JPS61199658A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサの製造方法Info
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- JPS61199658A JPS61199658A JP60040546A JP4054685A JPS61199658A JP S61199658 A JPS61199658 A JP S61199658A JP 60040546 A JP60040546 A JP 60040546A JP 4054685 A JP4054685 A JP 4054685A JP S61199658 A JPS61199658 A JP S61199658A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100025490 Slit homolog 1 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710123186 Slit homolog 1 protein Proteins 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、絶縁基板上にそれぞれ一側に個別電極、他側
に共通電極を備えた光電変換膜からなるに同じ基板上に
支持されたスイッチング用半導体装置が接続されたイメ
ージセンサの製造方法に関する。
に共通電極を備えた光電変換膜からなるに同じ基板上に
支持されたスイッチング用半導体装置が接続されたイメ
ージセンサの製造方法に関する。
第２図は上述のようなイメージセンサの一例を示し、ア
ルミナ基板１にＡｕ厚膜のスクリーン印刷とフォトエツ
チングにより配線パターン２を形成し、グレーズ１ｉ１
３を被着して平滑化を行った基板上にＣｒ膜をスパッタ
リングしたのち、フォトエツチングにより配線パターン
２と接続される個別電極４を形成する。この個別電橋上
に半導体薄膜により光電変換ｒｆ！Ａ５を形成し、その
上にＩＴＯ（酸化インジウムすず）のＤＣスパッタリン
グにより共ｉＩｌ′ｇｉ極６をマスク成膜する。一方、
個別電極４と共通電極６から順次出力信号をとり出すた
めのスイッチング回路のｌｃ７をグイボンディングし配
線２と導Ｍ８によって接続する。さらにセンサ部および
ｔＣを樹脂９により被覆して保護する。 このような構造のイメージセンサは、光を基板表面を露
出させて装着するため傷やホコリが付き易く画像の明暗
判定を誤ることもある。また、表面から水分を吸着して
素子の劣化も早く、これを回避するために保護樹脂層９
を厚くコーティングすると、光の屈折率の関係から一列
の素子全体に等しく焦点を合わせることが困難になって
くる。 また、基板の色が白いため本来暗と読み取るべき画素の
素子に周辺から反射された光が入射して明暗判定を誤る
こともある。さらに、第２図に示されるごとく、共通電
８ｉ６の一方の端と個別電極５の一方の端の間の長さＡ
が一画素の幅となり、■ＴＯ共通電極６をマスク成膜す
るためにこの幅Ａのバラツキが橿めて大きくなり、しい
てはイメージセンサ自体の歩留り悪化につながる。しか
し、通常のフォトエツチング法により共通電極を加工す
ると、エツチング液の成分が光電変換膜の表面を改質さ
せたり、ＩＴＯを除去した表面にＩＴＯの成分が残留し
拡散したりすることによって、もれ電流の増大、Ｓ／Ｎ
比の悪化などが起こるという問題が起こる。 第３図は別の例を示し、この場合は基板としてガラスＦ
ｉｌＯを用い、基板とガラスとの付着性のよいＣｒパタ
ーン４を形成したのち、＾Ｕ膜２により配線パターンを
形成する。Ｃｒ１ｉ２４によりなる個別電極に重なるよ
うにアモルファスシリコン（ａ −５ｉ）などからなる
光電変換膜５を形成したのち上面にマスクスパッタリン
グによりＩＴＯ電極６を設け、と光電変換膜５の界面を
保護したままのフォトエツチングにより開口スリット１
１を形成する。ＩＣ７はＡｕ膜２の上にグイボンディン
グされ、導線８によって配線パターンと接続される。Ｉ
Ｃ？およびセンサ部は第２図の場合と同様樹脂Ｎ９によ
って保護される。 この構造のイメージセンサにおいて、フォトエツチング
されたＣｒ膜４１によってきまる開口スリット１１の幅
Ｂによって充電変換する画素面積が精度良く規定され、
また基板１０が透明なため周辺の散乱光による判定の誤
りも少ない、しかしこのイメージセンサも光を基板と逆
方向から入射させて読み取るタイプであるため第２図に
示したイメージセンサと同様な問題点を有する。またフ
ォトエツチングの回数も３回あり、マスクの合わせ工程
を２回も必要とするため、コスト高になる欠点を有して
いる。 以上の点から当然透光性絶縁基板を用い、基板側で充電
変換膜に接する電極に透明電極を用いることが考えられ
る。しかしその場合反対側の金属電極のパターニング、
あるいは透明電極と接触する配線のバターニングにフォ
トエツチングを用いると、そのエツチング液がＩＴＯな
どの透明導電材料あるいは光電変換膜が作用し、膜質の
劣化あるいは膜材料の残留などの問題が起こる式がある
。
ルミナ基板１にＡｕ厚膜のスクリーン印刷とフォトエツ
チングにより配線パターン２を形成し、グレーズ１ｉ１
３を被着して平滑化を行った基板上にＣｒ膜をスパッタ
リングしたのち、フォトエツチングにより配線パターン
２と接続される個別電極４を形成する。この個別電橋上
に半導体薄膜により光電変換ｒｆ！Ａ５を形成し、その
上にＩＴＯ（酸化インジウムすず）のＤＣスパッタリン
グにより共ｉＩｌ′ｇｉ極６をマスク成膜する。一方、
個別電極４と共通電極６から順次出力信号をとり出すた
めのスイッチング回路のｌｃ７をグイボンディングし配
線２と導Ｍ８によって接続する。さらにセンサ部および
ｔＣを樹脂９により被覆して保護する。 このような構造のイメージセンサは、光を基板表面を露
出させて装着するため傷やホコリが付き易く画像の明暗
判定を誤ることもある。また、表面から水分を吸着して
素子の劣化も早く、これを回避するために保護樹脂層９
を厚くコーティングすると、光の屈折率の関係から一列
の素子全体に等しく焦点を合わせることが困難になって
くる。 また、基板の色が白いため本来暗と読み取るべき画素の
素子に周辺から反射された光が入射して明暗判定を誤る
こともある。さらに、第２図に示されるごとく、共通電
８ｉ６の一方の端と個別電極５の一方の端の間の長さＡ
が一画素の幅となり、■ＴＯ共通電極６をマスク成膜す
るためにこの幅Ａのバラツキが橿めて大きくなり、しい
てはイメージセンサ自体の歩留り悪化につながる。しか
し、通常のフォトエツチング法により共通電極を加工す
ると、エツチング液の成分が光電変換膜の表面を改質さ
せたり、ＩＴＯを除去した表面にＩＴＯの成分が残留し
拡散したりすることによって、もれ電流の増大、Ｓ／Ｎ
比の悪化などが起こるという問題が起こる。 第３図は別の例を示し、この場合は基板としてガラスＦ
ｉｌＯを用い、基板とガラスとの付着性のよいＣｒパタ
ーン４を形成したのち、＾Ｕ膜２により配線パターンを
形成する。Ｃｒ１ｉ２４によりなる個別電極に重なるよ
うにアモルファスシリコン（ａ −５ｉ）などからなる
光電変換膜５を形成したのち上面にマスクスパッタリン
グによりＩＴＯ電極６を設け、と光電変換膜５の界面を
保護したままのフォトエツチングにより開口スリット１
１を形成する。ＩＣ７はＡｕ膜２の上にグイボンディン
グされ、導線８によって配線パターンと接続される。Ｉ
Ｃ？およびセンサ部は第２図の場合と同様樹脂Ｎ９によ
って保護される。 この構造のイメージセンサにおいて、フォトエツチング
されたＣｒ膜４１によってきまる開口スリット１１の幅
Ｂによって充電変換する画素面積が精度良く規定され、
また基板１０が透明なため周辺の散乱光による判定の誤
りも少ない、しかしこのイメージセンサも光を基板と逆
方向から入射させて読み取るタイプであるため第２図に
示したイメージセンサと同様な問題点を有する。またフ
ォトエツチングの回数も３回あり、マスクの合わせ工程
を２回も必要とするため、コスト高になる欠点を有して
いる。 以上の点から当然透光性絶縁基板を用い、基板側で充電
変換膜に接する電極に透明電極を用いることが考えられ
る。しかしその場合反対側の金属電極のパターニング、
あるいは透明電極と接触する配線のバターニングにフォ
トエツチングを用いると、そのエツチング液がＩＴＯな
どの透明導電材料あるいは光電変換膜が作用し、膜質の
劣化あるいは膜材料の残留などの問題が起こる式がある
。
本発明は、上記の問題点を解決し、光を基板側から光電
変換膜に入射させて読み取るタイプのイメージセンサを
、光電変換素子の感光領域の特性を損ねることなく、画
素面積を精度良く規定でき、しかも低い原価で製造でき
る方法を提供することを目的＾すス
変換膜に入射させて読み取るタイプのイメージセンサを
、光電変換素子の感光領域の特性を損ねることなく、画
素面積を精度良く規定でき、しかも低い原価で製造でき
る方法を提供することを目的＾すス
本発明によれば、透光性絶縁基板上にフォトエツチング
法により透明電極パターンを形成し、透明電極上に光電
変換膜を積層後、透明電極に光電変換膜を挟んで対向す
る金属電極を、所望の配線あるいは電極パターンの窓を
有するレジストを被Ｍ後その上に窓部を含めて金属層を
被着し、つづいてレジストを除去するリフトオフ法によ
って形成することによって上記の目的を達成する。
法により透明電極パターンを形成し、透明電極上に光電
変換膜を積層後、透明電極に光電変換膜を挟んで対向す
る金属電極を、所望の配線あるいは電極パターンの窓を
有するレジストを被Ｍ後その上に窓部を含めて金属層を
被着し、つづいてレジストを除去するリフトオフ法によ
って形成することによって上記の目的を達成する。
以下図と実施例を引用して本発明について説明する。第
２図、第３図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る。 実施例１： 第１図において、基板としては透明なソーダガラス基板
１０を用い、その上にＩＴＯを７００人の厚さに蒸着し
、フォトエツチングにより第１図（ｂｌに示すような１
００ｎＸ １００ ｔｒｍの電極部６１および２５μ幅
の配線部６２を有する個別電極６を形成する６次いで電
極部６１および配線部６２の一部を層へマスクを用いて
Ｃｒ４を１０００人、Ｎｉ１２を５０００人の厚さに積
層しＣｒ／Ｎｉ１ｌを形成する０次に第１図（Ｃ）に示
すようにＩＴＯ個別電極の電極部６１および配線部６２
をレジスト１３で覆い、現像する。レジスト１３で覆わ
れない部分において、塩化第二鉄の水溶液によって旧を
、硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液に過塩素酸を
混合した溶液によりＣｒをエツチングして配線パターン
を形成したあと、剥離液を用いてレジスト１３を除去す
る。この場合ＩＴＯからなる個別電極６はレジスト１３
によって覆われているのでエツチング液の作用を受ける
ことがない０次いで第１図ｆｄｌに示すように個別電極
の電極部６１を覆って光電変換膜としてａ−３ｉ層５を
Ｐ層、［層。 ＮＪｉの順にマスク成膜したのち、１１０ ｐｐｍ幅の
窓１４を残してレジスト１３を塗布する。このあと、窓
１４とその周辺の上にＡ１１５を２０００人、 Ｔｉ１
６を１０００人の厚さに順次マスク蒸着し、剥１４１液
によりレジスト１３の上のＡ１１５． Ｔｉ１６を除去
する。ＩＣ７はポリイミドフィルムのキャリア１７を用
いて配線の間に搭載される。このようなイメージセンサ
では感光碩極６の電極部６１の寸法Ｃによってきまるの
で、精度よく規定できる。 実施例２： 実施例１と同様に透明なガラス基板上に１００−ＸＩＱ
Ｑｎの電極部と２５４幅の配線部を有する個別電極を形
成後、第４図（ａｉに示すように全面に１１１Ｏ０人の
厚さのＣｒｔと５０００人の厚さのＮｉ１２を蒸着する
。 次にレジスト膜１３を個別電極の電１部６１から１０戸
の位置を末端とする配線パターンで現像し、エツチング
によりＣｒ／Ｎｉ配線パターンを形成する。このあと、
第４図山）に示すようにＮｉ膜Ｘ２の上に一部が重なる
ａ−ｓｉ＃５を成膜し、実施例】と同様にして共通電極
を形成する。この構造のイメージセンサでは、基板上に
配線バター〉′が透明電極から１０ｊ１１１の所まで接
近しているので、遮光効果を生じ、斜めからの光の感光
領域への入射を防ぐ。 実施例３： 実施例１．２と同様にＩＴＯ個別電極を形成後、Ｐ型の
ａ−３ｉＣＮとａ Ｓｉの１層およびＮ層とからなる
光１！変換膜を順次プラズマＣＶＤ法によってマスク成
膜する０次に第５図に示すように１１０−の幅をもつ共
通電極間の窓１４と配線パターンの形状の窓１７を残し
てレジス１−１３を塗布する０次いで全面にｒＴｏを７
００人、 Ｃｒを１０００人、Ａｕを５０００人の厚さ
に順次蒸着したのち、レジスト１３およびその上の［Ｔ
Ｏ＋ Ｃｒ ＋１の各膜を除去すれば、個別電極６に
接続される配線パターンおよび共通電極が同時にＩ Ｔ
Ｏ、Ｃｒ、Ｎｌの積層によって形成され、工程が簡略
になる。 実施例４： 第６図（ａｌに示すように透明ガラス基板１０上に７０
０人の厚さに蒸着したＩＴＯ膜からフォトエツチングに
より １１０ ｐｔ＋幅の共通電極６０を形成する０次
いで水素で冗釈したシランガスのグロー放電分解により
１，１１１１の厚さのａ−５ｉの１層５をマスク成膜す
る０次に、フォトレジストを全面に塗布し露光により第
６図山）に示すような個別電極の形状の１００μＸ１０
０４の窓１６と配線パターンの窓１５が連結さレジスト
１３の上全面にＡｌ！ｉ！１５を１ｐ１ａの厚さにで着
したのち、レジスト１３およびレジスト上のＡｌ膜を一
除去することにより第６図ｉａ）に示すＡｌ膜の個別電
極およびそれに接続された配ＦＩａ１５が出来上がる。 この配線１５は図示しないが基板１０の上にグイボンデ
ィングされたＩ’ Ｃとワイヤボンディングにより接続
される。この場合はＡ１１ｌｌの個別電極により感光領
域の寸法が規定されるが、フオプロセスによりレジスト
窓のパターンを形成することにより高い精度が得られる
。
２図、第３図と共通の部分には同一の符号が付されてい
る。 実施例１： 第１図において、基板としては透明なソーダガラス基板
１０を用い、その上にＩＴＯを７００人の厚さに蒸着し
、フォトエツチングにより第１図（ｂｌに示すような１
００ｎＸ １００ ｔｒｍの電極部６１および２５μ幅
の配線部６２を有する個別電極６を形成する６次いで電
極部６１および配線部６２の一部を層へマスクを用いて
Ｃｒ４を１０００人、Ｎｉ１２を５０００人の厚さに積
層しＣｒ／Ｎｉ１ｌを形成する０次に第１図（Ｃ）に示
すようにＩＴＯ個別電極の電極部６１および配線部６２
をレジスト１３で覆い、現像する。レジスト１３で覆わ
れない部分において、塩化第二鉄の水溶液によって旧を
、硝酸第二セリウムアンモニウムの水溶液に過塩素酸を
混合した溶液によりＣｒをエツチングして配線パターン
を形成したあと、剥離液を用いてレジスト１３を除去す
る。この場合ＩＴＯからなる個別電極６はレジスト１３
によって覆われているのでエツチング液の作用を受ける
ことがない０次いで第１図ｆｄｌに示すように個別電極
の電極部６１を覆って光電変換膜としてａ−３ｉ層５を
Ｐ層、［層。 ＮＪｉの順にマスク成膜したのち、１１０ ｐｐｍ幅の
窓１４を残してレジスト１３を塗布する。このあと、窓
１４とその周辺の上にＡ１１５を２０００人、 Ｔｉ１
６を１０００人の厚さに順次マスク蒸着し、剥１４１液
によりレジスト１３の上のＡ１１５． Ｔｉ１６を除去
する。ＩＣ７はポリイミドフィルムのキャリア１７を用
いて配線の間に搭載される。このようなイメージセンサ
では感光碩極６の電極部６１の寸法Ｃによってきまるの
で、精度よく規定できる。 実施例２： 実施例１と同様に透明なガラス基板上に１００−ＸＩＱ
Ｑｎの電極部と２５４幅の配線部を有する個別電極を形
成後、第４図（ａｉに示すように全面に１１１Ｏ０人の
厚さのＣｒｔと５０００人の厚さのＮｉ１２を蒸着する
。 次にレジスト膜１３を個別電極の電１部６１から１０戸
の位置を末端とする配線パターンで現像し、エツチング
によりＣｒ／Ｎｉ配線パターンを形成する。このあと、
第４図山）に示すようにＮｉ膜Ｘ２の上に一部が重なる
ａ−ｓｉ＃５を成膜し、実施例】と同様にして共通電極
を形成する。この構造のイメージセンサでは、基板上に
配線バター〉′が透明電極から１０ｊ１１１の所まで接
近しているので、遮光効果を生じ、斜めからの光の感光
領域への入射を防ぐ。 実施例３： 実施例１．２と同様にＩＴＯ個別電極を形成後、Ｐ型の
ａ−３ｉＣＮとａ Ｓｉの１層およびＮ層とからなる
光１！変換膜を順次プラズマＣＶＤ法によってマスク成
膜する０次に第５図に示すように１１０−の幅をもつ共
通電極間の窓１４と配線パターンの形状の窓１７を残し
てレジス１−１３を塗布する０次いで全面にｒＴｏを７
００人、 Ｃｒを１０００人、Ａｕを５０００人の厚さ
に順次蒸着したのち、レジスト１３およびその上の［Ｔ
Ｏ＋ Ｃｒ ＋１の各膜を除去すれば、個別電極６に
接続される配線パターンおよび共通電極が同時にＩ Ｔ
Ｏ、Ｃｒ、Ｎｌの積層によって形成され、工程が簡略
になる。 実施例４： 第６図（ａｌに示すように透明ガラス基板１０上に７０
０人の厚さに蒸着したＩＴＯ膜からフォトエツチングに
より １１０ ｐｔ＋幅の共通電極６０を形成する０次
いで水素で冗釈したシランガスのグロー放電分解により
１，１１１１の厚さのａ−５ｉの１層５をマスク成膜す
る０次に、フォトレジストを全面に塗布し露光により第
６図山）に示すような個別電極の形状の１００μＸ１０
０４の窓１６と配線パターンの窓１５が連結さレジスト
１３の上全面にＡｌ！ｉ！１５を１ｐ１ａの厚さにで着
したのち、レジスト１３およびレジスト上のＡｌ膜を一
除去することにより第６図ｉａ）に示すＡｌ膜の個別電
極およびそれに接続された配ＦＩａ１５が出来上がる。 この配線１５は図示しないが基板１０の上にグイボンデ
ィングされたＩ’ Ｃとワイヤボンディングにより接続
される。この場合はＡ１１ｌｌの個別電極により感光領
域の寸法が規定されるが、フオプロセスによりレジスト
窓のパターンを形成することにより高い精度が得られる
。
本発明は、透光性絶縁基板上に透明電極をフォトエツチ
ングにより形成し、充電変換膜を成膜後、リフトオフ法
により対向金属電極を形成するものである。これにより
基板を通して光の入射するイメージセンナがフォトマス
クのマスク合わせを多くとも１回必要とするだけで、簡
略化された工程で低いコストで製造できる。また、リフ
トオフ法を用いるのでニー・チンダ液がｌ ’Ｉ’ Ｏ
あるいは充電するため保護樹脂を透過せず、基板による
光の反射がなく、またフォトプロセスにより感光領域の
寸法が精度よく規定されるため性能の良いイメージセン
サを得ることができる。 光電変換素子を１７２８個並べた本発明のイメージセン
サの同一照度における素子の出力電流のばらつきは、実
施例１〜３で±ｌθ％、実施例４において±１５％にお
さまった。また、ロフト間のばらつきもほとんどなく、
１００個の基板について個々の平均値のばらつきは±５
％であった。
ングにより形成し、充電変換膜を成膜後、リフトオフ法
により対向金属電極を形成するものである。これにより
基板を通して光の入射するイメージセンナがフォトマス
クのマスク合わせを多くとも１回必要とするだけで、簡
略化された工程で低いコストで製造できる。また、リフ
トオフ法を用いるのでニー・チンダ液がｌ ’Ｉ’ Ｏ
あるいは充電するため保護樹脂を透過せず、基板による
光の反射がなく、またフォトプロセスにより感光領域の
寸法が精度よく規定されるため性能の良いイメージセン
サを得ることができる。 光電変換素子を１７２８個並べた本発明のイメージセン
サの同一照度における素子の出力電流のばらつきは、実
施例１〜３で±ｌθ％、実施例４において±１５％にお
さまった。また、ロフト間のばらつきもほとんどなく、
１００個の基板について個々の平均値のばらつきは±５
％であった。
第１図は本発明の一実施例を示し、ｔａ＋はでき上がっ
たイメージセンサの断面図、（ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ
）は製造工程の要部を示す平面図、第２図、第３図は二
つの従来のイメージセンサの例を示す断面図、第４図は
別の実施例を示し、（１１）は製造工程中、（ｂ）はで
き上がり後の要部断面図、第５図はさらに別の実施例に
おけるレジストパターンの平面図、第６図はさらに異な
る実施例を示し、（ａ）はでき上がり後の要部断面図、
山）は工程中のレジストパターンの平面図である。 ４：Ｃｒ膜、５：光電変換膜、６：ＩＴＯ（１１５１１
電極、ｌＯニガラス基板、１２ ： Ｎｉ１ｌ、 １３
ニレジスト、１４．１７．１８ ニレジスト窓、１５
：＾１ＰＩＪ、、１６ ： ｆｉｌ美。 ３１°ａ “′１、− ′ツ人／三汀上山口 ｙ ′ 第１図 １１２図
たイメージセンサの断面図、（ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ
）は製造工程の要部を示す平面図、第２図、第３図は二
つの従来のイメージセンサの例を示す断面図、第４図は
別の実施例を示し、（１１）は製造工程中、（ｂ）はで
き上がり後の要部断面図、第５図はさらに別の実施例に
おけるレジストパターンの平面図、第６図はさらに異な
る実施例を示し、（ａ）はでき上がり後の要部断面図、
山）は工程中のレジストパターンの平面図である。 ４：Ｃｒ膜、５：光電変換膜、６：ＩＴＯ（１１５１１
電極、ｌＯニガラス基板、１２ ： Ｎｉ１ｌ、 １３
ニレジスト、１４．１７．１８ ニレジスト窓、１５
：＾１ＰＩＪ、、１６ ： ｆｉｌ美。 ３１°ａ “′１、− ′ツ人／三汀上山口 ｙ ′ 第１図 １１２図
Claims (1)
- １）透光性絶縁基板上に基板側より積層された透明電極
、光電変換膜、対向金属電極よりなる複数の光電変換素
子が直線状に配列され、各素子に同じ基板上に支持され
たスイッチング用半導体装置が接続されるイメージセン
サの製造方法において、基板上にフォトエッチング法に
より透明電極パターンを形成し、透明電極上に光電変換
膜を積層後、対向金属電極を、所望の配線あるいは電極
パターンの窓を有するレジストを被着後、その上に窓部
を含めて金属層を被着し、つづいてレジストを除去する
リフトオフ法によって形成することを特徴とするイメー
ジセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040546A JPS61199658A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040546A JPS61199658A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199658A true JPS61199658A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12583444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040546A Pending JPS61199658A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199658A (ja) |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60040546A patent/JPS61199658A/ja active Pending
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