JPS62159010A - 回転数検出装置 - Google Patents
回転数検出装置Info
- Publication number
- JPS62159010A JPS62159010A JP61001017A JP101786A JPS62159010A JP S62159010 A JPS62159010 A JP S62159010A JP 61001017 A JP61001017 A JP 61001017A JP 101786 A JP101786 A JP 101786A JP S62159010 A JPS62159010 A JP S62159010A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、電動機のような回転体の軸に直結された回転
板の一方に配置された光源からの光が回転板の光透過部
を通って反対側の基板上のそれぞれ２組の光検出部に属
する逆並列接続された光起電力素子を交互に照射するこ
とによって回転体の回転角度１回転位置１回転数などを
検出する回転数検出装置に関する。
板の一方に配置された光源からの光が回転板の光透過部
を通って反対側の基板上のそれぞれ２組の光検出部に属
する逆並列接続された光起電力素子を交互に照射するこ
とによって回転体の回転角度１回転位置１回転数などを
検出する回転数検出装置に関する。
本出願人が特願昭５８−１５６０２７号により特許出願
し、特開昭６０−４７９１６５号公報により公知になっ
た回転数検出装置は、複数の光透過部を設けた、軸のま
わりに回転可能な回転板と、該回転板に平行に対向し、
その対向する側に２組のそれぞれ光起電力素子からなる
複数の光検出部を逆並列接続して設けた光検出板と、前
記回転板の反光構出板側に配置された光源とを備えてお
り、前記両組の一つに属して隣接する光検出部はそれぞ
れ前記軸を中心軸とする想定円筒と光検出板とが交って
なす円を両組共通の等しい中心角をなして半径方向に横
切り、隣接する前記光透過部は各組の光検出部に対する
前記想定円筒と回転板とが交ってなす円を前記中心角と
等しいかまたはその整数倍の中心角をなして横切り、前
記光源は一つの組の光検出部のうち二つ以上に対応する
光透過部を同時に照射でき、光透過部の同時透過数と各
組の光検出部の全数の少なくとも一方が全周にわたって
存在し、光透過部および光検出部は回転板の回転時に各
組の光検出部が交互に光によって照射されるように配置
されている構造を有する。このような回転数検出装置は
、例えば第２図に示すように回転数を検出すべき電動機
１１の軸１２にエンコーダ１３が連結され、複数の発光
ダイオード１４から水平方向に出た光が鏡１５によって
反射し、エンコーダ１３の穴１６を通って光検出板１上
の受光素子２を照射する。 光検出板１の上には第３図に示すように２組の光検出部
の受光素子の上面透明電極３１．３２が互いに噛み合う
櫛の歯状に配置されている。受光素子を通常の水素化ア
モルファスシリコン膜（以下ａ −５ｉ：Ｈと略す）で
構成する場合、第１図に示すようにｉｉｔ性基板基板１
０にｐまたはｎ型のａ−Ｓｔ：Ｈ１１１２１，真性（ｉ
）のａ−Ｓｉ：Ｈ層２２．ｎまたはｐ型のａＳｉ：Ｈ層
２３を積層し、その上に透明電極３１、３２を形成する
。しかしこの場合透明電極３１゜３２間に、光入射側の
ドーピング層２３のａ−５ｉ：Ｈ膜の電気伝導度により
導通現象が生じ、互いに電気的に絶縁されていなければ
ならない透明電極３１゜３２間が短絡状態となり、一方
の光検出部の光起電力信号が他方の光検出部の透明電極
から出るという基本的な欠点があった。この傾向は透明
電極３１゜３２間の間隙が狭くなればなるほど強く現れ
、間隙を５０ｎ以下にした場合回転数検出装置としての
機能が不安定、不確実となっている。
し、特開昭６０−４７９１６５号公報により公知になっ
た回転数検出装置は、複数の光透過部を設けた、軸のま
わりに回転可能な回転板と、該回転板に平行に対向し、
その対向する側に２組のそれぞれ光起電力素子からなる
複数の光検出部を逆並列接続して設けた光検出板と、前
記回転板の反光構出板側に配置された光源とを備えてお
り、前記両組の一つに属して隣接する光検出部はそれぞ
れ前記軸を中心軸とする想定円筒と光検出板とが交って
なす円を両組共通の等しい中心角をなして半径方向に横
切り、隣接する前記光透過部は各組の光検出部に対する
前記想定円筒と回転板とが交ってなす円を前記中心角と
等しいかまたはその整数倍の中心角をなして横切り、前
記光源は一つの組の光検出部のうち二つ以上に対応する
光透過部を同時に照射でき、光透過部の同時透過数と各
組の光検出部の全数の少なくとも一方が全周にわたって
存在し、光透過部および光検出部は回転板の回転時に各
組の光検出部が交互に光によって照射されるように配置
されている構造を有する。このような回転数検出装置は
、例えば第２図に示すように回転数を検出すべき電動機
１１の軸１２にエンコーダ１３が連結され、複数の発光
ダイオード１４から水平方向に出た光が鏡１５によって
反射し、エンコーダ１３の穴１６を通って光検出板１上
の受光素子２を照射する。 光検出板１の上には第３図に示すように２組の光検出部
の受光素子の上面透明電極３１．３２が互いに噛み合う
櫛の歯状に配置されている。受光素子を通常の水素化ア
モルファスシリコン膜（以下ａ −５ｉ：Ｈと略す）で
構成する場合、第１図に示すようにｉｉｔ性基板基板１
０にｐまたはｎ型のａ−Ｓｔ：Ｈ１１１２１，真性（ｉ
）のａ−Ｓｉ：Ｈ層２２．ｎまたはｐ型のａＳｉ：Ｈ層
２３を積層し、その上に透明電極３１、３２を形成する
。しかしこの場合透明電極３１゜３２間に、光入射側の
ドーピング層２３のａ−５ｉ：Ｈ膜の電気伝導度により
導通現象が生じ、互いに電気的に絶縁されていなければ
ならない透明電極３１゜３２間が短絡状態となり、一方
の光検出部の光起電力信号が他方の光検出部の透明電極
から出るという基本的な欠点があった。この傾向は透明
電極３１゜３２間の間隙が狭くなればなるほど強く現れ
、間隙を５０ｎ以下にした場合回転数検出装置としての
機能が不安定、不確実となっている。
本発明は、上述の欠点を除いて同一基板上に形成された
２組の光検出部にそれぞれ属するアモルファスシリコン
光起電力素子の光入射側の電極を近接して配置した場合
も安定性のある、高精度の回転数検出装置を提供するこ
とを目的とする。
２組の光検出部にそれぞれ属するアモルファスシリコン
光起電力素子の光入射側の電極を近接して配置した場合
も安定性のある、高精度の回転数検出装置を提供するこ
とを目的とする。
本発明によれば、ｐｉｎ接合を有するアモルファスシリ
コン光起電力素子の光入射側のドーピング層の電気伝導
度を１０−’（ΩＣ１１）弓取下、 １０−目（Ω（２
））−１以上とすることにより、電極の近接に伴う電極
間の抵抗の低下を補って短絡状態を防止し、上記の目的
を達成することができる。
コン光起電力素子の光入射側のドーピング層の電気伝導
度を１０−’（ΩＣ１１）弓取下、 １０−目（Ω（２
））−１以上とすることにより、電極の近接に伴う電極
間の抵抗の低下を補って短絡状態を防止し、上記の目的
を達成することができる。
以下第１ｒｙＪを引用して本発明の一実施例について説
明する。導電性基板１０上に５ＩＨａ等シラン系ガスを
プラズマＣＶＤ法などにより、ｐ型のａ −３ｉ：Ｈ＠
２１．真性のａ−３ｉ：Ｉ（膜２２をそれぞれ所定の膜
厚にて成膜する０次いでｎ型のａ−３ｔ：Ｈ膜２３を形
成する際、その膜の電気伝導度が１０−’ （Ω３）−
１以下となるように成膜する。ｎ型の膜を高抵抗化する
ためには、ｎ型のａ−３ｉ：Ｈ膜中に炭素、窒素、Ｍ素
のいずれを添加してもよい、−例としてｎ型の膜を炭素
によって高抵抗化する方法について述べると、原料ガス
にはＳｉＬとＰａ１ｓに加え、炭素源として炭化水素系
のガスを導入し、プラズマＣＶＤ法によりグロー放電分
解することにより、炭素を含んだｎ型のアモルファスシ
リコン（ａ−５ｉ： Ｃ： Ｈ） ｍができる。この膜
は膜中の炭素含有量により電気伝導度を広い範囲で制御
することができ、ａ−５ｉ：Ｃ：Ｈ膜中の炭素濃度が５
％、１０％、 １５９／６のとき、その電気伝４度は１
０−’。 １０−”、 １０−’ （ΩＣ１１）−’となる。一方
ｎ型のａ −３ｉ：ＨＪｉの高抵抗化は無制限であるわ
けではなく、１０−”（Ωａｍ）−’以下の電気伝導度
とすると、太陽電池の直列抵抗成分が増大し、充分な出
力を得ることがむづかしくなる。したがってｎ型膜の電
気伝導度を１０−’ 〜１０−’ ＠（ΩＣ！１）−’
、好ましクハ１０−’〜ｌＯ−″（Ω０１）−’の範囲
となるように成膜条件を設定してｎ型膜２３を構成し、
アモルファスシリコン光起電力素子を形成する。 また先に述べたように、窒素あるいは酸素をｎ膜中に添
加しても炭素の場合と同様のことが可能で、その電気伝
導度はやはり１０−’〜１０−”（Ωａｍ）−’範囲で
良好な結果を得ることができろ。 ａ−Ｓｉ：Ｈ！が基板側からｎｉｐ構造を有する場合に
はｐ型膜−３ｉ：Ｈ膜の電気伝導度を同様に調整すれば
よい。
明する。導電性基板１０上に５ＩＨａ等シラン系ガスを
プラズマＣＶＤ法などにより、ｐ型のａ −３ｉ：Ｈ＠
２１．真性のａ−３ｉ：Ｉ（膜２２をそれぞれ所定の膜
厚にて成膜する０次いでｎ型のａ−３ｔ：Ｈ膜２３を形
成する際、その膜の電気伝導度が１０−’ （Ω３）−
１以下となるように成膜する。ｎ型の膜を高抵抗化する
ためには、ｎ型のａ−３ｉ：Ｈ膜中に炭素、窒素、Ｍ素
のいずれを添加してもよい、−例としてｎ型の膜を炭素
によって高抵抗化する方法について述べると、原料ガス
にはＳｉＬとＰａ１ｓに加え、炭素源として炭化水素系
のガスを導入し、プラズマＣＶＤ法によりグロー放電分
解することにより、炭素を含んだｎ型のアモルファスシ
リコン（ａ−５ｉ： Ｃ： Ｈ） ｍができる。この膜
は膜中の炭素含有量により電気伝導度を広い範囲で制御
することができ、ａ−５ｉ：Ｃ：Ｈ膜中の炭素濃度が５
％、１０％、 １５９／６のとき、その電気伝４度は１
０−’。 １０−”、 １０−’ （ΩＣ１１）−’となる。一方
ｎ型のａ −３ｉ：ＨＪｉの高抵抗化は無制限であるわ
けではなく、１０−”（Ωａｍ）−’以下の電気伝導度
とすると、太陽電池の直列抵抗成分が増大し、充分な出
力を得ることがむづかしくなる。したがってｎ型膜の電
気伝導度を１０−’ 〜１０−’ ＠（ΩＣ！１）−’
、好ましクハ１０−’〜ｌＯ−″（Ω０１）−’の範囲
となるように成膜条件を設定してｎ型膜２３を構成し、
アモルファスシリコン光起電力素子を形成する。 また先に述べたように、窒素あるいは酸素をｎ膜中に添
加しても炭素の場合と同様のことが可能で、その電気伝
導度はやはり１０−’〜１０−”（Ωａｍ）−’範囲で
良好な結果を得ることができろ。 ａ−Ｓｉ：Ｈ！が基板側からｎｉｐ構造を有する場合に
はｐ型膜−３ｉ：Ｈ膜の電気伝導度を同様に調整すれば
よい。
本発明は、エンコーダの穴を通じて交互に光が入射する
２組の光検出部に属する光起電力素子をアモルファスシ
リコン層を用いて形成する場合に、光入射側の透明電極
に接するドーピング層の電気伝導度を従来の１０４〜１
０−’ （Ωａｍ）−’がら１０４〜１０−”（０ｃｍ
）−’と高抵抗化するものである。これによりドーピン
グ層を介して透明電極間に流れるもれｉｌ流を小さくし
、２組の光検出部に属する光起電力素子を絶縁状態にす
ることにより、透明電極を微細な櫛歯状に近接させても
、光起電力素子に達する光の信号のオン、オフによって
生ずる電気信号の相違が明確で、安定性、精度の向上し
た回転数検出装置を得ることができる。
２組の光検出部に属する光起電力素子をアモルファスシ
リコン層を用いて形成する場合に、光入射側の透明電極
に接するドーピング層の電気伝導度を従来の１０４〜１
０−’ （Ωａｍ）−’がら１０４〜１０−”（０ｃｍ
）−’と高抵抗化するものである。これによりドーピン
グ層を介して透明電極間に流れるもれｉｌ流を小さくし
、２組の光検出部に属する光起電力素子を絶縁状態にす
ることにより、透明電極を微細な櫛歯状に近接させても
、光起電力素子に達する光の信号のオン、オフによって
生ずる電気信号の相違が明確で、安定性、精度の向上し
た回転数検出装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の光起電力素子部の構造を示
す斜視図、第２図は本発明の実施の対象となる回転数検
出装置の断面図、第３図はその光検出板の平面図である
。 １０：導電性基板、２１： ｐ（ｎ） ａ−５ｉ： Ｈ
膜、２２：１ａ−５ｉ：Ｈ膜、２３： ｎ （ｐ） ａ
−Ｓｉ ： Ｈ１！！、３１゜３２：透明電極。 第１図 第２図 第３図
す斜視図、第２図は本発明の実施の対象となる回転数検
出装置の断面図、第３図はその光検出板の平面図である
。 １０：導電性基板、２１： ｐ（ｎ） ａ−５ｉ： Ｈ
膜、２２：１ａ−５ｉ：Ｈ膜、２３： ｎ （ｐ） ａ
−Ｓｉ ： Ｈ１！！、３１゜３２：透明電極。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １）回転板の一方に配置された光源からの光が回転板の
光透過部を通って反対側の基板上のそれぞれ２組の光検
出部に属する逆並列接続されたアモルファスシリコンの
ｐｉｎ接合を有する光起電力素子を交互に照射するもの
において、光起電力素子の光入射側のドーピング層の電
気伝導度が１０＾−＾５（Ωｃｍ）＾−＾１以下、１０
＾−＾１＾０（Ωｃｍ）＾−＾１以上であることを特徴
とする回転数検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001017A JPS62159010A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 回転数検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61001017A JPS62159010A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 回転数検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159010A true JPS62159010A (ja) | 1987-07-15 |
| JPH0545123B2 JPH0545123B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=11489799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61001017A Granted JPS62159010A (ja) | 1986-01-07 | 1986-01-07 | 回転数検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159010A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS6047916A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 回転数検出装置 |
-
1986
- 1986-01-07 JP JP61001017A patent/JPS62159010A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5861662A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nec Corp | イメ−ジセンサ− |
| JPS6047916A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-15 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 回転数検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545123B2 (ja) | 1993-07-08 |
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