したフォトダイオードはその両電極９
２．９４に小さい負荷抵抗を接続して、そこに流れる短
絡電流ＩＳＣを測定する。

従来の光起電力効果を利用した光センサーは光の強度や
特定の波長光の光強度を検出するものであり、アモルフ
ァス半導体層９３上の任意の点に光照射された位置を検
出する光センサーが達成されるに至らなかった。

（本発明の目的）本発明は上述の背景に鑑み案出されたものであり、その
目的はアモルファス半導体層上の任意点に照射された光
の位置を容易に検出できる位置検出装置を提供すること
にある。

また、本発明の別の目的は、位置検出を感度良く行うと
ともに生産性に冨んだ位置検出装置を提供することにあ
る。

（目的を達成するための具体的な手段）本発明が上述の
目的を達成するために行った具体的な手段は１層の厚みが５０００〜１５０００人を有するＰ−１−
Ｎ接合したアモルファス半導体層と、該アモルファス半
導体層の両面に被着した第１及び第２の導電層と、第１
の導電層に流れる電流を特定方向（Ｘ方向）に分離して
導出するために該導電層の両端部に夫々設けられた第１
及び第２の出力端子と、第２の導電層に流れる電流を前
記特定方向と直交する方向（Ｙ方向）に分離して導出す
るために該導電層の両端部に設けられた第３及び第４の
出力端子とから構成されるとともに、前記アモルファス半導体層の任意点に照射される光によ
って、第１の導電層の第１及び第２の出力端子に導出さ
れる各電流値から前記任意点のＸ座標を求め、第２の導
電層の第３及び第４の出力端子に導出される各電流値か
ら前記任意点のＹ座標を求め、前記２座標の交点から前
記任意点を検出する位置検出装置である。

（実施例）以下、本発明の位置検出装置を図面に基づいて説明する
。

第１図は本発明の位置検出装置の基本構造及び動作を説
明する概略図である。

本発明の位置検出装置はＰ−１−Ｎ接合したアモルファ
ス半導体層３と、該アモルファス半導体層３の両面を挟
持する第１の導電層２、第２の導電層４と、第１の導電
層２に流れる電流（実線矢印）を特定方向（Ｘ方向）に
分離しで導出するために該第１の導電層の端部に設けた
第１及び第２の出力端子２１．２２と、第２の導電層４
に流れる電流（破線矢印）を前記特定方向と直交する方
向（Ｙ方向）に分離して導出するために該第２の導電層
４の端部に設けた第３及び第４の出力端子４１．４２と
から構成されている。

今、ライトペンなどの光照射入力手段５によりアモルフ
ァス半導体Ｎ３の任意点に光照射されると、アモルファ
ス半導体層３のＩＪｉ３ｉで正孔及び電子が発生する。

そして正孔はＰＭ３ｐに、電子はＮ層３ｎに夫々運ばれ
、第２の導電層、Ｑ電層２間に短絡電流が流れる。

この時、第１の導電層２に流れる電流はその導電層２の
両端部に設けた第１及び第２の出力端子２１　、２２か
ら導出される。第１及び第２の出力端子２１．２２から
導出される電流値ｌｘ、　、　ｌｘ、は光照射が行われ
た点０から再出力端子２１　、２２までの抵抗の比によ
って決定される。即ち、第１の導電層２のシート抵抗が
均一であれば、電流検出手段７Ｌ７２で検出される第１
の出力端子２１の電流値ｌｘ、及び第２の出力端子２２
の電流値１ｘｚを比較すれば光照射された点０のＸ方向
の座標が求まる。

計算の一例を示す。

ｌＸｌｌｌＸ２の比を求め、これを位置信号Ｐ、とすれ
ば、Ｉｘｚ　　　　Ｘ＋　　　　Ｘ＋（ただしＬ＝　ＸＩ＋Ｘ！　：　Ｌは位置検出装置の大
きさにより決定される。）となり、光照射点０から第１の出力端子２１までの距離
Ｘ、が求まる。

また、別の計算例を示す。

ｌｘ、とＩｘｚＯ差及び和をとり、この比を位置信号Ｐ
２とすれば（ただしし−ｘ＋＋ｘｚ）が得られ、光照射点０から第１の出力端子２１までの距
離×１が求まる。

同様に電流検出手段７３．７４で検出される第２の導電
Ｎ４の第３の出力端子４１の電流値１ｙ＋　と、第４の
出力端子４２の電流値ＩＶｚとの比をとることにより、
光照射された点０のＹ方向め座標が求まる。

即ち、前記２座標より、光照射された点０を検出できる
。

次に第２図（ａ）　、（ｂ）　、（ｃ）を用いて本発明
の位置検出装置の構造を説明する。

位置検出装置は、透光性基板１と、該透光性基板ｌ上に
被着形成した第１の導電層２と、第１の導電層２の所定
位置に被着形成したＰ−Ｉ−Ｎ接合したアモルファス半
導体層３と、該アモルファス半導体Ｎ３の所定位置に被
着形成した第２の導電層４と、該第２の導電層４上に被
着形成した裏面保護層６とから構成されている。尚、第
１及び第２の出力端子２１．２２は、第１の導電層２の
両端部から延出した出力端子パッド（以下単にパッドと
記す。）２３．２４上に被着形成されている。第３及び
第４の出力端子４１．４２は第１の導電Ｎ２を被着形成
する際に第１の導電Ｎ２と独立して形成されたパッド２
５．２６部分にまで延出した第２の導電層４、・上に被
着形成されている。

透光性基板１はガラス、耐熱性樹脂等で形成され、その
形状は矩形状を成している。

第１の導電Ｎ２は金属酸化物、例えば酸化錫、酸化イン
ジウム又はその合金等で形成され、位置検出エリアＥに
相当する部分及び第１乃至第４の出力端子２１，２２．
４１．４２が形成されるパッド２３．２４゜２５．２６
として被着形成されている。第１及び第２の出力端子２
１．２２が形成されるバンド２３．２４は位置検出エリ
アＥ部分の第１の導電層２に延出され、他のパッド２５
．２６はレーザー照射、エツチング、マスク操作により
形成された第１及び第２の分離溝８１．８２を介して独
立して形成されている。第１の導電層２は所定シート抵
抗、例えば５０〜２００Ω／口となるように、その材料
、酸素の含有量及び膜厚が設定される。

アモルファス半導体層３は少なくとも第１の導電層２か
ら延出したパッド２３．２４を露出するように、第１の
導電Ｎ２上に被着形成される。アモルファス半導体吊掛
よ光が入射する側から２層３ｐ、１層３ｉ、　８層３ｎ
が重畳したＰ４−Ｎ接合が施されており、シリコンを主
成分とし２層３ｐにはドープ剤としてボロン等が、８層
３ｎにはドープ剤としてリン等が混入されている。また
特に２層３ｐにアモルファスシリコンカーバイドを用い
て２層３ｐ中での光吸収を小さくし、短絡電流を大幅に
増加させ光照射による感度を向上させてもよい。さらに
、入射される光の波長が特定されていれば、該波長に応
じた感度分布にするためにシリコン中にゲルマニウム、
炭素、窒素、錫等を所定量混入してもよい。

アモルファス半導体Ｎ３はグロー放電分解法、熱ＣＶＯ
法、スパッタリング法、光ＣＶＤ法等により形成され、
２層３ｐの膜厚は５０〜３００人、１層３１の膜厚は５
０００−１５０００人、８層３ｎの膜厚は３００〜７０
０人である。

第２の導電層４は金属又は金属酸化物等で形成され、位
置検出エリアＥに相当する部分及びそのエリアＥから第
３及び第４の出力端子４１．４２が形成されるパッド２
５．２６部分にまで延出する延上部４３、４４が形成さ
れている。

上記金属又は金属酸化物はアモルファス半導体層３、特
に接合するＮＮ５ｎとオーミックコンタクトが可能であ
ること、シート抵抗値が均一でその値が５０〜２００Ω
／口の範囲で制御が容易であることが要求される。これ
を満足するために、クロム、ニッケル、チタン又はその
合金や酸化錫、酸化インジウム又はその合金、例えば酸
化インジウム・錫などが用いられ、そのシート抵抗値が
５０〜２００Ω／口となるように、所定厚さ２００〜４
０００人に設定される。

第１乃至第４の出力端子２１，２２，４１．４２は夫々
パッド２３，２４，２５．２６上に位置されている。第
１及び第２の出力端子２１．２２は第１の導電層２から
延出したパッド２３．２４上に形成され、第１の導電層
２に流れる電流をＸ方向に分離して導出するものである
。第３及び第４の出力端子４１．４２はパッド２５．２
６上に延出した第２導電Ｊ！４の延出部４３．４４上に
形成され、第２の導電層４に流れる電流をｙ方向に分離
して導出するものである。ここで、該出力端子２１．２
２．４１．４２はその抵抗により導出する電流値が低下
しないようにアルミニウム、ニッケル、チタン、クロム
等の金属材料を５０００Å以上の膜厚に設定することが
望ましい。

裏面保護Ｎ６は前記出力端子２１，２２，４１．４２を
露出して、少なくとも位置検出エリアＥの第２導電層４
上に被着形成されている。裏面保護層６は裏面方向から
の衝撃、湿気等から前記構造体を保護すると同時に裏面
側からの光を完全に遮断するために設けられている。例
えば裏面側に金属から成る第２の導電層を形成しても、
その膜が２０００人程度以下であれば光の入射は可能で
あり、アモルファス半導体Ｎ３に、位置検出に誤差を与
える電力が発生してしまうのである。

裏面保護層６はエポキシ樹脂等の絶縁樹脂に所定の顔料
を添加して被着形成されている。

尚、７は出力端子２１，２２，４１．４２上に形成した
半田層である。半田層７は、出力端子２１．２２．４Ｌ
４２から導出されるリード線（図示せず）が一箇所で半
田接合されるため、出力端子２１．２２，４１．４２の
長さによる抵抗をなくし、半田接合を容易にするため半
田浴中に浸漬することによって形成され、その厚みは０
．５ｍｍ以上である。

以上のような構成をした位置検出装置にライトペン等の
光照射入力手段５を用いて、光照射を行うと、第１乃至
第４の出力端子２１，２２．４１．４２に電流が流れ、
それぞれの電流値１ｘ＋＋Ｉｘｚ及びＩｙ＋＋Ｉｙｔの
比から光照射点０が検出される。

ばＩｘ、、ｌｘ、の和が０．０７ｍＡ以上の出力が必要
である。

即ち、光強度に対する出力電流値（以下光感度電流値と
記す）が０．０７八／−以上である。

本発明のように１層の厚みを５０００〜１５０００人に
設定すれば、光照射入力手段５の光照射点Ｏを感度よく
、かつ生産性のよい位置検出装置が得られる。

１層の膜厚は、他のアモルファス半導体Ｆ！！３のＰ　
。

層３ｐ、　Ｎ層３ｎの１０倍以上あるため、１層３１で
の成膜時間によって位置検出装置の生産性を大きく左右
する。

また光感度電流値は１層の厚さに比例して増加し、一定
厚さをピークとしてまた減少する。

具体的には、光感度電流値０．０７Ａ／Ｗ以上を得るに
はｌＪ！の厚みが５０００〜１５０００人必要となる。

さらに光感度及び生産性に鑑み、１層３１での厚みは７
０００〜１００００人が好ましい。この厚みによれば光
感度電流が０．１Ａ／Ｗ以上得ることができる。

第３図は本発明の位置検出装置をコンピュータの入力タ
ブレットとして使用した状態の外観図である。

図において１０は本発明の位置検出装置を組み込んだ入
力タブレットであり、５は光照射入力手段であり、１１
はコンピュータ本体であり、１２はコンピュータの出力
表示装置である。

入力タブレット１０の位置検出エリアＥは出力表示装置
１２のディスプレイの画面りに対応させれば図案等のグ
ラフィック入力が極めて容易となる。

例えば、画面りのＸ方向の画素が６４０画素、ｙ方向の
画素が４００画素であれば、位置検出装置でＸ軸方向に
分離して検出された電流値ｌｘ、、ｌｘ、の比較値を６
４０分するように量子化すればよい。またｙ軸方向に関
しても同様である。

このようにして光照射入力手段５で位置検出工リアＥ上
をなぞるようにして光照射を行うだけでコンピュータに
所定情報が入力される。

（発明の効果）以上、上述したように本発明はアモルファス半導体層の
任意点Ｏに照射された光によって出力される複数の電流
値の比較から前記任意点Ｏを精度よく検出できる位置検
出装置である。

また一方の導電層に流れる光感度電流値が０．０７Ａ／
Ｗ以上出方でき、極めて怒度が向上するとともにアモル
ファス半導体層を被着する時間を極小化することにより
、生産性が向上する位置検出装置である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の位置検出装置の基本構造及び動作を説
明するための概念図であり、第２図（ａ）は本発明の位
置検出装置の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ
−Ａ’線断面図であり、第２図（ｃ）は第２図（ａ）の
Ｂ−Ｂ”線断面図である。第３図は本発明の位置検出装置をコンピュータの入力タ
ブレットとして使用した状態の外観図である。第４図は従来の光起電力効果の光センサーであるフォト
ダイオードの断面図である。１　・・・透光性基板２　・・・第１の導電層３　・・・アモルファス半導体層４　・・・第２の導電層６　・・・裏面保護層２１・・・第１の出力端子２２・・・第２の出力端子４１・・・第３の出力端子４２・・・第４の出力端子

Claims

【特許請求の範囲】Ｉ層の厚みが５０００〜１５０００Åを有するＰ−Ｉ−
Ｎ接合したアモルファス半導体層と、該アモルファス半導体層の両面に被着した第１及び第２
の導電層と、第１の導電層に流れる電流を特定方向（Ｘ方向）に分離
して導出するために該導電層の両端部に夫々設けられた
第１及び第２の出力端子と、第２の導電層に流れる電流を前記特定方向と直交する方
向（Ｙ方向）に分離して導出するために該導電層の両端
部に設けられた第３及び第４の出力端子とから構成され
るとともに、前記アモルファス半導体層の任意点に照射される光によ
って、第１の導電層の第１及び第２の出力端子に導出さ
れる各電流値から前記任意点のＸ座標を求め、第２の導
電層の第３及び第４の出力端子に導出される各電流値か
ら前記任意点のＹ座標を求め、前記２座標の交点から前
記任意点を検出する位置検出装置。