JPS6260820B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6260820B2 JPS6260820B2 JP57201482A JP20148282A JPS6260820B2 JP S6260820 B2 JPS6260820 B2 JP S6260820B2 JP 57201482 A JP57201482 A JP 57201482A JP 20148282 A JP20148282 A JP 20148282A JP S6260820 B2 JPS6260820 B2 JP S6260820B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- comb
- electrode
- transparent
- shaped electrodes
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、エンコーダー等に用いてパルス光を
電流または電圧パルスに変換する光電変換素子に
関するものである。
電流または電圧パルスに変換する光電変換素子に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図が従来例の光電変換素子を用いたエンコ
ーダの構成図である。タングステンランプ、発光
ダイオード等の面状の光源１と、一定の間隔で開
孔部２を連続させたしやへい板３と、光電変換素
子が約0.5〜２mmの間隔で平行に配置されてい
る。
ーダの構成図である。タングステンランプ、発光
ダイオード等の面状の光源１と、一定の間隔で開
孔部２を連続させたしやへい板３と、光電変換素
子が約0.5〜２mmの間隔で平行に配置されてい
る。
光電変換素子は、ステンレス、アルミニウム等
の金属基板６の研磨面にアモルフアスシリコン等
の非晶質半導体薄膜５を形成し、その上に突起部
７ａ，８ａなどを交互に対向させた透明くし型電
極７，８を蒸着とフオトエツチングにより形成す
る。
の金属基板６の研磨面にアモルフアスシリコン等
の非晶質半導体薄膜５を形成し、その上に突起部
７ａ，８ａなどを交互に対向させた透明くし型電
極７，８を蒸着とフオトエツチングにより形成す
る。
透明くし型電極７，８の突起部のピツチはそれ
ぞれ、しやへい板３の開孔部のピツチと一致して
いる。非晶質半導体薄膜５はPN接合やPiN接合あ
るいはシヨツトキー接合の光起電力素子を電極と
共に形成しており、光の入射部分に光起電力を発
生させる。透明くし型電極７，８の材料はITO
（InxSn1―xO2）やネサ（SnO2）等の透明導電性材
料である。リード線９ａ，９ｂは透明くし型電極
の配線部７ｂ，８ｂにそれぞれ接続され、リード
線９ｃは金属基板４に接続されて共通アースにな
つている。
ぞれ、しやへい板３の開孔部のピツチと一致して
いる。非晶質半導体薄膜５はPN接合やPiN接合あ
るいはシヨツトキー接合の光起電力素子を電極と
共に形成しており、光の入射部分に光起電力を発
生させる。透明くし型電極７，８の材料はITO
（InxSn1―xO2）やネサ（SnO2）等の透明導電性材
料である。リード線９ａ，９ｂは透明くし型電極
の配線部７ｂ，８ｂにそれぞれ接続され、リード
線９ｃは金属基板４に接続されて共通アースにな
つている。
しやへい板３の開孔部２がたとえば透明くし型
電極７の突起部７ａの真上にある時光源１からの
光は透明くし型電極７のすべての突起部に入射し
その突起部の下の部分の非晶質半導体薄膜５に光
起電力を発生しリード線９ａと９ｃの間に電気信
号が生ずる。この時、光の入射しない透明くし型
電極８には光起電力が発生せずリード線９ｂと９
ｃの間には電気信号は生じない。従つてしやへい
板３が図の横方向に移動すれば、リード線９ａ，
９ｃ間とリード線９ｂ，９ｃ間に交代に光起電力
が発生し、この２つの信号を演算回路でひき算す
れば連続した交流信号となる。
電極７の突起部７ａの真上にある時光源１からの
光は透明くし型電極７のすべての突起部に入射し
その突起部の下の部分の非晶質半導体薄膜５に光
起電力を発生しリード線９ａと９ｃの間に電気信
号が生ずる。この時、光の入射しない透明くし型
電極８には光起電力が発生せずリード線９ｂと９
ｃの間には電気信号は生じない。従つてしやへい
板３が図の横方向に移動すれば、リード線９ａ，
９ｃ間とリード線９ｂ，９ｃ間に交代に光起電力
が発生し、この２つの信号を演算回路でひき算す
れば連続した交流信号となる。
交流信号のパルス数はしやへい板３の移動量に
比例しエンコーダとしての機能を果たす。
比例しエンコーダとしての機能を果たす。
第１図に示す従来例は、配線部７ｂ，８ｂの線
巾が0.2〜１mmで膜厚が500〜2000Åであり、実効
的な電極となる突起部７ａ，８ａに比べ線巾が大
きく容量が無視できない反面、配線用としては高
抵抗である。従つて時定数が大きく光電流を外部
回路に取り出す応答速度が遅くなる欠点を有す
る。すなわち、しやへい板３の移動速度が大きく
なるとリード線９ａ，９ｃ間およびリード線９
ｂ，９ｃ間に発生する信号のピークがくずれて検
出できなくなる。ロータリーエンコーダとして用
いる場合は、高速のスリツト付きしやへい円板の
回転に信号が追随せず光起電力の周波数特性が、
5kHz以上の高い周波数で特に低下する。
巾が0.2〜１mmで膜厚が500〜2000Åであり、実効
的な電極となる突起部７ａ，８ａに比べ線巾が大
きく容量が無視できない反面、配線用としては高
抵抗である。従つて時定数が大きく光電流を外部
回路に取り出す応答速度が遅くなる欠点を有す
る。すなわち、しやへい板３の移動速度が大きく
なるとリード線９ａ，９ｃ間およびリード線９
ｂ，９ｃ間に発生する信号のピークがくずれて検
出できなくなる。ロータリーエンコーダとして用
いる場合は、高速のスリツト付きしやへい円板の
回転に信号が追随せず光起電力の周波数特性が、
5kHz以上の高い周波数で特に低下する。
配線部７ｂ，８ｂの高抵抗の理由は約1000Åの
透明電極材料のシート抵抗が70〜2000Ωと高いた
めである。
透明電極材料のシート抵抗が70〜2000Ωと高いた
めである。
体積固有抵抗で表現すると0.7×10-3〜２×
10-3Ωcmでありアルミニウムの体積固有抵抗2.75
×10-6Ωcmに比べ約３桁大きい。抵抗を下げるた
めに膜厚を厚くすれば光の透過率が下がり突起部
７ａ，８ａに発生する光電流が減少してしまう。
10-3Ωcmでありアルミニウムの体積固有抵抗2.75
×10-6Ωcmに比べ約３桁大きい。抵抗を下げるた
めに膜厚を厚くすれば光の透過率が下がり突起部
７ａ，８ａに発生する光電流が減少してしまう。
抵抗を下げるために巾を広くすれば巾に比例し
て金属基板６との間の容量が大きくなり時定数は
減少しない。配線部７ｂ，８ｂの面積は実効的電
極である突起部７ａ，８ａと同程度であり配線部
の容量は無視できない程大きい。非晶質半導体薄
膜５は光吸収が大きく膜厚は１μ以下が通常であ
り、これも容量を大きくする原因の一つである。
て金属基板６との間の容量が大きくなり時定数は
減少しない。配線部７ｂ，８ｂの面積は実効的電
極である突起部７ａ，８ａと同程度であり配線部
の容量は無視できない程大きい。非晶質半導体薄
膜５は光吸収が大きく膜厚は１μ以下が通常であ
り、これも容量を大きくする原因の一つである。
また、非晶質半導体薄膜の材料自身の光応答は
十分はやく、アモルフアスシリコンの場合で、１
μsec〜10μsecであり光電変換素子の時定数の決
定要因とはならない。
十分はやく、アモルフアスシリコンの場合で、１
μsec〜10μsecであり光電変換素子の時定数の決
定要因とはならない。
上記の配線部７ｂ，８ｂの高抵抗と大容量とい
う２つの欠点に加えて、光源１からの光が配線部
７ｂ，８ｂにもれるという第３の欠点がある。配
線部７ｂ，８ｂの部分も光が入射すれば光起電力
素子として動作し、リード線９ａ，９ｃ間あるい
は９ｂ，９ｃ間に直流バイアス信号が発生して交
流信号のＳ／Ｎ比を低下させる。
う２つの欠点に加えて、光源１からの光が配線部
７ｂ，８ｂにもれるという第３の欠点がある。配
線部７ｂ，８ｂの部分も光が入射すれば光起電力
素子として動作し、リード線９ａ，９ｃ間あるい
は９ｂ，９ｃ間に直流バイアス信号が発生して交
流信号のＳ／Ｎ比を低下させる。
発明の目的
本発明は従来例の３つの欠点をすべて解決し、
応答の早い光電変換素子を提供するものである。
応答の早い光電変換素子を提供するものである。
発明の構成
本発明は、実効的電極となるくし型電極の突起
部にのみ対向する帯状電極を反対の面に設けて非
晶質半導体薄膜をはさみ、くし型電極の配線部が
容量を持たず従つて巾を広くして低抵抗化できる
と共に光起電力素子として機能しないようにする
ものである。
部にのみ対向する帯状電極を反対の面に設けて非
晶質半導体薄膜をはさみ、くし型電極の配線部が
容量を持たず従つて巾を広くして低抵抗化できる
と共に光起電力素子として機能しないようにする
ものである。
実施例の説明
第２図は本発明による代表的な実施例である。
ガラス、セラミツク、耐熱高分子等の絶縁性基
板１３の上に帯状電極１４を設ける。帯状電極１
４は金属やITOをメタルマスクを用いて蒸着した
り金属箔をポリイミド等の耐熱高分子に一体成型
したりして設けることができる。端子部以外の帯
状電極を被覆する非晶質半導体薄膜５の代表例は
アモルフアスシリコンのPiN構造である。プラズ
マCVD装置によりシラン（SiH4）をグロー放電で
分解し、150〜300℃に加熱した基板上にアモルフ
アスシリコンを推積する。ジボラン（B2H6）、ホ
スフイン（PH3）等のガスを0.2〜２％混入させれ
ばそれぞれＰ型、Ｎ型の不純物層ができ、光起電
力素子を構成するPiN接合ができる。
板１３の上に帯状電極１４を設ける。帯状電極１
４は金属やITOをメタルマスクを用いて蒸着した
り金属箔をポリイミド等の耐熱高分子に一体成型
したりして設けることができる。端子部以外の帯
状電極を被覆する非晶質半導体薄膜５の代表例は
アモルフアスシリコンのPiN構造である。プラズ
マCVD装置によりシラン（SiH4）をグロー放電で
分解し、150〜300℃に加熱した基板上にアモルフ
アスシリコンを推積する。ジボラン（B2H6）、ホ
スフイン（PH3）等のガスを0.2〜２％混入させれ
ばそれぞれＰ型、Ｎ型の不純物層ができ、光起電
力素子を構成するPiN接合ができる。
帯状電極１４がAu、Al、Cuなどの蒸着膜の場
合基板の加熱により蒸着膜の原子が非晶質半導体
薄膜５に拡散しやすいので、Cr、Ni、ニツケル
クロム合金、ITO、SnO2等を用いた方が良い。
透明くし型電極１０，１１は非晶質半導体薄膜５
の上にITOやSnO2を電子ビーム蒸着やスパツタ
リングを用いて全面蒸着しフオトエツチングによ
つてパターンを形成する。
合基板の加熱により蒸着膜の原子が非晶質半導体
薄膜５に拡散しやすいので、Cr、Ni、ニツケル
クロム合金、ITO、SnO2等を用いた方が良い。
透明くし型電極１０，１１は非晶質半導体薄膜５
の上にITOやSnO2を電子ビーム蒸着やスパツタ
リングを用いて全面蒸着しフオトエツチングによ
つてパターンを形成する。
エツチング液は塩酸やリン酸を用いて透明電極
のみをエツチングできる。透明くし型電極１０，
１１の突起部１０ａ，１１ａのみ帯状電極１４と
対向して光起電力素子を構成するから、配線部１
０ｂ，１１ｂは帯状電極１４との間に容量を持た
ず線巾を広くして抵抗を下げることができる。
のみをエツチングできる。透明くし型電極１０，
１１の突起部１０ａ，１１ａのみ帯状電極１４と
対向して光起電力素子を構成するから、配線部１
０ｂ，１１ｂは帯状電極１４との間に容量を持た
ず線巾を広くして抵抗を下げることができる。
従つて突起部１０ａ，１１ａの面積を従来例の
突起部７ａ，８ａの面積と同じにした場合、本発
明による実施例は時定数を1/3〜1/4に小さくでき
光電変換素子の応答速度を３〜４倍に向上するこ
とができる。光が配線部１０ａ，１１ｂにもれて
も光起電力は発生せずＳ／Ｎも向上する。
突起部７ａ，８ａの面積と同じにした場合、本発
明による実施例は時定数を1/3〜1/4に小さくでき
光電変換素子の応答速度を３〜４倍に向上するこ
とができる。光が配線部１０ａ，１１ｂにもれて
も光起電力は発生せずＳ／Ｎも向上する。
第３図の実施例は光電変換素子をそのまま円板
状の絶縁基板２７の外周部に形成したものであり
ロータリーエンコーダに用いることができる。
状の絶縁基板２７の外周部に形成したものであり
ロータリーエンコーダに用いることができる。
しやへい板の回転軸を通す孔３６を持つ絶縁性
基板２７の上に帯状電極２８を円周上に設け端子
部２９がかくれないよう非晶質半導体薄膜３０を
その上に形成する。その上に更に突起部３１ａ，
３２ａと配線部３１ｂ，３２ｂを持つ２つの透明
くし型電極３１，３２を円周上に設け、突起部３
１ａ，３２ａが帯状電極２８と対向するようにす
る。帯状電極２８に接続したりリード線３３を共
通アースとして、２つの透明くし型電極にそれぞ
れ接続したリード線３４，３５に交互に光電流が
発生する。第３図では省略しているが透明くし型
電極は円周上に沿つて連続して設けられている。
基板２７の上に帯状電極２８を円周上に設け端子
部２９がかくれないよう非晶質半導体薄膜３０を
その上に形成する。その上に更に突起部３１ａ，
３２ａと配線部３１ｂ，３２ｂを持つ２つの透明
くし型電極３１，３２を円周上に設け、突起部３
１ａ，３２ａが帯状電極２８と対向するようにす
る。帯状電極２８に接続したりリード線３３を共
通アースとして、２つの透明くし型電極にそれぞ
れ接続したリード線３４，３５に交互に光電流が
発生する。第３図では省略しているが透明くし型
電極は円周上に沿つて連続して設けられている。
実際には30mmφの基板で突起部３１ａ，３２ａ
の数はあわせて400〜800ぐらいもうけるため突起
部３１ａ，３２ａの線巾は150μ以下となる。
の数はあわせて400〜800ぐらいもうけるため突起
部３１ａ，３２ａの線巾は150μ以下となる。
配線部３１ｂ，３２ｂも円周に沿つて長くなり
本発明の効果が一層顕著である。第２図および第
３図の実施例を変形させ、くし型電極を金属電極
とし帯状電極を透明電極とすることも可能であ
る。
本発明の効果が一層顕著である。第２図および第
３図の実施例を変形させ、くし型電極を金属電極
とし帯状電極を透明電極とすることも可能であ
る。
この場合絶縁性基板はガラス等の薄く透明なも
のにし基板側から光を入れることになる。光起電
力素子としやへい板の間が基板の厚みだけ広なる
が、本実施例の場合配線部への光の拡散による
Ｓ／Ｎの低下は生じない。
のにし基板側から光を入れることになる。光起電
力素子としやへい板の間が基板の厚みだけ広なる
が、本実施例の場合配線部への光の拡散による
Ｓ／Ｎの低下は生じない。
第４図は光電変換素子自体が差動回路を構成し
２つのくし型電極からの信号をひき算する演算回
路を必要としないものである。絶縁性基板１３の
上に２つに分割された帯状電極１７，１８を設け
それぞれに対向する突起部１５ａ，１５ｂをもつ
くし型電極１５，１６が非晶質半導体薄膜５をは
さんでいる。また、帯状電極１７，１８の端部に
それぞれくし型電極１６，１５の端部が接触し、
それぞれリード線１９，２０に接続されている。
２つのくし型電極からの信号をひき算する演算回
路を必要としないものである。絶縁性基板１３の
上に２つに分割された帯状電極１７，１８を設け
それぞれに対向する突起部１５ａ，１５ｂをもつ
くし型電極１５，１６が非晶質半導体薄膜５をは
さんでいる。また、帯状電極１７，１８の端部に
それぞれくし型電極１６，１５の端部が接触し、
それぞれリード線１９，２０に接続されている。
くし型電極１５と帯状電極１７で構成する第１
の光起電力素子とくし型電極１６と帯状電極１８
で構成する第２の光起電力素子は極性を逆にして
結合した形になつており、それぞれ光が交代に入
射するとリード線１９，２０間には交流信号が発
生する。
の光起電力素子とくし型電極１６と帯状電極１８
で構成する第２の光起電力素子は極性を逆にして
結合した形になつており、それぞれ光が交代に入
射するとリード線１９，２０間には交流信号が発
生する。
くし型電極と帯状電極のうち光の入射側になる
方は少なくとも透明電極にする。２つのくし型電
極を絶縁性基板上に設け２つの帯状電極を非晶質
半導体薄膜５の上に設ける構成も本質的に同じで
あり、絶縁性基板側から光を入れる場合は当然ガ
ラス等の透明絶縁材料を用いる必要がある。
方は少なくとも透明電極にする。２つのくし型電
極を絶縁性基板上に設け２つの帯状電極を非晶質
半導体薄膜５の上に設ける構成も本質的に同じで
あり、絶縁性基板側から光を入れる場合は当然ガ
ラス等の透明絶縁材料を用いる必要がある。
第５図は透明帯状電極と金属くし型電極を用い
た実施例である。金属基板２１の上にセラミツク
SiO2やポリイミド、フツ素樹脂等の非晶質半導
体薄膜５より十分厚い絶縁膜２２を設け、この上
にフオトエツチングによつて金属くし型電極２
３，２４を形成する。その上に非晶質半導体薄膜
５を形成し、その上にメタルマスクを用いて透明
帯状電極２５を蒸着する。前述のようにSnO2、
ITOなどの透明導電材料は金属に比べ体積固有抵
抗が約３桁も大きい。そこで線巾の狭く抵抗の大
きくなるくし型電極に金属を用い抵抗があまり問
題にならない帯状電極に透明導電材料を用いたの
が第５図の実施例である。第３図のようなロータ
リーエンコーダ用などのパターンでは第５図に示
す実施例の構成にすれば更に直列抵抗が1/2〜1/5
に減少し応答速度は従来例に比べ、６〜20倍に向
上させることができる。
た実施例である。金属基板２１の上にセラミツク
SiO2やポリイミド、フツ素樹脂等の非晶質半導
体薄膜５より十分厚い絶縁膜２２を設け、この上
にフオトエツチングによつて金属くし型電極２
３，２４を形成する。その上に非晶質半導体薄膜
５を形成し、その上にメタルマスクを用いて透明
帯状電極２５を蒸着する。前述のようにSnO2、
ITOなどの透明導電材料は金属に比べ体積固有抵
抗が約３桁も大きい。そこで線巾の狭く抵抗の大
きくなるくし型電極に金属を用い抵抗があまり問
題にならない帯状電極に透明導電材料を用いたの
が第５図の実施例である。第３図のようなロータ
リーエンコーダ用などのパターンでは第５図に示
す実施例の構成にすれば更に直列抵抗が1/2〜1/5
に減少し応答速度は従来例に比べ、６〜20倍に向
上させることができる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば光電変換素子の
容量と抵抗が共に小さくなり、その時定数で決ま
る応答速度を従来例の６〜20倍まで向上すること
が可能である。また、光の拡散やもれによるＳ／
Ｎの低下を防ぐ効果もあり、エンコーダ用光電変
換素子としてすぐれた特性を実現する。
容量と抵抗が共に小さくなり、その時定数で決ま
る応答速度を従来例の６〜20倍まで向上すること
が可能である。また、光の拡散やもれによるＳ／
Ｎの低下を防ぐ効果もあり、エンコーダ用光電変
換素子としてすぐれた特性を実現する。
第１図は従来例の光電変換素子を用いるエンコ
ーダの構成図、第２図は本発明の一実施例の光電
変換素子の構成図、第３図は本発明の異なる実施
例のロータリーエンコーダ用光電変換素子の構成
図、第４図は本発明の異なる実施例の差動構成の
光電変換素子、第５図は本発明の異なる実施例の
金属くし型電極と透明帯状電極を用いる光電変換
素子の構成図である。 ５……非晶質半導体薄膜、１０，１１……透明
くし型電極、１０ａ，１１ｂ……突起部、１０
ｂ，１１ｂ……配線部、１２ａ〜１２ｃ……リー
ド線、１３……絶縁基板、１４……帯状電極。
ーダの構成図、第２図は本発明の一実施例の光電
変換素子の構成図、第３図は本発明の異なる実施
例のロータリーエンコーダ用光電変換素子の構成
図、第４図は本発明の異なる実施例の差動構成の
光電変換素子、第５図は本発明の異なる実施例の
金属くし型電極と透明帯状電極を用いる光電変換
素子の構成図である。 ５……非晶質半導体薄膜、１０，１１……透明
くし型電極、１０ａ，１１ｂ……突起部、１０
ｂ，１１ｂ……配線部、１２ａ〜１２ｃ……リー
ド線、１３……絶縁基板、１４……帯状電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性基板上に設けた非晶質半導体薄膜に接
して一方の面に交互に突起部を持つ２つのくし型
電極を形成し、もう一方の面に実質的に前記突起
部のみに対向する帯状電極を形成し、少なくとも
一方の電極は透明電極である光電変換素子。 ２ 帯状電極を透明電極とし２つのくし型電極を
金属電極とする特許請求の範囲第１項記載の光電
変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201482A JPS5990966A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57201482A JPS5990966A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990966A JPS5990966A (ja) | 1984-05-25 |
| JPS6260820B2 true JPS6260820B2 (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=16441793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57201482A Granted JPS5990966A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990966A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531462Y2 (ja) * | 1985-10-30 | 1993-08-12 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU615622B2 (en) * | 1989-09-13 | 1991-10-03 | Ppg Industries, Inc. | Electrochromic window with polymer layer |
| WO2004070820A1 (ja) | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 配線の作製方法 |
| WO2004070822A1 (ja) | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置及び表示装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP57201482A patent/JPS5990966A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0531462Y2 (ja) * | 1985-10-30 | 1993-08-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5990966A (ja) | 1984-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4281208A (en) | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof | |
| EP0276002B1 (en) | Thin film transistor | |
| US5130775A (en) | Amorphous photo-detecting element with spatial filter | |
| US5015838A (en) | Color sensor having laminated semiconductor layers | |
| JPH0673372B2 (ja) | 光読み取り装置及びその製造方法 | |
| US4804833A (en) | Color sensing method and device therefor | |
| JPS6260820B2 (ja) | ||
| US4698658A (en) | Amorphous semiconductor device | |
| JPS5821827B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS61159771A (ja) | 光起電力装置 | |
| US4140909A (en) | Radiation detector | |
| JP2566910B2 (ja) | 平面センサ− | |
| JPS6260819B2 (ja) | ||
| US4570030A (en) | Solar cell device | |
| JPS6035554A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS6318349B2 (ja) | ||
| US3522435A (en) | Photodiode assembly for optical encoder | |
| JP2889963B2 (ja) | 密着型イメージセンサ | |
| JP3469061B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2628034B2 (ja) | アモルファスシリコンｐｉｎダイオードの製造法 | |
| JP2661689B2 (ja) | 光センサ | |
| JPH03234066A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS61284957A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JP3450880B2 (ja) | カメラ用フォトダイオード | |
| JPH021866Y2 (ja) |