JPH0724302B2 - 密着型イメージセンサの製造方法 - Google Patents
密着型イメージセンサの製造方法Info
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- JPH0724302B2 JPH0724302B2 JP62108585A JP10858587A JPH0724302B2 JP H0724302 B2 JPH0724302 B2 JP H0724302B2 JP 62108585 A JP62108585 A JP 62108585A JP 10858587 A JP10858587 A JP 10858587A JP H0724302 B2 JPH0724302 B2 JP H0724302B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ファクシミリ、ワードプロセッサ、複写
機、イメージスキャナ等において、画像情報を入力する
ための画像情報読み取り部等に使用される密着型イメー
ジセンサの製造方法に係り、特に、遮光膜の製造工程を
簡単にして、コストを低減できるようにした密着型イメ
ージセンサの製造方法に関する。
機、イメージスキャナ等において、画像情報を入力する
ための画像情報読み取り部等に使用される密着型イメー
ジセンサの製造方法に係り、特に、遮光膜の製造工程を
簡単にして、コストを低減できるようにした密着型イメ
ージセンサの製造方法に関する。
〔従来の技術〕 従来、ファクシミリ、ワードプロセッサ、複写機、イメ
ージスキャナ等において、画像情報を入力するための画
像情報読み取り部などに使用される密着型イメージセン
サとしては、例えば、特開昭62-18066号公報、または、
「富士ゼロックステクニカルレポート」、No1、UDC62
1、397、331（富士ゼロックス株式会社発行）、P16〜23
に記載されているようなものが知られていた。このよう
な従来の密着型イメージセンサは、例えば、次のような
方法で製作されていた。
ージスキャナ等において、画像情報を入力するための画
像情報読み取り部などに使用される密着型イメージセン
サとしては、例えば、特開昭62-18066号公報、または、
「富士ゼロックステクニカルレポート」、No1、UDC62
1、397、331（富士ゼロックス株式会社発行）、P16〜23
に記載されているようなものが知られていた。このよう
な従来の密着型イメージセンサは、例えば、次のような
方法で製作されていた。
第２図は、従来の密着型イメージセンサの製造過程を示
した図であり、以下、第２図に基づいて説明する。第２
図（Ａ）において、先ず、基板20として、ガラスまたは
アルミナ等の絶縁基板を用意する。そして、この基板20
上に、蒸着によって、Cr層21を約1000Åの厚さに形成
し、さらにCr層21上には、Au層22を約１〜1.5μｍの厚
さに形成する。この場合、Cr層21は、Au層22と基板20と
の接着性を良くするために形成するものである。次に、
第２図（Ｂ）のように、上記Au層22及びCr層21に、フオ
トリソエッチング処理を施して配線層を形成する。その
後、Cr蒸着とフオトリソエッチング処理により、センサ
部の下部電極となるCr層23を、上記配線層と接続するよ
うに形成して第２図（Ｃ）のようにし、このCr層23上に
イメージセンサの光電変換層となるa-Si:H（水素化アモ
ルファスシリコン）層24をプラズマCVD法により第２図
（Ｄ）のように形成する。また、第２図（Ｅ）のよう
に、上記a-Si:H層24上には、センサ部の上部電極となる
透明のITO（酸化インジウム錫）層25をスパッタリング
により形成する。次に、遮光膜を形成するため、第２図
（Ｆ）のように、遮光膜の形成部分以外に、リフトオフ
用のレジスト26を塗布する。この状態でCrを蒸着した
後、前記レジスト26を溶剤で溶かして剥離する。このよ
うなリフトオフ法により、第２図（Ｇ）に示したような
Cr層から成る遮光膜27が形成される。最後に、第２図
（Ｈ）に示したように、センサ部を駆動するためのICチ
ップ28を搭載し、リード線29で所定の配線をする。その
後、センサ部上には、パッシベーション膜30を形成する
と共に、ICチップ28上等の他の部分は樹脂31によって封
止するものである。
した図であり、以下、第２図に基づいて説明する。第２
図（Ａ）において、先ず、基板20として、ガラスまたは
アルミナ等の絶縁基板を用意する。そして、この基板20
上に、蒸着によって、Cr層21を約1000Åの厚さに形成
し、さらにCr層21上には、Au層22を約１〜1.5μｍの厚
さに形成する。この場合、Cr層21は、Au層22と基板20と
の接着性を良くするために形成するものである。次に、
第２図（Ｂ）のように、上記Au層22及びCr層21に、フオ
トリソエッチング処理を施して配線層を形成する。その
後、Cr蒸着とフオトリソエッチング処理により、センサ
部の下部電極となるCr層23を、上記配線層と接続するよ
うに形成して第２図（Ｃ）のようにし、このCr層23上に
イメージセンサの光電変換層となるa-Si:H（水素化アモ
ルファスシリコン）層24をプラズマCVD法により第２図
（Ｄ）のように形成する。また、第２図（Ｅ）のよう
に、上記a-Si:H層24上には、センサ部の上部電極となる
透明のITO（酸化インジウム錫）層25をスパッタリング
により形成する。次に、遮光膜を形成するため、第２図
（Ｆ）のように、遮光膜の形成部分以外に、リフトオフ
用のレジスト26を塗布する。この状態でCrを蒸着した
後、前記レジスト26を溶剤で溶かして剥離する。このよ
うなリフトオフ法により、第２図（Ｇ）に示したような
Cr層から成る遮光膜27が形成される。最後に、第２図
（Ｈ）に示したように、センサ部を駆動するためのICチ
ップ28を搭載し、リード線29で所定の配線をする。その
後、センサ部上には、パッシベーション膜30を形成する
と共に、ICチップ28上等の他の部分は樹脂31によって封
止するものである。
第３図は、上記のような従来のイメージセンサの一部を
拡大して図示したものであり、第３図（Ａ）は断面図、
第３図（Ｂ）はレイアウトの要部のみを平面図として示
したものである。次に、この第３図を用いて遮光膜の必
要な理由を説明する。なお、第２図と同符号は、同一の
ものを示し、第３図（Ｂ）ではa-Si:H層24を省略してあ
る。
拡大して図示したものであり、第３図（Ａ）は断面図、
第３図（Ｂ）はレイアウトの要部のみを平面図として示
したものである。次に、この第３図を用いて遮光膜の必
要な理由を説明する。なお、第２図と同符号は、同一の
ものを示し、第３図（Ｂ）ではa-Si:H層24を省略してあ
る。
第２図について説明したように、従来の密着型イメージ
センサは、基板20の上に、Cr層からなる下部電極23、光
電変換部となるa-Si:H層24及び上部電極となるITO層25
を形成したものであり、第３図に示したような構造とな
っている。第３図（Ｂ）に示したように、Cr層23から成
る下部電極は、一定の間隔で多数並列配置され、この下
部電極は、a-Si:H層24に光電変換作用をさせるために必
要な電極部分（図示Ｘの部分）と、この電極部分から引
き出されたリード部とから構成されている。また、透明
電極であるITO層25は、上記下部電極を全てカバーする
だけでなく、その周辺部までカバーするように形成され
るのが一般的である。Ｙで図示した部分は、下部電極か
ら引き出されたリード部が、ITO層25と対向する部分を
示したものである。
センサは、基板20の上に、Cr層からなる下部電極23、光
電変換部となるa-Si:H層24及び上部電極となるITO層25
を形成したものであり、第３図に示したような構造とな
っている。第３図（Ｂ）に示したように、Cr層23から成
る下部電極は、一定の間隔で多数並列配置され、この下
部電極は、a-Si:H層24に光電変換作用をさせるために必
要な電極部分（図示Ｘの部分）と、この電極部分から引
き出されたリード部とから構成されている。また、透明
電極であるITO層25は、上記下部電極を全てカバーする
だけでなく、その周辺部までカバーするように形成され
るのが一般的である。Ｙで図示した部分は、下部電極か
ら引き出されたリード部が、ITO層25と対向する部分を
示したものである。
このような構成のイメージセンサを使用した場合、上下
電極が対向している部分がセンサとして働くセンサ領域
となる。そして、この場合、下部電極は、Ｘ及びＹで示
した領域で上部電極と対向しているから、これらの部分
がセンサ領域となる。しかし、Ｙで示した部分は、リー
ド部であって、電極ではないから、この部分がセンサ領
域として作用するのは好ましくない。このような好まし
くない現象を防止するには２つの方法が考えられる。そ
の１つは、ITO層25が、下部電極のＹの部分と対向しな
いようにし、Ｘの部分でのみ対向するように限定して形
成する方法であり、他の方法は、ITO層25上に遮光膜を
形成して、Ｘ部分に対応する部分にのみ光が入射するよ
うに構成する方法である。そして、従来は、製造上、あ
るいは使用上の種々の点を比較した場合、上記遮光膜を
形成する方法が優れているため、遮光膜を設けるもので
ある。
電極が対向している部分がセンサとして働くセンサ領域
となる。そして、この場合、下部電極は、Ｘ及びＹで示
した領域で上部電極と対向しているから、これらの部分
がセンサ領域となる。しかし、Ｙで示した部分は、リー
ド部であって、電極ではないから、この部分がセンサ領
域として作用するのは好ましくない。このような好まし
くない現象を防止するには２つの方法が考えられる。そ
の１つは、ITO層25が、下部電極のＹの部分と対向しな
いようにし、Ｘの部分でのみ対向するように限定して形
成する方法であり、他の方法は、ITO層25上に遮光膜を
形成して、Ｘ部分に対応する部分にのみ光が入射するよ
うに構成する方法である。そして、従来は、製造上、あ
るいは使用上の種々の点を比較した場合、上記遮光膜を
形成する方法が優れているため、遮光膜を設けるもので
ある。
また、上記遮光膜を形成した場合には、第３図（Ｂ）に
おいて下部電極のＸ部分に対応するITO層25上に、遮光
膜の窓部分が形成される。そして、この窓部分には、セ
ルフオックレンズまたは、光フアイバから成るイメージ
ガイド等を対向させて設け、読み取った情報に相当する
光が、上記セルフオックレンズまたはイメージガイドを
介して導入された後、ITO層25を介してa-Si:H層24に入
射する。この入射した光は、a-Si:H層24で光電変換され
た後、電極を介して出力されるものである。
おいて下部電極のＸ部分に対応するITO層25上に、遮光
膜の窓部分が形成される。そして、この窓部分には、セ
ルフオックレンズまたは、光フアイバから成るイメージ
ガイド等を対向させて設け、読み取った情報に相当する
光が、上記セルフオックレンズまたはイメージガイドを
介して導入された後、ITO層25を介してa-Si:H層24に入
射する。この入射した光は、a-Si:H層24で光電変換され
た後、電極を介して出力されるものである。
上記のような従来のイメージセンサにおいては、それぞ
れ、機能の異なった部分は全て別々の工程で製作されて
いた。したがって、製造工程が多くなる欠点があり、ま
た、製品のコストも高くなる欠点があった。
れ、機能の異なった部分は全て別々の工程で製作されて
いた。したがって、製造工程が多くなる欠点があり、ま
た、製品のコストも高くなる欠点があった。
この発明は、上記のような従来の欠点を解決するために
なされたものであり、イメージセンサの製造工程を簡単
にすると共に、製品のコストを低減できるようにするこ
とを目的としたものである。
なされたものであり、イメージセンサの製造工程を簡単
にすると共に、製品のコストを低減できるようにするこ
とを目的としたものである。
上記の目的を達成するため、この発明は、密着型イメー
ジセンサにおける遮光膜の形成を、簡単なプロセスで行
えるようにしたものである。すなわち、従来、配線材料
（CrとAu）と遮光膜の材料（Cr）とは、それぞれ異なる
材料を用いていたが、この発明では、これらを同一の材
料で構成すると共に、これらを一回のプロセスで同時に
形成するようにしたものである。このようにすれば、製
造プロセスが簡単になると共に、製品のコストも低減可
能となるものである。
ジセンサにおける遮光膜の形成を、簡単なプロセスで行
えるようにしたものである。すなわち、従来、配線材料
（CrとAu）と遮光膜の材料（Cr）とは、それぞれ異なる
材料を用いていたが、この発明では、これらを同一の材
料で構成すると共に、これらを一回のプロセスで同時に
形成するようにしたものである。このようにすれば、製
造プロセスが簡単になると共に、製品のコストも低減可
能となるものである。
以下、この発明の一実施例を第１図に基づいて説明す
る。第１図は、この発明の一実施例である密着型イメー
ジセンサの製造方法を図示したものである。第１図
（Ａ）において、１はガラスまたはアルミナ等の絶縁物
から成る基板であり、この基板１上には、蒸着によっ
て、約1500Åの膜厚を有するCr層２を形成する。次に、
フオトリソエッチング処理によって、Cr層２の所定部分
をエッチングし、第１図（Ｂ）に示したように、Cr層２
から成る下部電極を形成する。この下部電極上には、プ
ラズマCVD法を用いて第１図（Ｃ）のように、a-Si:H
（水素化アモルファスシリコン）層３を約1.5μｍの膜
厚となるように形成する。この場合、a-Si:H層３は、受
光領域付近に着膜する。このa-Si:H層３上には、スパッ
タリング法を用いて、第１図（Ｄ）に示す如く、透明電
極としてのITO（酸化インジウム錫）層４を約1000Åの
膜厚で形成する。次に第１図（Ｅ）のように、遮光膜を
形成する部分と、所定の配線領域となる部分を除いてリ
フトオフ用のレジスト層５を形成する。この状態で、全
面に約１μｍの膜厚を有するAl層を蒸着し、レジスト層
５を溶剤で溶かして剥離すると、第１図（Ｆ）のように
なる。すなわち、リフトオフ法を用いて、Alから成る遮
光膜６と、Alから成り、下部電極２と接続される配線層
７とが同時に形成される。
る。第１図は、この発明の一実施例である密着型イメー
ジセンサの製造方法を図示したものである。第１図
（Ａ）において、１はガラスまたはアルミナ等の絶縁物
から成る基板であり、この基板１上には、蒸着によっ
て、約1500Åの膜厚を有するCr層２を形成する。次に、
フオトリソエッチング処理によって、Cr層２の所定部分
をエッチングし、第１図（Ｂ）に示したように、Cr層２
から成る下部電極を形成する。この下部電極上には、プ
ラズマCVD法を用いて第１図（Ｃ）のように、a-Si:H
（水素化アモルファスシリコン）層３を約1.5μｍの膜
厚となるように形成する。この場合、a-Si:H層３は、受
光領域付近に着膜する。このa-Si:H層３上には、スパッ
タリング法を用いて、第１図（Ｄ）に示す如く、透明電
極としてのITO（酸化インジウム錫）層４を約1000Åの
膜厚で形成する。次に第１図（Ｅ）のように、遮光膜を
形成する部分と、所定の配線領域となる部分を除いてリ
フトオフ用のレジスト層５を形成する。この状態で、全
面に約１μｍの膜厚を有するAl層を蒸着し、レジスト層
５を溶剤で溶かして剥離すると、第１図（Ｆ）のように
なる。すなわち、リフトオフ法を用いて、Alから成る遮
光膜６と、Alから成り、下部電極２と接続される配線層
７とが同時に形成される。
最後に、第１図（Ｇ）に示したように、センサ部を駆動
するためのICチップ８を搭載してリード線９により所定
の配線をすると共に、センサ部上には、パッシベーショ
ン膜10を形成し、さらに、ICチップ８上及びその周辺部
は、樹脂11で封止する。
するためのICチップ８を搭載してリード線９により所定
の配線をすると共に、センサ部上には、パッシベーショ
ン膜10を形成し、さらに、ICチップ８上及びその周辺部
は、樹脂11で封止する。
なお前記説明は一実施例であり、勿論この発明は、上記
実施例のものに限定されるものではなく、次のように変
形して実施することも可能である。
実施例のものに限定されるものではなく、次のように変
形して実施することも可能である。
（１）遮光膜及び配線層の材料としては、Alを主成分と
した材料、例えば、AlにCu、Si、またはSiとCuとを１〜
２％位混入したものなど、種々のものが使用できる。ま
た、Alを主成分とした材料だけでなく、Cr、Ti、Pt、I
n、Sn、Au、AgまたはMo等を主成分としたものでも使用
可能である。
した材料、例えば、AlにCu、Si、またはSiとCuとを１〜
２％位混入したものなど、種々のものが使用できる。ま
た、Alを主成分とした材料だけでなく、Cr、Ti、Pt、I
n、Sn、Au、AgまたはMo等を主成分としたものでも使用
可能である。
（２）遮光膜は、単層のものだけでなく、CrまたはTiを
主成分とする接着層と、この接着層上に積層され、Cu、
Au、Ni、PtまたはAgを主成分とする導電層とを有する２
層の積層膜を用いてもよい。
主成分とする接着層と、この接着層上に積層され、Cu、
Au、Ni、PtまたはAgを主成分とする導電層とを有する２
層の積層膜を用いてもよい。
（３）遮光膜と配線層を形成する場合、上記実施例にお
いては、リフトオフ法を用いたが、これに限定されるも
のではなく、通常のフオトエッチングを用いても上記の
場合と同様に形成できる。
いては、リフトオフ法を用いたが、これに限定されるも
のではなく、通常のフオトエッチングを用いても上記の
場合と同様に形成できる。
以上説明したように、この発明によれば、次のような効
果がある。すなわち、遮光膜と下部電極に接続される配
線層とを同一の材料とし、これらを１回のプロセスで同
時に形成できるから、製造工程が簡単になり、製品の低
コスト化が実現できる効果がある。
果がある。すなわち、遮光膜と下部電極に接続される配
線層とを同一の材料とし、これらを１回のプロセスで同
時に形成できるから、製造工程が簡単になり、製品の低
コスト化が実現できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である密着型イメージセン
サの製造方法を示した図、第２図は従来の密着イメージ
センサの製造方法を示した図、第３図は従来の密着型イ
メージセンサにおける一部拡大図である。 １……基板、２……Cr層 ３……a-Si:H層、４……ITO層 ５……レジスト層、６……遮光膜 ７……配線層、８……ICチップ ９……リード線 10……パッシベーション膜 11……封止樹脂
サの製造方法を示した図、第２図は従来の密着イメージ
センサの製造方法を示した図、第３図は従来の密着型イ
メージセンサにおける一部拡大図である。 １……基板、２……Cr層 ３……a-Si:H層、４……ITO層 ５……レジスト層、６……遮光膜 ７……配線層、８……ICチップ ９……リード線 10……パッシベーション膜 11……封止樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、下部電極、光電変換層及び透光
性の上部電極を順次積層する密着型イメージセンサの製
造方法において、受光部分を規定する遮光膜を、前記下
部電極に接続される配線部と同時に、同一材料で形成す
ることを特徴とする密着型イメージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108585A JPH0724302B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108585A JPH0724302B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273350A JPS63273350A (ja) | 1988-11-10 |
| JPH0724302B2 true JPH0724302B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=14488538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62108585A Expired - Fee Related JPH0724302B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724302B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5593891B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-09-24 | 株式会社リコー | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP62108585A patent/JPH0724302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63273350A (ja) | 1988-11-10 |
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