JPS63273350A - 密着型イメージセンサの製造方法 - Google Patents
密着型イメージセンサの製造方法Info
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- JPS63273350A JPS63273350A JP62108585A JP10858587A JPS63273350A JP S63273350 A JPS63273350 A JP S63273350A JP 62108585 A JP62108585 A JP 62108585A JP 10858587 A JP10858587 A JP 10858587A JP S63273350 A JPS63273350 A JP S63273350A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ファクシミリ、ワードプロセッサ、複写機
、イメージスキャナ等において、画ＩＴｇ ’Ｉｎ ｆ
Ｄを入力するための画像情報読み取り部等に使用される
密着型イメージセンサ及びその製造方法に係り、特に、
遮光膜の製造工程を簡単にして、コストを低減できるよ
うにした密着型イメージセンサ及びその製造方法に関す
る。
、イメージスキャナ等において、画ＩＴｇ ’Ｉｎ ｆ
Ｄを入力するための画像情報読み取り部等に使用される
密着型イメージセンサ及びその製造方法に係り、特に、
遮光膜の製造工程を簡単にして、コストを低減できるよ
うにした密着型イメージセンサ及びその製造方法に関す
る。
従来、ファクシミリ、ワードプロセ・ノサ、複写機、イ
メージスキャナ等において、画像情報を入力するための
画像情報読み取り部などに使用される密着型イメージセ
ンサとしては、例えば、特開昭６２−１８０６６号公報
、または、「富士ゼロックステクニカルレポート」、Ｎ
Ｏｌ、ＵＤＣ６２１，３９７，３３１（冨士ゼロックス
株式会社発行）、Ｐ１６〜２３に記載されているような
ものが知られていた。このような従来の密着型イメージ
センサは、例えば、次のような方法で農作されていた。
メージスキャナ等において、画像情報を入力するための
画像情報読み取り部などに使用される密着型イメージセ
ンサとしては、例えば、特開昭６２−１８０６６号公報
、または、「富士ゼロックステクニカルレポート」、Ｎ
Ｏｌ、ＵＤＣ６２１，３９７，３３１（冨士ゼロックス
株式会社発行）、Ｐ１６〜２３に記載されているような
ものが知られていた。このような従来の密着型イメージ
センサは、例えば、次のような方法で農作されていた。
第２図は、従来の密着型イメージセンサの製造過程を示
した図であり、以下、第２図に基づいて説明する。第２
図（Ａ）において、先ず、基板２０として、ガラスまた
はアルミナ等の絶縁基板を用意する。そして、この基板
２０上に、蒸着によって、０１層２１を約１０００人の
厚さに形成し、さらにＣｒ層２１上には、ＡｕＲ２２を
約１〜１゜５μｍの厚さに形成する。この場合、ＣｒＪ
ｉｆ２１は、Ａｕ層２２と基板２０との接着性を良くす
るために形成するものである。次に、第２図（Ｂ）のよ
うに、上記Ａｕ層２２及びＣｒＪｉ２１に、フォトリソ
エツチング処理を施して配線層を形成する。その後、Ｃ
ｒ蒸着とフォトリソエツチング処理により、センサ部の
下部電極となるＣｒ層２３を、上記配線層と接続するよ
うに形成して第２図（Ｃ）のようにし、このＣｒａ２３
上にイメージセンサの光電変換層となるａ−３ｉ：Ｈ（
水素化アモルファスシリコン）層２４をプラズマＣＶＤ
法により第２図（Ｄ）のように形成する。また、第２図
（Ｅ）のように、上記ａ−５ｉ：Ｈ層２４上には、セン
サ部の上部電極となる透明のＩＴ○（酸化インジウム錫
）層２５をスパツタリングにより形成する。次に、遮光
膜を形成するため、第２図（Ｆ）のように、遮光膜の形
成部分以外に、リフトオフ用のレジスト２６を塗布する
。この状態でＣ「を蒸着した後、前記レジス１−２６を
溶剤で熔かして剥離する。このようなリフトオフ法によ
り、第２図（Ｇ）に示したようなＣｒ層から成る遮光膜
２７が形成される。最後に、第２図（Ｈ）に示したよう
に、センサ部を駆動するためのＩＣチップ２８を搭載し
、リード線２９で所定の配線をする。その後、センサ部
上には、バ・ノシベーション膜３０を形成すると共に、
ＩＣチップ２８上等の他の部分は樹脂３１によって封止
するものである。
した図であり、以下、第２図に基づいて説明する。第２
図（Ａ）において、先ず、基板２０として、ガラスまた
はアルミナ等の絶縁基板を用意する。そして、この基板
２０上に、蒸着によって、０１層２１を約１０００人の
厚さに形成し、さらにＣｒ層２１上には、ＡｕＲ２２を
約１〜１゜５μｍの厚さに形成する。この場合、ＣｒＪ
ｉｆ２１は、Ａｕ層２２と基板２０との接着性を良くす
るために形成するものである。次に、第２図（Ｂ）のよ
うに、上記Ａｕ層２２及びＣｒＪｉ２１に、フォトリソ
エツチング処理を施して配線層を形成する。その後、Ｃ
ｒ蒸着とフォトリソエツチング処理により、センサ部の
下部電極となるＣｒ層２３を、上記配線層と接続するよ
うに形成して第２図（Ｃ）のようにし、このＣｒａ２３
上にイメージセンサの光電変換層となるａ−３ｉ：Ｈ（
水素化アモルファスシリコン）層２４をプラズマＣＶＤ
法により第２図（Ｄ）のように形成する。また、第２図
（Ｅ）のように、上記ａ−５ｉ：Ｈ層２４上には、セン
サ部の上部電極となる透明のＩＴ○（酸化インジウム錫
）層２５をスパツタリングにより形成する。次に、遮光
膜を形成するため、第２図（Ｆ）のように、遮光膜の形
成部分以外に、リフトオフ用のレジスト２６を塗布する
。この状態でＣ「を蒸着した後、前記レジス１−２６を
溶剤で熔かして剥離する。このようなリフトオフ法によ
り、第２図（Ｇ）に示したようなＣｒ層から成る遮光膜
２７が形成される。最後に、第２図（Ｈ）に示したよう
に、センサ部を駆動するためのＩＣチップ２８を搭載し
、リード線２９で所定の配線をする。その後、センサ部
上には、バ・ノシベーション膜３０を形成すると共に、
ＩＣチップ２８上等の他の部分は樹脂３１によって封止
するものである。
第３図は、上記のような従来のイメージセンサの一部を
拡大して図示したものであり、第３図（Ａ）は断面図、
第３図（Ｂ）はレイアウトの要部のみを平面図として示
したものである。次に、この第３図を用いて遮光膜の必
要な理由を説明する。
拡大して図示したものであり、第３図（Ａ）は断面図、
第３図（Ｂ）はレイアウトの要部のみを平面図として示
したものである。次に、この第３図を用いて遮光膜の必
要な理由を説明する。
なお、第２図と同符号は、同一のものを示し、第３図（
Ｂ）ではａ−５ｔ：ＨＩ３２４を省略しである。
Ｂ）ではａ−５ｔ：ＨＩ３２４を省略しである。
第２図について説明したように、従来の密着型イメージ
センサは、基板２０の上に、Ｃｒ層からなる下部電極２
３、光電変換部となるａ−５ｉ：ＨＮ２４及び上部電極
となるＩＴＯＪＨ２５を形成したものであり、第３図に
示したような構造となっている。第３図（Ｂ）に示した
ように、Ｃｒ層２３から成る下部電極は、一定の間隔で
多数並列配置され、この下部電極は、ａ−３ｉ：ｌ（層
２４に光電変換作用をさせるために必要な電極部分（図
示Ｘの部分）と、この電極部分から引き出されたリード
部とから構成されている。また、透明電極である１７０
層２５は、上記下部電極を全てカバーするだけでなく、
その周辺部までカバーするように形成されるのが一般的
である。Ｙで図示した部分は、下部電極から引き出され
たリード部が、１７０層２５と対向する部分を示したも
のである。
センサは、基板２０の上に、Ｃｒ層からなる下部電極２
３、光電変換部となるａ−５ｉ：ＨＮ２４及び上部電極
となるＩＴＯＪＨ２５を形成したものであり、第３図に
示したような構造となっている。第３図（Ｂ）に示した
ように、Ｃｒ層２３から成る下部電極は、一定の間隔で
多数並列配置され、この下部電極は、ａ−３ｉ：ｌ（層
２４に光電変換作用をさせるために必要な電極部分（図
示Ｘの部分）と、この電極部分から引き出されたリード
部とから構成されている。また、透明電極である１７０
層２５は、上記下部電極を全てカバーするだけでなく、
その周辺部までカバーするように形成されるのが一般的
である。Ｙで図示した部分は、下部電極から引き出され
たリード部が、１７０層２５と対向する部分を示したも
のである。
このような構成のイメージセンサを使用した場合、上下
電極が対向している部分がセンサとして働（センサ領域
となる。そして、この場合、下部電極は、Ｘ及びＹで示
した領域で上部電極と対向しているから、これらの部分
がセンサ領域となる。
電極が対向している部分がセンサとして働（センサ領域
となる。そして、この場合、下部電極は、Ｘ及びＹで示
した領域で上部電極と対向しているから、これらの部分
がセンサ領域となる。
しかし、Ｙで示した部分は、リード部であって、電極で
はないから、この部分がセンサ領域として作用するのは
好ましくない。このような好ましくない現象を防止する
には２つの方法が考えられる。
はないから、この部分がセンサ領域として作用するのは
好ましくない。このような好ましくない現象を防止する
には２つの方法が考えられる。
その１つは、１７０層２５が、下部電極のＹの部分と対
向しないようにし、Ｘの部分でのみ対向するように限定
して形成する方法であり、他の方法は、１７０層２５上
に遮光膜を形成して、Ｘ部分に対応する部分にのみ光が
入射するように構成する方法である。そして、従来は、
製造上、あるいは使用上の種々の点を比較した場合、上
記遮光膜を形成する方法が優れているため、遮光膜を設
けるものである。
向しないようにし、Ｘの部分でのみ対向するように限定
して形成する方法であり、他の方法は、１７０層２５上
に遮光膜を形成して、Ｘ部分に対応する部分にのみ光が
入射するように構成する方法である。そして、従来は、
製造上、あるいは使用上の種々の点を比較した場合、上
記遮光膜を形成する方法が優れているため、遮光膜を設
けるものである。
また、上記遮光膜を形成した場合には、第３図（Ｂ）に
おいて下部電極のＸ部分に対応する１７０層２５上に、
遮光膜の窓部分が形成される。そして、この窓部分には
、セルフォックレンズまたは、光ファイバから成るイメ
ージガイド等を対向させて設け、読み・取った情報に相
当する光が、上記セルフォックレンズまたはイメージガ
イドを介して導入された後、１７０層２５を介してａ−
８ｉ：Ｈｆｆｉ２４に入射する。この入射した光は、ａ
−３ｉ：Ｈ層２４で光電変換された後、電極を介して出
力されるものである。
おいて下部電極のＸ部分に対応する１７０層２５上に、
遮光膜の窓部分が形成される。そして、この窓部分には
、セルフォックレンズまたは、光ファイバから成るイメ
ージガイド等を対向させて設け、読み・取った情報に相
当する光が、上記セルフォックレンズまたはイメージガ
イドを介して導入された後、１７０層２５を介してａ−
８ｉ：Ｈｆｆｉ２４に入射する。この入射した光は、ａ
−３ｉ：Ｈ層２４で光電変換された後、電極を介して出
力されるものである。
上記のような従来のイメージセンサにおいては、それぞ
れ、機能の異なった部分は全て別々の工程で製作されて
いた。したがって、製造工程が多くなる欠点があり、ま
た、製品のコストも高くなる欠点があった。
れ、機能の異なった部分は全て別々の工程で製作されて
いた。したがって、製造工程が多くなる欠点があり、ま
た、製品のコストも高くなる欠点があった。
この発明は、上記のような従来の欠点を解決するために
なされたものであり、イメージセンサの製造工程を簡単
にすると共に、製品のコストを低減できるようにするこ
とを目的としたものである。
なされたものであり、イメージセンサの製造工程を簡単
にすると共に、製品のコストを低減できるようにするこ
とを目的としたものである。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記の目的を
達成するため、この発明は、密着型イメージセンサにお
ける遮光膜の形成を、簡単なプロセスで行えるようにし
たものである。すなわち、従来、配線材料（ＣｒとＡｕ
）と遮光膜の材料（Ｃｒ）とは、それぞれ異なる材料を
用いていたが、この発明では、これらを同一の材料で構
成すると共に、これらを−回のプロセスで同時に形成す
るようにしたものである。このようにすれば、製造プロ
セスが簡単になると共に、製品のコストも低減可能とな
るものである。
達成するため、この発明は、密着型イメージセンサにお
ける遮光膜の形成を、簡単なプロセスで行えるようにし
たものである。すなわち、従来、配線材料（ＣｒとＡｕ
）と遮光膜の材料（Ｃｒ）とは、それぞれ異なる材料を
用いていたが、この発明では、これらを同一の材料で構
成すると共に、これらを−回のプロセスで同時に形成す
るようにしたものである。このようにすれば、製造プロ
セスが簡単になると共に、製品のコストも低減可能とな
るものである。
以下、この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する
。第１図は、この発明の一実施例である密着型イメージ
センサの製造方法を図示したものである。第１図（Ａ′
）において、ｌはガラスまたはアルミナ等の絶縁物から
成る基板であり、この基板１上には、蒸着によって、約
１５００人の膜厚を有するＣ ｒ Ｎ ２を形成する。
。第１図は、この発明の一実施例である密着型イメージ
センサの製造方法を図示したものである。第１図（Ａ′
）において、ｌはガラスまたはアルミナ等の絶縁物から
成る基板であり、この基板１上には、蒸着によって、約
１５００人の膜厚を有するＣ ｒ Ｎ ２を形成する。
次に、フォトリソエツチング処理によって、ＣｒＢ２の
所定部分をエツチングし、第１図（Ｂ）に示したように
、０１層２から成る下部電極を形成する。この下部電極
上には、プラズマＣＶＤ法を用いて第１図（Ｃ）のよう
に、ａ−３ｉ：Ｈ（水素化アモルファスシリコン）層３
を約１．５μｍの膜厚となるように形成する。この場合
、ａ−３ｉ ： ＨＮ３は、受光領域付近に着膜する。
所定部分をエツチングし、第１図（Ｂ）に示したように
、０１層２から成る下部電極を形成する。この下部電極
上には、プラズマＣＶＤ法を用いて第１図（Ｃ）のよう
に、ａ−３ｉ：Ｈ（水素化アモルファスシリコン）層３
を約１．５μｍの膜厚となるように形成する。この場合
、ａ−３ｉ ： ＨＮ３は、受光領域付近に着膜する。
このａ−３ｉ：Ｈ層３上には、スパッタリング法を用い
て、第１図（Ｄ）に示す如く、透明電極としてのＩＴＯ
（酸化インジウム錫）屓４を約１０００人の膜厚で形成
する。
て、第１図（Ｄ）に示す如く、透明電極としてのＩＴＯ
（酸化インジウム錫）屓４を約１０００人の膜厚で形成
する。
次に第１図（Ｅ）のように、遮光膜を形成する部分と、
所定の配線領域となる部分を除いてリフトオフ用のレジ
スト層５を形成する。この状態で、全面に約１μｍの膜
厚を有するＡ１層を蒸着し、レジスト層５を溶剤で溶か
して剥離すると、第１図（Ｆ）のようになる。すなわち
、リフトオフ法を用いて、Ａｌから成る遮光膜６と、Ａ
ｌから成り、下部電極２と接続される配線層７とが同時
に形成される。
所定の配線領域となる部分を除いてリフトオフ用のレジ
スト層５を形成する。この状態で、全面に約１μｍの膜
厚を有するＡ１層を蒸着し、レジスト層５を溶剤で溶か
して剥離すると、第１図（Ｆ）のようになる。すなわち
、リフトオフ法を用いて、Ａｌから成る遮光膜６と、Ａ
ｌから成り、下部電極２と接続される配線層７とが同時
に形成される。
最後に、第１図（Ｇ）に示したように、センサ部を駆動
するためのＩＣチップ８を搭載してリード線９により所
定の配線をすると共に、センサ部上には、バンシベーシ
ョン１１ｍ１Ｏを形成し、さらに、ＩＣチップ８上及び
その周辺部は、樹脂１１で封止する。
するためのＩＣチップ８を搭載してリード線９により所
定の配線をすると共に、センサ部上には、バンシベーシ
ョン１１ｍ１Ｏを形成し、さらに、ＩＣチップ８上及び
その周辺部は、樹脂１１で封止する。
なお前記説明は一実施例であり、勿論この発明は、上記
実施例のものに限定されるものではなく、次のように変
形して実施することも可能である。
実施例のものに限定されるものではなく、次のように変
形して実施することも可能である。
（１）遮光膜及び配線層の材料としては、Ａｇを主成分
とした材料、例えば、ＡｇにＣｕ、Ｓｉ、またはＳｉと
Ｃｕとを１〜２％位混入したものなど、種々のものが使
用できる。また、Ａｊ２を主成分とした材料だけでなく
、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、■ｎ、Ｓｎ、Ａｕ、ＡｇまたはＭ
Ｏ等を主成分としたものでも使用可能である。
とした材料、例えば、ＡｇにＣｕ、Ｓｉ、またはＳｉと
Ｃｕとを１〜２％位混入したものなど、種々のものが使
用できる。また、Ａｊ２を主成分とした材料だけでなく
、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、■ｎ、Ｓｎ、Ａｕ、ＡｇまたはＭ
Ｏ等を主成分としたものでも使用可能である。
（２）遮光膜は、単層のものだけでなく、ＣｒまたはＴ
ｉを主成分とする接着層と、この接着層上にＭＩ層され
、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎ ｉ、Ｐ ｔまたはＡｇを主成分とす
る導電層とを有する２層の積層膜を用いてもよい。
ｉを主成分とする接着層と、この接着層上にＭＩ層され
、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎ ｉ、Ｐ ｔまたはＡｇを主成分とす
る導電層とを有する２層の積層膜を用いてもよい。
（３）遮光膜と配線層を形成する場合、上記実施例にお
いては、リフトオフ法を用いたが、これに限定されるも
のではなく、通常のフォトエツチングを用いても上記の
場合と同様に形成できる。
いては、リフトオフ法を用いたが、これに限定されるも
のではなく、通常のフォトエツチングを用いても上記の
場合と同様に形成できる。
以上説明したように、この発明によれば、次のような効
果がある。すなわち、遮光膜と配線層とを同一の材料と
し、これらを１回のプロセスで同時に形成できるから、
製造工程が簡単になり、製品の低コスト化が実現できる
効果がある。
果がある。すなわち、遮光膜と配線層とを同一の材料と
し、これらを１回のプロセスで同時に形成できるから、
製造工程が簡単になり、製品の低コスト化が実現できる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例である密着型イメージセン
サの製造方法を示した図、第２図は従来の密着イメージ
センサの製造方法を示した図、第３図は従来の密着型イ
メージセンサにおける一部拡大図である。 １−・・基板 ２−Ｃｒ層 ３−ａ−３ｉ：Ｈ層 ４−Ｉ Ｔ ０層５− レジスト
層 ６−・・遮光膜７・・−配線層 ８−
Ｉ Ｃチップ９− リード線 １０−・−パッシベーション膜 １１−封止樹脂
サの製造方法を示した図、第２図は従来の密着イメージ
センサの製造方法を示した図、第３図は従来の密着型イ
メージセンサにおける一部拡大図である。 １−・・基板 ２−Ｃｒ層 ３−ａ−３ｉ：Ｈ層 ４−Ｉ Ｔ ０層５− レジスト
層 ６−・・遮光膜７・・−配線層 ８−
Ｉ Ｃチップ９− リード線 １０−・−パッシベーション膜 １１−封止樹脂
Claims (4)
- （１）基板と、この基板上に積層された下部電極と、こ
の下部電極上に積層された光電変換層と、この光電変換
層上に積層された透光性の上部電極と、前記基板上にあ
って、前記下部電極に接続される配線部とを具備する密
着型イメージセンサにおいて、前記上部電極上に受光部
分を規定する遮光膜を設け、この遮光膜は、前記配線部
を構成する材料と同一の材料を少なくとも一部に有する
ことを特徴とする密着型イメージセンサ。 - （２）上記遮光膜はＡｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｓ
ｎ、Ａｕ、Ａｇまたは、Ｍｏを主成分とする単層から構
成されたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
密着型イメージセンサ。 - （３）上記遮光膜は、ＣｒまたはＴｉを主成分とする接
着層と、この接着層上に積層され、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、
ＰｔまたはＡｇを主成分とする導電層とで構成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密着型イメ
ージセンサ。 - （４）基板上に、下部電極、光電変換層及び透光性の上
部電極を順次積層する密着型イメージセンサの製造方法
において、受光部分を規定する遮光膜を、前記下部電極
に接続される配線部と同時に形成することを特徴とする
密着型イメージセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108585A JPH0724302B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62108585A JPH0724302B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63273350A true JPS63273350A (ja) | 1988-11-10 |
| JPH0724302B2 JPH0724302B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=14488538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62108585A Expired - Fee Related JPH0724302B2 (ja) | 1987-05-01 | 1987-05-01 | 密着型イメージセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0724302B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012018991A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
-
1987
- 1987-05-01 JP JP62108585A patent/JPH0724302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012018991A (ja) * | 2010-07-06 | 2012-01-26 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0724302B2 (ja) | 1995-03-15 |
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